JPH03112858A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH03112858A JPH03112858A JP1248059A JP24805989A JPH03112858A JP H03112858 A JPH03112858 A JP H03112858A JP 1248059 A JP1248059 A JP 1248059A JP 24805989 A JP24805989 A JP 24805989A JP H03112858 A JPH03112858 A JP H03112858A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体磁器
組成物に関するものであり、さらに詳しくは、コンデン
サー用途に適した誘電体磁器組成物に関するものである
。
組成物に関するものであり、さらに詳しくは、コンデン
サー用途に適した誘電体磁器組成物に関するものである
。
従来、チタン酸バリウムを主成分とする誘電3゜
体磁器組成物は、焼結温度が1 、300°C以上と掻
めて高いため、積層コンデンサー用途として用いる場合
、内部電極材料として高温の焼結温度に耐えうる高融点
貴金属、例えば、白金、パラジウム、金等が用いられて
きた。これらの貴金属は高価なものであるため、積層コ
ンデンサーのコストも高いものとなる。また高温で焼結
するため、焼結炉の設計、焼結に要するエネルギー等も
問題となってくる。すなわち、積層コンデンサーを製造
する場合、コストの面から、内部電極材料として、安価
な銀を主成分とすることが好ましく、また、炉の設計が
容易であるためにも、低温で焼結可能な誘電体磁器組成
物が強く望まれていた。
めて高いため、積層コンデンサー用途として用いる場合
、内部電極材料として高温の焼結温度に耐えうる高融点
貴金属、例えば、白金、パラジウム、金等が用いられて
きた。これらの貴金属は高価なものであるため、積層コ
ンデンサーのコストも高いものとなる。また高温で焼結
するため、焼結炉の設計、焼結に要するエネルギー等も
問題となってくる。すなわち、積層コンデンサーを製造
する場合、コストの面から、内部電極材料として、安価
な銀を主成分とすることが好ましく、また、炉の設計が
容易であるためにも、低温で焼結可能な誘電体磁器組成
物が強く望まれていた。
チタン酸バリウムの焼結温度を低下させるための焼結助
剤として、酸化銅(Trans、Bri t、cera
n+。
剤として、酸化銅(Trans、Bri t、cera
n+。
Soc、、74.165(1975) ) 、フン化リ
チウム[J、Am。
チウム[J、Am。
Ceram、Soc、 、66、11.801(198
3)、特開昭57−160963号公報〕等が報告され
ているが、これらの焼結助剤を用いて誘電体磁器を作成
した場合、グレインサイズが大きく、不均一であり、場
合によっては数10μmに達する異常粒成長も起こり得
る。この欠点を改善する方法として、特開昭61−25
1561号公報には、酸化銅と酸化亜鉛および/または
酸化カドミウムを0.2〜5.5 mo 1%添加する
ことで、1 、200°C以下の焼結温度で、はぼ理論
密度の誘電体磁器組成物が得られ、なおかつその微構造
を制御できる可能性が開示されている。しかしこの方法
で得られる誘電体磁器組成物は、1 、200°C以下
で焼結でき、高い誘電率を有しているが、誘電率の温度
依存性が大きく、高温負荷特性などの信頼性に若干の問
題が残されていた。
3)、特開昭57−160963号公報〕等が報告され
ているが、これらの焼結助剤を用いて誘電体磁器を作成
した場合、グレインサイズが大きく、不均一であり、場
合によっては数10μmに達する異常粒成長も起こり得
る。この欠点を改善する方法として、特開昭61−25
1561号公報には、酸化銅と酸化亜鉛および/または
酸化カドミウムを0.2〜5.5 mo 1%添加する
ことで、1 、200°C以下の焼結温度で、はぼ理論
密度の誘電体磁器組成物が得られ、なおかつその微構造
を制御できる可能性が開示されている。しかしこの方法
で得られる誘電体磁器組成物は、1 、200°C以下
で焼結でき、高い誘電率を有しているが、誘電率の温度
依存性が大きく、高温負荷特性などの信頼性に若干の問
題が残されていた。
誘電率の温度依存性を小さくする方法として、特開昭6
0−21033号公報ではチタン酸バリウムに酸化銅お
よび酸化鉄を、特開昭60−208877号公報では、
チタン酸バリウムに酸化リチウムおよび酸化鉄をそれぞ
れ添加すると低温焼結性を損なうことなしに誘電率の温
度依存性を小さくできる組成物が開示されている。しか
しこの方法で得られる誘電体磁器組成物は誘電率の温度
依存性が極めて小さいものの、誘電率が2,000程度
と小さい。
0−21033号公報ではチタン酸バリウムに酸化銅お
よび酸化鉄を、特開昭60−208877号公報では、
チタン酸バリウムに酸化リチウムおよび酸化鉄をそれぞ
れ添加すると低温焼結性を損なうことなしに誘電率の温
度依存性を小さくできる組成物が開示されている。しか
しこの方法で得られる誘電体磁器組成物は誘電率の温度
依存性が極めて小さいものの、誘電率が2,000程度
と小さい。
また、信頼性を改善する方法としてチタン酸バリウムに
希土類酸化物を添加することが知られている。J、八m
、ceram、soc、 、 46.5.197 (1
963)にはチタン酸バリウムに0.5 mo 1%の
酸化ランタンを添加し1 、375〜1.500°Cで
焼結した積層コンデンサーの信頼性が向上することが報
告されている。この方法では、焼結温度が高いため、グ
レインサイズが不均一になり易く、実用上電気特性も不
安定である。
希土類酸化物を添加することが知られている。J、八m
、ceram、soc、 、 46.5.197 (1
963)にはチタン酸バリウムに0.5 mo 1%の
酸化ランタンを添加し1 、375〜1.500°Cで
焼結した積層コンデンサーの信頼性が向上することが報
告されている。この方法では、焼結温度が高いため、グ
レインサイズが不均一になり易く、実用上電気特性も不
安定である。
従来技術では、1 、200°C以下で焼結でき、誘電
率が大きく、温度依存性が小さな、信頼性の高い誘電体
磁器組成物は得られていない。
率が大きく、温度依存性が小さな、信頼性の高い誘電体
磁器組成物は得られていない。
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、チタン酸バリウ
ムに酸化亜鉛、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル
、酸化銅を特定量添加した組成物は、1 、200°C
以下の焼結温度で、理論密度の90%以上に緻密化し、
同時に高い誘電率を有した、温度依存性の小さな、信頼
性の高い誘電体磁器組成物が得られる事を見い出し、本
発明に到達した。
ムに酸化亜鉛、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル
、酸化銅を特定量添加した組成物は、1 、200°C
以下の焼結温度で、理論密度の90%以上に緻密化し、
同時に高い誘電率を有した、温度依存性の小さな、信頼
性の高い誘電体磁器組成物が得られる事を見い出し、本
発明に到達した。
すなわち、本発明は、チタン酸バリウム86.7〜99
.5mo1%、酸化亜鉛0.2〜5.5molfi%、
酸化ニオブおよび/または酸化タンタル0.1〜0.8
mo1%、酸化銅0.2〜7IIio1%を含む誘電体
磁器組成物、及び該誘電体磁器組成物にスズ酸塩、チタ
ン酸塩、ジルコン酸塩の中から選ばれた一種以上を2〜
20Illo2含有させた誘電体磁器組成物である。
.5mo1%、酸化亜鉛0.2〜5.5molfi%、
酸化ニオブおよび/または酸化タンタル0.1〜0.8
mo1%、酸化銅0.2〜7IIio1%を含む誘電体
磁器組成物、及び該誘電体磁器組成物にスズ酸塩、チタ
ン酸塩、ジルコン酸塩の中から選ばれた一種以上を2〜
20Illo2含有させた誘電体磁器組成物である。
本発明のチタン酸バリウムに特定量の酸化亜鉛、酸化ニ
オブおよび/または酸化タンタル、酸化銅を添加し、焼
成した誘電体磁器組成物は、酸化ニオブおよび/または
酸化タンタル無添加の組成物に比べ、誘電率の温度依存
性が小さく、同時に高い信頼性を示す。
オブおよび/または酸化タンタル、酸化銅を添加し、焼
成した誘電体磁器組成物は、酸化ニオブおよび/または
酸化タンタル無添加の組成物に比べ、誘電率の温度依存
性が小さく、同時に高い信頼性を示す。
さらに特定のチタン酸塩、ジルコン酸塩、スズ酸塩から
選ばれた一種以上の特定量を含有させた誘電体磁器組成
物は、上記特性を損ねることなく室温付近の静電容量を
高めることが可能である。
選ばれた一種以上の特定量を含有させた誘電体磁器組成
物は、上記特性を損ねることなく室温付近の静電容量を
高めることが可能である。
本発明で使用するチタン酸バリウムは、固相法、液相法
(例えば、しゅう酸塩法、アルコキシド法)等いずれの
方法で製造されたものでもよい。平均粒径が1μm以下
と小さく、粒度分布の均一なものを用いた場合、−層均
一な微構造を持ち、電気特性の良好な信頼性の高い誘電
体磁器組成物が得られる。
(例えば、しゅう酸塩法、アルコキシド法)等いずれの
方法で製造されたものでもよい。平均粒径が1μm以下
と小さく、粒度分布の均一なものを用いた場合、−層均
一な微構造を持ち、電気特性の良好な信頼性の高い誘電
体磁器組成物が得られる。
本発明では、添加物として酸化亜鉛、酸化ニオブおよび
/または酸化タンタル、酸化銅をそのまま用いることが
できるが、水酸化物(例えば水酸化亜鉛、水酸化ニオブ
、水酸化銅)、炭酸塩(例えば炭酸亜鉛)などの無機酸
塩や、しゅう酸塩、アルコキシドなどの有機塩等、焼結
温度以下で分解して酸化物となるものならばいずれも使
用できる。
/または酸化タンタル、酸化銅をそのまま用いることが
できるが、水酸化物(例えば水酸化亜鉛、水酸化ニオブ
、水酸化銅)、炭酸塩(例えば炭酸亜鉛)などの無機酸
塩や、しゅう酸塩、アルコキシドなどの有機塩等、焼結
温度以下で分解して酸化物となるものならばいずれも使
用できる。
また、本発明で添加するスズ酸塩、チタン酸塩、ジルコ
ン酸塩は、アルカリ土類金属あるいは鉛のスズ酸塩(ス
ズ酸バリウム、スズ酸カルシウム、スズ酸ストロンチウ
ム、スズ酸鉛なと)、チタン酸塩(チタン酸ストロンチ
ウムなど)、ジルコン酸塩(ジルコン酸バリウム、ジル
コン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコ
ン酸鉛など)の通常の複合酸化物の形のものが好適に用
いられる。
ン酸塩は、アルカリ土類金属あるいは鉛のスズ酸塩(ス
ズ酸バリウム、スズ酸カルシウム、スズ酸ストロンチウ
ム、スズ酸鉛なと)、チタン酸塩(チタン酸ストロンチ
ウムなど)、ジルコン酸塩(ジルコン酸バリウム、ジル
コン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコ
ン酸鉛など)の通常の複合酸化物の形のものが好適に用
いられる。
本発明の誘電体磁器組成物中のチタン酸バリウムの割合
は、86.7〜99.5molfi%の範囲である。
は、86.7〜99.5molfi%の範囲である。
その割合が、99.5mol%以上では1 、200°
C以下の温度で焼結が困難となり、86.7mof%以
下では焼結時に著しい素地の変形が生じる。焼結性がよ
く、かつ素地の変形がほとんど生しない好ましい範囲は
93.4〜98.6 moρ%である。
C以下の温度で焼結が困難となり、86.7mof%以
下では焼結時に著しい素地の変形が生じる。焼結性がよ
く、かつ素地の変形がほとんど生しない好ましい範囲は
93.4〜98.6 moρ%である。
酸化亜鉛の割合はZnQの形として0.2〜5.5mo
lfi%の範囲である。5.5 mo 1%以上では1
,200°C以下での焼結が困難であり、グレインの不
均一性、絶縁抵抗の低下を招き、また、Q、2mof%
以下では添加効果がほとんど認められず、誘電損失も増
大する。焼結性が良好で充分高い絶縁抵抗を与える最も
好ましい範囲は0.6〜3 mo 1%の範囲である。
lfi%の範囲である。5.5 mo 1%以上では1
,200°C以下での焼結が困難であり、グレインの不
均一性、絶縁抵抗の低下を招き、また、Q、2mof%
以下では添加効果がほとんど認められず、誘電損失も増
大する。焼結性が良好で充分高い絶縁抵抗を与える最も
好ましい範囲は0.6〜3 mo 1%の範囲である。
酸化ニオブおよび/または酸化クンタルの割合は、Nb
2O3、TazO5の形として0.1〜0.8moff
i%の範囲である。Q、 3 mo 1%以上では1
、200℃以下での焼結が困難であり、積層コンデンサ
ーを製造する場合内部電極と誘電体層間でのデラミネー
ションが著しく、また、Q、1moffi%以下では添
加効果がほとんど認められず、誘電率の温度依存性が大
きく、信頼性も低い。デラミネーションが起こらず信頼
性も充分良好となる最も好ましい範囲は0.2〜0.6
mo 1%の範囲である。
2O3、TazO5の形として0.1〜0.8moff
i%の範囲である。Q、 3 mo 1%以上では1
、200℃以下での焼結が困難であり、積層コンデンサ
ーを製造する場合内部電極と誘電体層間でのデラミネー
ションが著しく、また、Q、1moffi%以下では添
加効果がほとんど認められず、誘電率の温度依存性が大
きく、信頼性も低い。デラミネーションが起こらず信頼
性も充分良好となる最も好ましい範囲は0.2〜0.6
mo 1%の範囲である。
酸化銅の割合は、CuOとして0.2〜7m01%の範
囲である。7m02%以上ではデラミネーションが著し
く、誘電損失の値も大きくなり、また、焼結時のグレイ
ンサイズが不均一で大きくなり信頼性も極めて悪化する
。また、0.211IO1%以下では低温焼結が困難と
なる。デラミネーションが起こらず、充分高い信頼性を
与える最も好ましい範囲は0.6〜311I02%であ
る。
囲である。7m02%以上ではデラミネーションが著し
く、誘電損失の値も大きくなり、また、焼結時のグレイ
ンサイズが不均一で大きくなり信頼性も極めて悪化する
。また、0.211IO1%以下では低温焼結が困難と
なる。デラミネーションが起こらず、充分高い信頼性を
与える最も好ましい範囲は0.6〜311I02%であ
る。
さらに、好適な実施態様においてスズ酸塩、チタン酸塩
、ジルコン酸塩の中から選ばれた一種以上の複合酸化物
をチタン酸バリウム、酸化亜鉛、酸化銅及び酸化ニオブ
及び/または酸化タンクルからなる組成物100mof
に対して2〜20r*ol添加することにより、室温付
近の誘電率を7,000以上に増大することが可能であ
る。その量が2 mo i!。
、ジルコン酸塩の中から選ばれた一種以上の複合酸化物
をチタン酸バリウム、酸化亜鉛、酸化銅及び酸化ニオブ
及び/または酸化タンクルからなる組成物100mof
に対して2〜20r*ol添加することにより、室温付
近の誘電率を7,000以上に増大することが可能であ
る。その量が2 mo i!。
以下では、添加効果はあまり顕著ではなく室温付近の誘
電率も低く、20IOρ以上では 1 、200°C以
下での焼結が困難となる。ジルコン酸鉛またはジルコン
酸カルシウム、またはこれらの混合物を用いた場合、誘
電率の温度依存性の小さい誘電体磁器組成物が得られ易
い。
電率も低く、20IOρ以上では 1 、200°C以
下での焼結が困難となる。ジルコン酸鉛またはジルコン
酸カルシウム、またはこれらの混合物を用いた場合、誘
電率の温度依存性の小さい誘電体磁器組成物が得られ易
い。
(実施例〕
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1及び比較例1
チタン酸バリウム(富士チタン社製、商品名:HPBT
−1)、酸化亜鉛(ZnO) (高純度化学社製、純度
99.9%以上)、酸化ニオブ(NbzOs)(高純度
化学社製、純度99.9%以上)、酸化タンタル(Ta
zO,) (高純度化学社製、純度99.9%以上)、
酸化銅(Cub) (高純度化学社製、純度99.9%
以上)を第1表に示す割合で秤量し、純水を加え湿式ボ
ールミルにより混合した。混合物を充分に乾燥した後、
80メツシユのふるいを通し、配合粉とした。つぎに、
この配合粉に、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、
溶媒として1.1.1−1−リクロロエタンをそれぞれ
添加し、ナイロン製ボールミルポットで、ボールメディ
アにジルコニア製ポールを使用して、ペーストを調整し
た。得られたペーストから、ドクターブレード法を用い
て、厚み19μmのグリーンシートを作成して14cm
角に切断した後、スクリーン印刷法で、有効層60層の
積層コンデンサーを製造した。内部電極は、八g/Pd
・70/30の材料を用いた。この積層コンデンサーを
加熱によりバインダーを除去した後、1,090°C1
6時間焼結した。誘電体層厚み約12μm、有効内部電
極面積0.054ctであった。次に、外部電極として
銀電極を焼き付は電気特性を測定した。誘電率と誘電損
失はLCRメーターを用いて、IKHz、1■、20°
Cの条件下で測定した。絶縁抵抗は高絶縁抵抗計を使用
し、50V電圧印加1分間値で示した。また、グレイン
サイズは積層コンデンサーの断面を研磨し、1 、05
0°Cl2O分間熱エツチング処理後、走査形電子顕微
鏡写真を撮影し、ラインインターセプト法により求めた
。信頼性の評価として高温負荷試験を行い、155°C
1100VDC負荷条件下、故障率63%に到達する時
間を寿命(Hr)として表した。測定結果を第2表に示
す。
−1)、酸化亜鉛(ZnO) (高純度化学社製、純度
99.9%以上)、酸化ニオブ(NbzOs)(高純度
化学社製、純度99.9%以上)、酸化タンタル(Ta
zO,) (高純度化学社製、純度99.9%以上)、
酸化銅(Cub) (高純度化学社製、純度99.9%
以上)を第1表に示す割合で秤量し、純水を加え湿式ボ
ールミルにより混合した。混合物を充分に乾燥した後、
80メツシユのふるいを通し、配合粉とした。つぎに、
この配合粉に、有機バインダーとしてアクリル樹脂を、
溶媒として1.1.1−1−リクロロエタンをそれぞれ
添加し、ナイロン製ボールミルポットで、ボールメディ
アにジルコニア製ポールを使用して、ペーストを調整し
た。得られたペーストから、ドクターブレード法を用い
て、厚み19μmのグリーンシートを作成して14cm
角に切断した後、スクリーン印刷法で、有効層60層の
積層コンデンサーを製造した。内部電極は、八g/Pd
・70/30の材料を用いた。この積層コンデンサーを
加熱によりバインダーを除去した後、1,090°C1
6時間焼結した。誘電体層厚み約12μm、有効内部電
極面積0.054ctであった。次に、外部電極として
銀電極を焼き付は電気特性を測定した。誘電率と誘電損
失はLCRメーターを用いて、IKHz、1■、20°
Cの条件下で測定した。絶縁抵抗は高絶縁抵抗計を使用
し、50V電圧印加1分間値で示した。また、グレイン
サイズは積層コンデンサーの断面を研磨し、1 、05
0°Cl2O分間熱エツチング処理後、走査形電子顕微
鏡写真を撮影し、ラインインターセプト法により求めた
。信頼性の評価として高温負荷試験を行い、155°C
1100VDC負荷条件下、故障率63%に到達する時
間を寿命(Hr)として表した。測定結果を第2表に示
す。
第1表(単位:mo1%)
以下
余白
第2表
第1表の中で試料番号1〜5は実施例であり、試料番号
6〜9は比較例である。試料番号6は、酸化ニオブ、酸
化タンタル無添加の場合であり、試料番号7,8.9は
、酸化ニオブ及び/または酸化タンタルがそれぞれ過剰
の場合である。
6〜9は比較例である。試料番号6は、酸化ニオブ、酸
化タンタル無添加の場合であり、試料番号7,8.9は
、酸化ニオブ及び/または酸化タンタルがそれぞれ過剰
の場合である。
第2表から明らかなように、酸化ニオブ、酸化タンタル
が無添加では高温負荷寿命が1.8時間と小さく、信頼
性が低い。また酸化ニオブ、酸化タンタルの添加量が、
特許請求の範囲を越えると、誘電体の焼結が困難となり
、容量(CAP)、絶縁抵抗(IR)の低下を招く。こ
れらに対し、試料番号1〜5では、安定して高い容量を
示し、絶縁抵抗も高くグレインも均一で微細であり、同
時に高い信頼性を与えていることが明らかである。
が無添加では高温負荷寿命が1.8時間と小さく、信頼
性が低い。また酸化ニオブ、酸化タンタルの添加量が、
特許請求の範囲を越えると、誘電体の焼結が困難となり
、容量(CAP)、絶縁抵抗(IR)の低下を招く。こ
れらに対し、試料番号1〜5では、安定して高い容量を
示し、絶縁抵抗も高くグレインも均一で微細であり、同
時に高い信頼性を与えていることが明らかである。
実施例2
チタン酸バリウム96.3mof%、酸化亜鉛2.0m
o1%、酸化ニオブ0.5mo1%、酸化銅1.2 m
o 42%からなる組成物100molに、キュリー点
をシフトさせるための添加物として、スズ酸バリウム、
スズ酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸カルシウ
ム、チタン酸ストロンチウムをそれぞれ第3表に示す割
合で添加した。実施例1と同様の方法で積層コンデンサ
ーを試作し、電気物性を測定した。その結果を第4表に
示す。
o1%、酸化ニオブ0.5mo1%、酸化銅1.2 m
o 42%からなる組成物100molに、キュリー点
をシフトさせるための添加物として、スズ酸バリウム、
スズ酸カルシウム、ジルコン酸鉛、ジルコン酸カルシウ
ム、チタン酸ストロンチウムをそれぞれ第3表に示す割
合で添加した。実施例1と同様の方法で積層コンデンサ
ーを試作し、電気物性を測定した。その結果を第4表に
示す。
なお、スズ酸塩、ジルコン酸塩、チタン酸塩の添加量は
、キュリー点が0〜20°Cにシフトするように調整し
、決定した。
、キュリー点が0〜20°Cにシフトするように調整し
、決定した。
第3表(単位:mo1%)
以下
余白
第4表
*1は基準温度(20°C)に対する各温度での静電容
量の変化率(%) 第4表の結果から、スズ酸塩、ジルコン酸塩、チタン酸
塩のいずれを添加した場合も、室温で極めて高い静電容
量を示し、比誘電率7.000〜12,000程度であ
る。高温負荷試験による寿命でも、良好な値を示し、信
頼性も高い。
量の変化率(%) 第4表の結果から、スズ酸塩、ジルコン酸塩、チタン酸
塩のいずれを添加した場合も、室温で極めて高い静電容
量を示し、比誘電率7.000〜12,000程度であ
る。高温負荷試験による寿命でも、良好な値を示し、信
頼性も高い。
また、温度変化率はジルコン酸塩を添加した場合に比較
的小さな値を示す。
的小さな値を示す。
誘電損失も小さく(5%以下)、絶縁抵抗も積層コンデ
ンサーとして充分高いことが明白である。
ンサーとして充分高いことが明白である。
以上の実施例において、チタン酸バリウムはBaとTi
のモル比がほぼ1のものを用いたが、0.05モル程度
その比率がずれていても良好な特性を得ることができる
。
のモル比がほぼ1のものを用いたが、0.05モル程度
その比率がずれていても良好な特性を得ることができる
。
(発明の効果〕
本発明の誘電体磁器組成物は、1 、200°C以下の
温度で焼結可能であり、誘電率が高く、その温度依存性
が小さく、誘電損失、絶縁抵抗などの電気物性にも優れ
、高い信頼性を有するものである。
温度で焼結可能であり、誘電率が高く、その温度依存性
が小さく、誘電損失、絶縁抵抗などの電気物性にも優れ
、高い信頼性を有するものである。
また、これらの特性を損ねることなく、室温付近での誘
電率を7,000以上に高めることができ、コンデンサ
ー用誘電体磁器組成物として極めて有用であり、その産
業的価値は大きいものである。
電率を7,000以上に高めることができ、コンデンサ
ー用誘電体磁器組成物として極めて有用であり、その産
業的価値は大きいものである。
Claims (2)
- 1.チタン酸バリウム86.7〜99.5mol%、酸
化亜鉛0.2〜5.5mol%、酸化ニオブおよび/ま
たは酸化タンタル0.1〜0.8mol%、酸化銅0.
2〜7mol%からなる誘電体磁器組成物。 - 2.特許請求の範囲第1項記載の誘電体磁器組成物10
0molに、スズ酸塩、チタン酸塩、ジルコン酸塩の中
から選ばれた一種以上を2〜20mol含有させた誘電
体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1248059A JPH03112858A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1248059A JPH03112858A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03112858A true JPH03112858A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17172590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1248059A Pending JPH03112858A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03112858A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003051789A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Ngk Insulators,Ltd. | Materiau piezo-electrique/electrostrictif et son procede de production |
US6887397B2 (en) | 2001-12-19 | 2005-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive material and process for production thereof |
JP2008153072A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 回路遮断器の過電流引外し装置 |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1248059A patent/JPH03112858A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003051789A1 (fr) * | 2001-12-19 | 2003-06-26 | Ngk Insulators,Ltd. | Materiau piezo-electrique/electrostrictif et son procede de production |
US6887397B2 (en) | 2001-12-19 | 2005-05-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive material and process for production thereof |
JP2008153072A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 回路遮断器の過電流引外し装置 |
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