JPS6021859A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6021859A JPS6021859A JP58127221A JP12722183A JPS6021859A JP S6021859 A JPS6021859 A JP S6021859A JP 58127221 A JP58127221 A JP 58127221A JP 12722183 A JP12722183 A JP 12722183A JP S6021859 A JPS6021859 A JP S6021859A
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁器組成物、特に、１ｏｏｏ℃以下の低温で焼
結でき、ｆｊｔ率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強
度の高い磁器ｍ底物に関するものである。
結でき、ｆｊｔ率と比抵抗の積が高く、しかも機械的強
度の高い磁器ｍ底物に関するものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉＯ，）を主成分とする磁器組成物が広く実用化さ
れているこξは周知のとおりである。
ａＴｉＯ，）を主成分とする磁器組成物が広く実用化さ
れているこξは周知のとおりである。
しかしながら、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を主
成分とするものは、焼結温度が通常１３００〜１４００
℃の高温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得る
材料、例えは白金、パラジウムなどの高価な貴金属を使
用しなければならず、製造コストが高くつくという欠点
かある。積層形コンデンサを安く作るためには銀、ニッ
ケルなどを主成分とする安価な金属が内部を極に使用で
きるような、できるだけ低温、特に１０００℃以下で焼
結できる磁器組成物が必要である。
成分とするものは、焼結温度が通常１３００〜１４００
℃の高温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得る
材料、例えは白金、パラジウムなどの高価な貴金属を使
用しなければならず、製造コストが高くつくという欠点
かある。積層形コンデンサを安く作るためには銀、ニッ
ケルなどを主成分とする安価な金属が内部を極に使用で
きるような、できるだけ低温、特に１０００℃以下で焼
結できる磁器組成物が必要である。
ところで磁器組Ｊｉ１４物を用い、実用的な（貨層形コ
ンデンサを作製するときに磁器組成物の電気的特性とし
て多くの項目が評価されなけれはならない。
ンデンサを作製するときに磁器組成物の電気的特性とし
て多くの項目が評価されなけれはならない。
一般的に誘電率はできるだけ大きく、誘！損失はできる
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが請求される。
だけ小さく、比抵抗はできるだけ大きく、誘電率の温度
変化は小さいことなどが請求される。
しかしながら、実用上積層形コンデンサにおいては誘電
率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例テるが、しかしその厚
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るためには磁器組成物の誘を率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容された
範囲があり、磁器組成物の誘電率の温度変化率も積層形
コンデンサを作製するときの絶対的な要因でない。
率でなく、まず容量、次に容量の温度変化率、誘電損失
などの値が必要とされる。積層形コンデンサにおいて、
容量は磁器組成物の誘電率に比例テるが、しかしその厚
みに反比例し、電極面積、積層数に比例するので、一定
の容量を得るためには磁器組成物の誘を率が大きいこと
は必ずしも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容された
範囲があり、磁器組成物の誘電率の温度変化率も積層形
コンデンサを作製するときの絶対的な要因でない。
一方誘電損失は用途により一定の値以下でなければなら
ないという規定があり室温で最大５．０％以下である。
ないという規定があり室温で最大５．０％以下である。
さらに比抵抗に関しては、例えばＢＩＡ、Ｊ規格〔日本
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形）Ｉｆｔ、０−３６９８Ｂ）に述べられているごと
く、積層コンデンサの絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ以
上または容量抵抗積で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれか
小さい１以上と規定されている。すなわち磁器組成物の
＠電率と比抵抗の積がある絶対値以上なけれは、任意の
容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せ
ることができず、その用途が非常−こ限定され、実用的
な意味がな（なる。この点を詳しく説明すると次の様に
なる。積層形コンデンサでは、ｎ ＋ １個の内部電極
を構成して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コ
ンデンサが積層された構造になりでいる。この場合、単
一層当りの容量８−ＣＯ１絶縁抵抗を几。とすれば、積
層形コンデンサの容量ＣはＣｏのｎ、倍になり、絶縁抵
抗ＲはＨ，ｏＯ） １／ｎになる。ここで磁器組成物の
誘電率をε、真空の誘電率をεい磁器組成物の比抵抗を
ρ、単一層コンデンサの磁器の厚さを６％本なる電極面
積をＳとすれは、単一層コンデンサの０゜は（ε０εＳ
）／ｄとなりＲｏは（ρｄ）／８となる。従ってｎ層か
らなる積層コンデンサの容量０と絶縁抵抗（均の槓ｃｘ
Ｒは（（ρｄ）／（ｎ層））Ｘ（（ｎｇ０ｇ８）／ｄ）
＝ε０ερ となる。Ｔなわちどのような客月、の積層
コンデンサもその容量・抵抗値（ＯＸ几）は、磁器組成
物のεとρの積重こεＯを乗じた一定値（ε０ερ）に
規格化される。容量・抵抗積ＯＸＲが５００μＦ、ＭΩ
丁なわち５００Ｆ・Ω以上というこａは、εｏ＝ ８．
８５５ ＸＩＯ”Ｆ／ｃｍ、Ｊ：す、０ＸＲ＝６゜ｉ
ｐ ＝ ８．８５５ ｘ １０ ” （Ｆ’／ｃＦｎ）
ＸｇＸρ〉５００Ｆ−Ω、よってερ＝≧５．６５ Ｘ
ＩＯＡ／−ｃｍなる・要求がある。
電子機械工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チッ
プ形）Ｉｆｔ、０−３６９８Ｂ）に述べられているごと
く、積層コンデンサの絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ以
上または容量抵抗積で５００μＦ−ＭΩ以上のいずれか
小さい１以上と規定されている。すなわち磁器組成物の
＠電率と比抵抗の積がある絶対値以上なけれは、任意の
容量、特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せ
ることができず、その用途が非常−こ限定され、実用的
な意味がな（なる。この点を詳しく説明すると次の様に
なる。積層形コンデンサでは、ｎ ＋ １個の内部電極
を構成して一般にｎ個の同じ厚さの層からなる単一層コ
ンデンサが積層された構造になりでいる。この場合、単
一層当りの容量８−ＣＯ１絶縁抵抗を几。とすれば、積
層形コンデンサの容量ＣはＣｏのｎ、倍になり、絶縁抵
抗ＲはＨ，ｏＯ） １／ｎになる。ここで磁器組成物の
誘電率をε、真空の誘電率をεい磁器組成物の比抵抗を
ρ、単一層コンデンサの磁器の厚さを６％本なる電極面
積をＳとすれは、単一層コンデンサの０゜は（ε０εＳ
）／ｄとなりＲｏは（ρｄ）／８となる。従ってｎ層か
らなる積層コンデンサの容量０と絶縁抵抗（均の槓ｃｘ
Ｒは（（ρｄ）／（ｎ層））Ｘ（（ｎｇ０ｇ８）／ｄ）
＝ε０ερ となる。Ｔなわちどのような客月、の積層
コンデンサもその容量・抵抗値（ＯＸ几）は、磁器組成
物のεとρの積重こεＯを乗じた一定値（ε０ερ）に
規格化される。容量・抵抗積ＯＸＲが５００μＦ、ＭΩ
丁なわち５００Ｆ・Ω以上というこａは、εｏ＝ ８．
８５５ ＸＩＯ”Ｆ／ｃｍ、Ｊ：す、０ＸＲ＝６゜ｉ
ｐ ＝ ８．８５５ ｘ １０ ” （Ｆ’／ｃＦｎ）
ＸｇＸρ〉５００Ｆ−Ω、よってερ＝≧５．６５ Ｘ
ＩＯＡ／−ｃｍなる・要求がある。
例え、はｇ ＝ １ｏｏｏｏではＩ；Ｊ ５．６５Ｘ１
０”ＪＪ −ｃｖｒｒ。
０”ＪＪ −ｃｖｒｒ。
ε＝３０００ではρ≧１．８８ Ｘ １０”Ω・口、ε
＝５００ではρ、７１．１３ ＸＩＯ”、１７−儂が要
求される。誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁
器組成物であれはどのような大きな容量の１層コンデン
サも容量・抵抗積は５００μＦ−ＭΩそ満足する。もし
εか３０００でρが要求値より１桁低い１．８８ Ｘ［
０１１Ω−ｍ、＝ｖれは’ｏ ｇρ＝５０／、ｊＦ−Ｍ
Ωで５００μＦ、ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の規格値で
ある１０（１００ＭΩ すなわち、１ｏ １００以上を
満−足するに（・１容斂Ｃとして０．００５μＦ以下に
限定されなければならない。それはこの積層コンデンサ
の容量抵抗積（ＯｘＨＪは常に５０μＦ−ＭΩを示し−
Ｃイル０）テ、Ｒが１００００ＭΩノトキ、Ｏハ０．０
０５μＦとなり、０がこれより大きけれは）ｔは１００
００ＭΩより小さくなり、０．００５μＦが規格を満た
す最高の容量となるためである。従って磁器組成物の比
抵抗が低いとその材料の実用性、特に積層形コンデンサ
の特長である小型大容量の特長を生かすことはできない
し、全く意味のないことにもなる。よりて磁器＃１成物
の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つことが実用上
極めて重要なことである。
＝５００ではρ、７１．１３ ＸＩＯ”、１７−儂が要
求される。誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁
器組成物であれはどのような大きな容量の１層コンデン
サも容量・抵抗積は５００μＦ−ＭΩそ満足する。もし
εか３０００でρが要求値より１桁低い１．８８ Ｘ［
０１１Ω−ｍ、＝ｖれは’ｏ ｇρ＝５０／、ｊＦ−Ｍ
Ωで５００μＦ、ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の規格値で
ある１０（１００ＭΩ すなわち、１ｏ １００以上を
満−足するに（・１容斂Ｃとして０．００５μＦ以下に
限定されなければならない。それはこの積層コンデンサ
の容量抵抗積（ＯｘＨＪは常に５０μＦ−ＭΩを示し−
Ｃイル０）テ、Ｒが１００００ＭΩノトキ、Ｏハ０．０
０５μＦとなり、０がこれより大きけれは）ｔは１００
００ＭΩより小さくなり、０．００５μＦが規格を満た
す最高の容量となるためである。従って磁器組成物の比
抵抗が低いとその材料の実用性、特に積層形コンデンサ
の特長である小型大容量の特長を生かすことはできない
し、全く意味のないことにもなる。よりて磁器＃１成物
の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つことが実用上
極めて重要なことである。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いにより、
チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデ
ンサにクラ、りが発生したり、破損したりすることがあ
る。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデン
サの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラック
が入りやすく容易に破損するため、信頼性が低（なる。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器組成物との熱膨張係数の違いにより、
チップコンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデ
ンサにクラ、りが発生したり、破損したりすることがあ
る。またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデン
サの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラ
ックが発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、クラック
が入りやすく容易に破損するため、信頼性が低（なる。
したがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させる
ことは実用上極めて重要なことである。
ことは実用上極めて重要なことである。
、：ＣろでＰｂ（Ｍｇ、Ｗ、）０．−ＰｂＴｉｏ、、系
磁器組成物について既にエヌ、エヌ、クライニクとエイ
、アイ、アグラノフスヵヤ（Ｎ、 Ｎ、Ｋｒａｉ −ｎ
ｉｋ ａｎｄ Ａ、 １． Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ
（Ｆｉ ｚ ｉｋ。
磁器組成物について既にエヌ、エヌ、クライニクとエイ
、アイ、アグラノフスヵヤ（Ｎ、 Ｎ、Ｋｒａｉ −ｎ
ｉｋ ａｎｄ Ａ、 １． Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ
（Ｆｉ ｚ ｉｋ。
Ｔｖｅｒｄｏｇｏ Ｔｅ１ａ、Ｖｏ、ＡＩ、 ｐｐ７０
〜７２、Ｊａｎｖａｒａ１９６０）） より提案があっ
たが、積層形コンデンサ、を作製する際に評価されるべ
き特性の中で誘電率とその温度特性の記載しがなく、そ
の実用性は明らかでなかッ７Ｃ０ま７：（５ｒｘＰｂ１
−ｘＴｉＯ２）ａ（ＰｂＭｇ、ｏ、５Ｗ、、５０． ）
ｂ （ｒ、：たし、ｘ＝０−０．１０゜ａは０．３５
〜０．５、ｂは０．５〜０．６５ であり、そしてａ十
り＝１）について、モノリシックコンデンサおよびその
製造方法として特開昭５２−２１６６２号公報に開示さ
れ、また誘電体粉末組成物として特開昭５２−２１６９
９号公報に開示されている。ここにおいても組成物の特
性として誘電率が約２０００〜８０００、誘ｔｍ失が０
．Ｊｌｒ−５，０％という記載はあるが比抵抗あるいは
容量抵抗積については全く記載がなく実用性は明らかで
なかった。さらにｐｂ（Ｍｇ９ｗ、）ｏ、とＰｂＴｉＯ
３を主とする組成物であって、Ｐｂ（Ｍｇ％ｗ３４）
ｏ、が２０，０〜７０．０モル％、 ＰｂＴ ｉ０３
カ３０．０〜８０．０ モｎｔ％の範囲の組成物に対し
、ＭｇＯ量を計算値の３０％以下添加含有したことを特
徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭５５−１４４６０
９号公報として開示されている。
〜７２、Ｊａｎｖａｒａ１９６０）） より提案があっ
たが、積層形コンデンサ、を作製する際に評価されるべ
き特性の中で誘電率とその温度特性の記載しがなく、そ
の実用性は明らかでなかッ７Ｃ０ま７：（５ｒｘＰｂ１
−ｘＴｉＯ２）ａ（ＰｂＭｇ、ｏ、５Ｗ、、５０． ）
ｂ （ｒ、：たし、ｘ＝０−０．１０゜ａは０．３５
〜０．５、ｂは０．５〜０．６５ であり、そしてａ十
り＝１）について、モノリシックコンデンサおよびその
製造方法として特開昭５２−２１６６２号公報に開示さ
れ、また誘電体粉末組成物として特開昭５２−２１６９
９号公報に開示されている。ここにおいても組成物の特
性として誘電率が約２０００〜８０００、誘ｔｍ失が０
．Ｊｌｒ−５，０％という記載はあるが比抵抗あるいは
容量抵抗積については全く記載がなく実用性は明らかで
なかった。さらにｐｂ（Ｍｇ９ｗ、）ｏ、とＰｂＴｉＯ
３を主とする組成物であって、Ｐｂ（Ｍｇ％ｗ３４）
ｏ、が２０，０〜７０．０モル％、 ＰｂＴ ｉ０３
カ３０．０〜８０．０ モｎｔ％の範囲の組成物に対し
、ＭｇＯ量を計算値の３０％以下添加含有したことを特
徴とする高誘電率磁器組成物が特開昭５５−１４４６０
９号公報として開示されている。
しかしながらこの特許においても誘電率が約２３００〜
７１００で誘電損失が０．３％〜２．１形という記載の
ほかに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あるい
は容量抵抗積に関する記載はなくこの組成物についても
実用性は明らかでない。次に本発明者達は既に９１０℃
〜９５０℃の温度で焼結でき、Ｐ ｂ （Ｍ ｇ 、４
Ｗ、４ ） Ｏｓ とＰｂＴｉ０．糸二成分からなり、
これを（Ｐｂ （Ｍｇ３＝ＨＷ３４）Ｏｎ ） ｘ （
ＰｂＴｉＯｓ ）１１と表わしたときにＸが０．６５＜
ｘ≦１．００の範囲にある組成物を提案している。この
組成物は、誘電率と比抵抗の積が５．６５Ｘ１０”Ω・
儂以上の高い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電気的
特性を有している。しかしながら上記組成物は、いずれ
も機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかった。
７１００で誘電損失が０．３％〜２．１形という記載の
ほかに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あるい
は容量抵抗積に関する記載はなくこの組成物についても
実用性は明らかでない。次に本発明者達は既に９１０℃
〜９５０℃の温度で焼結でき、Ｐ ｂ （Ｍ ｇ 、４
Ｗ、４ ） Ｏｓ とＰｂＴｉ０．糸二成分からなり、
これを（Ｐｂ （Ｍｇ３＝ＨＷ３４）Ｏｎ ） ｘ （
ＰｂＴｉＯｓ ）１１と表わしたときにＸが０．６５＜
ｘ≦１．００の範囲にある組成物を提案している。この
組成物は、誘電率と比抵抗の積が５．６５Ｘ１０”Ω・
儂以上の高い値を持ち、誘電損失の小さい優れた電気的
特性を有している。しかしながら上記組成物は、いずれ
も機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかった。
本発明は以上の点にかんがみ９００〜１０００℃の低温
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
ＸＩＯ１５Ω・（ｍ （Ｔ ｆｌ ワち容１に抵抗積力
５００μＦ−Ｍｇ）以上の高い値を持ち、誘電１損失が
小さい優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大き
い磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ％ＷＨ）０、〕
とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ）からなる二成分組成物を
Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ３３Ｗ、４）Ｏｓ ） ｘ （Ｐ
ｂ Ｔ ｔ Ｏｓ ） Ｉ Ｘと表わしたときにＸが０
．５０４ｘ≦１．００の範囲内にある主成分組成物に副
成分として、マンガン・タンタル酸鉛（Ｐ ｂ （Ｍ
ｎ ３ＡＴ ａ Ｍ ） Ｏｓ ）を主成分に対して０
．０５〜４ｍｏ１％ 添加含有せしめることを特徴とす
るものである。
領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が５．６５
ＸＩＯ１５Ω・（ｍ （Ｔ ｆｌ ワち容１に抵抗積力
５００μＦ−Ｍｇ）以上の高い値を持ち、誘電１損失が
小さい優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大き
い磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネシ
ウム・タングステン酸鉛（Ｐｂ（Ｍｇ％ＷＨ）０、〕
とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ）からなる二成分組成物を
Ｐ ｂ （Ｍ ｇ ３３Ｗ、４）Ｏｓ ） ｘ （Ｐ
ｂ Ｔ ｔ Ｏｓ ） Ｉ Ｘと表わしたときにＸが０
．５０４ｘ≦１．００の範囲内にある主成分組成物に副
成分として、マンガン・タンタル酸鉛（Ｐ ｂ （Ｍ
ｎ ３ＡＴ ａ Ｍ ） Ｏｓ ）を主成分に対して０
．０５〜４ｍｏ１％ 添加含有せしめることを特徴とす
るものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（Ｗ
Ｏｓ）、酸化チタン（Ｔｉｅ、）、酸化タンタル（Ｔａ
、０ＩＩ）、および次酸マンガン（Ｍｎ００ｓ ）ｆ使
用し、表に示した配合比となるように各々秤量する。次
に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合した後７５
０〜８００℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで
粉砕し、口利、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プ
レスし、直径１６箭、厚さ約２ｍの円板４枚と、直径１
６間、厚さ約Ｌｏｗの円柱を作製した。次に空気中９０
０〜１０００℃の温度で１時間焼結した。焼結した円板
４枚の上下面に６００℃で銀電極を焼付け、デジタルＬ
ＯＲメーターで周波数ＩＫＨｚ、電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（Ｗ
Ｏｓ）、酸化チタン（Ｔｉｅ、）、酸化タンタル（Ｔａ
、０ＩＩ）、および次酸マンガン（Ｍｎ００ｓ ）ｆ使
用し、表に示した配合比となるように各々秤量する。次
に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合した後７５
０〜８００℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで
粉砕し、口利、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プ
レスし、直径１６箭、厚さ約２ｍの円板４枚と、直径１
６間、厚さ約Ｌｏｗの円柱を作製した。次に空気中９０
０〜１０００℃の温度で１時間焼結した。焼結した円板
４枚の上下面に６００℃で銀電極を焼付け、デジタルＬ
ＯＲメーターで周波数ＩＫＨｚ、電圧ＩＶｒ、ｍ、ｓ。
温度２０℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率を算出し
た。次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して
絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。機
械的性質を抗折弾度で評価するため、焼結した円柱から
厚さ０．５ ｖａｎ 、幅２ｍ、長さ約１３ｍの矩形板
を１０枚切り中した。支点間距離を９ｍにより、三点法
で破壊荷重Ｐ ｍ （Ｋり〕を測定Ｐｍｌ し１τ＝７７１２〔即／硼〕なる式に従い、抗折強度τ
〔ＫＰ／α〕をめた。ただしｌは支点間距離ｔは試料の
厚み、Ｗは試料の幅である。電気的特性は円板試料４点
の平均値、抗折強度は矩形板試料１０点の平均値よりめ
た。このようにして得られた磁器の主成分（Ｐｂ（Ｍｇ
、Ｗ、）０３）ｘｃｐｂ’ｒｉｏｓ ）ｔｘの配合比Ｘ
および副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘電損失およ
び容量抵抗積（表ではε０ερと表示した）の関係を表
に示請求範囲に含まれない。
た。次に超絶縁抵抗計で５０Ｖの電圧を１分間印加して
絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。機
械的性質を抗折弾度で評価するため、焼結した円柱から
厚さ０．５ ｖａｎ 、幅２ｍ、長さ約１３ｍの矩形板
を１０枚切り中した。支点間距離を９ｍにより、三点法
で破壊荷重Ｐ ｍ （Ｋり〕を測定Ｐｍｌ し１τ＝７７１２〔即／硼〕なる式に従い、抗折強度τ
〔ＫＰ／α〕をめた。ただしｌは支点間距離ｔは試料の
厚み、Ｗは試料の幅である。電気的特性は円板試料４点
の平均値、抗折強度は矩形板試料１０点の平均値よりめ
た。このようにして得られた磁器の主成分（Ｐｂ（Ｍｇ
、Ｗ、）０３）ｘｃｐｂ’ｒｉｏｓ ）ｔｘの配合比Ｘ
および副成分添加量と抗折強度、誘電率、誘電損失およ
び容量抵抗積（表ではε０ερと表示した）の関係を表
に示請求範囲に含まれない。
表に示した結果からも明らかなように副成分として、マ
ンガン・タンタル酸鉛（Ｐ ｂ （Ｍｎ ３（Ｔ ａ％
）０３） を添加含有せしめることにより、抗折強度お
よび容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値を
保った信頼性の高い実用性に冨む優れた高誘電率磁器組
成物が得られることがわかる。こうした優れ１こ特性を
示す本発明の磁器組成物は焼結温度が１０００℃以下の
低温であるため積層コンデンサの内部型、極の低価格化
を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約にもな
るという極めて優れた効果も生じる。
ンガン・タンタル酸鉛（Ｐ ｂ （Ｍｎ ３（Ｔ ａ％
）０３） を添加含有せしめることにより、抗折強度お
よび容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値を
保った信頼性の高い実用性に冨む優れた高誘電率磁器組
成物が得られることがわかる。こうした優れ１こ特性を
示す本発明の磁器組成物は焼結温度が１０００℃以下の
低温であるため積層コンデンサの内部型、極の低価格化
を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約にもな
るという極めて優れた効果も生じる。
なお主成分配合比Ｘが０．５未満では、容量抵抗積が規
格値より小さくなり、誘電損失も５．０％を越える１こ
め実用的でない。また副成分であるＰ ｂ （Ｍ ｎ
、ＡＴ ａ ３Ａ） Ｏｓ の添加量が０．０５ｍｏ／
％未満では抗折強度の改善効果が小さく、４ｍｏ／％
を越えると逆に抗折強度が小さくなり実用的でない。
格値より小さくなり、誘電損失も５．０％を越える１こ
め実用的でない。また副成分であるＰ ｂ （Ｍ ｎ
、ＡＴ ａ ３Ａ） Ｏｓ の添加量が０．０５ｍｏ／
％未満では抗折強度の改善効果が小さく、４ｍｏ／％
を越えると逆に抗折強度が小さくなり実用的でない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛（ＰＩ＞（Ｍｇ。 Ｗに）０３〕とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ ） からな
る二成分組成物’＆ （Ｐｂ（Ｍｇ、４Ｗ３Ａ）Ｏｓ
）ｘ （ＰｂＴｉ０３）１−Ｘと表わしたときにＸが０
．０５≦Ｘ５（１，００の範囲内にある主成分組成物に
副成分としてマンガン・タンタル酸鉛（Ｐｂ （Ｍｎ３
＊ＴａＨ）Ｏｓ ）を主成分に対して０．０５〜４ｍｏ
Ａ！％添加含有せしめることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127221A JPS6021859A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58127221A JPS6021859A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6021859A true JPS6021859A (ja) | 1985-02-04 |
Family
ID=14954717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58127221A Pending JPS6021859A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021859A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125664A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-26 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58127221A patent/JPS6021859A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125664A (ja) * | 1982-01-19 | 1983-07-26 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
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