JPH05213669A - 誘電性磁器組成物 - Google Patents

誘電性磁器組成物

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JPH05213669A
JPH05213669A JP4016823A JP1682392A JPH05213669A JP H05213669 A JPH05213669 A JP H05213669A JP 4016823 A JP4016823 A JP 4016823A JP 1682392 A JP1682392 A JP 1682392A JP H05213669 A JPH05213669 A JP H05213669A
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JP
Japan
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oxide
mol
dielectric
temperature
batio3
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JP4016823A
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English (en)
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Kenichi Sakabe
健一 酒部
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 コンデンサー用誘電性磁器組成物において低
温で焼結可能で、高誘電率、高信頼性を示し、キュリー
点以下の温度領域での誘電損失の増大を抑制する。 【構成】 チタン酸バリウムに、特定量の酸化銅、酸化
亜鉛、酸化ニオブ、酸化セリウムおよび酸化ジルコニウ
ム、酸化チタン、酸化スズの中から選ばれた1種以上を
添加し得られる誘電性磁器組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はチタン酸バリウムを原料
とするコンデンサーにおいて、高誘電率、高信頼性でキ
ュリー点以下の温度領域で低い誘電損失を有する低温焼
成高誘電率系誘電性磁器組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般にコンデンサーの容量はJIS規格
により20℃での値で定義されている。チタン酸バリウ
ムを主原料とするコンデンサーはキュリー点での高い誘
電率を利用しているためシフターの添加によりキュリー
点を室温付近までシフトさせている。しかし、誘電損失
の温度特性はキュリー点より低温で急峻に立ち上がるた
め、室温での誘電損失を低下させるためにはキュリー点
を20℃より若干低めに設定することが必要になる。し
かし、これは同時に誘電率の低下をもたらす。
【0003】一方、積層セラミックコンデンサー(ML
C)は近年、誘電体層厚みの薄層化が進み、高容量なも
のが得られているが、誘電体層厚みが薄くなるにつれM
LCにかかる実効電界強度は増大し、誘電損失の悪化が
問題になっている。また、チタン酸バリウム系誘電性磁
器組成物は、通常1300〜1400℃の高温で焼成す
るため積層セラミックコンデンサー用原料として用いた
場合、内部電極として高温に耐えうるパラジウム、白金
等の貴金属を使用せざるを得ず、コンデンサーのコスト
は著しく高いものとなる。安価な銀を主成分とする内部
電極が使用できる低温焼成誘電性磁器組成物が望まれて
いる。
【0004】チタン酸バリウムの低温焼成については特
公昭62ー869号公報に銅化合物と周期表の第IV族
元素の化合物を添加することにより1000〜1250
℃の温度で焼成できることが開示されている。しかし、
この方法で得られる誘電性磁器組成物はグレインサイズ
が大きく不均一であり、場合によっては数10μmもの
異常粒成長が認められる為、電気特性が不安定となり特
に積層セラミックコンデンサーには事実上使用できない
ものである。また、周期表第IV族元素化合物の添加量
が増大すると低温焼結性に悪影響を及ぼす。
【0005】低温焼成が可能であり、かつ高信頼性な誘
電性磁器用組成物として特開平3−112858号公報
に焼結助剤として酸化銅、酸化亜鉛および酸化ニオブを
用いることにより1200℃以下での焼成が可能でかつ
信頼性の高い誘電性磁器組成物が得られることが開示さ
れている。しかしながら、この方法ではキュリー点以下
の温度領域での誘電損失は改善されない。特開昭61−
251562号公報では焼結助剤として酸化銅と希土類
酸化物を添加することにより誘電損失を低減することが
開示されているが、高温付加特性などの信頼性に若干の
問題を残している。
【0006】誘電損失の小さな、バイアス特性の良好な
誘電体磁器組成物として特開昭49ー38196号公
報、特開昭50ー95800号公報、J.Am.Ce
r.Soc.,66(11),p554(1982)に
はチタン酸ストロンチウムをベースとした誘電性磁器組
成物が、Russell Lee Bolton P
h.D論文,University of Illin
ois(1968)には、酸化バリウムー希土類酸化物
ー酸化チタン系の常誘電体相を利用した温度補償用誘電
性磁器組成物がそれぞれ開示されている。
【0007】しかしながら、これらの誘電性磁器は極め
て良好な誘電損失、バイアス特性を示すが、誘電率が小
さく、事実上、高容量化には不向きである。また、「積
層セラミックコンデンサー」学献社、p119(198
8)には鉛を主成分とする複合ペロブスカイトによりバ
イアス特性の優れた誘電体が明記されている。鉛系複合
ペロブスカイトは一般に高誘電率、良好なバイアス特性
を有するが、誘電損失がキュリー点より低温で急峻に立
ち上がること、焼結による特性のばらつきが大きく信頼
性に欠点があること、焼結体の機械的強度が小さいこ
と、等の理由からコンデンサー用誘電体として問題が多
い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、高誘電率で
キュリー点以下の温度領域で誘電損失が小さく、さらに
信頼性の高い低温焼成チタン酸バリウム系誘電性磁器組
成物を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者はチタン酸バリ
ウムに酸化銅、酸化亜鉛、酸化ニオブおよび一定量以上
の酸化セリウムと、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸
化スズの中から選ばれた1種類以上とを組み合わせるこ
とにより1100℃以下の低温で焼結が可能であり、キ
ュリー点以下の温度領域における誘電損失の増大を抑制
し、さらに高い誘電率が実現でき、極めて信頼性の高い
誘電性磁器組成物が得られることを見い出し本発明に到
達した。
【0010】すなわち、本発明は下記のとおりである。 1.チタン酸バリウム81.5〜99モル%、酸化銅
0.3〜4モル%、酸化亜鉛0.2〜3.5モル%、酸
化ニオブ0.1〜1モル%、酸化セリウム0.2〜5モ
ル%、及び酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化スズの
中から選ばれた少なくとも1種類以上0.5〜5モル%
からなる誘電性磁器組成物。 2.請求項1記載の誘電性磁器組成物100モルに対し
て、アルカリ土類金属および鉛のチタン酸塩(チタン酸
バリウムを除く。)ジルコン酸塩、スズ酸塩の中から選
ばれた1種以上を2.5〜40モル%含有させてなる誘
導性磁器組成物。
【0011】チタン酸バリウムに特定量の酸化銅、酸化
亜鉛、酸化ニオブを添加した誘電性磁器用組成物は11
00℃以下での温度で焼結することが可能であるが、こ
れに酸化セリウムと酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸
化スズ等のチタンサイトに固溶する酸化物を組み合わせ
ることでキュリー点以下の温度領域において誘電損失の
急峻な増大が抑制され、誘電率が飛躍的に増大する。
【0012】さらにシフターとして特定のチタン酸塩、
ジルコン酸塩、スズ酸塩から選ばれた1種以上を用いる
ことで上記特性を損ねることなく20℃の誘電率を12
000以上に高めることが可能である。しかし、使用す
るシフターの種類によりキュリー温度のシフト量、誘電
率の極大値さらに温度依存性が異なるため1種類のシフ
ターを単独で使用する事も可能であるが、通常2種類以
上のシフターを組み合わせて使用する事が多い。バリウ
ムサイトに固溶する元素としてはイオン半径、電荷バラ
ンスから鉛およびアルカリ土類金属元素、例えばマグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウムが効果
的であり、チタンサイトに固溶する元素としてはジルコ
ニウム、スズ、チタンが好ましい。一般的にはスズ酸
塩、ジルコン酸塩、チタン酸塩の順でシフト量、極大値
での誘電率が大きくなる傾向を示し、温度依存性は悪化
する。特にスズ酸バリウム、ジルコン酸バリウム、ジル
コン酸鉛を使用した場合、誘電率が高く、誘電損失、温
度特性に優れた誘電体が得られる。
【0013】本発明で使用されるチタン酸バリウムは固
相法、液相法、蓚酸塩法、アルコキシド法等のいずれの
方法で製造されたものでも良い。平均粒径が小さく、粒
度分布の均一なものを用いた場合、均一な微構造を有す
る誘電性磁器組成物が得られ電気特性のばらつきが小さ
なものとなる。また、本発明で添加剤として使用する酸
化銅、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化チタ
ン、酸化ジルコニウム、酸化スズは酸化物をそのまま用
いることが出来るが水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の無機
酸塩や蓚酸塩、アルコキシド等のいずれも、焼結温度以
下で分解して酸化物となるものであれば使用できる。
【0014】次に本発明で使用した添加剤の量を規定し
た理由について述べる。チタン酸バリウムが99モル%
以上では1100℃以下での焼結が困難となり、逆に8
1.5モル%以下では焼結時に著しい素地の変形が生じ
る。酸化銅が0.3モル%以下では焼結性の低下を招き
コンデンサーとして特性の悪化が起こる。4モル%以上
では異常粒成長が認められ、微構造の不均一化、素地の
変形が起こる。酸化ニオブは低温焼結性を向上させると
同時にコンデンサーの高温負荷特性を著しく改善するが
0.1モル%ではその効果は小さく、1モル%以上では
焼結性の低下を招く。酸化セリウムが0.2モル%以下
ではキュリー点以下の温度領域での誘電損失の急峻な増
大が抑制されず、5モル%以上では低温焼結性を阻害す
る。酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化スズがそれぞ
れ0.2モル%以下では誘電率の増大効果が顕著ではな
く、5モル%以上では焼結性を阻害し実質的にコンデン
サーとして不十分である。酸化セリウムと酸化ジルコニ
ウム、酸化チタン、酸化スズの中から選ばれた少なくと
も1種以上の酸化物の和との比が1:2から2:1の範
囲を越えると低温焼結性を悪化させる。
【0015】シフターの種類によりキュリー温度のシフ
ト量が異なることから、キュリー温度を室温付近に調整
するための添加量を一義的に決定する事はできないが、
2.5〜40モル%添加することが必要である。
【0016】
【実施例】以下に本発明を実施例を示し詳細に説明す
る。また、本発明は実施例により限定されるものではな
い。
【0017】
【実施例1〜6および比較例1】チタン酸バリウムと酸
化銅、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化セリウム、酸化ジル
コニウム、酸化チタン、酸化スズを表1に示す割合で秤
量し、湿式ボールミルで24時間混合した。混合物を乾
燥し、PVAを造粒剤として適当量加え、篩い(100
メッシュ)で整粒した後、2ton/cm2 の圧力で直
径15mm、厚み約0.7mmの円板状成形物を作成し
た。この試料をジルコニア製のセッタに5枚積み重ね表
1に示す条件で焼成した。得られた円板状磁器の両面に
8mmφの銀電極を塗布、焼き付けし、電気特性測定用
試料とした。誘電率、誘電損失の温度依存性は試料を恒
温槽に入れ所定の温度に調整した後、LCRメーター
〔(株)安藤電気社製、AG−4304〕を用いて、1
KHz,1V条件下で測定した。焼結体密度の測定は試
料の重量とマイクロメーターで測定した寸法から計算し
た。また、焼結体粒径は表面の走査型電子顕微鏡写真
〔(株)日立製作所製、S800〕を撮り、ラインイン
ターセプト法により求めた。結果を表2に、誘電損失の
温度依存性を図1に示した。なお、比較例1として実施
例2の酸化ジルコニウム無添加のデータを表2に、実施
例2の酸化セリウム無添加のデータを比較データとして
図1に示した。
【0018】表2より明らかなように1100℃以下で
の焼結が可能である。また、酸化ジルコニウ、酸化チタ
ン、酸化スズの添加により誘電率の極大値は増加する。
図1から酸化セリウムの添加によりキュリー点以下の温
度領域で誘電損失の急峻な立ち上がりが抑制されること
がわかる。
【0019】
【実施例7〜13】チタン酸バリウム93.9モル%、
酸化銅1.5モル%、酸化亜鉛2.0モル%、酸化ニオ
ブ0.6モル%、酸化セリウム1.0モル%、酸化ジル
コニウム1.0モル%の組成物100モルに対し表3に
示す添加剤(シフター)を所定量秤量し、湿式ボールミ
ルで24時間混合した。混合物を乾燥した後、80メッ
シュの篩いを通し、有機バインダーとしてアクリル樹脂
を、溶媒として1,1,1ートリクロロエタンを添加
し、ナイロン製ボールミルポットでボールメディアにジ
ルコニア製ボールを使用してペーストを調整した。得ら
れたペーストからドクターブレード法を用いて厚み18
μmのグリーンシートを作成し、スクリーン印刷法で有
効層60層の積層コンデンサーを製造した。内部電極に
は、Ag/Pd=70/30の材料を用いた。積層コン
デンサーを脱バインダーし、表3に示す1000℃〜1
080℃の温度で所定時間焼成した。外部電極として銀
電極を焼き付け、実施例1〜6と同様の方法で電気特性
を測定した。なお、絶縁抵抗は50V電圧印加1分間値
で示した。信頼性の評価として高温負荷試験を行い、1
75℃、200VDC負荷条件下、故障率63%に到達
する時間を寿命(hr)として表した。結果を表4に示
す。また、誘電損失の温度依存性を図2に示した。な
お、比較データとして実施例7の酸化ニオブ無添加のデ
ータを表4に酸化セリウム無添加のデータを図2に示し
た。
【0020】表4より明らかなように種種のシフターと
組み合わせても低温焼結性は損なわれず、室温の誘電率
を飛躍的に高めることができ、さらに極めて信頼性の高
い積層セラミックコンデンサーが得られる。また、図2
より酸化セリウム添加による誘電損失特性の改善効果は
著しく大きいことがわかる。
【0021】
【表1】
【0022】
【表2】
【0023】
【表3】
【0024】
【表4】
【0025】
【発明の効果】本発明の組成物は、低温焼成で得られ、
高誘電率で信頼性も高く、キュリー点以下の温度領域に
おいて極めて良好な誘電損失特性を示すため、コンデン
サー用誘電体として好適である。また、酸化ニオブを添
加することで焼結温度を低下させることが可能になった
ものであり、大いに有用である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の誘電体磁器組成物の誘電損失ー温度特
性を示すグラフである。
【図2】本発明のシフターを添加した誘電性磁器組成物
の誘電損失−温度特性を示すグラフである。
【符号の説明】
1 実施例2 2 実施例5 3 比較例1 4 実施例7 5 実施例8 6 比較データ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チタン酸バリウム81.5〜99モル
    %、酸化銅0.3〜4モル%、酸化亜鉛0.2〜3.5
    モル%、酸化ニオブ0.1〜1モル%、酸化セリウム
    0.2〜5モル%、及び酸化ジルコニウム、酸化チタ
    ン、酸化スズの中から選ばれた少なくとも1種類以上
    0.2〜5モル%からなる誘電性磁器組成物。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の誘電性磁器組成物100
    モルに対しアルカリ土類金属および鉛のチタン酸塩(チ
    タン酸バリウムを除く。)、ジルコン酸塩、スズ酸塩の
    中から選ばれた1種以上を2.5〜40モル含有させて
    なる誘電性磁器組成物。
JP4016823A 1992-01-31 1992-01-31 誘電性磁器組成物 Withdrawn JPH05213669A (ja)

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003051789A1 (fr) * 2001-12-19 2003-06-26 Ngk Insulators,Ltd. Materiau piezo-electrique/electrostrictif et son procede de production
US6887397B2 (en) 2001-12-19 2005-05-03 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive material and process for production thereof
CN100335442C (zh) * 2005-12-23 2007-09-05 北京科技大学 一种低温制备钛酸锌基微波陶瓷粉体的方法
JP2012138502A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tdk Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2013086314A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
WO2013161968A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 三菱化学株式会社 感光性樹脂組成物、硬化物、層間絶縁膜、tftアクティブマトリックス基板及び液晶表示装置
JP2018170517A (ja) * 2013-10-02 2018-11-01 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag BaTi(1−y)ZryO3をベースにしたセラミック多層デバイス
CN112473703A (zh) * 2020-11-28 2021-03-12 南昌大学 一种高乙烯选择性甲烷氧化偶联催化剂的制备方法及应用

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003051789A1 (fr) * 2001-12-19 2003-06-26 Ngk Insulators,Ltd. Materiau piezo-electrique/electrostrictif et son procede de production
US6887397B2 (en) 2001-12-19 2005-05-03 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive material and process for production thereof
CN100335442C (zh) * 2005-12-23 2007-09-05 北京科技大学 一种低温制备钛酸锌基微波陶瓷粉体的方法
JP2012138502A (ja) * 2010-12-27 2012-07-19 Tdk Corp 積層セラミックコンデンサ
JP2013086314A (ja) * 2011-10-14 2013-05-13 Seiko Epson Corp 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子
WO2013161968A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 三菱化学株式会社 感光性樹脂組成物、硬化物、層間絶縁膜、tftアクティブマトリックス基板及び液晶表示装置
KR20150003744A (ko) * 2012-04-26 2015-01-09 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 경화물, 층간 절연막, tft 액티브 매트릭스 기판 및 액정 표시 장치
JPWO2013161968A1 (ja) * 2012-04-26 2015-12-24 三菱化学株式会社 感光性樹脂組成物、硬化物、層間絶縁膜、tftアクティブマトリックス基板及び液晶表示装置
JP2018170517A (ja) * 2013-10-02 2018-11-01 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag BaTi(1−y)ZryO3をベースにしたセラミック多層デバイス
CN112473703A (zh) * 2020-11-28 2021-03-12 南昌大学 一种高乙烯选择性甲烷氧化偶联催化剂的制备方法及应用

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