JPH0143405B2 - - Google Patents
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- JPH0143405B2 JPH0143405B2 JP56145864A JP14586481A JPH0143405B2 JP H0143405 B2 JPH0143405 B2 JP H0143405B2 JP 56145864 A JP56145864 A JP 56145864A JP 14586481 A JP14586481 A JP 14586481A JP H0143405 B2 JPH0143405 B2 JP H0143405B2
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は磁器組成物、特に、1000℃以下の低温
で焼結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも
機械的強度の高い磁器組成物に関するものであ
る。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器組成物が広
く実用化されていることは周知のとおりである。
しかしながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を
主成分とするものは、焼結温度が通常1300〜1400
℃の高温である。このためこれを積層形コンデン
サに利用する場合には内部電極としてこの焼結温
度に耐え得る材料、例えば白金、パラジウムなど
の高価な貴金属を使用しなければならず、製造コ
ストが高くつくという欠点がある。積層形コンデ
ンサを安く作るためには銀、ニツケルなどを主成
分とする安価な金属が内部電極に使用できるよう
な、できるだけ低温、特に1000℃以下で焼結でき
る磁器組成物が必要である。 ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コ
ンデンサを作製するときに磁器組成物の電気的特
性として多くの項目が評価されなければならな
い。一般的に誘電率はできるだけ大きく、誘電損
失はできるだけ小さく、比抵抗はできるだけ大き
く、誘電率の温度変化は小さいことなどが要求さ
れる。 しかしながら、実用上積層形コンデンサにおい
ては誘電率でなく、まず容量、次に容量の温度変
化率、誘電損失などの値が必要とされる。積層形
コンデンサにおいて、容量は磁器組成物の誘電率
に比例するが、しかしその厚みに反比例し、電極
面積、積層数に比例するので、一定の容量を得る
ためには磁器組成物の誘電率が大きいことは必ず
しも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容
された範囲があり、磁器組成物の誘電率の温度変
化率も積層形コンデンサを作製するときの絶対的
な要因でない。 一方誘電損失は用途により一定の値以下でなけ
ればならないという規定があり室温で最大5.0％
以下である。さらに比抵抗に関しては、例えば
EIAJ規格〔日本電子機械工業会の電子機器用積
層磁器コンデンサ（チツプ形）RC−3698B〕に
述べられているごとく、積層コンデンサの絶縁抵
抗として10000MΩ以上または容量抵抗積で
500μF・ＭΩ以上のいずれか小さい方以上と規定
されている。すなわち磁器組成物の誘電率と比抵
抗の積がある絶対値以上なければ、任意の容量、
特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せ
ることができず、その用途が非常に限定され、実
用的な意味がなくなる。この点を詳しく説明する
と次の様になる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１
個の内部電極を構成して一般にｎ個の同じ厚さの
層からなる単一層コンデンサが積層された構造に
なつている。この場合、単一層当りの容量をC0、
絶縁抵抗をR0とすれば、積層形コンデンサの容
量ＣはC0のｎ倍になり、絶縁抵抗ＲはR0の１／
ｎになる。ここで磁器組成物の誘電率をε、真空
の誘電率をε0、磁器組成物の比抵抗をρ、単一層
コンデンサの磁器の厚さをｄ、重なる電極面積を
Ｓとすれば、単一層コンデンサのC0は
（ε0εS）／ｄとなりR0は（ρd）／Ｓとなる。従つ
てｎ層からなる積層コンデンサの容量(C)と絶縁抵
抗（Ｒ）の積Ｃ×Ｒは〔（ρd）／（nS）〕×
〔nε0εS）／ｄ〕＝ε0をρとなる。すなわちどのよ
うな容量の積層コンデンサもその容量・抵抗積
（Ｃ×Ｒ）は、磁器組成物のεとρの積にε0を乗
じた一定値（ε0ερ）に規格化される。容量・抵抗
積Ｃ×Ｒが500μF・ＭΩすなわち500F・Ω以上と
いうことは、ε0＝8.855×10-14F／cmより、Ｃ×
Ｒ＝ε0ερ＝8.855×10-14（Ｆ／cm）×ε×ρ≧
500F・Ω、よつてερ≧5.65×1015Ω・cmなる要求
がある。例えばε＝10000ではρ≧5.65×1011
Ω・cm、ε＝3000ではρ≧1.88×1012Ω・cm、ε
＝500ではρ≧1.13×1013Ω・cmが要求される。
誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁器組
成物であればどのような大きな容量の積層コンデ
ンサも容量・抵抗積は500μF・ＭΩを満足する。
もしεが3000でρが要求値より１桁低い1.88×
1011Ω・cmとすればε0ερ＝50μF・ＭΩで500μF・
ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の規格値である
10000MΩすなわち、1010Ω以上を満足するには
容量Ｃとして0.005μF以下に限定されなければな
らない。それはこの積層コンデンサの容量・抵抗
積（Ｃ×Ｒ）は常に50μF・ＭΩを示しているの
で、Ｒが10000MΩのとき、Ｃは0.005μFとなり、
Ｃがこれより大きければＲは10000MΩより小さ
くなり、0.005μFが規格を満たす最高の容量とな
るためである。従つて磁器組成物の比抵抗が低い
とその材料の実用性、特に積層形コンデンサの特
長である小型大容量の特長を生かすことはできな
いし、全く意味のないことにもなる。よつて磁器
組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つ
ことが高用上極めて重要なことである。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器組成物との熱膨
張係数の違いにより、チツプコンデンサに機械的
な歪が加わり、チツプコンデンサにクラツクが発
生したり、破損したりすることがある。またエポ
キシ系樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラ
ツクが発生する場合がある。いずれの場合もコン
デンサを形成している磁器の機械的強度が低いほ
ど、クラツクが入りやすく容易に破損するため、
信頼性が低くなる。したがつて、磁器の機械的強
度をできるだけ増大させることは実用上極めて重
要なことである。 ところでPb（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3系磁器組
成物については既にエヌ．エヌ．クライニクとエ
イ．アイ．アグラノフスカヤ〔N.N.Krainik
andA.I.Agranovskaya（Fiziko Tverdogo Tela、
Vo.2、No.１、pp70〜72、Janvara 1960）〕より提
案があつたが、積層形コンデンサを作製する際に
評価されるべき特性の中で誘電率とその温度特性
の記載しかなく、その実用性は明らかでなかつ
た。また（SrxPb1-xTiO3）ａ（PbMg0.5W0.5O3）
ｂ〔ただし、ｘ＝０〜0.10、ａは0.35〜0.5、ｂは
0.5〜0.65であり、そしてａ＋ｂ＝１〕について、
モノリシツクコンデンサおよびその製造方法とし
て特開昭52−21662号公報に開示され、また誘電
体粉末組成物として特開昭52−21699号公報に開
示されている。ここにおいても組成物の特性とし
て誘電率が約2000〜8000誘電損失が0.5％〜5.0％
という記載はあるが比抵抗あるいは容量抵抗積に
ついては全く記載がなく実用性は明らかでなかつ
た。さらにPb（Mg1/2W1/2）O3とPbTiO3を主とす
る組成物であつて、Pb（Mg1/2W1/2）O3が20.0〜
70.0モル％、PbTiO3が30.0〜80.0モル％の範囲の
組成物に対し、MgO量を計算値の30％以下添加
含有したことを特徴とする高誘電率磁器組成物が
特開昭55−144609号公報として開示されている。
しかしながらこの特許においても誘電率が約2300
〜7100で誘電損失が0.3％〜2.1％という記載のほ
かに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あ
るいは容量抵抗積に関する記載はなくこの組成物
についても実用性は明らかでない。次に本発明質
者達は既に910℃〜950℃の温度で焼結でき、Pb
（Mg1/2W1/2）O3とPbTiO3系二成分からなり、こ
れを〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕ｘ〔PbTiO3〕1-xと表
わしたときにｘが0.65＜ｘ≦1.00の範囲にある組
成物を提案している。この組成物は、誘電率と比
抵抗の積が5.65×1015Ω・cm以上の高い値を持
ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有して
いる。しかしながら上記組成物は、いずれも機械
的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ900〜1000℃の低
温領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が
5.65×1015Ω・cm（すなわち容量抵抗積が
500μF・ＭΩ）以上の高い値を持ち、誘電損失が
小さい優れた電気的特性を有し、更に機械的強度
も大きい磁器組成物を提供しようとするものであ
り、マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb
（Mg1/2W1/2）O3〕とチタン酸鉛〔PbTiO3〕から
なる二成分組成物をPb〔Mg1/2W1/2）O3〕ｘ
〔PbTiO3〕1-xと表わしたときにｘが0.50≦ｘ≦
1.00の範囲内にある主成分組成物に副成分とし
て、ニオブ（Nb）、タンタル（Ta）およびアン
チモン（Sb）の中から少なくとも一種以上を選
びその元素を主成分に対して0.02〜１原子％添加
含有せしめることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化ニオ
ブ（Nb2O5）、酸化タンタル（Ta2O5）および酸
化アンチモン（Sb2O3）を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後750〜800℃
で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、口別、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後
プレスし、直径16mm、厚さ約２mmの円板４枚と、
直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次に空
気中900〜1000℃の温度で１時間焼結した。焼結
した円板４枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、
デジタルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.
m.s、温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を
１分間印加して絶縁抵抗を温度20℃で測定し、比
抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価す
るため、焼結した円柱から厚さ0.5mm、幅２mm、
長さ約13mmの矩形板を10枚切り出した。支点間距
離を９mmにより、三点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を
測定し、τ＝3Pml／2wt2〔Kg／cm2〕なる式に従い、抗 折強度τ〔Kg／cm2〕を求めた。ただしｌは支点間
距離、ｔは試料の厚み、ｗは試料の幅である。電
気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度は矩
形板試料10点の平均値より求めた。このようにし
て得られた磁器の主成分〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕
ｘ〔PbTiO3〕1-xの配合比ｘおよび副成分添加量と
抗折強度、誘電率、誘電損失および容量抵抗積
（表ではε0ερと表示した）の関係を表に示す。
で焼結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、しかも
機械的強度の高い磁器組成物に関するものであ
る。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器組成物が広
く実用化されていることは周知のとおりである。
しかしながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を
主成分とするものは、焼結温度が通常1300〜1400
℃の高温である。このためこれを積層形コンデン
サに利用する場合には内部電極としてこの焼結温
度に耐え得る材料、例えば白金、パラジウムなど
の高価な貴金属を使用しなければならず、製造コ
ストが高くつくという欠点がある。積層形コンデ
ンサを安く作るためには銀、ニツケルなどを主成
分とする安価な金属が内部電極に使用できるよう
な、できるだけ低温、特に1000℃以下で焼結でき
る磁器組成物が必要である。 ところで磁器組成物を用い、実用的な積層形コ
ンデンサを作製するときに磁器組成物の電気的特
性として多くの項目が評価されなければならな
い。一般的に誘電率はできるだけ大きく、誘電損
失はできるだけ小さく、比抵抗はできるだけ大き
く、誘電率の温度変化は小さいことなどが要求さ
れる。 しかしながら、実用上積層形コンデンサにおい
ては誘電率でなく、まず容量、次に容量の温度変
化率、誘電損失などの値が必要とされる。積層形
コンデンサにおいて、容量は磁器組成物の誘電率
に比例するが、しかしその厚みに反比例し、電極
面積、積層数に比例するので、一定の容量を得る
ためには磁器組成物の誘電率が大きいことは必ず
しも絶対的な要因でない。さらに容量の温度変化
率（誘電率の温度変化率）は用途により種々許容
された範囲があり、磁器組成物の誘電率の温度変
化率も積層形コンデンサを作製するときの絶対的
な要因でない。 一方誘電損失は用途により一定の値以下でなけ
ればならないという規定があり室温で最大5.0％
以下である。さらに比抵抗に関しては、例えば
EIAJ規格〔日本電子機械工業会の電子機器用積
層磁器コンデンサ（チツプ形）RC−3698B〕に
述べられているごとく、積層コンデンサの絶縁抵
抗として10000MΩ以上または容量抵抗積で
500μF・ＭΩ以上のいずれか小さい方以上と規定
されている。すなわち磁器組成物の誘電率と比抵
抗の積がある絶対値以上なければ、任意の容量、
特に大きな容量のコンデンサを実用的規格に合せ
ることができず、その用途が非常に限定され、実
用的な意味がなくなる。この点を詳しく説明する
と次の様になる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１
個の内部電極を構成して一般にｎ個の同じ厚さの
層からなる単一層コンデンサが積層された構造に
なつている。この場合、単一層当りの容量をC0、
絶縁抵抗をR0とすれば、積層形コンデンサの容
量ＣはC0のｎ倍になり、絶縁抵抗ＲはR0の１／
ｎになる。ここで磁器組成物の誘電率をε、真空
の誘電率をε0、磁器組成物の比抵抗をρ、単一層
コンデンサの磁器の厚さをｄ、重なる電極面積を
Ｓとすれば、単一層コンデンサのC0は
（ε0εS）／ｄとなりR0は（ρd）／Ｓとなる。従つ
てｎ層からなる積層コンデンサの容量(C)と絶縁抵
抗（Ｒ）の積Ｃ×Ｒは〔（ρd）／（nS）〕×
〔nε0εS）／ｄ〕＝ε0をρとなる。すなわちどのよ
うな容量の積層コンデンサもその容量・抵抗積
（Ｃ×Ｒ）は、磁器組成物のεとρの積にε0を乗
じた一定値（ε0ερ）に規格化される。容量・抵抗
積Ｃ×Ｒが500μF・ＭΩすなわち500F・Ω以上と
いうことは、ε0＝8.855×10-14F／cmより、Ｃ×
Ｒ＝ε0ερ＝8.855×10-14（Ｆ／cm）×ε×ρ≧
500F・Ω、よつてερ≧5.65×1015Ω・cmなる要求
がある。例えばε＝10000ではρ≧5.65×1011
Ω・cm、ε＝3000ではρ≧1.88×1012Ω・cm、ε
＝500ではρ≧1.13×1013Ω・cmが要求される。
誘電率に応じてこれらの値以上のρを持つ磁器組
成物であればどのような大きな容量の積層コンデ
ンサも容量・抵抗積は500μF・ＭΩを満足する。
もしεが3000でρが要求値より１桁低い1.88×
1011Ω・cmとすればε0ερ＝50μF・ＭΩで500μF・
ＭΩは満足せず、絶縁抵抗の規格値である
10000MΩすなわち、1010Ω以上を満足するには
容量Ｃとして0.005μF以下に限定されなければな
らない。それはこの積層コンデンサの容量・抵抗
積（Ｃ×Ｒ）は常に50μF・ＭΩを示しているの
で、Ｒが10000MΩのとき、Ｃは0.005μFとなり、
Ｃがこれより大きければＲは10000MΩより小さ
くなり、0.005μFが規格を満たす最高の容量とな
るためである。従つて磁器組成物の比抵抗が低い
とその材料の実用性、特に積層形コンデンサの特
長である小型大容量の特長を生かすことはできな
いし、全く意味のないことにもなる。よつて磁器
組成物の誘電率と比抵抗の積がある値以上を持つ
ことが高用上極めて重要なことである。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器組成物との熱膨
張係数の違いにより、チツプコンデンサに機械的
な歪が加わり、チツプコンデンサにクラツクが発
生したり、破損したりすることがある。またエポ
キシ系樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラ
ツクが発生する場合がある。いずれの場合もコン
デンサを形成している磁器の機械的強度が低いほ
ど、クラツクが入りやすく容易に破損するため、
信頼性が低くなる。したがつて、磁器の機械的強
度をできるだけ増大させることは実用上極めて重
要なことである。 ところでPb（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3系磁器組
成物については既にエヌ．エヌ．クライニクとエ
イ．アイ．アグラノフスカヤ〔N.N.Krainik
andA.I.Agranovskaya（Fiziko Tverdogo Tela、
Vo.2、No.１、pp70〜72、Janvara 1960）〕より提
案があつたが、積層形コンデンサを作製する際に
評価されるべき特性の中で誘電率とその温度特性
の記載しかなく、その実用性は明らかでなかつ
た。また（SrxPb1-xTiO3）ａ（PbMg0.5W0.5O3）
ｂ〔ただし、ｘ＝０〜0.10、ａは0.35〜0.5、ｂは
0.5〜0.65であり、そしてａ＋ｂ＝１〕について、
モノリシツクコンデンサおよびその製造方法とし
て特開昭52−21662号公報に開示され、また誘電
体粉末組成物として特開昭52−21699号公報に開
示されている。ここにおいても組成物の特性とし
て誘電率が約2000〜8000誘電損失が0.5％〜5.0％
という記載はあるが比抵抗あるいは容量抵抗積に
ついては全く記載がなく実用性は明らかでなかつ
た。さらにPb（Mg1/2W1/2）O3とPbTiO3を主とす
る組成物であつて、Pb（Mg1/2W1/2）O3が20.0〜
70.0モル％、PbTiO3が30.0〜80.0モル％の範囲の
組成物に対し、MgO量を計算値の30％以下添加
含有したことを特徴とする高誘電率磁器組成物が
特開昭55−144609号公報として開示されている。
しかしながらこの特許においても誘電率が約2300
〜7100で誘電損失が0.3％〜2.1％という記載のほ
かに誘電率の温度特性の記載はあるが、比抵抗あ
るいは容量抵抗積に関する記載はなくこの組成物
についても実用性は明らかでない。次に本発明質
者達は既に910℃〜950℃の温度で焼結でき、Pb
（Mg1/2W1/2）O3とPbTiO3系二成分からなり、こ
れを〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕ｘ〔PbTiO3〕1-xと表
わしたときにｘが0.65＜ｘ≦1.00の範囲にある組
成物を提案している。この組成物は、誘電率と比
抵抗の積が5.65×1015Ω・cm以上の高い値を持
ち、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有して
いる。しかしながら上記組成物は、いずれも機械
的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ900〜1000℃の低
温領域で焼結でき、かつ誘電率と比抵抗の積が
5.65×1015Ω・cm（すなわち容量抵抗積が
500μF・ＭΩ）以上の高い値を持ち、誘電損失が
小さい優れた電気的特性を有し、更に機械的強度
も大きい磁器組成物を提供しようとするものであ
り、マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb
（Mg1/2W1/2）O3〕とチタン酸鉛〔PbTiO3〕から
なる二成分組成物をPb〔Mg1/2W1/2）O3〕ｘ
〔PbTiO3〕1-xと表わしたときにｘが0.50≦ｘ≦
1.00の範囲内にある主成分組成物に副成分とし
て、ニオブ（Nb）、タンタル（Ta）およびアン
チモン（Sb）の中から少なくとも一種以上を選
びその元素を主成分に対して0.02〜１原子％添加
含有せしめることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化ニオ
ブ（Nb2O5）、酸化タンタル（Ta2O5）および酸
化アンチモン（Sb2O3）を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後750〜800℃
で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、口別、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後
プレスし、直径16mm、厚さ約２mmの円板４枚と、
直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次に空
気中900〜1000℃の温度で１時間焼結した。焼結
した円板４枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、
デジタルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.
m.s、温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を
１分間印加して絶縁抵抗を温度20℃で測定し、比
抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価す
るため、焼結した円柱から厚さ0.5mm、幅２mm、
長さ約13mmの矩形板を10枚切り出した。支点間距
離を９mmにより、三点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を
測定し、τ＝3Pml／2wt2〔Kg／cm2〕なる式に従い、抗 折強度τ〔Kg／cm2〕を求めた。ただしｌは支点間
距離、ｔは試料の厚み、ｗは試料の幅である。電
気的特性は円板試料４点の平均値、抗折強度は矩
形板試料10点の平均値より求めた。このようにし
て得られた磁器の主成分〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕
ｘ〔PbTiO3〕1-xの配合比ｘおよび副成分添加量と
抗折強度、誘電率、誘電損失および容量抵抗積
（表ではε0ερと表示した）の関係を表に示す。
【表】
【表】
【表】
表に示した結果からも明らかなように副成分と
して、Nb、Ta、Sbの中から少なくとも一種以上
を添加含有せしめることにより、抗折強度および
容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値
を保つた信頼性の高い実用性に富む優れた高誘電
率磁器組成物が得られることがわかる。こうした
優れた特性を示す本発明の磁器組成物は焼結温度
が1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの
内部電極の低価格化を実現できると共に、省エネ
ルギーや炉材の節約にもなるという極めて優れた
効果も生じる。 なお主成分配合比ｘが0.5未満では、容量抵抗
積が規格値より小さくなり、誘電損失も5.0％を
超えるため実用的でない。また副成分であNb、
Ta、Sbはそのうち１種以上の元素の添加量が
0.02原子％未満では抗折強度の改善効果が小さ
く、１原子％を超えると逆に抗折強度が小さくな
るため実用的でない。
して、Nb、Ta、Sbの中から少なくとも一種以上
を添加含有せしめることにより、抗折強度および
容量抵抗積を共に高め、しかも低い誘電損失の値
を保つた信頼性の高い実用性に富む優れた高誘電
率磁器組成物が得られることがわかる。こうした
優れた特性を示す本発明の磁器組成物は焼結温度
が1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの
内部電極の低価格化を実現できると共に、省エネ
ルギーや炉材の節約にもなるという極めて優れた
効果も生じる。 なお主成分配合比ｘが0.5未満では、容量抵抗
積が規格値より小さくなり、誘電損失も5.0％を
超えるため実用的でない。また副成分であNb、
Ta、Sbはそのうち１種以上の元素の添加量が
0.02原子％未満では抗折強度の改善効果が小さ
く、１原子％を超えると逆に抗折強度が小さくな
るため実用的でない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb
（Mg1/2W1/2）O3〕とチタン酸鉛〔PbTiO3〕から
なる二成分組成物を〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕ｘ
〔PbTiO3〕1-xと表わしたときにｘが0.50≦ｘ≦
1.00の範囲内にある主成分組成物に副成分として
ニオブ（Nb）、タンタル（Ta）およびアンチモ
ン（Sb）の中から少なくとも一種以上を選び、
その元素を主成分に対して0.02〜１原子％添加含
有せしめることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145864A JPS5866205A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56145864A JPS5866205A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866205A JPS5866205A (ja) | 1983-04-20 |
| JPH0143405B2 true JPH0143405B2 (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=15394821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145864A Granted JPS5866205A (ja) | 1981-09-16 | 1981-09-16 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866205A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111011A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-27 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
| JPS55117809A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-10 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
-
1981
- 1981-09-16 JP JP56145864A patent/JPS5866205A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111011A (en) * | 1979-02-19 | 1980-08-27 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
| JPS55117809A (en) * | 1979-03-02 | 1980-09-10 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric porcelain composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5866205A (ja) | 1983-04-20 |
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