JPS6036366A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6036366A JPS6036366A JP58144780A JP14478083A JPS6036366A JP S6036366 A JPS6036366 A JP S6036366A JP 58144780 A JP58144780 A JP 58144780A JP 14478083 A JP14478083 A JP 14478083A JP S6036366 A JPS6036366 A JP S6036366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- points
- temperature
- porcelain
- main component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に１１００℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、訪電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯａ）を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とするものは、焼結
温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。このた
めこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極
としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラ
ジウムなどの高価な資金机を使用しなければならず、製
造コストが高くつくという欠点がある。積層形コンデン
サを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分とす
る安価な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特に１１００℃以下で焼結できる磁器が必要で
ある。
ａＴｉＯａ）を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム（ＢａＴｉＯｉ）を主成分とするものは、焼結
温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。このた
めこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極
としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラ
ジウムなどの高価な資金机を使用しなければならず、製
造コストが高くつくという欠点がある。積層形コンデン
サを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分とす
る安価な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特に１１００℃以下で焼結できる磁器が必要で
ある。
また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品
を要求する米国防総省の規格であるミリタリースベシフ
ィヶション（Ｍｉ １ ｉ ｔａｒ７Ｓｐｅｃｉｆｉｃ
ａｔｉｏｎ ）のＭＩＬ −Ｃ−５５６８１Ｂにおいて
は、室温における値のみならず、１２５℃における値も
定められている。これをみてもわかるように、信頼性の
高い磁器コンデンサを得るためには、室温における値の
みならず、予想される最高使用温度における絶縁抵抗も
高い値をとることが必要である。
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに絶縁抵抗の値に関しては、高信頼性の部品
を要求する米国防総省の規格であるミリタリースベシフ
ィヶション（Ｍｉ １ ｉ ｔａｒ７Ｓｐｅｃｉｆｉｃ
ａｔｉｏｎ ）のＭＩＬ −Ｃ−５５６８１Ｂにおいて
は、室温における値のみならず、１２５℃における値も
定められている。これをみてもわかるように、信頼性の
高い磁器コンデンサを得るためには、室温における値の
みならず、予想される最高使用温度における絶縁抵抗も
高い値をとることが必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したりすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合モ、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合も、コンど、
クランクが入りゃすく、容易に破損す−るため、信頼性
が低くなる。したがって、磁器の機械的強度をできるだ
け増大させることは実用上極めて重要なことである。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したり、破損したりすることがある。ま
た、エポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合モ、外装樹脂の応力で、ディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合も、コンど、
クランクが入りゃすく、容易に破損す−るため、信頼性
が低くなる。したがって、磁器の機械的強度をできるだ
け増大させることは実用上極めて重要なことである。
トコ口Ｔ Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）０３ＰｂＴｉＯ
ａ 基磁９．ｉｍ成物については既にニス、エヌ、クラ
イニク、エイ。
ａ 基磁９．ｉｍ成物については既にニス、エヌ、クラ
イニク、エイ。
アイ、アグラノフスヵヤＮ、Ｎ、Ｋｒａｉｎｉｋ ａｎ
ｄ Ａ、Ｉ。
ｄ Ａ、Ｉ。
Ａｇｒａｒｏｖｓｋａｙａ（Ｆｉｚｉｋｏ Ｔｖｅｒｄ
ｏｇｏ Ｔｅ１ａ＋ Ｖｏ、２＋Ｎｏ−１・Ｉ）ｐ７０
′７２＋ Ｊａｎｖａｒａ １９６０ ）より提案があ
り、また（Ｓ ｒｘＰｂ １−ｘ’Ｉ″ｆｏ３） ａ（
ＰｂＭｇ ｏ、ｓＷｏ、ｓｏｓ ） ｂＣただし、Ｘ＝
０〜０．１０ 、 ａ ＝ ０．３５〜０．５ 、
ｂ ＝ ０．５〜０．６５ 、 ａ＋ｂ＝１〕について
、モノリシックコンデンサおよびその勢造方法として特
開昭５２−２１６６２号公報に開示され、また誘電体粉
末組成物として特開昭５２−２１６９９号公報に開示さ
れている。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くさねておらず、これらの磁器組成物の実用性は不
明である。一方、本発明者等は既に９１０−９５０℃の
温度で焼結でき、Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）Ｏｘ （
！： ＰｂＴｉＯｓ ト（Ｄ ２成分、ｌ−ら＆Ｄ、こ
れを、 ［Ｐｂ （Ｍｇ １／２Ｗ□／ｚ）Ｏｓ’）工
［ＰｂＴｉ０３）ｚ−エと表わしたときに、Ｘが０．６
５ （ｘ≦１．００の範囲にある組成物を提案した。こ
の組成物は、誘電率と比抵抗の積が高く、誘電損失の小
さい優れた電気的特性を有している。しかしながら、上
記組成物はいずれも（幾械的強度が低いため、その用途
は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
ｏｇｏ Ｔｅ１ａ＋ Ｖｏ、２＋Ｎｏ−１・Ｉ）ｐ７０
′７２＋ Ｊａｎｖａｒａ １９６０ ）より提案があ
り、また（Ｓ ｒｘＰｂ １−ｘ’Ｉ″ｆｏ３） ａ（
ＰｂＭｇ ｏ、ｓＷｏ、ｓｏｓ ） ｂＣただし、Ｘ＝
０〜０．１０ 、 ａ ＝ ０．３５〜０．５ 、
ｂ ＝ ０．５〜０．６５ 、 ａ＋ｂ＝１〕について
、モノリシックコンデンサおよびその勢造方法として特
開昭５２−２１６６２号公報に開示され、また誘電体粉
末組成物として特開昭５２−２１６９９号公報に開示さ
れている。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くさねておらず、これらの磁器組成物の実用性は不
明である。一方、本発明者等は既に９１０−９５０℃の
温度で焼結でき、Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）Ｏｘ （
！： ＰｂＴｉＯｓ ト（Ｄ ２成分、ｌ−ら＆Ｄ、こ
れを、 ［Ｐｂ （Ｍｇ １／２Ｗ□／ｚ）Ｏｓ’）工
［ＰｂＴｉ０３）ｚ−エと表わしたときに、Ｘが０．６
５ （ｘ≦１．００の範囲にある組成物を提案した。こ
の組成物は、誘電率と比抵抗の積が高く、誘電損失の小
さい優れた電気的特性を有している。しかしながら、上
記組成物はいずれも（幾械的強度が低いため、その用途
は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
また、Ｐｂ（Ｍｇｓ７ｚＷ□７ｚ）Ｏｘ ＰｂＴｉＯ３
系を含む３成分系については、１１百開昭５５−１１１
０１１号においてＰｂ（淘１／２Ｗ１／２）０３ Ｐｂ
ＴｉＯｓ Ｐｂ（Ｍｇ□／３Ｎｂ２／３）０３系が、特
開昭５５−１１７８０９号においてＰｂＣＭｇｙｚＷ１
７ｚ）Ｏｓ ＰｂＴｉ０３Ｐｂ（Ｍｇｘ／３Ｔａｚ／３
）０３系が、それぞれ開示されティる。しかしながら、
いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全くされて
おらず、矢張りこれらの磁器組成物の実用性については
不明である。
系を含む３成分系については、１１百開昭５５−１１１
０１１号においてＰｂ（淘１／２Ｗ１／２）０３ Ｐｂ
ＴｉＯｓ Ｐｂ（Ｍｇ□／３Ｎｂ２／３）０３系が、特
開昭５５−１１７８０９号においてＰｂＣＭｇｙｚＷ１
７ｚ）Ｏｓ ＰｂＴｉ０３Ｐｂ（Ｍｇｘ／３Ｔａｚ／３
）０３系が、それぞれ開示されティる。しかしながら、
いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示は全くされて
おらず、矢張りこれらの磁器組成物の実用性については
不明である。
まだ、本発明者等は既にＰｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２）０
３ ＰｂＴｉ（）＋Ｐｂ（Ｉｎ４／２Ｎｂｔ／２）Ｏａ
３成分組成物を提案している。
３ ＰｂＴｉ（）＋Ｐｂ（Ｉｎ４／２Ｎｂｔ／２）Ｏａ
３成分組成物を提案している。
この組成物は、９００〜１１００℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘′亀損失が小さく、室温および高
温における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有している
。しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いため
、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを侍なかった。
き、誘電率が高く、誘′亀損失が小さく、室温および高
温における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有している
。しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いため
、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを侍なかった。
本発明は、以上の点にかんがみ、９００〜１１００℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた′
ｉｇ気的詩的特性し、特に機械的強度も大きい信頼性の
高い磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネ
シウム・タングステン酸鉛（ｐｂ （Δ趙□／２Ｗ工／
２）０３）、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ０ｓ）およびインジ
ウム・ニオブ酸鉛ＣＰｂ（Ｉｎ１７２Ｎｂ□７ＪＯｓ
〕からなる３成構成成物を［Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２
）Ｏａ ：］ｘ（ＰｂＴｉＯｓ １ｙ（Ｐｂ（Ｉｎ４／
２Ｎｂｔ／２）０３：）ｚと表わしたときに（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、この３成分組成図にオイテ、
以下の組成点、 （ｘ’＝０．７９６ 、 ｙ＝０．１９９ 、 ｚ＝０
．００５ ）（ｘ＝０．４８ 、 ｙ＝０．１２ 、
ｚ＝０．４０ ）（ｘ＝０．２１ 、ｙ＝：ｏ、ｏ９．
ｚ＝０．７０ ）（ｘ−＝０．１２ 、 ｙ＝＝Ｑ、
１８． ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０．３９８ 、 ｙ＝
０．５９７ 、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線上、およ
びこの５点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に、
副成分として、マンガン（Ｍｎ）を主成分に対して、０
．０１〜１原子チ添加含有せしめてなることを特徴とす
るものである。
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく
、室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた′
ｉｇ気的詩的特性し、特に機械的強度も大きい信頼性の
高い磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネ
シウム・タングステン酸鉛（ｐｂ （Δ趙□／２Ｗ工／
２）０３）、チタン酸鉛［ＰｂＴｉ０ｓ）およびインジ
ウム・ニオブ酸鉛ＣＰｂ（Ｉｎ１７２Ｎｂ□７ＪＯｓ
〕からなる３成構成成物を［Ｐｂ（Ｍｇｌ／２Ｗ１／２
）Ｏａ ：］ｘ（ＰｂＴｉＯｓ １ｙ（Ｐｂ（Ｉｎ４／
２Ｎｂｔ／２）０３：）ｚと表わしたときに（ただし、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、この３成分組成図にオイテ、
以下の組成点、 （ｘ’＝０．７９６ 、 ｙ＝０．１９９ 、 ｚ＝０
．００５ ）（ｘ＝０．４８ 、 ｙ＝０．１２ 、
ｚ＝０．４０ ）（ｘ＝０．２１ 、ｙ＝：ｏ、ｏ９．
ｚ＝０．７０ ）（ｘ−＝０．１２ 、 ｙ＝＝Ｑ、
１８． ｚ＝０．７０ ）（ｘ＝０．３９８ 、 ｙ＝
０．５９７ 、 ｚ＝０．００５ ）を結ぶ線上、およ
びこの５点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に、
副成分として、マンガン（Ｍｎ）を主成分に対して、０
．０１〜１原子チ添加含有せしめてなることを特徴とす
るものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９ ％以上の酸化鉛（ＰｂＯ
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（
萄Ｄ、酸化ｆ タフ （ＴｉＯｚ ）、酸化インジウム
（Ｉｎ、ｏｘ） 、酸化ニオブ（Ｎｂ＊Ｏｓ ） 、お
よび炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ ）、を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合しだ後７５０〜８００℃
で予焼を行な−、この粉末をボールミルで粉砕し、日別
、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、試
料として直径１６ ｍ＊厚さ約２鶴の円板４枚と、直径
１６ ｘｗ 、厚さ約１０ ｖｎの円柱を作成した。次
に試料を空気中９００〜１１００℃の温度で１時間焼結
し、焼結した円板４枚の上下面に６００℃で銀電極を焼
付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数ＩＫＨｚ 、電
圧ＩＶｒ 、ｍ、 ｓ、温度２０℃で容量と誘電損失を
測定し、誘電率を算出しだ。
）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（
萄Ｄ、酸化ｆ タフ （ＴｉＯｚ ）、酸化インジウム
（Ｉｎ、ｏｘ） 、酸化ニオブ（Ｎｂ＊Ｏｓ ） 、お
よび炭酸マンガン（ＭｎＣＯｓ ）、を使用し、表に示
した配合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合しだ後７５０〜８００℃
で予焼を行な−、この粉末をボールミルで粉砕し、日別
、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、試
料として直径１６ ｍ＊厚さ約２鶴の円板４枚と、直径
１６ ｘｗ 、厚さ約１０ ｖｎの円柱を作成した。次
に試料を空気中９００〜１１００℃の温度で１時間焼結
し、焼結した円板４枚の上下面に６００℃で銀電極を焼
付け、デジタルＬＣＲメーターで周波数ＩＫＨｚ 、電
圧ＩＶｒ 、ｍ、 ｓ、温度２０℃で容量と誘電損失を
測定し、誘電率を算出しだ。
次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して、絶
縁抵抗を温度２０℃と１２５℃で測定し、比抵抗を算出
した。
縁抵抗を温度２０℃と１２５℃で測定し、比抵抗を算出
した。
機緘的性質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱か
ら厚さ０−５ ｍｌｌｓ幅２關、長さ約１３ ｍｒｘの
矩Ｃａ ）なる式に従い、抗折強度τＣ１（ｇ／ｃｎｆ
）をめた。
ら厚さ０−５ ｍｌｌｓ幅２關、長さ約１３ ｍｒｘの
矩Ｃａ ）なる式に従い、抗折強度τＣ１（ｇ／ｃｎｆ
）をめた。
ただし、ｌは支点間距離、ｔは試料の厚み、Ｗは試料の
幅である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強
度は矩形板試料１０点の平均値よりめた。このようにし
て得られた磁器の主成分ＣＰｂ（Ｍｇ ｙ２Ｗｓ７２）
Ｏｎ ）ｚ ［ＰｂＴ ｉ Ｏｓ ｌｙ ［Ｐｂ （Ｉ
Ｈ１／２Ｎｂ １／２）Ｏ３：］ ｚの配合比Ｘ＋ ７
ｒ ｚおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失、２０
℃および１２５°Ｃにおける比抵抗、および表に示した
結果から明らかなように、Ｐｂ （Ｍｇ １／２Ｗ□／
ｚ）Ｏｎ −ＰｂＴｉ０ａ −Ｐｂ（Ｉｎ４／ｚＮｂ□
／２）Ｏｓ ３成分組成物に副成分としてＭｎを特定の
割合いで添加含有せしめたものは、誘電率が１０１０〜
３５４０と高く、誘電損失が０．２〜２．９％と小さく
、比抵抗が２０℃において１．ｓ Ｘ １０１２〜７．
２ ＸＩＯ”Ω・αと高く、しかも１２５℃においても
７．ＯＸ １０”〜１．１ ｘｔｏ”３Ω・ｃｍという
高い値を示し、さらに抗折強度も９７０〜ｔ４６ｏ１＜
ｙ／ｄ と実用上十分高い値を示す信頼性の高い実用性
の極めて高す磁器組成物であることがわかる。このよう
に優れた特性を示す本発明の磁器組成物は焼結温度が１
１００℃以下の低温であるため、積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという棲めて優れた効果も生じる。図
に本発明の主成分組成範囲を示す。図に示す番号は表に
示した主成分配合比の番号に対応させである。
幅である。電気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強
度は矩形板試料１０点の平均値よりめた。このようにし
て得られた磁器の主成分ＣＰｂ（Ｍｇ ｙ２Ｗｓ７２）
Ｏｎ ）ｚ ［ＰｂＴ ｉ Ｏｓ ｌｙ ［Ｐｂ （Ｉ
Ｈ１／２Ｎｂ １／２）Ｏ３：］ ｚの配合比Ｘ＋ ７
ｒ ｚおよび副成分添加量と誘電率、誘電損失、２０
℃および１２５°Ｃにおける比抵抗、および表に示した
結果から明らかなように、Ｐｂ （Ｍｇ １／２Ｗ□／
ｚ）Ｏｎ −ＰｂＴｉ０ａ −Ｐｂ（Ｉｎ４／ｚＮｂ□
／２）Ｏｓ ３成分組成物に副成分としてＭｎを特定の
割合いで添加含有せしめたものは、誘電率が１０１０〜
３５４０と高く、誘電損失が０．２〜２．９％と小さく
、比抵抗が２０℃において１．ｓ Ｘ １０１２〜７．
２ ＸＩＯ”Ω・αと高く、しかも１２５℃においても
７．ＯＸ １０”〜１．１ ｘｔｏ”３Ω・ｃｍという
高い値を示し、さらに抗折強度も９７０〜ｔ４６ｏ１＜
ｙ／ｄ と実用上十分高い値を示す信頼性の高い実用性
の極めて高す磁器組成物であることがわかる。このよう
に優れた特性を示す本発明の磁器組成物は焼結温度が１
１００℃以下の低温であるため、積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという棲めて優れた効果も生じる。図
に本発明の主成分組成範囲を示す。図に示す番号は表に
示した主成分配合比の番号に対応させである。
本発明は、生成分組成物を（Ｐｂ （Ｍｇ ｚ７□Ｗ工
／２）０３ ：ｌ工［ＰｂＴｉＯｓ ）ｙ （Ｐｂ（Ｉ
ｎ４／ｚＮｂ□／２）Ｏｎ 〕ｚと表わしたときに（た
だし、Ｘ”）’＋ｚ＝１．ＯＯ）、その組成範囲は（ｘ
＝０．７９６ 、ｙ＝０．１９９ 、ｚ＝０．００５
）（ｘ＝０．４８ 、）’＝０．１２ 、ｚ＝０．４０
）（ｘ＝０．２１ 、ｙ＝０．０９ 、ｚ＝０．７０
）（ｘ＝０．１２ 、 ７＝０．１８ 、ｚ＝０．７
０ ）（ｘ＝０．３９８ 、）’＝０．５９７ 、ｚ＝
０．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる
組成範囲に限定され、副成分の添加含有量は主成分に対
して０．０１〜１原子チに限定される。なお、主成分組
成範囲において、組成点２，１５を結ぶ線の外側では高
温における比抵抗が小さくなり実用的でない。
／２）０３ ：ｌ工［ＰｂＴｉＯｓ ）ｙ （Ｐｂ（Ｉ
ｎ４／ｚＮｂ□／２）Ｏｎ 〕ｚと表わしたときに（た
だし、Ｘ”）’＋ｚ＝１．ＯＯ）、その組成範囲は（ｘ
＝０．７９６ 、ｙ＝０．１９９ 、ｚ＝０．００５
）（ｘ＝０．４８ 、）’＝０．１２ 、ｚ＝０．４０
）（ｘ＝０．２１ 、ｙ＝０．０９ 、ｚ＝０．７０
）（ｘ＝０．１２ 、 ７＝０．１８ 、ｚ＝０．７
０ ）（ｘ＝０．３９８ 、）’＝０．５９７ 、ｚ＝
０．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる
組成範囲に限定され、副成分の添加含有量は主成分に対
して０．０１〜１原子チに限定される。なお、主成分組
成範囲において、組成点２，１５を結ぶ線の外側では高
温における比抵抗が小さくなり実用的でない。
組成点１５，１６，７，３．２を結ぶ線の外側では誘電
率が小さくなり実用的でない。また副成分である動の添
加量が０．０１原子チ未満では抗折強度の改善効果が小
さく、１原子チを超えると逆に抗折強度が小さくなるた
め実用的でない。
率が小さくなり実用的でない。また副成分である動の添
加量が０．０１原子チ未満では抗折強度の改善効果が小
さく、１原子チを超えると逆に抗折強度が小さくなるた
め実用的でない。
図は本発明の生成分組成範囲と実施例に示した組成点を
示す図である。
示す図である。
Claims (1)
- （１）マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ （Ｍｇ
ｘ／ｚＷｌ／２）０３ ］、チタ／酸鉛（ＰｂＴｉ０
ｎ〕およびインジウム・ニオブ酸鉛ＣＰｂ （Ｉｎ １
７ｚＮｂ ｘ／１）Ｏｓ ）からなる３成分組成物を［
、Ｐｂ（Ｍｇ□／ｚＷｘ／ｚ）Ｏｓ ）ｚ（：ＰｂＴｉ
０ｎ ）ｙ［Ｐｂ（Ｉｎｘ／ｚＮｂ１／ｚ）Ｏｎ ’ｌ
ｌｚと表わしだときに（ただし、ｚ ＋ ７ ＋ｚ＝１
．００ ） 、この３成分組成図において、以下の組成
点 （ｘ＝０．７９６． ｙ＝０．１９９． ｚ＝０．００
５ ）（ｘ”０．４８ 、ｙ＝ｏ＋ｉｚ 、ｚ＝０．４
０ ）（ｘ”’０．２１ 、Ｙ＝０．０９ 、ｚ＝０．
７０ ）（ｘ−０，１２、ｙ＝０．１８ 、ｚ＝０．７
０ ）（ｘ＝０．３９８． ｙ＝０．５９７． ｚ＝０
．００５ ）を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる組
成範囲にある主成分組成物に、副成分としてマンガン（
Ｍｎ）を主成分に対して０．０１〜１原子チ添加含有せ
しめてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144780A JPS6036366A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58144780A JPS6036366A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036366A true JPS6036366A (ja) | 1985-02-25 |
| JPH0457631B2 JPH0457631B2 (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=15370260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58144780A Granted JPS6036366A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4753905A (en) * | 1985-07-31 | 1988-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58144780A patent/JPS6036366A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4753905A (en) * | 1985-07-31 | 1988-06-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0457631B2 (ja) | 1992-09-14 |
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