JP2692667B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器組成物、
特に１１００℃以下の低温で焼結しかつ静電容量の温度
特性に優れかつ比誘電率が高い、積層セラミックコンデ
ンサ用の誘電体磁器組成物に関するものである。
特に１１００℃以下の低温で焼結しかつ静電容量の温度
特性に優れかつ比誘電率が高い、積層セラミックコンデ
ンサ用の誘電体磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサに用いられる
誘電体磁器組成物には従来からチタン酸バリウムを主成
分としたものが広く使用されている（以下チタン酸バリ
ウム系化合物と称する）。特にチタン酸バリウム系化合
物はＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性（−３０℃〜８５℃：ΔＣ
／Ｃ（２０℃）：＋２２％〜−８２％）、およびＸ７Ｒ
特性（−５５℃〜１２５℃：ΔＣ／Ｃ（２０℃）：±１
５％）の積層セラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成
物として広く使用されている。しかしチタン酸バリウム
系化合物は焼成温度が１３００℃以上と高いために内部
電極に高価な白金、パラジウム等を使用する必要があり
コスト高になっていた。またチタン酸バリウム系化合物
では温度特性がＹ５Ｖ特性とＸ７Ｒ特性の中間（たとえ
ばＹ５Ｕ特性、Ｙ５Ｔ特性など）のものはあまり報告さ
れていない。
誘電体磁器組成物には従来からチタン酸バリウムを主成
分としたものが広く使用されている（以下チタン酸バリ
ウム系化合物と称する）。特にチタン酸バリウム系化合
物はＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性（−３０℃〜８５℃：ΔＣ
／Ｃ（２０℃）：＋２２％〜−８２％）、およびＸ７Ｒ
特性（−５５℃〜１２５℃：ΔＣ／Ｃ（２０℃）：±１
５％）の積層セラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成
物として広く使用されている。しかしチタン酸バリウム
系化合物は焼成温度が１３００℃以上と高いために内部
電極に高価な白金、パラジウム等を使用する必要があり
コスト高になっていた。またチタン酸バリウム系化合物
では温度特性がＹ５Ｖ特性とＸ７Ｒ特性の中間（たとえ
ばＹ５Ｕ特性、Ｙ５Ｔ特性など）のものはあまり報告さ
れていない。
【０００３】一方これらの問題点を解決するために積層
セラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成物として鉛系
ペロブスカイト化合物が広く研究され、一部で実用化に
至っている。鉛系ペロブスカイト化合物は焼成温度が１
１００℃以下であるために積層セラミックコンデンサの
内部電極にコストの安い銀パラジウム等を使用すること
ができるという特徴がある。さらに複数の鉛系ペロブス
カイト化合物を組み合わせることによって室温での比誘
電率が２００００以上の高誘電率材料からＥＩＡ規格の
Ｘ７Ｒ特性を満足するような比誘電率の温度による変化
が小さい材料まで幅広く設計することができる。前者の
例としては特開昭４８−８１０９７号公報で示されてい
るマグネシウムニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 ：ＰＭＮ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、
ニッケルニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ：
ＰＮＮ）の三種類の鉛系ペロブスカイト化合物の複合系
があげられる。後者の例としては特開昭５８−６０６７
１号公報、特開昭６０−４２２７７号公報、特開昭６０
−３６３７１号公報などがあげられる。これらの発明に
おいてはマグネシウムタングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ
3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3 ：ＰＺ）の三
種類の鉛系ペロブスカイト化合物の複合系を用い、さら
に添加物を用いて温度特性の改善を行っている。
セラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成物として鉛系
ペロブスカイト化合物が広く研究され、一部で実用化に
至っている。鉛系ペロブスカイト化合物は焼成温度が１
１００℃以下であるために積層セラミックコンデンサの
内部電極にコストの安い銀パラジウム等を使用すること
ができるという特徴がある。さらに複数の鉛系ペロブス
カイト化合物を組み合わせることによって室温での比誘
電率が２００００以上の高誘電率材料からＥＩＡ規格の
Ｘ７Ｒ特性を満足するような比誘電率の温度による変化
が小さい材料まで幅広く設計することができる。前者の
例としては特開昭４８−８１０９７号公報で示されてい
るマグネシウムニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 ：ＰＭＮ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、
ニッケルニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ：
ＰＮＮ）の三種類の鉛系ペロブスカイト化合物の複合系
があげられる。後者の例としては特開昭５８−６０６７
１号公報、特開昭６０−４２２７７号公報、特開昭６０
−３６３７１号公報などがあげられる。これらの発明に
おいてはマグネシウムタングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ
1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ
3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3 ：ＰＺ）の三
種類の鉛系ペロブスカイト化合物の複合系を用い、さら
に添加物を用いて温度特性の改善を行っている。
【０００４】特開昭５８−６０６７１号公報における鉛
系ペロブスカイト化合物を用いて３０℃、８５℃におけ
る容量の温度による変化を±２０％以内にすることは可
能であると報告されている。しかしその場合ほとんどの
組成において室温での比誘電率が５０００以下であると
いう問題点があった。またマンガン化合物を添加して容
量の温度特性を改善する手段があるがこの場合パイロク
ロア相、酸化鉛等の第二相が生成し、比誘電率を著しく
低下させるという問題点がある。容量の温度特性を向上
させるもう一つの手段としてはペロブスカイト化合物の
鉛（Ｐｂ）の一部を他のアルカリ土類金属であるバリウ
ム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃ
ａ）で置換する方法がある。たとえば特開平１−２９８
０６１号公報においてマグネシウムニオブ酸鉛（Ｐｂ
（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ：ＰＭＮ）、チタン酸鉛（Ｐ
ｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3 ：Ｐ
Ｚ）の複合ペロブスカイト化合物のＰｂの一部をＢａ，
Ｓｒの少なくとも１種以上の元素で置換する組成物が示
されている。しかしこの場合焼成温度が１０００℃〜１
３００℃と比較的高いために内部電極に安価な銀パラジ
ウムを用いることは困難である。また特開平４−１１５
４０８号公報においてマグネシウムニオブ酸鉛（Ｐｂ
（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ：ＰＭＮ）と別の鉛系ペロブ
スカイト化合物の複合体のＰｂの一部をＢａ，Ｓｒ，Ｃ
ａ，Ａｇで置換する組成物が示されている。しかしこれ
らの組成では比誘電率の温度特性を−３０℃〜８５℃で
±２０℃以内にすることは困難である。また、特開昭６
３−２２１５０６号公報においてマグネシウムタングス
テン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チ
タン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（Ｐｂ
ＺｒＯ3 ：ＰＺ）の複合ペロブスカイト化合物のＰｂの
一部をＢａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種以上の元素で
置換し、さらに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を添加し、かつマンガン酸化物を添加す
ることによって比較的高い比誘電率を確保し、かつ温度
特性はＪＩＳ規格のＢ特性を満足しうる組成物が開示さ
れている。
系ペロブスカイト化合物を用いて３０℃、８５℃におけ
る容量の温度による変化を±２０％以内にすることは可
能であると報告されている。しかしその場合ほとんどの
組成において室温での比誘電率が５０００以下であると
いう問題点があった。またマンガン化合物を添加して容
量の温度特性を改善する手段があるがこの場合パイロク
ロア相、酸化鉛等の第二相が生成し、比誘電率を著しく
低下させるという問題点がある。容量の温度特性を向上
させるもう一つの手段としてはペロブスカイト化合物の
鉛（Ｐｂ）の一部を他のアルカリ土類金属であるバリウ
ム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃ
ａ）で置換する方法がある。たとえば特開平１−２９８
０６１号公報においてマグネシウムニオブ酸鉛（Ｐｂ
（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ：ＰＭＮ）、チタン酸鉛（Ｐ
ｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3 ：Ｐ
Ｚ）の複合ペロブスカイト化合物のＰｂの一部をＢａ，
Ｓｒの少なくとも１種以上の元素で置換する組成物が示
されている。しかしこの場合焼成温度が１０００℃〜１
３００℃と比較的高いために内部電極に安価な銀パラジ
ウムを用いることは困難である。また特開平４−１１５
４０８号公報においてマグネシウムニオブ酸鉛（Ｐｂ
（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 ：ＰＭＮ）と別の鉛系ペロブ
スカイト化合物の複合体のＰｂの一部をＢａ，Ｓｒ，Ｃ
ａ，Ａｇで置換する組成物が示されている。しかしこれ
らの組成では比誘電率の温度特性を−３０℃〜８５℃で
±２０℃以内にすることは困難である。また、特開昭６
３−２２１５０６号公報においてマグネシウムタングス
テン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チ
タン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（Ｐｂ
ＺｒＯ3 ：ＰＺ）の複合ペロブスカイト化合物のＰｂの
一部をＢａ，Ｓｒ，Ｃａの少なくとも１種以上の元素で
置換し、さらに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または酸化
亜鉛（ＺｎＯ）を添加し、かつマンガン酸化物を添加す
ることによって比較的高い比誘電率を確保し、かつ温度
特性はＪＩＳ規格のＢ特性を満足しうる組成物が開示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように室温での比
誘電率が高くかつ比誘電率の温度による変化が小さいと
いうことに加えて焼成温度が１１００℃以下であるとい
う組成を得ることは非常に困難である。しかも近年の積
層セラミックコンデンサは小型高容量化の要請が強いた
めに一層あたりの厚みが１０μm 以下という非常に薄い
ものが求められている。そのため誘電体磁器組成物の焼
結後の粒径も２〜３μm 以下であることが必要条件であ
る。また、鉛系ペロブスカイト化合物のＰｂイオンサイ
トを他のアルカリ土類金属（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）で置換
するとキュリー点が大きく低温側にシフトするため材料
設計が困難である。
誘電率が高くかつ比誘電率の温度による変化が小さいと
いうことに加えて焼成温度が１１００℃以下であるとい
う組成を得ることは非常に困難である。しかも近年の積
層セラミックコンデンサは小型高容量化の要請が強いた
めに一層あたりの厚みが１０μm 以下という非常に薄い
ものが求められている。そのため誘電体磁器組成物の焼
結後の粒径も２〜３μm 以下であることが必要条件であ
る。また、鉛系ペロブスカイト化合物のＰｂイオンサイ
トを他のアルカリ土類金属（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）で置換
するとキュリー点が大きく低温側にシフトするため材料
設計が困難である。
【０００６】本発明の目的は、誘電体磁器組成物、特に
１１００℃以下の低温で焼結しかつ静電容量の温度特性
が優れかつ比誘電率が高い積層セラミックコンデンサ用
の誘電体磁器組成物を提供することである。
１１００℃以下の低温で焼結しかつ静電容量の温度特性
が優れかつ比誘電率が高い積層セラミックコンデンサ用
の誘電体磁器組成物を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物においては室温での比誘電率が高くかつ優れた温度特
性を得るために希土類酸化物、特に好ましくは３価の希
土類酸化物を添加し、さらに好ましくはマンガンニオブ
酸鉛を添加することを特徴とする。すなわち本発明にお
ける誘電体磁器組成物は、マグネシウムタングステン酸
鉛（Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ
3 ：ＰＺ）の三種類の鉛系ペロブスカイト化合物を主成
分組成とし、それぞれの構成比率をｘ、ｙ、ｚとしたと
き（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）、図１に示したように三元
図における点（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．７２５、０．２
５、０．０２５）、（０．４５、０．５２５、０．０２
５）、（０．３０、０．３０、０．４０）、（０．４７
５、０．１２５、０．４０）を結ぶ直線上およびその４
点に囲まれた組成領域であり、かつ主成分組成に対して
Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅ
ｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 等よりなる希土類酸
化物をいずれか一種以上、０．１〜５．０ｍｏｌ％添加
したことを特徴とする。また、前記誘電体磁器組成物に
対してさらにマンガンニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 ：ＰｂＭｎＮｂ）を０．０１〜５．０ｍｏｌ
％添加したことを特徴とする。
物においては室温での比誘電率が高くかつ優れた温度特
性を得るために希土類酸化物、特に好ましくは３価の希
土類酸化物を添加し、さらに好ましくはマンガンニオブ
酸鉛を添加することを特徴とする。すなわち本発明にお
ける誘電体磁器組成物は、マグネシウムタングステン酸
鉛（Ｐｂ（Ｍｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チタン酸
鉛（ＰｂＴｉＯ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ
3 ：ＰＺ）の三種類の鉛系ペロブスカイト化合物を主成
分組成とし、それぞれの構成比率をｘ、ｙ、ｚとしたと
き（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）、図１に示したように三元
図における点（ｘ、ｙ、ｚ）＝（０．７２５、０．２
５、０．０２５）、（０．４５、０．５２５、０．０２
５）、（０．３０、０．３０、０．４０）、（０．４７
５、０．１２５、０．４０）を結ぶ直線上およびその４
点に囲まれた組成領域であり、かつ主成分組成に対して
Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅ
ｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 等よりなる希土類酸
化物をいずれか一種以上、０．１〜５．０ｍｏｌ％添加
したことを特徴とする。また、前記誘電体磁器組成物に
対してさらにマンガンニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 ：ＰｂＭｎＮｂ）を０．０１〜５．０ｍｏｌ
％添加したことを特徴とする。
【０００８】希土類酸化物の添加量を本発明の範囲より
も多くすると比誘電率が小さくなりすぎる、焼成温度が
高くなると言う弊害が現れるため好ましくない。マンガ
ンニオブ酸鉛の添加量も本発明の範囲よりも多くしても
温度特性の改善効果は現れず、比誘電率が小さくなるだ
けであり、かつ焼成温度も高くなるためやはり好ましく
ない。また、マンガンニオブ酸鉛の添加は０．０１モル
％でも効果が現れる。
も多くすると比誘電率が小さくなりすぎる、焼成温度が
高くなると言う弊害が現れるため好ましくない。マンガ
ンニオブ酸鉛の添加量も本発明の範囲よりも多くしても
温度特性の改善効果は現れず、比誘電率が小さくなるだ
けであり、かつ焼成温度も高くなるためやはり好ましく
ない。また、マンガンニオブ酸鉛の添加は０．０１モル
％でも効果が現れる。
【０００９】マンガンニオブ酸鉛を添加することによっ
て温度特性を改善する方法では前述のように、第二相が
生成しやすく必要以上に比誘電率が低下する。本発明で
は希土類酸化物の添加によってある程度まで比誘電率を
ディプレスし、さらにできるだけ多くない量のマンガン
ニオブ酸鉛を添加することによって比誘電率の必要以上
の低下を押さえかつ温度特性の改善を図ることができ
る。
て温度特性を改善する方法では前述のように、第二相が
生成しやすく必要以上に比誘電率が低下する。本発明で
は希土類酸化物の添加によってある程度まで比誘電率を
ディプレスし、さらにできるだけ多くない量のマンガン
ニオブ酸鉛を添加することによって比誘電率の必要以上
の低下を押さえかつ温度特性の改善を図ることができ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】出発原料として酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン
（ＷＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ2 ）、各希土類酸化物、および炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3 ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5）を表１に示
した組成になるように秤量した。次に秤量した原料を樹
脂ボールミル中で湿式混合を行った後８００℃〜９００
℃で予焼し、さらに樹脂ボールミル中で湿式で粉砕を行
った後ろ過、乾燥して誘電体粉末を得た。得られた誘電
体粉末を直径約１５mm、厚さ約１．５mmの円板状にプレ
ス成形し９００℃〜１１００℃で焼成を行った。焼成し
た円板試料の両面に銀ペーストを塗布し焼き付けること
によって電極を形成した後、ＬＣＲメータを用いて室
温、−３０℃、および８０℃で静電容量Ｃを測定した。
各組成を表１に、その組成における室温での比誘電率、
最適焼成温度、２０℃での比誘電率を基準としたときの
−３０℃、８５℃における比誘電率の変化率を表２に示
す。表２において最適焼成温度は、比誘電率が最大を示
す温度（いわゆるキュリー点）における比誘電率が最も
高くなる焼成温度を示す。
Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン
（ＷＯ3 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ2 ）、各希土類酸化物、および炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ3 ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5）を表１に示
した組成になるように秤量した。次に秤量した原料を樹
脂ボールミル中で湿式混合を行った後８００℃〜９００
℃で予焼し、さらに樹脂ボールミル中で湿式で粉砕を行
った後ろ過、乾燥して誘電体粉末を得た。得られた誘電
体粉末を直径約１５mm、厚さ約１．５mmの円板状にプレ
ス成形し９００℃〜１１００℃で焼成を行った。焼成し
た円板試料の両面に銀ペーストを塗布し焼き付けること
によって電極を形成した後、ＬＣＲメータを用いて室
温、−３０℃、および８０℃で静電容量Ｃを測定した。
各組成を表１に、その組成における室温での比誘電率、
最適焼成温度、２０℃での比誘電率を基準としたときの
−３０℃、８５℃における比誘電率の変化率を表２に示
す。表２において最適焼成温度は、比誘電率が最大を示
す温度（いわゆるキュリー点）における比誘電率が最も
高くなる焼成温度を示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【表２】
【００１３】表１から明らかなように該鉛系複合ペロブ
スカイト化合物に希土類酸化物を添加すると、比誘電率
の最大値が小さくなり温度特性が改善されることが分か
る。希土類酸化物を添加した上にさらにマンガンニオブ
酸鉛を添加すると、温度−比誘電率曲線において低温側
のピークと高温側のピークに分裂する傾向にある。した
がってさらに温度特性をよくすることが可能である。
スカイト化合物に希土類酸化物を添加すると、比誘電率
の最大値が小さくなり温度特性が改善されることが分か
る。希土類酸化物を添加した上にさらにマンガンニオブ
酸鉛を添加すると、温度−比誘電率曲線において低温側
のピークと高温側のピークに分裂する傾向にある。した
がってさらに温度特性をよくすることが可能である。
【００１４】添加する希土類酸化物によってキュリー点
のシフトの量が異なる。したがって主組成のキュリー点
が室温から外れていても適当な希土類酸化物を選択して
適量添加することによってキュリー点を室温付近にし、
かつそのディプレス効果によって温度特性を良くするこ
とができる。このとき注意すべき点は、希土類酸化物に
はキュリー点を高温側にシフトさせる作用はないため
に、主組成のキュリー点が低すぎると温度特性を良くす
ることはできない。一方、主組成のキュリー点が高すぎ
ると本発明の請求範囲内の量の希土類酸化物を添加して
もキュリー点を適当な値に調整することができない。し
たがって主組成のキュリー点はおおよそ０℃〜１００℃
程度にすることが望ましい。さらに、主組成のＰＺ比が
２．５％以下では温度特性を良くすることに限界がある
こと、また４０％以上では主組成の比誘電率が小さくな
りすぎる、最適焼成温度が高くなるという理由からいず
れも好ましくない。
のシフトの量が異なる。したがって主組成のキュリー点
が室温から外れていても適当な希土類酸化物を選択して
適量添加することによってキュリー点を室温付近にし、
かつそのディプレス効果によって温度特性を良くするこ
とができる。このとき注意すべき点は、希土類酸化物に
はキュリー点を高温側にシフトさせる作用はないため
に、主組成のキュリー点が低すぎると温度特性を良くす
ることはできない。一方、主組成のキュリー点が高すぎ
ると本発明の請求範囲内の量の希土類酸化物を添加して
もキュリー点を適当な値に調整することができない。し
たがって主組成のキュリー点はおおよそ０℃〜１００℃
程度にすることが望ましい。さらに、主組成のＰＺ比が
２．５％以下では温度特性を良くすることに限界がある
こと、また４０％以上では主組成の比誘電率が小さくな
りすぎる、最適焼成温度が高くなるという理由からいず
れも好ましくない。
【００１５】以上の理由から主組成の組成範囲、希土類
酸化物の添加量およびマンガンニオブ酸鉛の添加量の範
囲は本発明の組成範囲に限定される。
酸化物の添加量およびマンガンニオブ酸鉛の添加量の範
囲は本発明の組成範囲に限定される。
【００１６】以上希土類酸化物を一種添加した例につい
て説明したが、複数種添加しても同様な効果が得られ
る。
て説明したが、複数種添加しても同様な効果が得られ
る。
【００１７】
【発明の効果】以上述べたとおり、本発明によれば、誘
電体磁器組成物、特に１１００℃以下の低温で焼結しか
つ静電容量の温度特性が優れかつ比誘電率が高い積層セ
ラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成物を提供するこ
とが可能となる。
電体磁器組成物、特に１１００℃以下の低温で焼結しか
つ静電容量の温度特性が優れかつ比誘電率が高い積層セ
ラミックコンデンサ用の誘電体磁器組成物を提供するこ
とが可能となる。
【図１】本発明の磁器組成物の主成分組成の範囲を示す
三元図である。
三元図である。
【図２】組成番号２３，２５，２６，３０の比誘電率の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
【図３】組成番号２９，２８，２７，２６の比誘電率の
温度依存性を示す図である。
温度依存性を示す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】マグネシウムタングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍ
ｇ1/2 Ｗ1/2 ）Ｏ3 ：ＰＭＷ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉ
Ｏ3 ：ＰＴ）、ジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ3 ：ＰＺ）の
三種類の鉛系ペロブスカイト化合物を主成分組成とし、
それぞれの構成比率をｘ、ｙ、ｚとしたとき（ただしｘ
＋ｙ＋ｚ＝１）、三元図における点（ｘ、ｙ、ｚ）＝
（０．７２５、０．２５、０．０２５）、（０．４５、
０．５２５、０．０２５）、（０．３０、０．３０、
０．４０）、（０．４７５、０．１２５、０．４０）を
結ぶ直線上およびその４点に囲まれた組成領域であり、
かつ主成分組成に対して希土類酸化物のいずれか一種以
上を０．１〜５．０ｍｏｌ％添加したことを特徴とする
誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】希土類酸化物が、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ
2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅｕ2Ｏ3 、Ｇｄ2
Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 のいずれかであることを特徴とする請
求項１記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】請求項１ないし２記載の誘電体磁器組成物
に対してマンガンニオブ酸鉛（Ｐｂ（Ｍｎ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 ：ＰｂＭｎＮｂ）を０．０１〜５．０ｍｏ
ｌ％添加したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7315559A JP2692667B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-12-04 | 誘電体磁器組成物 |
| US08/601,586 US5633215A (en) | 1995-02-20 | 1996-02-14 | Dielectric porcelain composition having a high dielectric constant and a low sintering temperature |
| TW085101965A TW400314B (en) | 1995-02-20 | 1996-02-16 | Dielectric porcelain composition having a high dielectric constant and a low sintering temperature |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5508895 | 1995-02-20 | ||
| JP7-55088 | 1995-02-20 | ||
| JP7315559A JP2692667B2 (ja) | 1995-02-20 | 1995-12-04 | 誘電体磁器組成物 |
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|---|---|
| JPH08290966A JPH08290966A (ja) | 1996-11-05 |
| JP2692667B2 true JP2692667B2 (ja) | 1997-12-17 |
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| JP (1) | JP2692667B2 (ja) |
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|---|---|
| US5633215A (en) | 1997-05-27 |
| TW400314B (en) | 2000-08-01 |
| JPH08290966A (ja) | 1996-11-05 |
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