JPS58176175A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58176175A JPS58176175A JP57058563A JP5856382A JPS58176175A JP S58176175 A JPS58176175 A JP S58176175A JP 57058563 A JP57058563 A JP 57058563A JP 5856382 A JP5856382 A JP 5856382A JP S58176175 A JPS58176175 A JP S58176175A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- temperature
- porcelain
- component composition
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、tl#に1050℃以下の低温
で焼結で1.鱒電率が高く、室温および高温における絶
縁抵抗が高(、しかも機械的強度の^い磁器組成−に関
する−のである。
で焼結で1.鱒電率が高く、室温および高温における絶
縁抵抗が高(、しかも機械的強度の^い磁器組成−に関
する−のである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン鐵バリクム(i
laTiOm)を主成分とする磁器が広く実用化されて
いることは周知のとおりである。しかしながらチタン酸
バリクよ(BaTIO−を生成分とするものは、焼結温
度が通常130ト140G℃の高温である。このため、
これを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極と
してこの焼結温度に耐え得る材料例えば白金、バッジ會
五などの高価な貴金属を使用しなければならず、擬造コ
ストが高(つくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためkは銀、′ニッケルなどを主成分とする安
価な金属4LK1050℃以下で焼結できる磁器が必要
である。
laTiOm)を主成分とする磁器が広く実用化されて
いることは周知のとおりである。しかしながらチタン酸
バリクよ(BaTIO−を生成分とするものは、焼結温
度が通常130ト140G℃の高温である。このため、
これを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極と
してこの焼結温度に耐え得る材料例えば白金、バッジ會
五などの高価な貴金属を使用しなければならず、擬造コ
ストが高(つくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためkは銀、′ニッケルなどを主成分とする安
価な金属4LK1050℃以下で焼結できる磁器が必要
である。
また、磁器組成物の電気的特性として赫電率が鳥(、#
電損失が小さく、絶縁抵抗が^いことが基本的Kl!求
される。さらに、絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の
部品を要求する米国防総省の、It格でJb4ミリタリ
−・スペシフイケーン謬ン(Military 8P@
cムficatios1)のMIL−C−55681B
において、室温における値のみならず、125℃に
おける値も定められているように、信頼性の^い磁器コ
ンデンサを得るためKは、室温における値のみならず、
最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが必
要である。
電損失が小さく、絶縁抵抗が^いことが基本的Kl!求
される。さらに、絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の
部品を要求する米国防総省の、It格でJb4ミリタリ
−・スペシフイケーン謬ン(Military 8P@
cムficatios1)のMIL−C−55681B
において、室温における値のみならず、125℃に
おける値も定められているように、信頼性の^い磁器コ
ンデンサを得るためKは、室温における値のみならず、
最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが必
要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱11張fIk黴の追いkより、
チップコンデンサに機械的な歪みが加わり、チップコン
デンサにクラックが発生したり、破損したりすることが
ある。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱11張fIk黴の追いkより、
チップコンデンサに機械的な歪みが加わり、チップコン
デンサにクラックが発生したり、破損したりすることが
ある。
また、エポキシ樹脂等を外装したディップコンデンテの
場合4、外装樹脂の応力でディップコンデンtにクラッ
クが発生する場合がある。いずれの場合も、コンデンサ
を形成しているll器の機械的強度が低いはとクラッタ
が入りやすく、容易に破損するため、信頼性が低くなる
。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させ
ることは実用上極めて重要なことtある。
場合4、外装樹脂の応力でディップコンデンtにクラッ
クが発生する場合がある。いずれの場合も、コンデンサ
を形成しているll器の機械的強度が低いはとクラッタ
が入りやすく、容易に破損するため、信頼性が低くなる
。したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させ
ることは実用上極めて重要なことtある。
ところで、Pb (MI%WJ4)Os −PktT
i On系磁器組成物については既にエヌ・エメ・クラ
イニク、エイ・アイ・アグラノ7スカヤ(N、 N、
Kralmlk a−ム、I。
i On系磁器組成物については既にエヌ・エメ・クラ
イニク、エイ・アイ・アグラノ7スカヤ(N、 N、
Kralmlk a−ム、I。
Agramvskaya (Fixik* Tv*r
d*g@T@la、Vo、2.Fh 1.P?。
d*g@T@la、Vo、2.Fh 1.P?。
TO〜72 Jamvara 1!8G)) より提
案があり、また(8rsPbt−gTion ) @
(PbMIts’asOa l 6 (ただし。
案があり、また(8rsPbt−gTion ) @
(PbMIts’asOa l 6 (ただし。
5x(1−α1G、aは0.1!i 〜0.5.−はα
5〜α65でありそしてa+4=1 )について、モノ
リシックコンデンサおよびその製造方法として脣IIE
訃(鯨号公報K11l示され、また誘電体粉末組成物と
して特ml@ $2−21699号会報Kll示されて
いる。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は全
くされておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らか
でなかった。また5本発明者等は既に91G−450’
Cの温度で焼結でき、Pb(MI崩34X)*とPbT
i0m二成分系からなり、これを(pb(4山)も)、
(pbttos)、、 と表わしたときl(sが0.
65<z≦1,00の範囲にある組成物を提案している
。この組成物は、酵電率と比抵抗の積が高く、防電損失
の小さい優れた電気的特性を有している。しかしなが、
上記組成物はいずれも機械的強度が低いため、その用途
は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
5〜α65でありそしてa+4=1 )について、モノ
リシックコンデンサおよびその製造方法として脣IIE
訃(鯨号公報K11l示され、また誘電体粉末組成物と
して特ml@ $2−21699号会報Kll示されて
いる。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は全
くされておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らか
でなかった。また5本発明者等は既に91G−450’
Cの温度で焼結でき、Pb(MI崩34X)*とPbT
i0m二成分系からなり、これを(pb(4山)も)、
(pbttos)、、 と表わしたときl(sが0.
65<z≦1,00の範囲にある組成物を提案している
。この組成物は、酵電率と比抵抗の積が高く、防電損失
の小さい優れた電気的特性を有している。しかしなが、
上記組成物はいずれも機械的強度が低いため、その用途
は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
また、Pb(MyMi%%7M)Os PbTiOs系
を含む、三成分系については特開昭55−111011
においてPb (%店)01PbT10s PMMyM
NbX)Os系が、特開昭55−117809において
Pb(今般り0.−Pb〒轟Os P b (My
HTa K)O3系がそれぞれ開示されている。しかし
ながら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全
くされておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らか
でなかった。
を含む、三成分系については特開昭55−111011
においてPb (%店)01PbT10s PMMyM
NbX)Os系が、特開昭55−117809において
Pb(今般り0.−Pb〒轟Os P b (My
HTa K)O3系がそれぞれ開示されている。しかし
ながら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全
くされておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らか
でなかった。
また、本発明者達は既K Pb(yi1山)Os Pb
TIQ 5−Pb(NlにNb%)0−三成分組成物を
既に提案している。
TIQ 5−Pb(NlにNb%)0−三成分組成物を
既に提案している。
この組成物は900〜1050℃の低温領域で焼結でき
、−電率が為く、鍔電損失が小さく室温および高温にお
ける18縁抵抗の値が鳥い優れた特性を有している。し
かしながら、この組成物は機械的強度が低いため、その
用途は自ら狭い範囲K11i定せざるを得なかった。
、−電率が為く、鍔電損失が小さく室温および高温にお
ける18縁抵抗の値が鳥い優れた特性を有している。し
かしながら、この組成物は機械的強度が低いため、その
用途は自ら狭い範囲K11i定せざるを得なかった。
本尭明は、以上の点にかんがみ、900〜1050℃の
低温領域で焼結でき、銹電皐が轟く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が鳥い優れた電
気的特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛〔Pb(Mj11山)Os〕、チ
タン酸鉛(pbTtos)およびニッケル・ニオブ酸鉛
(pboiihNbx)om)からなる3成分組成物を
、(pb(4早へ)03〕ヨ[pbTtom] 。
低温領域で焼結でき、銹電皐が轟く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が鳥い優れた電
気的特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の高い
磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウ
ム・タングステン酸鉛〔Pb(Mj11山)Os〕、チ
タン酸鉛(pbTtos)およびニッケル・ニオブ酸鉛
(pboiihNbx)om)からなる3成分組成物を
、(pb(4早へ)03〕ヨ[pbTtom] 。
(Pb(NiMNb%)Os)と表わしたときに(ただ
し、s+y+g=1.oo)こ03成分組成図において
以下の組成点 (s=0.693 、、y=O197、g=o、ol
)(s=0.495 、 y=0.495
、 g=0.01 )(zxo、tss 、
1/=0.455 、 g=o、3s )(z=
0.10 、 y=eO,4G 、 g=0.
50 )(z−0,06、y=0.24 、
g=0.70 )を結ぶ線上およびこの5点に囲ま
れる組成範囲にある主成分組成物に副成分として二オグ
(Nb)、1ンタル(Ta)および7ンチモン(Sb)
f)中から少なくとも一種以上を選び、これらの元素を
主成分に対して0.02〜3原子チ添加含有せしめてな
ることを特徴とするものである。
し、s+y+g=1.oo)こ03成分組成図において
以下の組成点 (s=0.693 、、y=O197、g=o、ol
)(s=0.495 、 y=0.495
、 g=0.01 )(zxo、tss 、
1/=0.455 、 g=o、3s )(z=
0.10 、 y=eO,4G 、 g=0.
50 )(z−0,06、y=0.24 、
g=0.70 )を結ぶ線上およびこの5点に囲ま
れる組成範囲にある主成分組成物に副成分として二オグ
(Nb)、1ンタル(Ta)および7ンチモン(Sb)
f)中から少なくとも一種以上を選び、これらの元素を
主成分に対して0.02〜3原子チ添加含有せしめてな
ることを特徴とするものである。
以下本発明を実施例により詳aK説明する。
出発原料として純度99.9−以上の酸化鉛(pbo)
。
。
酸化マダネシクム(MJIO) を績化タングステンQ
%C)a) e酸化チタ:/(丁lO諺)、II化ニッ
ケル(Nip)声よび酸化二オズ(Nb*Oi ) p
酸化タンタル(Ta鵞Os)および酸化アンチモン(S
bmOs)を使用し、表に示した配合比となるように秤
量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
した* 750〜800℃で予焼を行い、この粉末をボ
ールξルで看砕し、ロ別乾燥後、有機バインダーを入れ
整粒後プレスし、直8116■、厚さ約2諺の円板4枚
と、直径16■。
%C)a) e酸化チタ:/(丁lO諺)、II化ニッ
ケル(Nip)声よび酸化二オズ(Nb*Oi ) p
酸化タンタル(Ta鵞Os)および酸化アンチモン(S
bmOs)を使用し、表に示した配合比となるように秤
量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
した* 750〜800℃で予焼を行い、この粉末をボ
ールξルで看砕し、ロ別乾燥後、有機バインダーを入れ
整粒後プレスし、直8116■、厚さ約2諺の円板4枚
と、直径16■。
厚さ約lO■の円柱を作成した。
次に、本発明の組成範囲の試料は空気中900〜105
0℃の温度で1時間焼結した。焼結した円板4枚の上下
面に400℃で銀電極を焼付け、ディジタルLCRメー
ターで周波数I Kth 、電圧I V ra+a、s
。
0℃の温度で1時間焼結した。焼結した円板4枚の上下
面に400℃で銀電極を焼付け、ディジタルLCRメー
ターで周波数I Kth 、電圧I V ra+a、s
。
温度21で容量と■電損失を測定し、誘電率を算出した
。
。
次に超絶縁抵抗針で5QVの電圧を1分間印加して絶縁
抵抗を温度加℃と125℃で一定し、比抵抗を算出した
。
抵抗を温度加℃と125℃で一定し、比抵抗を算出した
。
機械的性質な抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら犀さo、s■、頓2■、長さ約13簡の矩廖板をW枚
切り出した。支点間距離を9wsにとり二点法で破壊荷
重P、C4)を測定し、rヨ” −カ1G−−)2 替
C なる弐に従い、抗折強度τ〔(匂〕を求めた。ただしI
は支点間距離、tは試料の厚み、賛は試料の幅である。
ら犀さo、s■、頓2■、長さ約13簡の矩廖板をW枚
切り出した。支点間距離を9wsにとり二点法で破壊荷
重P、C4)を測定し、rヨ” −カ1G−−)2 替
C なる弐に従い、抗折強度τ〔(匂〕を求めた。ただしI
は支点間距離、tは試料の厚み、賛は試料の幅である。
電気的特性は円板試料4点の平均値。
抗折強度は矩影板試料W点の平均値より求めた。
こOよ5Kして得られた磁器の主成分
(Pb(III#麻M)os) g (PbT S’)
s ] y(Pb(NI Mkib K)Os ) g
の配合比gp*ygおよび副成分添加量と鐸電率、誘電
損失、20℃および1zs’cKおげろ比抵抗および抗
折強度のm1Mを次表に示す。
s ] y(Pb(NI Mkib K)Os ) g
の配合比gp*ygおよび副成分添加量と鐸電率、誘電
損失、20℃および1zs’cKおげろ比抵抗および抗
折強度のm1Mを次表に示す。
(以 15 奈 白)
表に示した結果から明らかなよ51Pb(kIiP%)
偽−PktT濫偽−Pb(Ni%Nbに)0.三成分組
成物に副成分としてkh、 Ta、 5kN)中から少
なくとも一種以上を添加含有せしめた本発明の範囲内の
ものは、騎電皐が3170〜15120と^<、#電損
失が0.5〜4.6−と小さく比抵抗が加TIおいて!
、7XlO〜2−7IJ”Ω・1と高く、しかも12S
’Cにおいても5. s x /〜:tsxrΩ・儂と
い5高い値を示し、さらに抗折強度もSSO〜1410
Kp/ageと実用上十分^い籠を示す信頼性の高い実
用性の極めて^い磁器組成物であることがわかる。
偽−PktT濫偽−Pb(Ni%Nbに)0.三成分組
成物に副成分としてkh、 Ta、 5kN)中から少
なくとも一種以上を添加含有せしめた本発明の範囲内の
ものは、騎電皐が3170〜15120と^<、#電損
失が0.5〜4.6−と小さく比抵抗が加TIおいて!
、7XlO〜2−7IJ”Ω・1と高く、しかも12S
’Cにおいても5. s x /〜:tsxrΩ・儂と
い5高い値を示し、さらに抗折強度もSSO〜1410
Kp/ageと実用上十分^い籠を示す信頼性の高い実
用性の極めて^い磁器組成物であることがわかる。
こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結温度が1
050”C以下の低温であるため、積層コンブ/すの内
部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや
炉材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。
050”C以下の低温であるため、積層コンブ/すの内
部電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや
炉材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。
なお、本発明の主成分組成物を〔Pb(MI^)偽〕。
(pbttom〕(Pb(NiMNbN)Os) 、と
表わしたときにν (ただし、X+ν+1==tOO)yその組成は3成分
組成図における簾重点 (s=0.6931 、y=0297 、g−00
1)(g==0491s 、 y=0.4!35
、 g=α01 )(3m1口95 t y
−=Q、4S5 e g”0.35 )(!=0
.10 、 f=0.40 、 g=0.
50 )(g =α06 、y=024 、
g=070 )を結ぶ線上およびこ05AKIIまれ
る組成間8に〆繊定され、副成分の添加含有量は主成分
に対して102〜3原子5IIC@定される。主成分組
成範囲な表わす3成分組成崗において5組成点2,6お
よび組成点17.19な結ぶ線の外側では、高温におけ
る比抵抗が小さくなり、実用的でない、IIi威点・、
13 、17を結ぶ締の外側ではキュリ一点が実用a
Sより高温側に大きくずれるため、誘電率が小さくなり
、組成点■1,2を結ぶ線の外側ではキ。
表わしたときにν (ただし、X+ν+1==tOO)yその組成は3成分
組成図における簾重点 (s=0.6931 、y=0297 、g−00
1)(g==0491s 、 y=0.4!35
、 g=α01 )(3m1口95 t y
−=Q、4S5 e g”0.35 )(!=0
.10 、 f=0.40 、 g=0.
50 )(g =α06 、y=024 、
g=070 )を結ぶ線上およびこ05AKIIまれ
る組成間8に〆繊定され、副成分の添加含有量は主成分
に対して102〜3原子5IIC@定される。主成分組
成範囲な表わす3成分組成崗において5組成点2,6お
よび組成点17.19な結ぶ線の外側では、高温におけ
る比抵抗が小さくなり、実用的でない、IIi威点・、
13 、17を結ぶ締の外側ではキュリ一点が実用a
Sより高温側に大きくずれるため、誘電率が小さくなり
、組成点■1,2を結ぶ線の外側ではキ。
リ一点が実用範囲より低温側に大きくずれるため誘電率
が小さくなり、実用的でない。
が小さくなり、実用的でない。
また副成分であるNb、 Ta、 Sbはそのうちの一
種以上の元素の添加量がa02原子−未満では抗折強度
の改善効果が小さく、3原子−を超えると逆に抗折強度
が小さくなるため実用的でない。
種以上の元素の添加量がa02原子−未満では抗折強度
の改善効果が小さく、3原子−を超えると逆に抗折強度
が小さくなるため実用的でない。
なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図に示した
番号は表に示した主成分配合比の番号に対応する。
番号は表に示した主成分配合比の番号に対応する。
因は本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点を
示す図である。 Pb (Niy、Nbty、)03 Ob (hgy7%、)O−、Pb Tie−。
示す図である。 Pb (Niy、Nbty、)03 Ob (hgy7%、)O−、Pb Tie−。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛(Pb(MII%w贈
os)−チタン酸鉛(pbrtom:)およびニッケル
・ニオブ酸鉛(Pb(NiKNb%)03〕 からなる
3成分組成物を(F’b(MgS4W%)偽) s (
Pb’r iOh ) V (Pb (NiMNbX)
娠りと表すしたときK、(ただしs+y+g=1.00
)と03成分組成図において、以下の組成点 (g=0.693 、V2O,297、g=o、ol
)(雲=0.49S 、 y=0.495
、 g=o、ol )(g=Q、111s 、
y=045% 、 g=03s )(g−11
0、y=0.40 、 g=o、so )(s=
0.0藝 、 w=J4 、 g−0,70
)を績ぶ線上およびこの5点Ksまれる組威範1mKあ
る主成分組成物に副成分としてニオブ(Nb)、 −ン
タル(〒1)、およびアンチモン(8b)の中から少な
対してα02〜3j[子−添加含有せしめてなることを
特徴とするiaa組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058563A JPS58176175A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
US06/475,538 US4450240A (en) | 1982-03-17 | 1983-03-15 | Ceramic compositions having high dielectric constant and high specific resistivity |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058563A JPS58176175A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58176175A true JPS58176175A (ja) | 1983-10-15 |
JPS6227027B2 JPS6227027B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=13087915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57058563A Granted JPS58176175A (ja) | 1982-03-17 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58176175A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0292858A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058563A patent/JPS58176175A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0292858A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6227027B2 (ja) | 1987-06-11 |
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