JP2677037B2 - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JP2677037B2 JP2677037B2 JP3081068A JP8106891A JP2677037B2 JP 2677037 B2 JP2677037 B2 JP 2677037B2 JP 3081068 A JP3081068 A JP 3081068A JP 8106891 A JP8106891 A JP 8106891A JP 2677037 B2 JP2677037 B2 JP 2677037B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器組成物に関し、特に
誘電率および絶縁抵抗が高く、誘電損失が小さく、かつ
１０５０℃以下の温度で焼結可能な磁器組成物に関する
ものである。
誘電率および絶縁抵抗が高く、誘電損失が小さく、かつ
１０５０℃以下の温度で焼結可能な磁器組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系磁器組成物として、チ
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３］系がよく知られてお
り、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ３］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ３］などを添加、置換することにより、温
度特性の改善を図っている
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ３］系がよく知られてお
り、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ３］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ３］などを添加、置換することにより、温
度特性の改善を図っている
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の材料で温度変化
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高く
温度変化率の小さい材料として鉛系複合ペロブスカイト
化合物が報告されている。例えばマグネシウム・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸
鉛［ＰｂＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物
は、誘電率が２００００以上もあるが、温度変化率が十
分に小さくはなく、１１００℃以上の高温でなければ焼
結できない。また、マグネシウム・タングステン酸鉛
［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］、チタン酸鉛［Ｐ
ｂＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］から成る３成分組成物は、１
０５０℃以下の低い温度で焼結可能であるが、誘電率の
温度変化率が十分小さくないという欠点がある。以上の
ことから、これらの磁器組成物を用いてコンデンサを製
造するときに内部電極として安価な銀・パラジウム合金
を使用できなかったり、誘電率の温度変化率の小さいコ
ンデンサを設計できないという問題点があった。本発明
は以上述べたような従来の課題を解決するためになされ
たもので、上記の３成分系組成物の優れた特性を満足
し、かつ１０５０℃以下で焼結可能で温度変化率の小さ
な磁器組成物を提供することにある。
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高く
温度変化率の小さい材料として鉛系複合ペロブスカイト
化合物が報告されている。例えばマグネシウム・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、チタン酸
鉛［ＰｂＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物
は、誘電率が２００００以上もあるが、温度変化率が十
分に小さくはなく、１１００℃以上の高温でなければ焼
結できない。また、マグネシウム・タングステン酸鉛
［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］、チタン酸鉛［Ｐ
ｂＴｉＯ３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］から成る３成分組成物は、１
０５０℃以下の低い温度で焼結可能であるが、誘電率の
温度変化率が十分小さくないという欠点がある。以上の
ことから、これらの磁器組成物を用いてコンデンサを製
造するときに内部電極として安価な銀・パラジウム合金
を使用できなかったり、誘電率の温度変化率の小さいコ
ンデンサを設計できないという問題点があった。本発明
は以上述べたような従来の課題を解決するためになされ
たもので、上記の３成分系組成物の優れた特性を満足
し、かつ１０５０℃以下で焼結可能で温度変化率の小さ
な磁器組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネシウム
・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏ３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］からなる３成
分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］
ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉ
Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したと
き、この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０） …
（ａ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５） …
（ｂ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５） …
（Ｃ） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０．３５，ｚ＝０．２５） …
（ｄ） （ｘ＝０．６０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．２０） …
（ｅ） （ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．１０） …
（ｆ） （ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．１０） …
（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物、および、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ
３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１） …（ｈ） （ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５，ｚ＝０．０１） …（ｉ） （ｘ＝０．１９５，ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５） …（ｊ） （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０） …（ｋ） （ｘ＝０．０６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０．７０） …（ｌ） の各点を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物である。
・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）
Ｏ３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ３］からなる３成
分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］
ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉ
Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したと
き、この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０） …
（ａ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５） …
（ｂ） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５） …
（Ｃ） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０．３５，ｚ＝０．２５） …
（ｄ） （ｘ＝０．６０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．２０） …
（ｅ） （ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．１０） …
（ｆ） （ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．１０） …
（ｇ） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物、および、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）
Ｏ３］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ
３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１） …（ｈ） （ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５，ｚ＝０．０１） …（ｉ） （ｘ＝０．１９５，ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５） …（ｊ） （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０） …（ｋ） （ｘ＝０．０６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０．７０） …（ｌ） の各点を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物である。
【０００５】ニオブ酸銀なるペロブスカイト構造を有す
る物質の基本的物性に関する報告は、Ｍ．Ｈ．Ｆｒａｎ
ｃｏｍｂｅ，Ｂ．ＬｅｗｉｓによるＡｃｔａ Ｃｒｙｓ
ｔ．１１， １７５（１９５８）およびＡ．Ｋａｎｉ
ａ，Ｋ．ＲｏｌｅｄｅｒらによるＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃｓ， ５２，２６５（１９８４）等によってなさ
れていて、反強誘電性あるいはかなり反強誘電性に近い
弱い強誘電性を有するものと思われる。本発明は、以上
のことを考慮してなされたものであり、本発明によれば
誘電率の温度特性を改善し、１０５０℃以下の低温で焼
結できる優れた磁器組成物が提供される。本発明におけ
る主成分組成範囲を表す３成分組成図は、図１および図
２で示される。図中、（ａ）〜（ｇ）および（ｈ）〜
（ｌ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は
図の斜線で示す範囲、およびその境界線上である。
る物質の基本的物性に関する報告は、Ｍ．Ｈ．Ｆｒａｎ
ｃｏｍｂｅ，Ｂ．ＬｅｗｉｓによるＡｃｔａ Ｃｒｙｓ
ｔ．１１， １７５（１９５８）およびＡ．Ｋａｎｉ
ａ，Ｋ．ＲｏｌｅｄｅｒらによるＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃｓ， ５２，２６５（１９８４）等によってなさ
れていて、反強誘電性あるいはかなり反強誘電性に近い
弱い強誘電性を有するものと思われる。本発明は、以上
のことを考慮してなされたものであり、本発明によれば
誘電率の温度特性を改善し、１０５０℃以下の低温で焼
結できる優れた磁器組成物が提供される。本発明におけ
る主成分組成範囲を表す３成分組成図は、図１および図
２で示される。図中、（ａ）〜（ｇ）および（ｈ）〜
（ｌ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は
図の斜線で示す範囲、およびその境界線上である。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）
を使用し、表１〜表２に示した配合比となるように各々
秤量した。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混
合したのち、７５０〜８００℃で仮焼を行い、この粉末
をボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを
入れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍ
の円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱
を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を１０００〜
１１００℃の温度で１時間焼成を行った。
る。実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）
を使用し、表１〜表２に示した配合比となるように各々
秤量した。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混
合したのち、７５０〜８００℃で仮焼を行い、この粉末
をボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを
入れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍ
の円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱
を作製した。次にこれらの組成範囲の試料を１０００〜
１１００℃の温度で１時間焼成を行った。
【０００７】焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼き付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電
圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間
印加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。この
ようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ
３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副
成分添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞれ
表１〜２および表３〜４に示す。なお、表中、試料番号
に＊を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。ま
た、誘電率の変化率は、２５℃の誘電率を基準にした値
である。
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼き付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電
圧１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間
印加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。この
ようにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ
３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副
成分添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞれ
表１〜２および表３〜４に示す。なお、表中、試料番号
に＊を付したものは本発明の請求範囲に含まれない。ま
た、誘電率の変化率は、２５℃の誘電率を基準にした値
である。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】
【表３】
【００１１】
【表４】
【００１２】実施例２ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ
（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）を使用し、表５〜６に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合したのち７５０〜８００
℃で仮焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾
過、乾燥後、有機バインダをいれて整粒後プレスし、直
径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６
ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製した。次にこれらの
組成範囲の試料を９５０〜１０５０℃の温度で１時間焼
成を行った。
（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ニオブ
（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化チタン
（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ）を使用し、表５〜６に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合したのち７５０〜８００
℃で仮焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕し、濾
過、乾燥後、有機バインダをいれて整粒後プレスし、直
径約１６ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６
ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円柱を作製した。次にこれらの
組成範囲の試料を９５０〜１０５０℃の温度で１時間焼
成を行った。
【００１３】焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電圧
１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印
加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このよ
うにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ
１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび
副成分添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞ
れ表５〜６および表７〜８に示す。
度を求めた。次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を
焼付け、デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨｚ、電圧
１Ｖｒ．ｍ．ｓ、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を求めた。次に絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印
加して、絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このよ
うにして得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ
１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ（Ｎｉ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび
副成分添加量と、密度、誘電率の変化率の関係をそれぞ
れ表５〜６および表７〜８に示す。
【００１４】
【表５】
【００１５】
【表６】
【００１６】
【表７】
【００１７】
【表８】
【００１８】表３〜４からも明らかなように、［Ｐｂ
（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分系組成物
に、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を３成分
系組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発
明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善し、１０
００℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。また比抵抗もすべて１０１２Ω・ｃｍを超え
る値を示した。また表７〜８からも明らかなように、
［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉ
Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分
系組成物に、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］
を３成分系組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加
した本発明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善
し、１０００℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セ
ラミックコンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提
供するものである。また比抵抗もすべて５×１０１２Ω
・ｃｍを超える値を示した。なお、本発明の主成分の範
囲以外および副成分添加量以外では焼結温度が高くなっ
たり、誘電率が低下する。特に副成分に関して請求範囲
を超えて添加すると、第２相としてのパイロクロア相の
量が急増し、焼結性、電気的特性が劣化し、実用的でな
いため、前述のように限定される。
（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３
Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分系組成物
に、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］を３成分
系組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加した本発
明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善し、１０
００℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。また比抵抗もすべて１０１２Ω・ｃｍを超え
る値を示した。また表７〜８からも明らかなように、
［Ｐｂ（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉ
Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分
系組成物に、副成分であるニオブ酸銀［ＡｇＮｂＯ３］
を３成分系組成物に対して０．０１〜１０ｍｏｌ％添加
した本発明の磁器組成物は、誘電率の温度変化率を改善
し、１０００℃以下の低い温度で緻密に焼結し、積層セ
ラミックコンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提
供するものである。また比抵抗もすべて５×１０１２Ω
・ｃｍを超える値を示した。なお、本発明の主成分の範
囲以外および副成分添加量以外では焼結温度が高くなっ
たり、誘電率が低下する。特に副成分に関して請求範囲
を超えて添加すると、第２相としてのパイロクロア相の
量が急増し、焼結性、電気的特性が劣化し、実用的でな
いため、前述のように限定される。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁器組成
物は誘電率の温度変化率が小さく、かつ低い温度で焼結
が可能である。このため、本発明の磁器組成物を用いれ
ば積層セラミックコンデンサの内部電極に安価な銀−パ
ラジウムを用いることができる等の効果を有する。
物は誘電率の温度変化率が小さく、かつ低い温度で焼結
が可能である。このため、本発明の磁器組成物を用いれ
ば積層セラミックコンデンサの内部電極に安価な銀−パ
ラジウムを用いることができる等の効果を有する。
【図１】本発明の主成分組成範囲を示す［Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分組成図であ
る。
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］−［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］３成分組成図であ
る。
【図２】本発明の主成分組成範囲を示す［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分組成図である。
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］−［ＰｂＴｉＯ３］−［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］３成分組成図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐ
ｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］およびチタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ
２／３）Ｏ３］ｙ［ＰｂＴｉＯ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋
ｚ＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５） （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５） （ｘ＝０．４０，ｙ＝０．３５，ｚ＝０．２５） （ｘ＝０．６０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．１０） の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項２】 マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）Ｏ３、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ
３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎ
ｂ２／３）Ｏ３］からなる３成分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ
１／２Ｗ１／２）Ｏ３］ｘ［ＰｂＴｉＯ３］ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ
＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 （ｘ＝０．６９３，ｙ＝０．２９７，ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．４９５，ｙ＝０．４９５，ｚ＝０．０１） （ｘ＝０．１９５，ｙ＝０．４５５，ｚ＝０．３５） （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．５０） （ｘ＝０．０６，ｙ＝０．２４，ｚ＝０．７０） の各点を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる組成範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてニオブ酸銀［Ａ
ｇＮｂＯ３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％添加含有せしめ
てなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081068A JP2677037B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3081068A JP2677037B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04240150A JPH04240150A (ja) | 1992-08-27 |
| JP2677037B2 true JP2677037B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=13736077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3081068A Expired - Lifetime JP2677037B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677037B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN109650884B (zh) * | 2018-09-09 | 2021-10-15 | 中南大学 | 一种铌酸银基陶瓷及其制备方法和应用 |
-
1991
- 1991-01-22 JP JP3081068A patent/JP2677037B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04240150A (ja) | 1992-08-27 |
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