JPH11157925A - 半導体セラミック - Google Patents
半導体セラミックInfo
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- JPH11157925A JPH11157925A JP9321307A JP32130797A JPH11157925A JP H11157925 A JPH11157925 A JP H11157925A JP 9321307 A JP9321307 A JP 9321307A JP 32130797 A JP32130797 A JP 32130797A JP H11157925 A JPH11157925 A JP H11157925A
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- Japan
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- semiconductor
- semiconductor material
- semiconductor ceramic
- barium titanate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰＴＣ特性の良好なＢａＴｉＯ3系半導体材
料を用い、かつ、室温抵抗をより低くした半導体セラミ
ックを提供する。 【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする半導体
材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を
分散させてなることを特徴とする。
料を用い、かつ、室温抵抗をより低くした半導体セラミ
ックを提供する。 【解決手段】 チタン酸バリウムを主成分とする半導体
材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を
分散させてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体セラミッ
ク、特に正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックに
関する。
ク、特に正の抵抗温度特性を有する半導体セラミックに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、過電流保護部品やカラーテレ
ビの消磁用部品には、抵抗変化温度（以下、キュリー点
とする）以上で急激に高抵抗化するというＰＴＣ特性を
有するＢａＴｉＯ3系の半導体セラミックが広く用いら
れている。
ビの消磁用部品には、抵抗変化温度（以下、キュリー点
とする）以上で急激に高抵抗化するというＰＴＣ特性を
有するＢａＴｉＯ3系の半導体セラミックが広く用いら
れている。
【０００３】このような用途に使用される半導体セラミ
ックにおいて求められている課題の一つとして、室温で
の通電可能電流量をより増大させることがある。この課
題を解決するために、従来より室温抵抗を低減させる試
みが多くなされてきた。
ックにおいて求められている課題の一つとして、室温で
の通電可能電流量をより増大させることがある。この課
題を解決するために、従来より室温抵抗を低減させる試
みが多くなされてきた。
【０００４】例えば、その試みの一つとして、文献であ
る「日本セラミックス協会１９８９年会（題目：ＰＴＣ
効果を有するセラミクス半導体と金属とのコンポジット
の作製と評価）」（山本孝・田中亮二・岡崎清、日本セ
ラミックス協会、１９８９）にある半導体セラミックが
挙げられる。山本らは、ＢａＴｉＯ3系の半導体材料
（Ｂａ0.756Ｓｒ0.24Ｙ0.004）Ｔｉ1.01＋０．０１重量
％Ｍｎ＋０．５重量％ＳｉＯ2）の仮焼粉体に、Ｐｄ、
Ａｇ2Ｏ、Ｎｉ、ＺｎＯ等を添加したものを酸素雰囲気
中１３８０℃で焼成して焼結体を作製し、その微細構造
と電気的特性を測定している。その結果、Ｐｄ等の金属
においては、ショットキー接合を形成してＰＴＣ特性が
得られるとしている。
る「日本セラミックス協会１９８９年会（題目：ＰＴＣ
効果を有するセラミクス半導体と金属とのコンポジット
の作製と評価）」（山本孝・田中亮二・岡崎清、日本セ
ラミックス協会、１９８９）にある半導体セラミックが
挙げられる。山本らは、ＢａＴｉＯ3系の半導体材料
（Ｂａ0.756Ｓｒ0.24Ｙ0.004）Ｔｉ1.01＋０．０１重量
％Ｍｎ＋０．５重量％ＳｉＯ2）の仮焼粉体に、Ｐｄ、
Ａｇ2Ｏ、Ｎｉ、ＺｎＯ等を添加したものを酸素雰囲気
中１３８０℃で焼成して焼結体を作製し、その微細構造
と電気的特性を測定している。その結果、Ｐｄ等の金属
においては、ショットキー接合を形成してＰＴＣ特性が
得られるとしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体セラミックには以下のような問題点があった。 １．ＢａＴｉＯ3系の半導体材料中にＰｄ等の貴金属を
分散させたものでは、分散させた貴金属がＢａＴｉＯ3
系の半導体材料とオーミック接触をせずに、ショットキ
ー接続をするため、逆に室温抵抗が上昇する。
半導体セラミックには以下のような問題点があった。 １．ＢａＴｉＯ3系の半導体材料中にＰｄ等の貴金属を
分散させたものでは、分散させた貴金属がＢａＴｉＯ3
系の半導体材料とオーミック接触をせずに、ショットキ
ー接続をするため、逆に室温抵抗が上昇する。
【０００６】２．上記文献では、ＢａＴｉＯ3系の半導
体材料中にＮｉ等の卑金属を分散させたものでは、分散
させた卑金属が酸化ないしは溶融するという報告がなさ
れている。
体材料中にＮｉ等の卑金属を分散させたものでは、分散
させた卑金属が酸化ないしは溶融するという報告がなさ
れている。
【０００７】本発明の目的は、ＰＴＣ特性の良好なＢａ
ＴｉＯ3系半導体材料を用い、かつ、室温抵抗をより低
くした半導体セラミックを提供することにある。
ＴｉＯ3系半導体材料を用い、かつ、室温抵抗をより低
くした半導体セラミックを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明である半導体
セラミックは、チタン酸バリウムを主成分とする半導体
材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を
分散させてなることを特徴とする。
セラミックは、チタン酸バリウムを主成分とする半導体
材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を
分散させてなることを特徴とする。
【０００９】このような構成にすることによって、チタ
ン酸バリウム系の半導体セラミックが有するＰＴＣ特性
を維持しつつ、室温抵抗をより低くすることができる。
なお、ここでいう金属部分を含むニッケルというのは、
表面に酸化された薄層を有し、その内実が金属ニッケル
であって、導電性を有するものを指す。
ン酸バリウム系の半導体セラミックが有するＰＴＣ特性
を維持しつつ、室温抵抗をより低くすることができる。
なお、ここでいう金属部分を含むニッケルというのは、
表面に酸化された薄層を有し、その内実が金属ニッケル
であって、導電性を有するものを指す。
【００１０】また、第２の発明である半導体セラミック
においては、前記半導体材料中には、チタン酸カルシウ
ムが含有され、一般式（Ｂａ1-xＣａx）ＴｉＯ3と表し
たとき、ｘは、０．０５≦ｘ≦０．４０の範囲にあるこ
とが好ましい。
においては、前記半導体材料中には、チタン酸カルシウ
ムが含有され、一般式（Ｂａ1-xＣａx）ＴｉＯ3と表し
たとき、ｘは、０．０５≦ｘ≦０．４０の範囲にあるこ
とが好ましい。
【００１１】このようにＣａＴｉＯ3を添加することに
よって、比較的低温で再酸化処理してもＰＴＣ特性を向
上させることができるので、半導体材料中にあるニッケ
ルが酸化されず、良好な導電性を維持するとともに、Ｐ
ＴＣ特性を改善することができる。
よって、比較的低温で再酸化処理してもＰＴＣ特性を向
上させることができるので、半導体材料中にあるニッケ
ルが酸化されず、良好な導電性を維持するとともに、Ｐ
ＴＣ特性を改善することができる。
【００１２】また、第３の発明である半導体セラミック
においては、前記チタン酸バリウムの化学式ＢａＴｉＯ
3のＢａサイトとＴｉサイトとの組成比Ｂａ／Ｔｉ（原
子比）が０．９９５〜１．０５であることが好ましい。
においては、前記チタン酸バリウムの化学式ＢａＴｉＯ
3のＢａサイトとＴｉサイトとの組成比Ｂａ／Ｔｉ（原
子比）が０．９９５〜１．０５であることが好ましい。
【００１３】このような組成比とすることによって、Ｐ
ＴＣ特性の改善や、室温抵抗の低減を行うことができ
る。
ＴＣ特性の改善や、室温抵抗の低減を行うことができ
る。
【００１４】また、第４の発明である半導体セラミック
においては、前記半導体材料中に酸化マンガンがＭｎＯ
2に換算して０．００１〜１．０００mol％添加されてい
ることを特徴とする。
においては、前記半導体材料中に酸化マンガンがＭｎＯ
2に換算して０．００１〜１．０００mol％添加されてい
ることを特徴とする。
【００１５】このような範囲でＭｎＯ2を添加すること
によって、ＰＴＣ特性の改善を行うことができる。
によって、ＰＴＣ特性の改善を行うことができる。
【００１６】また、本願第５の発明である半導体セラミ
ックにおいては、前記導電性粒子は、前記半導体材料中
に０．０１〜１０．００重量％添加されていることを特
徴とする。
ックにおいては、前記導電性粒子は、前記半導体材料中
に０．０１〜１０．００重量％添加されていることを特
徴とする。
【００１７】このような範囲で導電性粒子を添加するこ
とによって、導電性粒子を添加することによる効果をよ
り顕著にすることができるとともに、ＰＴＣ特性や耐電
圧の低下を防止することができる。
とによって、導電性粒子を添加することによる効果をよ
り顕著にすることができるとともに、ＰＴＣ特性や耐電
圧の低下を防止することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のチタン酸バリウムを主成
分とする半導体セラミックに用いられる半導体材料と
は、チタン酸バリウムにＹ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｂｉや、Ｌ
ａ、Ｃｅなどの希土類元素等の添加物を加えたものも含
まれる。
分とする半導体セラミックに用いられる半導体材料と
は、チタン酸バリウムにＹ，Ｎｂ，Ｓｂ，Ｂｉや、Ｌ
ａ、Ｃｅなどの希土類元素等の添加物を加えたものも含
まれる。
【００１９】また、導電性粒子には、耐熱性がよく、オ
ーミック接触をするという理由からニッケルを用いる。
なお、導電性粒子にニッケル以外のものを用いると、非
オーミックとなって高抵抗化したり、金属粒子が溶融す
るなどの不具合が生じる。
ーミック接触をするという理由からニッケルを用いる。
なお、導電性粒子にニッケル以外のものを用いると、非
オーミックとなって高抵抗化したり、金属粒子が溶融す
るなどの不具合が生じる。
【００２０】また、上記半導体材料中に添加されるＣａ
ＴｉＯ3は、比較的低温（８５０℃以下）での再酸化処
理で、ＰＴＣ特性を向上させるものであり、この効果に
より、上記導電性粒子の材質であるニッケルの抵抗値が
酸化によって上昇しないように、ニッケルの酸化を防止
するためのものである。
ＴｉＯ3は、比較的低温（８５０℃以下）での再酸化処
理で、ＰＴＣ特性を向上させるものであり、この効果に
より、上記導電性粒子の材質であるニッケルの抵抗値が
酸化によって上昇しないように、ニッケルの酸化を防止
するためのものである。
【００２１】次に、本発明を実施例に基づいてさらに具
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
体的に説明するが、本発明はかかる実施例のみに限定さ
れるものではない。
【００２２】
【実施例】本発明の半導体セラミックを次のようにして
作製した。まず、出発原料としてＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、
ＣａＣＯ3、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｎＯ2を用意し、 （Ｂａ0.998-xＣａxＬａ0.002）mＴｉＯ3＋０．０１Ｓ
ｉＯ2＋αＭｎＯ2 となるように調合して調合物を得た。次に、得られた調
合物をジルコニアボールとともに５時間水中でボールミ
ル粉砕混合して混合物とした後、１１００℃で２時間仮
焼し、仮焼物を得た。この仮焼物にバインダーを混合し
て、５０メッシュの篩いによって造粒し、造粒物を得
た。さらに、得られた造粒物に１０μｍφのニッケル金
属粉末を混合し、１０mmφ×１mmtとなるように乾式プ
レス成形し、成形体とした。次に、得られた成形体中に
あるバインダーを大気中で燃焼させた後、Ｈ2／Ｎ2混合
ガス雰囲気中において１３００℃で２時間焼成し、さら
に、大気中において８００℃で２時間再酸化処理して半
導体セラミックとした。なお、得られた半導体セラミッ
ク中のニッケル金属粉末は、表面薄層が酸化されている
が、その内実が金属ニッケルであり、導電性を保ってい
ることが分析結果から確認できた。
作製した。まず、出発原料としてＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、
ＣａＣＯ3、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｎＯ2を用意し、 （Ｂａ0.998-xＣａxＬａ0.002）mＴｉＯ3＋０．０１Ｓ
ｉＯ2＋αＭｎＯ2 となるように調合して調合物を得た。次に、得られた調
合物をジルコニアボールとともに５時間水中でボールミ
ル粉砕混合して混合物とした後、１１００℃で２時間仮
焼し、仮焼物を得た。この仮焼物にバインダーを混合し
て、５０メッシュの篩いによって造粒し、造粒物を得
た。さらに、得られた造粒物に１０μｍφのニッケル金
属粉末を混合し、１０mmφ×１mmtとなるように乾式プ
レス成形し、成形体とした。次に、得られた成形体中に
あるバインダーを大気中で燃焼させた後、Ｈ2／Ｎ2混合
ガス雰囲気中において１３００℃で２時間焼成し、さら
に、大気中において８００℃で２時間再酸化処理して半
導体セラミックとした。なお、得られた半導体セラミッ
ク中のニッケル金属粉末は、表面薄層が酸化されている
が、その内実が金属ニッケルであり、導電性を保ってい
ることが分析結果から確認できた。
【００２３】（実施例１）上記のようにして得られた半
導体セラミックにＩｎＧａ電極を塗布して半導体セラミ
ック素子とし、導電性Ｎｉ粒子の添加量を２重量％に固
定して、半導体セラミック中のＣａ量、Ｂａ／Ｔｉ比、
Ｍｎ量を変化させ、それぞれの室温抵抗、ＰＴＣ特性
（２５０℃の抵抗と２５℃の抵抗との比：Ｒ250／
Ｒ25）、および、耐電圧を測定した。その結果を表１に
示す。なお、表１中の組成単独の室温抵抗とは、導電性
Ｎｉ粒子を添加しない半導体セラミックの室温抵抗のこ
とである。
導体セラミックにＩｎＧａ電極を塗布して半導体セラミ
ック素子とし、導電性Ｎｉ粒子の添加量を２重量％に固
定して、半導体セラミック中のＣａ量、Ｂａ／Ｔｉ比、
Ｍｎ量を変化させ、それぞれの室温抵抗、ＰＴＣ特性
（２５０℃の抵抗と２５℃の抵抗との比：Ｒ250／
Ｒ25）、および、耐電圧を測定した。その結果を表１に
示す。なお、表１中の組成単独の室温抵抗とは、導電性
Ｎｉ粒子を添加しない半導体セラミックの室温抵抗のこ
とである。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１に示すように、半導体セラミック中に
導電性Ｎｉ粒子を添加することによって、半導体セラミ
ックの室温抵抗が低減されることが確認できる。
導電性Ｎｉ粒子を添加することによって、半導体セラミ
ックの室温抵抗が低減されることが確認できる。
【００２６】ここで、請求項２から請求項４において、
Ｃａ量、Ｂａ／Ｔｉ比、Ｍｎ量を限定した理由を説明す
る。まず、（Ｂａ1-xＣａx）ＴｉＯ3において、Ｃａの
含有量ｘを０．０５〜０．４０に限定したのは、試料番
号１のように、Ｃａの含有量ｘが０．０５より少ない場
合には、半導体セラミックのＰＴＣ特性（Ｒ250／
Ｒ25）が低下し、好ましくないからである。一方、試料
番号６のように、Ｃａの含有量ｘが０．４０より多い場
合には、半導体セラミックの室温抵抗が上昇するととも
に、ＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下し、好ましくな
いからである。
Ｃａ量、Ｂａ／Ｔｉ比、Ｍｎ量を限定した理由を説明す
る。まず、（Ｂａ1-xＣａx）ＴｉＯ3において、Ｃａの
含有量ｘを０．０５〜０．４０に限定したのは、試料番
号１のように、Ｃａの含有量ｘが０．０５より少ない場
合には、半導体セラミックのＰＴＣ特性（Ｒ250／
Ｒ25）が低下し、好ましくないからである。一方、試料
番号６のように、Ｃａの含有量ｘが０．４０より多い場
合には、半導体セラミックの室温抵抗が上昇するととも
に、ＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下し、好ましくな
いからである。
【００２７】次に、Ｂａ／Ｔｉ比を０．９９５〜１．０
５に限定したのは、試料番号７のように、Ｂａ／Ｔｉ比
が０．９９５より少ない場合には、半導体セラミックの
ＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下するとともに、耐電
圧（Ｖ／mm）も低下し、好ましくないからである。一
方、試料番号１２のように、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０５よ
り大きい場合には、半導体セラミックの室温抵抗が上昇
し、好ましくないからである。
５に限定したのは、試料番号７のように、Ｂａ／Ｔｉ比
が０．９９５より少ない場合には、半導体セラミックの
ＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下するとともに、耐電
圧（Ｖ／mm）も低下し、好ましくないからである。一
方、試料番号１２のように、Ｂａ／Ｔｉ比が１．０５よ
り大きい場合には、半導体セラミックの室温抵抗が上昇
し、好ましくないからである。
【００２８】さらに、酸化マンガン（ＭｎＯ2）の添加
量を０．００１〜１mol％に限定したのは、試料番号１
３のように、酸化マンガン（ＭｎＯ2）の添加量が０．
００１mol％より少ない場合には、半導体セラミックの
ＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下するとともに、耐電
圧（Ｖ／mm）も低下し、好ましくないからである。一
方、試料番号１９のように、酸化マンガン（ＭｎＯ2）
の添加量が１mol％より多い場合には、半導体セラミッ
クの室温抵抗が上昇するとともに、ＰＴＣ特性（Ｒ250
／Ｒ25）が低下し、好ましくないからである。
量を０．００１〜１mol％に限定したのは、試料番号１
３のように、酸化マンガン（ＭｎＯ2）の添加量が０．
００１mol％より少ない場合には、半導体セラミックの
ＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下するとともに、耐電
圧（Ｖ／mm）も低下し、好ましくないからである。一
方、試料番号１９のように、酸化マンガン（ＭｎＯ2）
の添加量が１mol％より多い場合には、半導体セラミッ
クの室温抵抗が上昇するとともに、ＰＴＣ特性（Ｒ250
／Ｒ25）が低下し、好ましくないからである。
【００２９】（実施例２）実施例１において作製した半
導体セラミックのうち、試料番号４のもの（Ｃａ量ｘが
０．２、Ｂａ／Ｔｉ比１．００５、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2）量０．０５mol％）を用い、導電性Ｎｉ粒子の添加
量を変化させ、それぞれの室温抵抗、ＰＴＣ特性（Ｒ
250／Ｒ25）、および、耐電圧を測定した。その結果を
表２に示す。なお、導電性金属粒子として、Ｎｉの代わ
りにＰｄ、Ｐｔを用い、その添加量を２重量％にしたも
のと２０重量％にしたものをそれぞれ比較例１から比較
例４とした。
導体セラミックのうち、試料番号４のもの（Ｃａ量ｘが
０．２、Ｂａ／Ｔｉ比１．００５、酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2）量０．０５mol％）を用い、導電性Ｎｉ粒子の添加
量を変化させ、それぞれの室温抵抗、ＰＴＣ特性（Ｒ
250／Ｒ25）、および、耐電圧を測定した。その結果を
表２に示す。なお、導電性金属粒子として、Ｎｉの代わ
りにＰｄ、Ｐｔを用い、その添加量を２重量％にしたも
のと２０重量％にしたものをそれぞれ比較例１から比較
例４とした。
【００３０】
【表２】
【００３１】表２に示すように、導電性金属粒子として
Ｎｉを用いることによって、各比較例に比べその室温抵
抗が大幅に低減されていることが確認できる。
Ｎｉを用いることによって、各比較例に比べその室温抵
抗が大幅に低減されていることが確認できる。
【００３２】ここで、請求項５において、導電性Ｎｉ粒
子の添加量を限定した理由を説明する。導電性Ｎｉ粒子
の添加量を０．０１〜１０．００重量％に限定したの
は、試料番号２１のように、導電性Ｎｉ粒子の添加量が
０．０１より少ない場合には、半導体セラミックの室温
抵抗の低減において顕著な効果がなく、好ましくないか
らである。
子の添加量を限定した理由を説明する。導電性Ｎｉ粒子
の添加量を０．０１〜１０．００重量％に限定したの
は、試料番号２１のように、導電性Ｎｉ粒子の添加量が
０．０１より少ない場合には、半導体セラミックの室温
抵抗の低減において顕著な効果がなく、好ましくないか
らである。
【００３３】また、試料番号２７のように、導電性Ｎｉ
粒子の添加量が１０．００より多い場合には、半導体セ
ラミックのＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下するとと
もに、耐電圧（Ｖ／mm）も低下し、好ましくないからで
ある。
粒子の添加量が１０．００より多い場合には、半導体セ
ラミックのＰＴＣ特性（Ｒ250／Ｒ25）が低下するとと
もに、耐電圧（Ｖ／mm）も低下し、好ましくないからで
ある。
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体セラミックは、チタン酸
バリウムを主成分とする半導体材料中に金属部分を含む
ニッケルからなる導電性粒子を分散させているので、チ
タン酸バリウムの有する優れたＰＴＣ特性を維持し、か
つ、より室温抵抗を低減させた半導体セラミックとする
ことができる。
バリウムを主成分とする半導体材料中に金属部分を含む
ニッケルからなる導電性粒子を分散させているので、チ
タン酸バリウムの有する優れたＰＴＣ特性を維持し、か
つ、より室温抵抗を低減させた半導体セラミックとする
ことができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムを主成分とする半導体
材料中に金属部分を含むニッケルからなる導電性粒子を
分散させてなることを特徴とする半導体セラミック。 - 【請求項２】 前記半導体材料中には、チタン酸カルシ
ウムが含有され、一般式（Ｂａ1-xＣａx）ＴｉＯ3と表
したとき、ｘは、０．０５〜０．４０の範囲にあること
を特徴とする請求項１に記載の半導体セラミック。 - 【請求項３】 前記チタン酸バリウムの化学式ＢａＴｉ
Ｏ3のＢａサイトとＴｉサイトとの組成比Ｂａ／Ｔｉ
（原子比）が０．９９５〜１．０５であることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の半導体セラミッ
ク。 - 【請求項４】 前記半導体材料中に酸化マンガンがＭｎ
Ｏ2に換算して０．００１〜１．０００mol％添加されて
いることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか
に記載の半導体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記導電性粒子は、前記半導体材料中に
０．０１〜１０．００重量％添加されていることを特徴
とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9321307A JPH11157925A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 半導体セラミック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9321307A JPH11157925A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 半導体セラミック |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11157925A true JPH11157925A (ja) | 1999-06-15 |
Family
ID=18131125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9321307A Pending JPH11157925A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 半導体セラミック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11157925A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6911102B2 (en) | 1999-08-09 | 2005-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated type semiconductor ceramic element and production method for the laminated type semiconductor ceramic element |
| JP2008210907A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Tdk Corp | 積層型サーミスタおよびその製造方法 |
| WO2013065373A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 株式会社村田製作所 | 半導体セラミックおよびそれを用いたｐｔｃサーミスタ |
| KR101383356B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2014-04-14 | 한국전기연구원 | 고유전율을 갖는 복합 세라믹 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-11-21 JP JP9321307A patent/JPH11157925A/ja active Pending
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