JPH03112859A - 誘電性磁器組成物 - Google Patents
誘電性磁器組成物Info
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- JPH03112859A JPH03112859A JP1248060A JP24806089A JPH03112859A JP H03112859 A JPH03112859 A JP H03112859A JP 1248060 A JP1248060 A JP 1248060A JP 24806089 A JP24806089 A JP 24806089A JP H03112859 A JPH03112859 A JP H03112859A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、チタン酸バリウムを主成分とする誘電性磁器
組成物に関するものであり、さらに詳しくは、コンデン
サー用途に適した誘電性磁器組成物に関するものである
。
組成物に関するものであり、さらに詳しくは、コンデン
サー用途に適した誘電性磁器組成物に関するものである
。
従来、チタン酸バリウムを主成分とする誘電性磁器組成
物は、焼結温度が、1,300°C以上と極めて高いた
め、積層コンデンサー用途として用いる場合、内部電極
材料として高温の焼結温度に耐えうる高融点貴金属、例
えば、白金、パラジウム、金等が用いられてきた。これ
らの貴金属は高価なものであるため、積層コンデンサー
のコストも高いものとなる。また高温で焼結するため、
焼結炉の設計、焼結に要するエネルギー等も問題となっ
てくる。すなわち、積層コンデンサーを製造する場合、
コストの面から、内部電極材料として、安価な銀を主成
分とすることが好ましく、また、炉の設計が容易である
ためにも、低温で焼結可能な誘電性磁器組成物が強く望
まれていた。
物は、焼結温度が、1,300°C以上と極めて高いた
め、積層コンデンサー用途として用いる場合、内部電極
材料として高温の焼結温度に耐えうる高融点貴金属、例
えば、白金、パラジウム、金等が用いられてきた。これ
らの貴金属は高価なものであるため、積層コンデンサー
のコストも高いものとなる。また高温で焼結するため、
焼結炉の設計、焼結に要するエネルギー等も問題となっ
てくる。すなわち、積層コンデンサーを製造する場合、
コストの面から、内部電極材料として、安価な銀を主成
分とすることが好ましく、また、炉の設計が容易である
ためにも、低温で焼結可能な誘電性磁器組成物が強く望
まれていた。
チタン酸バリウムの焼結温度低下させるための焼結助剤
として、酸化剤(Trans、 Br1t、 Cera
m。
として、酸化剤(Trans、 Br1t、 Cera
m。
Soc、、 74.165(1975) ) 、フ・ン
化リチウム(J、八m。
化リチウム(J、八m。
Ceram、 Soc、、66.11,801(198
3)、特開昭57−160963号公報等〕が報告され
ているが、これらの焼結助剤を用いて誘電性磁器を作成
した場合、グレインサイズが大きく、不均一であり、場
合によっては数10μmに達する異常粒成長も起こり得
る。この欠点を改善する方法として、特開昭61−25
1561号公報には、酸化銅と酸化亜鉛および/または
酸化カドミウムを0.2〜5.5mo1%添加すること
で、1 、200°C以下の焼結温度で、はぼ理論密度
の誘電性磁器組成物が得られ、なおかつその微構造を制
御できる可能性が開示されている。しかし、この方法で
得られる誘電性磁器組成物は、1 、200°C以下で
焼結でき、高い誘電率を有しているが、誘電率の温度依
存性が、大きく、高温負荷特性などの信頼性に若干の問
題が残されていた。
3)、特開昭57−160963号公報等〕が報告され
ているが、これらの焼結助剤を用いて誘電性磁器を作成
した場合、グレインサイズが大きく、不均一であり、場
合によっては数10μmに達する異常粒成長も起こり得
る。この欠点を改善する方法として、特開昭61−25
1561号公報には、酸化銅と酸化亜鉛および/または
酸化カドミウムを0.2〜5.5mo1%添加すること
で、1 、200°C以下の焼結温度で、はぼ理論密度
の誘電性磁器組成物が得られ、なおかつその微構造を制
御できる可能性が開示されている。しかし、この方法で
得られる誘電性磁器組成物は、1 、200°C以下で
焼結でき、高い誘電率を有しているが、誘電率の温度依
存性が、大きく、高温負荷特性などの信頼性に若干の問
題が残されていた。
誘電率の温度依存性を小さくする方法として、特開昭6
0−21033号公報ではチタン酸バリウムに酸化銅お
よび酸化鉄を、特開昭60−208877号公報では、
チタン酸バリウムに酸化リチウムおよび酸化鉄をそれぞ
れ添加すると低温焼結性を損なうことなしに誘電率の温
度依存性を小さくできる組成物が開示されている。しか
しこの方法で得られる誘電性磁器組成物は誘電率の温度
依存性が極めて小さいものの誘電率が2,000程度と
小さい。
0−21033号公報ではチタン酸バリウムに酸化銅お
よび酸化鉄を、特開昭60−208877号公報では、
チタン酸バリウムに酸化リチウムおよび酸化鉄をそれぞ
れ添加すると低温焼結性を損なうことなしに誘電率の温
度依存性を小さくできる組成物が開示されている。しか
しこの方法で得られる誘電性磁器組成物は誘電率の温度
依存性が極めて小さいものの誘電率が2,000程度と
小さい。
また、信頼性を改善する方法としてチタン酸バリウムに
希土類酸化物を添加することが知られている。J、八m
、 Ceram、Soc、、 46.5.197(19
63)にはチタン酸バリウムに0.5 mo j2%の
酸化チタンを添加し、1 、375〜1,500 ’C
で焼結した積層コンデンサーの信頼性が向上することが
報告されている。
希土類酸化物を添加することが知られている。J、八m
、 Ceram、Soc、、 46.5.197(19
63)にはチタン酸バリウムに0.5 mo j2%の
酸化チタンを添加し、1 、375〜1,500 ’C
で焼結した積層コンデンサーの信頼性が向上することが
報告されている。
この方法では、焼結温度が高いため、グレインサイズが
不均一になり易く、実用上電気特性も不安定である。
不均一になり易く、実用上電気特性も不安定である。
さらに、特開平1−201069号公報には、チタン酸
バリウムに酸化銅、酸化亜鉛、酸化マンガン、希土類酸
化物を添加することにより、低温焼結性を維持したまま
、信頼性を向上できることが開示されている。しかし、
近年積層セラミックコンデンサーの高容量化・小型化に
伴ない、誘電体層厚みのさらなる薄層化が要求されてお
り、このため誘電体層の信頼性に対するスペックも非常
に厳しいものになりつつある。特開平1−201069
号公報では、低温焼結性、信頼性が向上しているが、薄
層化に対し、信頼性に若干の問題点が残されている。
バリウムに酸化銅、酸化亜鉛、酸化マンガン、希土類酸
化物を添加することにより、低温焼結性を維持したまま
、信頼性を向上できることが開示されている。しかし、
近年積層セラミックコンデンサーの高容量化・小型化に
伴ない、誘電体層厚みのさらなる薄層化が要求されてお
り、このため誘電体層の信頼性に対するスペックも非常
に厳しいものになりつつある。特開平1−201069
号公報では、低温焼結性、信頼性が向上しているが、薄
層化に対し、信頼性に若干の問題点が残されている。
〔発明が解決しようとする課題]
従来技術では、1 、200°C以下で焼結でき、誘電
率が大きく、温度依存性が小さく、充分信頼性の高い誘
電性磁器組成物は得られていない。
率が大きく、温度依存性が小さく、充分信頼性の高い誘
電性磁器組成物は得られていない。
〔課題を解決するための手段]
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、チタン酸バリウム
に酸化亜鉛、酸化マンガン、希土類酸化物、酸化ニオフ
および/または酸化タンタル、酸化銅を特定量添加した
組成物は、1 、200°C以下の焼結温度で、理論密
度の90%以上に緻密化し、同時に高い誘電率を有した
、温度依存性の小さな、極めて信頼性の高い誘電性磁器
組成物が得られることを見い出し、本発明に到達した。
に酸化亜鉛、酸化マンガン、希土類酸化物、酸化ニオフ
および/または酸化タンタル、酸化銅を特定量添加した
組成物は、1 、200°C以下の焼結温度で、理論密
度の90%以上に緻密化し、同時に高い誘電率を有した
、温度依存性の小さな、極めて信頼性の高い誘電性磁器
組成物が得られることを見い出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、チタン酸バリウム84゜8〜99
.39 moρ%、酸化亜鉛0.2〜5.5mof%、
酸化マンガン0.01〜0.7 moff%、希土類酸
化物0.1〜1.2mo42%、酸化ニオブ及び/また
は酸化タンタル0.1〜0.8 mor!、%、酸化銅
0.2〜7 mo 1%からなる誘電性磁器組成物、及
び該組成物100mo lに、スズ酸塩、ジルコン酸塩
、チタン酸塩の中から選ばれた一種以上を2〜20mo
ffi含有させた誘電性磁器組成物である。
.39 moρ%、酸化亜鉛0.2〜5.5mof%、
酸化マンガン0.01〜0.7 moff%、希土類酸
化物0.1〜1.2mo42%、酸化ニオブ及び/また
は酸化タンタル0.1〜0.8 mor!、%、酸化銅
0.2〜7 mo 1%からなる誘電性磁器組成物、及
び該組成物100mo lに、スズ酸塩、ジルコン酸塩
、チタン酸塩の中から選ばれた一種以上を2〜20mo
ffi含有させた誘電性磁器組成物である。
本発明のチタン酸バリウムに特定量の酸化亜鉛、酸化マ
ンガン、希土類酸化物、酸化ニオブおよび/または酸化
タンタル、酸化銅を添加し、焼成した誘電性磁器組成物
は、特開平1−201069号公報に比べ、誘電率の温
度依存性が小さく、同時に高温負荷寿命が1桁以上増大
し、極めて高い信頼性を示す。
ンガン、希土類酸化物、酸化ニオブおよび/または酸化
タンタル、酸化銅を添加し、焼成した誘電性磁器組成物
は、特開平1−201069号公報に比べ、誘電率の温
度依存性が小さく、同時に高温負荷寿命が1桁以上増大
し、極めて高い信頼性を示す。
さらに特定のスズ酸塩、ジルコン酸塩、チタン酸塩から
選ばれた一種以上の特定量を含有させた誘電性磁器組成
物は、上記特性を損ねることなく室温付近の静電容量を
高めることが可能である。
選ばれた一種以上の特定量を含有させた誘電性磁器組成
物は、上記特性を損ねることなく室温付近の静電容量を
高めることが可能である。
本発明で使用するチタン酸バリウムは、固相法、液相法
(例えば、しゅう酸塩法、アルコキシド法)等いずれの
方法で製造されたものでもよい。平均粒径が一μm以下
と小さく、粒度分布の均一なものを用いた場合、−層均
一な微構造を持ち、電気特性の良好な極めて信頼性の高
い誘電性磁器組成物が得られる。
(例えば、しゅう酸塩法、アルコキシド法)等いずれの
方法で製造されたものでもよい。平均粒径が一μm以下
と小さく、粒度分布の均一なものを用いた場合、−層均
一な微構造を持ち、電気特性の良好な極めて信頼性の高
い誘電性磁器組成物が得られる。
本発明では、添加物として酸化亜鉛、酸化マンガン、希
土類酸化物、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル、
酸化銅をそのまま用いることができるが、水酸化物、炭
酸塩などの無機酸塩や、しゅう酸塩、アルコキシドなど
の有機塩等、焼結温度以下で分解して酸化物となるもの
ならばいずれも使用できる。
土類酸化物、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル、
酸化銅をそのまま用いることができるが、水酸化物、炭
酸塩などの無機酸塩や、しゅう酸塩、アルコキシドなど
の有機塩等、焼結温度以下で分解して酸化物となるもの
ならばいずれも使用できる。
また、本発明で添加するスズ酸塩、チタン酸塩、ジルコ
ン酸塩は、アルカリ土類金属あるいは鉛のスズ酸塩(ス
ズ酸バリウム、スズ酸カルシウム、スズ酸ストロンチウ
ム、スズ酸鉛など)、チタン酸塩(チタン酸ストロンチ
ウムなど)、ジルコン酸塩(ジルコン酸バリウム、ジル
コン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコ
ン酸鉛など)の通常の複合酸化物の形のものが好適に用
いられる。
ン酸塩は、アルカリ土類金属あるいは鉛のスズ酸塩(ス
ズ酸バリウム、スズ酸カルシウム、スズ酸ストロンチウ
ム、スズ酸鉛など)、チタン酸塩(チタン酸ストロンチ
ウムなど)、ジルコン酸塩(ジルコン酸バリウム、ジル
コン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコ
ン酸鉛など)の通常の複合酸化物の形のものが好適に用
いられる。
本発明の誘電性磁器組成物中のチタン酸バリウムの割合
は、84,8〜99.39 +wof%の範囲である。
は、84,8〜99.39 +wof%の範囲である。
その割合が、99.39 mo1%以上では1 、20
0°C以下の温度で焼結が困難となり、84.8mo
1%以下では、焼結時に著しい素地の変形が生じる。焼
結性がよく、かつ素地の変形がほとんど生じない好まし
い範囲は92.2〜98.15 mo 1%である。
0°C以下の温度で焼結が困難となり、84.8mo
1%以下では、焼結時に著しい素地の変形が生じる。焼
結性がよく、かつ素地の変形がほとんど生じない好まし
い範囲は92.2〜98.15 mo 1%である。
酸化亜鉛の割合は、ZnOの形として0.2〜5.5m
o1%の範囲である。5.5mof%以上では1 、2
00°C以下での焼結が困難であり、グレインの不均一
性、絶縁抵抗の低下を招き、また、0.2+woffi
%以下では添加効果がほとんど認められず、誘電損失も
増大する。焼結性が良好で充分高い絶縁抵抗を与える最
も好ましい範囲は0.6〜0.3moffi%の範囲で
ある。
o1%の範囲である。5.5mof%以上では1 、2
00°C以下での焼結が困難であり、グレインの不均一
性、絶縁抵抗の低下を招き、また、0.2+woffi
%以下では添加効果がほとんど認められず、誘電損失も
増大する。焼結性が良好で充分高い絶縁抵抗を与える最
も好ましい範囲は0.6〜0.3moffi%の範囲で
ある。
酸化マンガンの割合は、M11203の形としてo、o
i〜0.7mof%の範囲である。Q、7 moffi
%より多い場合は1 、200°C以下での焼結が困難
であり、積層コンデンサーを製造する場合内部電極と誘
電体層間でのデラミネーションが著しく、また、0.0
1mo1%以下では添加効果がほとんど認められず、信
頼性が低い。デラミネーションが起こらず信頼性も充分
良好となる最も好ましい範囲は0.05〜3.5mo
1%の範囲である。
i〜0.7mof%の範囲である。Q、7 moffi
%より多い場合は1 、200°C以下での焼結が困難
であり、積層コンデンサーを製造する場合内部電極と誘
電体層間でのデラミネーションが著しく、また、0.0
1mo1%以下では添加効果がほとんど認められず、信
頼性が低い。デラミネーションが起こらず信頼性も充分
良好となる最も好ましい範囲は0.05〜3.5mo
1%の範囲である。
希土類酸化物の割合は、MezO+(Me=La、 N
d、 Sm、Gd、 Dy、 Ho、 F!r、 Tn
+等)の形として0.1〜1.2 man%の範囲であ
る。添加量がlJmof%を超えると微構造が不均一に
なり易く異常粒成長も認められ、また、0.1moff
i%以下では添加効果がほとんど認められず信頼性も低
い。焼結性も損なわず高い信軌性が得られる最も好まし
い範囲は0.3〜0.7moffi%である。
d、 Sm、Gd、 Dy、 Ho、 F!r、 Tn
+等)の形として0.1〜1.2 man%の範囲であ
る。添加量がlJmof%を超えると微構造が不均一に
なり易く異常粒成長も認められ、また、0.1moff
i%以下では添加効果がほとんど認められず信頼性も低
い。焼結性も損なわず高い信軌性が得られる最も好まし
い範囲は0.3〜0.7moffi%である。
酸化ニオブおよび/または酸化タンクルの割合は、Nb
、05 、TazOsの形として0.1〜0.8 mo
42%である。 0.8 moj2%以上では、1,2
00°C以下での焼結が困難であり、積層コンデンサー
を製造する場合内部電極と誘電体層間でのデラミネーシ
ョンが著しく、また、Q、1moffi%以下では添加
効果がほとんど認められず、誘電率の温度依存性が大き
く、信頼性も低い。デラミネーションが起こらず信頼性
も充分良好となる最も好ましい範囲は0.2〜0.6m
of%の範囲である。
、05 、TazOsの形として0.1〜0.8 mo
42%である。 0.8 moj2%以上では、1,2
00°C以下での焼結が困難であり、積層コンデンサー
を製造する場合内部電極と誘電体層間でのデラミネーシ
ョンが著しく、また、Q、1moffi%以下では添加
効果がほとんど認められず、誘電率の温度依存性が大き
く、信頼性も低い。デラミネーションが起こらず信頼性
も充分良好となる最も好ましい範囲は0.2〜0.6m
of%の範囲である。
酸化銅の割合は、CuOとして0.2〜Tmo1%であ
る。7 mo 1%以上ではデラミネーションが著しく
、誘電損失の値も大きくなり、また、焼結時のグレイン
サイズが不均一で大きくなり信頼性も極めて悪化する。
る。7 mo 1%以上ではデラミネーションが著しく
、誘電損失の値も大きくなり、また、焼結時のグレイン
サイズが不均一で大きくなり信頼性も極めて悪化する。
また、0.2moA%以下では低温焼結が困難となる。
デラミネーションが起こらず、充分高い信頼性を与える
最も好ましい範囲は0.6〜3 mo 1%である。
最も好ましい範囲は0.6〜3 mo 1%である。
さらに、好適な実施態様においてスズ酸塩、ジルコン酸
塩、チタン酸塩の中から選ばれた一種以上の複合酸化物
をチタン酸バリウム、酸化亜鉛、酸化マンガン、希土類
酸化物、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル、酸化
銅からなる組成物100mo!!、に対して2〜20m
ol添加することにより、室温付近の誘電率を7,00
0以上に増大することが可能である。その量が2 mo
1以下では、添加効果はあまり顕著ではなく室温付近
の誘電率も低く、また、20moA以上では1,200
°C以下での焼結が困難となる。ジルコン酸鉛またはジ
ルコン酸カルシウム、またはこれらの混合物を用いた場
合、誘電率の温度依存性の小さい誘電性磁器組成物が得
られる。
塩、チタン酸塩の中から選ばれた一種以上の複合酸化物
をチタン酸バリウム、酸化亜鉛、酸化マンガン、希土類
酸化物、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル、酸化
銅からなる組成物100mo!!、に対して2〜20m
ol添加することにより、室温付近の誘電率を7,00
0以上に増大することが可能である。その量が2 mo
1以下では、添加効果はあまり顕著ではなく室温付近
の誘電率も低く、また、20moA以上では1,200
°C以下での焼結が困難となる。ジルコン酸鉛またはジ
ルコン酸カルシウム、またはこれらの混合物を用いた場
合、誘電率の温度依存性の小さい誘電性磁器組成物が得
られる。
〔実施例]
以下、本発明を実施例に従い詳細に説明する。
実施例1及び比較例
チタン酸バリウム(富士チタン社製、商品名:)IPB
T−1) 、酸化亜鉛(ZnO) (高純度化学社製、
純度99.9%以上)、酸化ニオブ(Nb20s) (
高純度化学社製、純度99.9%以上)、酸化タンタル
(Ta20S)(高純度化学社製、純度99.9%以上
)、酸化銅(Cub)(高純度化学社製、純度99.9
%以上)に、酸化マンガン(MnzO:+) (高純度
化学社製、純度99.9%以上)、希土類酸化物(Nd
zO:+、S町03、Dy203)(高純度化学社製、
純度99.9%以上)を第1表に示す割合で秤量し、純
水を加え、湿式ボールミルにより混合した。混合物を充
分に乾燥した後、80メツシユのふるいを通し、配合粉
とした。つぎにこの配合粉に、有機バインダーとしてア
クリル樹脂を、溶媒として1,1.1− )リクロロエ
タンをそれぞれ添加し、ナイロン製ボールミルポットで
、ボールメディアにジルコニア製ボールを使用して、ペ
ーストを調製した。得られたペーストから、ドクターブ
レード法を用いて、厚み19μmのグリーンシートを作
成して14cm角に切断した後、スクリーン印刷法で、
有効層60層の積層コンデンサーを試作した。内部電極
は、Ag / Pd = 70/ 30の材料を用いた
。この積層コンデンサーを加熱によりバインダーを除去
した後、1,090 ”C16時間焼結した。
T−1) 、酸化亜鉛(ZnO) (高純度化学社製、
純度99.9%以上)、酸化ニオブ(Nb20s) (
高純度化学社製、純度99.9%以上)、酸化タンタル
(Ta20S)(高純度化学社製、純度99.9%以上
)、酸化銅(Cub)(高純度化学社製、純度99.9
%以上)に、酸化マンガン(MnzO:+) (高純度
化学社製、純度99.9%以上)、希土類酸化物(Nd
zO:+、S町03、Dy203)(高純度化学社製、
純度99.9%以上)を第1表に示す割合で秤量し、純
水を加え、湿式ボールミルにより混合した。混合物を充
分に乾燥した後、80メツシユのふるいを通し、配合粉
とした。つぎにこの配合粉に、有機バインダーとしてア
クリル樹脂を、溶媒として1,1.1− )リクロロエ
タンをそれぞれ添加し、ナイロン製ボールミルポットで
、ボールメディアにジルコニア製ボールを使用して、ペ
ーストを調製した。得られたペーストから、ドクターブ
レード法を用いて、厚み19μmのグリーンシートを作
成して14cm角に切断した後、スクリーン印刷法で、
有効層60層の積層コンデンサーを試作した。内部電極
は、Ag / Pd = 70/ 30の材料を用いた
。この積層コンデンサーを加熱によりバインダーを除去
した後、1,090 ”C16時間焼結した。
誘電体N厚み約12μm、有効内部電極面積0.054
Cイであった。
Cイであった。
次に、外部電極として銀電極を焼き付は電気特性を測定
した。誘電率と誘電損失はLCRメーターを用いて、l
KH2,1■、20°Cの条件下で測定した。絶縁抵抗
は高絶縁抵抗計を使用し、50V電圧印加1分間値で示
した。また、ダレインサイズは積層コンデンサーの断面
を研暦し、1 、050°Cl2O分間熱エツチング処
理後、走査形電子顕微鏡写真を撮影し、ラインインター
セプト法により求めた。信転性の評価として高温負荷試
験を行い、155°C1100VDC負荷条件下、故障
率63%に到達する時間を寿命(Hr)として表した。
した。誘電率と誘電損失はLCRメーターを用いて、l
KH2,1■、20°Cの条件下で測定した。絶縁抵抗
は高絶縁抵抗計を使用し、50V電圧印加1分間値で示
した。また、ダレインサイズは積層コンデンサーの断面
を研暦し、1 、050°Cl2O分間熱エツチング処
理後、走査形電子顕微鏡写真を撮影し、ラインインター
セプト法により求めた。信転性の評価として高温負荷試
験を行い、155°C1100VDC負荷条件下、故障
率63%に到達する時間を寿命(Hr)として表した。
測定結
果を第2表に示す。
以下余白
なお、第1表中、試料番号1〜5は、実施例、試料番号
6〜8は比較例である。
6〜8は比較例である。
試料番号6は酸化ニオブ/または酸化タンタルの無添加
の場合で、試料番号7.8は、酸化マンガン、酸化サマ
リウムが過剰の場合である。
の場合で、試料番号7.8は、酸化マンガン、酸化サマ
リウムが過剰の場合である。
第2表より明らかなように、酸化ニオブまたは酸化タン
タルが無添加では、寿命が50時間と短く、信頼製が低
い。また、酸化マンガン、希土類酸化物が過剰の場合、
焼結性を著しく阻害し、低温焼結が困難となり、誘電損
失、絶縁抵抗の悪化が顕著である。
タルが無添加では、寿命が50時間と短く、信頼製が低
い。また、酸化マンガン、希土類酸化物が過剰の場合、
焼結性を著しく阻害し、低温焼結が困難となり、誘電損
失、絶縁抵抗の悪化が顕著である。
これらに対し、試料番号1〜5では、安定して高い容量
を有し、絶縁抵抗も高く、グレインサイズも均一で微細
であり、同時に極めて高い信頬性(寿命)を与えること
が明らかである。
を有し、絶縁抵抗も高く、グレインサイズも均一で微細
であり、同時に極めて高い信頬性(寿命)を与えること
が明らかである。
実施例2
チタン酸バリウム95.7mof%、酸化亜鉛2.0m
off%、酸化マンガン0.1mo42%、酸化サマリ
ウム0.5mo1%、酸化ニオブ0.5mof%、酸化
銅1.2moffi%からなる組成物100moffi
に対して、キュリー点をシフトさせるための添加物とし
て、スズ酸バリウム、スズ酸カルシウム、ジルコン酸鉛
、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムをそ
れぞれ第3表に示す割合になるように秤量し、添加した
。実施例1と同様の方法で積層コンデンサーを試作し、
電気物性を測定した。その結果を第4表に示す。
off%、酸化マンガン0.1mo42%、酸化サマリ
ウム0.5mo1%、酸化ニオブ0.5mof%、酸化
銅1.2moffi%からなる組成物100moffi
に対して、キュリー点をシフトさせるための添加物とし
て、スズ酸バリウム、スズ酸カルシウム、ジルコン酸鉛
、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムをそ
れぞれ第3表に示す割合になるように秤量し、添加した
。実施例1と同様の方法で積層コンデンサーを試作し、
電気物性を測定した。その結果を第4表に示す。
なお。スズ酸塩、ジルコン酸塩、チタン酸塩の添加量は
、キュリー点が0〜20°Cにシフトするように調整し
、決定した。
、キュリー点が0〜20°Cにシフトするように調整し
、決定した。
以下余白
第4表から明らかなように、Ba5nOz、Ca5nO
z、PbZr0:+、CaZr0:+、5rTiOzな
どのシフターを添加することにより、低温焼結性を損な
うことなしに、室温での容量を増大することが可能であ
る。焼結体の微構造は、グレインが2μm以下と小さく
、かつ緻密である。
z、PbZr0:+、CaZr0:+、5rTiOzな
どのシフターを添加することにより、低温焼結性を損な
うことなしに、室温での容量を増大することが可能であ
る。焼結体の微構造は、グレインが2μm以下と小さく
、かつ緻密である。
温度特性、誘電損失、絶縁抵抗などの電気特性も良好で
あり、高温負荷条件下での寿命も極めて長く、信頬性の
高い積層セラミックコンデンサーが得られることがわか
る。
あり、高温負荷条件下での寿命も極めて長く、信頬性の
高い積層セラミックコンデンサーが得られることがわか
る。
以上の実施例において、チタン酸バリウムはBaとTi
のモル比がほぼlのものを用いたが0.05モル程度そ
の比率がずれていても良好な特性を得ることができる。
のモル比がほぼlのものを用いたが0.05モル程度そ
の比率がずれていても良好な特性を得ることができる。
本発明の誘電性磁器組成物は、1 、200°C以下の
温度で焼結可能であり、誘電率が高く、その温度依存性
が小さく、誘電損失、絶縁抵抗などの電気物性にも優れ
、極めて高い信転性を有するものである。また、これら
の特性を損ねることなく、室温付近での誘電率を7,0
00以上に高めることができ、コンデンサー用誘電性磁
器組成物として極めて有用であり、その産業的価値は大
きいものである。
温度で焼結可能であり、誘電率が高く、その温度依存性
が小さく、誘電損失、絶縁抵抗などの電気物性にも優れ
、極めて高い信転性を有するものである。また、これら
の特性を損ねることなく、室温付近での誘電率を7,0
00以上に高めることができ、コンデンサー用誘電性磁
器組成物として極めて有用であり、その産業的価値は大
きいものである。
Claims (2)
- 1.チタン酸バリウム84.8〜99.39mol%、
酸化亜鉛0.2〜5.5mol%、酸化マンガン0.0
1〜0.7mol%、希土類酸化物0.1〜1.2mo
l%、酸化ニオブおよび/または酸化タンタル0.1〜
0.8mol%、酸化銅0.2〜7mol%からなる誘
電性磁器組成物。 - 2.特許請求の範囲第1項記載の誘電性磁器組成物10
0molに、スズ酸塩、ジルコン酸塩、チタン酸塩の中
から選ばれた一種以上を2〜20mol含有させた誘電
性磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1248060A JPH03112859A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 誘電性磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1248060A JPH03112859A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 誘電性磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03112859A true JPH03112859A (ja) | 1991-05-14 |
Family
ID=17172606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1248060A Pending JPH03112859A (ja) | 1989-09-26 | 1989-09-26 | 誘電性磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03112859A (ja) |
-
1989
- 1989-09-26 JP JP1248060A patent/JPH03112859A/ja active Pending
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