JPS5860670A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS5860670A JPS5860670A JP56156685A JP15668581A JPS5860670A JP S5860670 A JPS5860670 A JP S5860670A JP 56156685 A JP56156685 A JP 56156685A JP 15668581 A JP15668581 A JP 15668581A JP S5860670 A JPS5860670 A JP S5860670A
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- capacitance
- resistance
- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物置に、 １ｆｌＯＯ℃以下の低温で
焼結でｔ１＃電率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強
直の高い鱒電体磁器組成物に関するものである〇 従来、縛電体磁器組成物として チタン酸バリクム（Ｂ
ａＴ’１Ｏｓ）などを主成分とするａ器組成物が広く実
用化されていることは周知のとおりである。
焼結でｔ１＃電率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強
直の高い鱒電体磁器組成物に関するものである〇 従来、縛電体磁器組成物として チタン酸バリクム（Ｂ
ａＴ’１Ｏｓ）などを主成分とするａ器組成物が広く実
用化されていることは周知のとおりである。
しかしながら、ＢａＴ ｉ Ｏａ などを主成分とする
ものは焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温であ
る。
ものは焼結温度が通常１３００〜１４００℃の高温であ
る。
このため、これを積層形コンデンサに利用する場合には
、内部電極としてこの焼結源ｇＫ耐え得る材料、例えば
白金、パラジウム等の高価な貴金属を使用しなければな
らず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためＫは、俵、ニッケル勢を主成
分とする安価な金属が内部電１ｉＫＩｉ用できるような
、で龜るだけ低温、４ＩＫ１０００℃以下の低い温度で
焼結できるＷ１ｉ器組成−が望まれている。
、内部電極としてこの焼結源ｇＫ耐え得る材料、例えば
白金、パラジウム等の高価な貴金属を使用しなければな
らず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためＫは、俵、ニッケル勢を主成
分とする安価な金属が内部電１ｉＫＩｉ用できるような
、で龜るだけ低温、４ＩＫ１０００℃以下の低い温度で
焼結できるＷ１ｉ器組成−が望まれている。
ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コンデンサ
を作製するときＫｉｌ器組成物の電気的特性として多く
の項目が評価さｉｔなければならない。
を作製するときＫｉｌ器組成物の電気的特性として多く
の項目が評価さｉｔなければならない。
一般的に誘電１ｉｈＦｉできるだけ大きく、誘電損失は
できるだけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率
の温度変化は小さいことなどが要求される。
できるだけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率
の温度変化は小さいことなどが要求される。
しかしながら、５Ｉ！際に積層形コンデンサを穏々０機
器に用いる場合においては誘電率でなく、まず容量、次
に容量の温度変化率、誘電損失などの値が必要とされる
。積層形コンデンサにおいて、答ｉｌｌ磁器組成物の特
電率に比例するが、しかし、その厚みに反比例し、電極
面積、積層数に比例するので、一定の容量を得るために
はａＳ組成物の特電率が大きいことは必ずしも絶対的＆
要因でない。さらに容量のａｍ変化率（Ｍｌ電率の温度
変化率）は用途により種々許容された範囲があり、磁器
組成物の誘電率の温度変化率も積層形コンデンｔを作製
するときの絶対的な要因でない〇一方、誘電損失は用途
により一定の値以下でなければならないという規定があ
り、室温で最大５Ｄ−以下である。さらに比抵抗に関し
ては、例えば、ＥＩＡＪ 規格（日本電子機械工学会の
電子機器用積層磁器コンデンサ（チラノ形） ＲＣ−３
６９８８）Ｋ述べられているごとく、積層コンデンサの
絶縁抵抗として１００００ ＭΩ以上または容量抵抗積
で、５００ ｓ Ｆ−ＭΩ以上 のいずれか小さい方以
上と規定されている。すなわち磁器組成物の誘電率と比
抵抗の積がある絶対値以上なければ、任意の容量、１１
ｉＫ大きな容量のコンデンｔ１に夾用的期格に合せるこ
とができず、そＯ用途が非常に限定され、実用的な意味
がなくなる。この点を詳しく説明すると次Ｏ橡Ｋｌｋる
。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内郁電Ｉｋｔ構成
して一般Ｋｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コンデン
サが積層された構造になりている０こＯ場合、単一層当
りの容量をＣｏ。
器に用いる場合においては誘電率でなく、まず容量、次
に容量の温度変化率、誘電損失などの値が必要とされる
。積層形コンデンサにおいて、答ｉｌｌ磁器組成物の特
電率に比例するが、しかし、その厚みに反比例し、電極
面積、積層数に比例するので、一定の容量を得るために
はａＳ組成物の特電率が大きいことは必ずしも絶対的＆
要因でない。さらに容量のａｍ変化率（Ｍｌ電率の温度
変化率）は用途により種々許容された範囲があり、磁器
組成物の誘電率の温度変化率も積層形コンデンｔを作製
するときの絶対的な要因でない〇一方、誘電損失は用途
により一定の値以下でなければならないという規定があ
り、室温で最大５Ｄ−以下である。さらに比抵抗に関し
ては、例えば、ＥＩＡＪ 規格（日本電子機械工学会の
電子機器用積層磁器コンデンサ（チラノ形） ＲＣ−３
６９８８）Ｋ述べられているごとく、積層コンデンサの
絶縁抵抗として１００００ ＭΩ以上または容量抵抗積
で、５００ ｓ Ｆ−ＭΩ以上 のいずれか小さい方以
上と規定されている。すなわち磁器組成物の誘電率と比
抵抗の積がある絶対値以上なければ、任意の容量、１１
ｉＫ大きな容量のコンデンｔ１に夾用的期格に合せるこ
とができず、そＯ用途が非常に限定され、実用的な意味
がなくなる。この点を詳しく説明すると次Ｏ橡Ｋｌｋる
。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内郁電Ｉｋｔ構成
して一般Ｋｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コンデン
サが積層された構造になりている０こＯ場合、単一層当
りの容量をＣｏ。
絶縁抵抗ｔ−Ｒｏとすれば、積層形コンデンサの容量Ｃ
はＣｏ Ｏｎ倚になり、絶縁抵抗ＲはＲｏのｌｉなる。
はＣｏ Ｏｎ倚になり、絶縁抵抗ＲはＲｏのｌｉなる。
ここでｉａｓ組成物ＯＩＩ電率を一１真空の誘電率ｋａ
ｏ％ 磁器組成物Ｏ比抵抗を！、単一層コンデンサの磁
器の厚さを６５重なる電極面積を器とすれに、単一層コ
ンデンサのＣｏは（１ｏｔａ／ｄ ）と表りＲＯは＜
：ｆ ｄ）／、となる。従ってｎ層からなる積層コンデ
ンサの容ＩＬ（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）の積ＣＸＲは（（
、ｆｄ）／（ｎｓ） 〕Ｘ Ｃ（ｎｏｏａｓ）／ｄ）
−ｇｏ４となる。すなわちどのような軽量の積層コンデ
ンサもその軽量・抵抗積ＣＸＲＦｉ、磁器組成物の１と
ｆの積にｇ６ｔ−乗じた一定値（ａＯａｊ ） Ｋ規格
化さｈる。容量・抵抗積ｃｘｈが５００μＦ−ＭΩす表
わち５００Ｆ・Ω以上ということは、ｇｏ −８ｊ３５
５ Ｘ１０−”Ｆ／ｍより、ＣＸＲ−ｍＯげ−８，８５
ｓｘ １Ｏ−１４（Ｆｌｏｎ） ｘ ｇ ｘ、ｆ≧５０
０Ｆ−Ωよって１ｆ≧５．６５ Ｘ １０ Ω・伽な
る要求があるＯ例えはａ −１００００ではｆ≧５．６
５ Ｘ １０１１Ωａ （ｙ（、ａ −３０００ではｆ
≧１８８×１０１２Ωｅ （ｙＢ 、 ａ −ｓｏｏで
は！≧１．１３Ｘ１０１３Ω・１が要求される。誘電率
に応じてこれらの値以上のｊを持つ磁器組成物であれは
どのような大きな容量Ｏ積層コンデンサも軽量・抵抗積
は５００μド・ＭΩを満足する。もしばか３０００でｆ
が要求値より１桁低い１．８８ Ｘ １０”Ω拳αとす
ればｇ□＃Ｊ′−５０μＦ−ＭΩで５００μＦ−ＭΩは
満足せず、絶縁抵抗として１００００ ＭΩすなわち、
１０１０Ω以上を満足するには容量Ｃとして０００５μ
Ｆ 以下に＠定されなければなら表い。それはこの積層
コンデンサの容量・抵抗積（ＣＸＲ）は＠に５０ｓＦ−
ＭΩを示しているので、Ｒが１００００ ＭΩのとき、
Ｃは０００５＃Ｆと表り、Ｃがこれより大きければＲＦ
ｉ１Ｇ０００ＭΩより小さくなり、ｏ、ｏｏｓμＦが規
格を満たす最鳥の容量となるためである。従って磁器組
成物σ）比抵抗が低いとその材料の実用性、％に積層形
コンデンサの特長である小型大容量の特長を生かすこと
はできないし、全く意味のないことＫもなる。よって磁
器組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つこと
が実用上極めて１賛なことである。
ｏ％ 磁器組成物Ｏ比抵抗を！、単一層コンデンサの磁
器の厚さを６５重なる電極面積を器とすれに、単一層コ
ンデンサのＣｏは（１ｏｔａ／ｄ ）と表りＲＯは＜
：ｆ ｄ）／、となる。従ってｎ層からなる積層コンデ
ンサの容ＩＬ（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）の積ＣＸＲは（（
、ｆｄ）／（ｎｓ） 〕Ｘ Ｃ（ｎｏｏａｓ）／ｄ）
−ｇｏ４となる。すなわちどのような軽量の積層コンデ
ンサもその軽量・抵抗積ＣＸＲＦｉ、磁器組成物の１と
ｆの積にｇ６ｔ−乗じた一定値（ａＯａｊ ） Ｋ規格
化さｈる。容量・抵抗積ｃｘｈが５００μＦ−ＭΩす表
わち５００Ｆ・Ω以上ということは、ｇｏ −８ｊ３５
５ Ｘ１０−”Ｆ／ｍより、ＣＸＲ−ｍＯげ−８，８５
ｓｘ １Ｏ−１４（Ｆｌｏｎ） ｘ ｇ ｘ、ｆ≧５０
０Ｆ−Ωよって１ｆ≧５．６５ Ｘ １０ Ω・伽な
る要求があるＯ例えはａ −１００００ではｆ≧５．６
５ Ｘ １０１１Ωａ （ｙ（、ａ −３０００ではｆ
≧１８８×１０１２Ωｅ （ｙＢ 、 ａ −ｓｏｏで
は！≧１．１３Ｘ１０１３Ω・１が要求される。誘電率
に応じてこれらの値以上のｊを持つ磁器組成物であれは
どのような大きな容量Ｏ積層コンデンサも軽量・抵抗積
は５００μド・ＭΩを満足する。もしばか３０００でｆ
が要求値より１桁低い１．８８ Ｘ １０”Ω拳αとす
ればｇ□＃Ｊ′−５０μＦ−ＭΩで５００μＦ−ＭΩは
満足せず、絶縁抵抗として１００００ ＭΩすなわち、
１０１０Ω以上を満足するには容量Ｃとして０００５μ
Ｆ 以下に＠定されなければなら表い。それはこの積層
コンデンサの容量・抵抗積（ＣＸＲ）は＠に５０ｓＦ−
ＭΩを示しているので、Ｒが１００００ ＭΩのとき、
Ｃは０００５＃Ｆと表り、Ｃがこれより大きければＲＦ
ｉ１Ｇ０００ＭΩより小さくなり、ｏ、ｏｏｓμＦが規
格を満たす最鳥の容量となるためである。従って磁器組
成物σ）比抵抗が低いとその材料の実用性、％に積層形
コンデンサの特長である小型大容量の特長を生かすこと
はできないし、全く意味のないことＫもなる。よって磁
器組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つこと
が実用上極めて１賛なことである。
また積層形チップコンデンサの場合にチップコンデンサ
を基板に実装したときの基板とチップコンデンサを構成
している磁器との熱膨張係数の違いＫよりチップコンデ
ンサに機械的な歪みが加わり、クラックＯ発生や、ひど
い場合にはチップコンデンサが破損する場合が生じる。
を基板に実装したときの基板とチップコンデンサを構成
している磁器との熱膨張係数の違いＫよりチップコンデ
ンサに機械的な歪みが加わり、クラックＯ発生や、ひど
い場合にはチップコンデンサが破損する場合が生じる。
またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も外装輯脂の応力によってディップコンデンサにク
ラックが発生する場合がある。
場合も外装輯脂の応力によってディップコンデンサにク
ラックが発生する場合がある。
いずれの場合もコンデン？管形成している磁器の機械的
強度が低いはどクラックが生じやすく、また破損しやす
いため、信麺性が低くなる。したがってａ器の機械的強
度をできるたけ増大させることは実用上きわめて重ｌＩ
表ことである。
強度が低いはどクラックが生じやすく、また破損しやす
いため、信麺性が低くなる。したがってａ器の機械的強
度をできるたけ増大させることは実用上きわめて重ｌＩ
表ことである。
ところ’Ｔ Ｐｂ （Ｍｇ）ｆ Ｗ’Ａ ） ０３−ｐ
ｂ’ｔ”ｔｏｎ系磁器組成物については既にエヌ、エヌ
、クフィニク、エイアイ、アグロノ７スカヤ（フイラス
トベルドゴテラ Ｖｏｌ ２ 、 Ｎｏ１７０〜７２
ページ１月１９６０年）［Ｎ；Ｎ、ＫｒａｉｎＩｋ ａ
ｎｄ Ａ、Ｉ＋Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （Ｆｉｚｌ
ｋ。
ｂ’ｔ”ｔｏｎ系磁器組成物については既にエヌ、エヌ
、クフィニク、エイアイ、アグロノ７スカヤ（フイラス
トベルドゴテラ Ｖｏｌ ２ 、 Ｎｏ１７０〜７２
ページ１月１９６０年）［Ｎ；Ｎ、ＫｒａｉｎＩｋ ａ
ｎｄ Ａ、Ｉ＋Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （Ｆｉｚｌ
ｋ。
Ｔｖｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ｓ、 Ｖｏ、２． Ｎｏ、１
． ｐｐ７０〜７２． Ｊａｎｕａｒｙ１９６０ ））
より提案があったが、誘電率と七〇＠度変化についての
記載のみであった。
． ｐｐ７０〜７２． Ｊａｎｕａｒｙ１９６０ ））
より提案があったが、誘電率と七〇＠度変化についての
記載のみであった。
また（ ５ｒｘＰｂｌ−ｘＴｌｏｌ ）ａ （ＰｂＭｇ
ａｓ Ｗｏ、ｓ Ｏｎ ）ｂ〔ただしｘ −０〜０．１
０． ａ ｋ’１０．３５〜０．５． ｂ ＃ｉ０．５
−０．６５であり、セしてａ＋ｂ−１） はモノリシ
ックコンデンサおよびその製造方法として特開昭５２〜
２１６６２号Ｋ１１ｉ示され、また誘電体粉末組成物と
して４１１１１１５２−２１６９９号に！ｌ！ｌ示さね
ている。しかしここでは誘電率（２０００〜５ｓｏｏ
）と誘電損失（２０Ｓ〜４，４鋒）に関するデータの記
載しかない。
ａｓ Ｗｏ、ｓ Ｏｎ ）ｂ〔ただしｘ −０〜０．１
０． ａ ｋ’１０．３５〜０．５． ｂ ＃ｉ０．５
−０．６５であり、セしてａ＋ｂ−１） はモノリシ
ックコンデンサおよびその製造方法として特開昭５２〜
２１６６２号Ｋ１１ｉ示され、また誘電体粉末組成物と
して４１１１１１５２−２１６９９号に！ｌ！ｌ示さね
ている。しかしここでは誘電率（２０００〜５ｓｏｏ
）と誘電損失（２０Ｓ〜４，４鋒）に関するデータの記
載しかない。
またＰｂ（Ｍｇ３（Ｗ３Ａ） ０３ ＰｂＴｉＯｘ系
を含む三成分系についてＦｉ特１！１８５５−１１１０
１１ においてＰｂ（Ｍｇ１４Ｗ％）αｉ −ＰｂＴ
ｉ Ｏｘ −Ｐｂ （Ｍｇ３（Ｎｂ Ｋ ） Ｏ、系が
開示され、％［１＠５５−１１７８０９においてＰｂ（
ＭｇＫＷ５Ａ）Ｏｓ−ＰｂＴｌＯコーＰｂ（絢％Ｔａｇ
）へ系が開示されている。
を含む三成分系についてＦｉ特１！１８５５−１１１０
１１ においてＰｂ（Ｍｇ１４Ｗ％）αｉ −ＰｂＴ
ｉ Ｏｘ −Ｐｂ （Ｍｇ３（Ｎｂ Ｋ ） Ｏ、系が
開示され、％［１＠５５−１１７８０９においてＰｂ（
ＭｇＫＷ５Ａ）Ｏｓ−ＰｂＴｌＯコーＰｂ（絢％Ｔａｇ
）へ系が開示されている。
これらにおいても誘電率や誘電損失、および誘電率０＊
を特性についてのみ記載されている。
を特性についてのみ記載されている。
以上いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全くさ
れておらずその実用性については明ら〃・でなかつた・ さらに本発明者遁は既に９１０〜９５０℃の温度で焼結
でき、ｐｂ（Ｍｇ崩に）０１と、ＰｂＴｉ０ｉ ２成分
系からなり、これを（Ｐｂ（Ｍｇ％ＷＨ）Ｏｓ ）ｘ［
：ＰｂＴｉ０＋ 〕１−ｘと表わしたと＠ Ｋ ｘが０
Ｊｉ（ｘ≦１．００の範囲にあるａＳ組成物を提案して
いる０この磁器組成物は誘電率と比抵抗の積が高い値を
持ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性管有している
◇しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いため
、その用途は自ら狭い範囲に限定せ惑るを得なかりたＯ
本発明の目的は機械的強度の入電いしかも容量抵抗積の
高い実用性に優れた磁器組成物１ｉ供することＫある。
れておらずその実用性については明ら〃・でなかつた・ さらに本発明者遁は既に９１０〜９５０℃の温度で焼結
でき、ｐｂ（Ｍｇ崩に）０１と、ＰｂＴｉ０ｉ ２成分
系からなり、これを（Ｐｂ（Ｍｇ％ＷＨ）Ｏｓ ）ｘ［
：ＰｂＴｉ０＋ 〕１−ｘと表わしたと＠ Ｋ ｘが０
Ｊｉ（ｘ≦１．００の範囲にあるａＳ組成物を提案して
いる０この磁器組成物は誘電率と比抵抗の積が高い値を
持ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性管有している
◇しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いため
、その用途は自ら狭い範囲に限定せ惑るを得なかりたＯ
本発明の目的は機械的強度の入電いしかも容量抵抗積の
高い実用性に優れた磁器組成物１ｉ供することＫある。
すなわち本発’Ｊ１ｔｆＰｂ（Ｍｎ％Ｎｂ麹）０３ ｒ
Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ＫＷ％ ） ＯｓおよびＰｂＴｉ
Ｏｓを含む組成物を（Ｐｂ（Ｍｎ３ＡＮｂＡｉ）Ｏａ
）Ｘ［ｐｂ（Ｍｇ％Ｗ３（） ０３ ） ｙ（ＰｂＴｉ
Ｏｓ ） ｚと表わしたとき（ただＬＸ＋Ｙ＋Ｚ−ｔ、
ｏｏ）この３成分組成図においてｘ
Ｙ ｚｏ、０８ ０．９
２ ００．００５ ０．９９５
００．００５ ０．４９７５ ０．４９７５０
．０ Ｂ ０．４６ ０．４６０．１０
０，５４ ０．３６０．１２ ０
．６１４ ０．２６４０．１２ ０．７９
２ ０．０８８の各点を結ぶ線上、およびこの範
囲内にあることを４１徴とするものである０本発明の磁
器組成物は積層形コンデンサに利用する場合、鍋、ニッ
ケル等を主成分とする安価な内部電極が使用可能な、９
００℃〜１０００℃の温度で焼結でき容量、抵抗積がｓ
ＯＯμＦ−ＭΩ以上で しかも誘電損失が小さく・機械
的強度が高く、また誘電率も前記の範囲内で３００〜６
０００１１度の値を持つ優れた材料である。
Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ＫＷ％ ） ＯｓおよびＰｂＴｉ
Ｏｓを含む組成物を（Ｐｂ（Ｍｎ３ＡＮｂＡｉ）Ｏａ
）Ｘ［ｐｂ（Ｍｇ％Ｗ３（） ０３ ） ｙ（ＰｂＴｉ
Ｏｓ ） ｚと表わしたとき（ただＬＸ＋Ｙ＋Ｚ−ｔ、
ｏｏ）この３成分組成図においてｘ
Ｙ ｚｏ、０８ ０．９
２ ００．００５ ０．９９５
００．００５ ０．４９７５ ０．４９７５０
．０ Ｂ ０．４６ ０．４６０．１０
０，５４ ０．３６０．１２ ０
．６１４ ０．２６４０．１２ ０．７９
２ ０．０８８の各点を結ぶ線上、およびこの範
囲内にあることを４１徴とするものである０本発明の磁
器組成物は積層形コンデンサに利用する場合、鍋、ニッ
ケル等を主成分とする安価な内部電極が使用可能な、９
００℃〜１０００℃の温度で焼結でき容量、抵抗積がｓ
ＯＯμＦ−ＭΩ以上で しかも誘電損失が小さく・機械
的強度が高く、また誘電率も前記の範囲内で３００〜６
０００１１度の値を持つ優れた材料である。
次に本発ｌＰｌを実施例によって詳細に説明する。
実施例
出発原料として純ｔ ９９．９−以上の酸化鉛（Ｐｂ６
１）。
１）。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、 戻酸マンガン（Ｍｎ
ＣＯｘ ）酸化ニオブ（Ｎｂ２０． ） 、酸化タング
ステンＣＷＯ５”）および酸化チタン（ＴｉＯｚ）を使
用し、所定の配合比に秤量した。次にボールミル中で湿
式混合した（＆ ７５０℃〜８００℃で予焼した。その
後、ボールミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダ
ーを入れ整粒後プレスし、直径１６箇、厚さ約２ｍの円
板ｔ″４枚と直径１ｓ■・厚さ約１０簡の円柱を作製し
た。次に空気中において９００ ℃〜１ｏｏｏ℃で １
時間焼結した。焼結した円板の上下面Ｋ ６００ ℃で
銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数、Ｉ
ＫＨｚ、電圧Ｉ Ｖ ｒ、ｍ、ｓ、 で容量と誘電損
失（ｔａｎ／）を測定し、誘電率を算出した０次Ｋｉｔ
Ｊ８縁抵抗計でＳＯＶの電圧を１分間印加して絶縁抵抗
を測定した。４個の試料の平均値をとり、そのｇｋを各
配分比の代表値とした。
ＣＯｘ ）酸化ニオブ（Ｎｂ２０． ） 、酸化タング
ステンＣＷＯ５”）および酸化チタン（ＴｉＯｚ）を使
用し、所定の配合比に秤量した。次にボールミル中で湿
式混合した（＆ ７５０℃〜８００℃で予焼した。その
後、ボールミルで粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダ
ーを入れ整粒後プレスし、直径１６箇、厚さ約２ｍの円
板ｔ″４枚と直径１ｓ■・厚さ約１０簡の円柱を作製し
た。次に空気中において９００ ℃〜１ｏｏｏ℃で １
時間焼結した。焼結した円板の上下面Ｋ ６００ ℃で
銀電極を焼付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数、Ｉ
ＫＨｚ、電圧Ｉ Ｖ ｒ、ｍ、ｓ、 で容量と誘電損
失（ｔａｎ／）を測定し、誘電率を算出した０次Ｋｉｔ
Ｊ８縁抵抗計でＳＯＶの電圧を１分間印加して絶縁抵抗
を測定した。４個の試料の平均値をとり、そのｇｋを各
配分比の代表値とした。
また機械的強度な抗折強度で好個するため円柱試料から
′厚さ０５■、幅２ｍｍ、長さ約１３１の矩形板を切り
出した◇支点間の距離を９ ｗｍ Ｋとり、３点Ｐｍｌ 法で破壊荷重Ｐｍ［Ｋｇ〕を測定し、τ−２Ｗｔｌ−し
＋＃／ｃＩＩ〕なる式により抗折側［ｒ（１＃／ｍ）を
求めた。ただしｌＦｉ支点間距離、ｔＦｉ試料の厚み
、ｗ＃ｉ試料の巾である。値Ｆｉ試料１０点の平均値よ
り求めた。
′厚さ０５■、幅２ｍｍ、長さ約１３１の矩形板を切り
出した◇支点間の距離を９ ｗｍ Ｋとり、３点Ｐｍｌ 法で破壊荷重Ｐｍ［Ｋｇ〕を測定し、τ−２Ｗｔｌ−し
＋＃／ｃＩＩ〕なる式により抗折側［ｒ（１＃／ｍ）を
求めた。ただしｌＦｉ支点間距離、ｔＦｉ試料の厚み
、ｗ＃ｉ試料の巾である。値Ｆｉ試料１０点の平均値よ
り求めた。
試作した磁器組成物の成分配合比を表に示す。また磁器
組成物配合比と容量・抵抗積、誘電損失、抗折強度との
関係を第１図から第３図に示す。
組成物配合比と容量・抵抗積、誘電損失、抗折強度との
関係を第１図から第３図に示す。
系組成物、あるいはＰｂ（ＭｇｊＡＷイ）０３に対して
Ｐｂ（Ｊｎ％ＮｂＮ）Ｏ，會固溶させると、誘電損失は
Ｐｂ（ＭｎにＮ ｂＨ） ＯＪが３〜４モル−付近で極
小になり、その後増加する。また容量抵抗積はＰｂ（Ｍ
ｕにＮｂＸ）ｏが１〜２モル−付近で極大になり、その
螢減少し、抵折強度ＦｉＰｂ（Ｍｎ％ＮｂＰＳ）Ｏａ１
固溶せせると急激に増加し１モルチ付近で１２００〜１
４００１ｗ／ｊの値Ｅｌｋす、その後１０００〜１１０
１＋ｖ／ｄのほぼ一定した値になる。
Ｐｂ（Ｊｎ％ＮｂＮ）Ｏ，會固溶させると、誘電損失は
Ｐｂ（ＭｎにＮ ｂＨ） ＯＪが３〜４モル−付近で極
小になり、その後増加する。また容量抵抗積はＰｂ（Ｍ
ｕにＮｂＸ）ｏが１〜２モル−付近で極大になり、その
螢減少し、抵折強度ＦｉＰｂ（Ｍｎ％ＮｂＰＳ）Ｏａ１
固溶せせると急激に増加し１モルチ付近で１２００〜１
４００１ｗ／ｊの値Ｅｌｋす、その後１０００〜１１０
１＋ｖ／ｄのほぼ一定した値になる。
庄）＊印管付した番号の配合比は本発明の請求範囲に當
壕れない。
壕れない。
ｊ［科配合比においてに（ＭｌｌＣＯＢ ）、に（Ｎｌ
＋２０ｓ） ｔそれぞれ１モルと仮定した。
＋２０ｓ） ｔそれぞれ１モルと仮定した。
また第３８！２ｆ、第１．２図と比べるとＰｂＴ孟０３
のモル比が増加すると、誘電損失が大きくなり、容量抵
抗値社減少してゆくことが判かる〇 ここで本発明の組成物は（： Ｐｂ（Ｍｎ％ＮｂＸ）Ｏ
ｓ〕ｘ ”（Ｐｂ（Ｍｇ％Ｗ％）０３：ＩＹ ・（Ｐｂ
ＴｉＯｉ）ｚと表わしたときに、この３成分組成物にお
いてｘ１マ、２がそれぞれ Ｘ Ｙ ｚｏ
、０ ｇ ０．９２ ００．００５
０．９９５ ０ ０．００５ ０．４９７５ ０．４９７５０．０
ｇ ０．４６ ０．４６０．１０
０．５４ ０．３６０．１２ ０．６１６
０．２６４０．１２ ０．７９２ ０．
０１１８の各点を結ぶ線上並びにこの範囲内に限定され
る。
のモル比が増加すると、誘電損失が大きくなり、容量抵
抗値社減少してゆくことが判かる〇 ここで本発明の組成物は（： Ｐｂ（Ｍｎ％ＮｂＸ）Ｏ
ｓ〕ｘ ”（Ｐｂ（Ｍｇ％Ｗ％）０３：ＩＹ ・（Ｐｂ
ＴｉＯｉ）ｚと表わしたときに、この３成分組成物にお
いてｘ１マ、２がそれぞれ Ｘ Ｙ ｚｏ
、０ ｇ ０．９２ ００．００５
０．９９５ ０ ０．００５ ０．４９７５ ０．４９７５０．０
ｇ ０．４６ ０．４６０．１０
０．５４ ０．３６０．１２ ０．６１６
０．２６４０．１２ ０．７９２ ０．
０１１８の各点を結ぶ線上並びにこの範囲内に限定され
る。
その理由Ｆｉｘ＞ｏ、ｏｓで、しかも本発明の請求範囲
に含まれない範囲、及び！ ） ０．４６で、しかも本
発明の請求範囲に含まれない範囲では容量抵抗積が５０
０μＦ−ＭΩより 小さくなり、実用上の規格値より劣
る。
に含まれない範囲、及び！ ） ０．４６で、しかも本
発明の請求範囲に含まれない範囲では容量抵抗積が５０
０μＦ−ＭΩより 小さくなり、実用上の規格値より劣
る。
またｚ ＜ ｏ、ｏｏｓの範囲では抵折強度が低くなっ
てしまう。
てしまう。
以上、本発明の磁器組成物は１０００℃ 以下の低温で
焼成でき銀やニッケル等を主成分とする低価格金属を内
部電極として使用できると共に、省エネルギーや炉材の
節約という経済的な面で極めて有用な材料である０さら
に４１１性面においては容量抵抗積は十分に実用上の規
格値より大きく、ま九機械的強度が高いため高信麺性が
得られ、さらに誘電損失が／」・さく、非常に優れた材
料である。
焼成でき銀やニッケル等を主成分とする低価格金属を内
部電極として使用できると共に、省エネルギーや炉材の
節約という経済的な面で極めて有用な材料である０さら
に４１１性面においては容量抵抗積は十分に実用上の規
格値より大きく、ま九機械的強度が高いため高信麺性が
得られ、さらに誘電損失が／」・さく、非常に優れた材
料である。
菖１図から＄１３＠ｌは磁器組成物の配合比と緒特性と
の関係を示した図である。第１図は表の随ｌ〜１３、第
２図ｔｉ表の朧１４〜２７、第３図は表の階２８〜４０
のそれぞれの特性値である。各図中の曲ｍｌ （ａ）は
抗折強直、伽）は容量抵抗値、（ｅ）は誘電損失の特性
をそれぞれ示している〇 また図中の番号は表の各組成配合比の番号に対応してい
る。 第４図は本発明の請求の範囲と表に示した各配合比の組
成点を示した図である。 代叩人方９Ｕ ：ｌ内厚 晋 発 １ 図 ｒｂ （Ｍｎ！ｙ、 Ｎｂｌ ） ０３ ｔｙ＋ １ル
％発Ｚ図 Ｆｂ （Ｍｎ肴Ｎｂ＋）θ５．（７＋ （ｌＬｙ ％卒
３図
の関係を示した図である。第１図は表の随ｌ〜１３、第
２図ｔｉ表の朧１４〜２７、第３図は表の階２８〜４０
のそれぞれの特性値である。各図中の曲ｍｌ （ａ）は
抗折強直、伽）は容量抵抗値、（ｅ）は誘電損失の特性
をそれぞれ示している〇 また図中の番号は表の各組成配合比の番号に対応してい
る。 第４図は本発明の請求の範囲と表に示した各配合比の組
成点を示した図である。 代叩人方９Ｕ ：ｌ内厚 晋 発 １ 図 ｒｂ （Ｍｎ！ｙ、 Ｎｂｌ ） ０３ ｔｙ＋ １ル
％発Ｚ図 Ｆｂ （Ｍｎ肴Ｎｂ＋）θ５．（７＋ （ｌＬｙ ％卒
３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マンボン・ニオブ酸鉛（Ｐｂ（ＭｎＨＮｂ％ ）０．
） 、 マグネシウム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍ
ｇＨＷ３（）０３）。 およびチタン酸鉛（ｐｂＴｉｏｘ）からなる組成吻管（
Ｐｂ（Ｍｎ３（ＮｂＶ３） Ｏ，〕、” （Ｐｂ（Ｍｇ
満） ０３〕、 ’（ＰｂＴｊＯａ〕ｚと表わしたと１
！（ただＬＸ＋Ｙ＋Ｚ−１００）、この３成分組成図に
おいてＸ ７ Ｚ ０．０８ ０．９２ ０ ０．００５ ０．９９５ ０ ８．００５ ０．４９７５ ０．４９７５０．０ｇ
０．４６ ０．４６０．１０ ０，５
４ ０．３６０．１２ ０．６１６ ０．
２６４０．１２ ０．７９２ ０．０８８の各
点を結ぶ線上およびこの範Ｈ内にあることを特徴とする
磁器組成物Ｏ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156685A JPS5860670A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56156685A JPS5860670A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860670A true JPS5860670A (ja) | 1983-04-11 |
| JPS6234708B2 JPS6234708B2 (ja) | 1987-07-28 |
Family
ID=15633082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56156685A Granted JPS5860670A (ja) | 1981-10-01 | 1981-10-01 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860670A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033256A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-20 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| EP0788123A2 (en) | 1996-01-26 | 1997-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
-
1981
- 1981-10-01 JP JP56156685A patent/JPS5860670A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6033256A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-20 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
| EP0788123A2 (en) | 1996-01-26 | 1997-08-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6234708B2 (ja) | 1987-07-28 |
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