JPH0247423B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0247423B2 JPH0247423B2 JP56157319A JP15731981A JPH0247423B2 JP H0247423 B2 JPH0247423 B2 JP H0247423B2 JP 56157319 A JP56157319 A JP 56157319A JP 15731981 A JP15731981 A JP 15731981A JP H0247423 B2 JPH0247423 B2 JP H0247423B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- pbtio
- capacitance
- composition
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 24
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 14
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 10
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温
で焼結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、誘電率
の温度変化率の優れた磁器組成物に関するもので
ある。
で焼結でき、誘電率と比抵抗の積が高く、誘電率
の温度変化率の優れた磁器組成物に関するもので
ある。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかし
ながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分
とするものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高
温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐
え得る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価
な貴金属を使用しなければならず、製造コストが
高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためには、銀、ニツケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁
器が必要である。
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用
化されていることは周知のとおりである。しかし
ながら、チタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分
とするものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高
温である。このためこれを積層形コンデンサに利
用する場合には内部電極としてこの焼結温度に耐
え得る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価
な貴金属を使用しなければならず、製造コストが
高くつくという欠点がある。積層形コンデンサを
安く作るためには、銀、ニツケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁
器が必要である。
また磁器組成物を用い、実用的な積層形コンデ
ンサを作成するときに磁器組成物の電気的特性と
しては、誘電率、誘電率の温度変化率、誘電損
失、比抵抗という項目が評価されなければならな
い。誘電率は高く、その温度変化は小さいことが
望まれている。誘電損失は用途により、ある値以
上の限定はあるが室温で最大5.0％である。比抵
抗に関しては、例えばEIAJ規格（日本電子機械
工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チツプ
形）RC−3698B）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として10000MΩ以上ま
たは容量・抵抗積で500μF・MΩ以上のいずれか
小さい方以上と規定されている。
ンサを作成するときに磁器組成物の電気的特性と
しては、誘電率、誘電率の温度変化率、誘電損
失、比抵抗という項目が評価されなければならな
い。誘電率は高く、その温度変化は小さいことが
望まれている。誘電損失は用途により、ある値以
上の限定はあるが室温で最大5.0％である。比抵
抗に関しては、例えばEIAJ規格（日本電子機械
工業会の電子機器用積層磁器コンデンサ（チツプ
形）RC−3698B）に述べられているごとく、積
層コンデンサの絶縁抵抗として10000MΩ以上ま
たは容量・抵抗積で500μF・MΩ以上のいずれか
小さい方以上と規定されている。
すなわち磁器組成物の誘電率と比抵抗の積があ
る絶対値以上なければ、任意の容量、特に大きな
容量のコンデンサを実用的規格に合せることがで
きず、その用途が非常に限定され、実用的な意味
がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様に
なる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電
極を構成して一般にｎ個の同り厚さの層からなる
単一層コンデンサが積層された構造になつてい
る。この場合、単一層当りの容量をCo、絶縁抵
抗をRoとすれば、積層形コンデンサの容量Ｃは
Coのｎ倍になり、絶縁抵抗ＲはRoの１／ｎになる。
る絶対値以上なければ、任意の容量、特に大きな
容量のコンデンサを実用的規格に合せることがで
きず、その用途が非常に限定され、実用的な意味
がなくなる。この点を詳しく説明すると次の様に
なる。積層形コンデンサでは、ｎ＋１個の内部電
極を構成して一般にｎ個の同り厚さの層からなる
単一層コンデンサが積層された構造になつてい
る。この場合、単一層当りの容量をCo、絶縁抵
抗をRoとすれば、積層形コンデンサの容量Ｃは
Coのｎ倍になり、絶縁抵抗ＲはRoの１／ｎになる。
ここで磁器組成物の誘電率をε、真空の誘電率を
εp、磁器組成分の比抵抗を、単一層コンデンサ
の磁器の厚さをｄ、重なる電極面積をＳとすれ
ば、単一層コンデンサのCoは（εpεS）／ｄとな
り、Roは（d）／Ｓとなる。従つてｎ層からな
る積層コンデンサの容量Ｃと絶縁抵抗Ｒの積Ｃ×
Ｒは〔（d）／（nS）〕×〔（nεpεs）／ｄ〕＝εp
εと
なる。すなわちどのような容量の積層コンデンサ
もその容量・抵抗積Ｃ×Ｒは、磁器組成物のεと
の積にεpを乗じた一定値（εpε）に規格化され
る。容量・抵抗積Ｃ×Ｒが500μF・MΩすなわち
500F・Ω以上ということは、εp＝8.855×
10-14F／cmより、Ｃ×Ｒ＝εpε＝8.855×10-14
（Ｆ／cm）×ε×≧500F・Ω、よつてεf≧5.65×
1015Ω・cmなる要求がある。例えばε＝10000で
は≧5.65×1011Ω・cm、ε＝3000では≧1.88
×1012Ω・cm、（ε＝500では≧1.13×1013Ω・
cm）が要求される。誘電率に応じてこれらの値以
上のを持つ磁器組成物であればどのような大き
な容量の積層コンデンサも容量・抵抗積は
500μF・MΩを満足する。もしεが3000でが要
求値より１桁低い1.88×1011Ω・cmとすればεpε
＝50μF・MΩで500μF・MΩは満足せず、絶縁抵
抗として10000MΩすなわち、1010Ω以上を満足す
るには容量Ｃとして0.005μF以下に限定されなけ
ればならない。それはこの積層コンデンサの容
量・抵抗積（Ｃ×Ｒ）は常に50μF・MΩを示して
いるので、Ｒが10000MΩのとき、Ｃは0.005μFと
なり、Ｃがこれより大きければＲは10000MΩよ
り小さくなり、0.005μFが規格を満たす最高の容
量となるためである。従つて磁器組成物の比抵抗
が低いとその材料の実用性、特に積層形コンデン
サの特長である小型、大容量の特長を生かすこと
はできないし、全く意味のないことにもなる。よ
つて磁器組成物の誘電率と比抵抗の積が上に述べ
た規格値（εpε＝500μF・MΩ）以上、製造上の
ばらつきを考えると、少なくとも２倍（εpε＝
1000μF・MΩ）、さらに望ましくは３倍（εpε＝
1500μF・MΩ）以上の値を持つことが実用上極め
て重要なことである。
εp、磁器組成分の比抵抗を、単一層コンデンサ
の磁器の厚さをｄ、重なる電極面積をＳとすれ
ば、単一層コンデンサのCoは（εpεS）／ｄとな
り、Roは（d）／Ｓとなる。従つてｎ層からな
る積層コンデンサの容量Ｃと絶縁抵抗Ｒの積Ｃ×
Ｒは〔（d）／（nS）〕×〔（nεpεs）／ｄ〕＝εp
εと
なる。すなわちどのような容量の積層コンデンサ
もその容量・抵抗積Ｃ×Ｒは、磁器組成物のεと
の積にεpを乗じた一定値（εpε）に規格化され
る。容量・抵抗積Ｃ×Ｒが500μF・MΩすなわち
500F・Ω以上ということは、εp＝8.855×
10-14F／cmより、Ｃ×Ｒ＝εpε＝8.855×10-14
（Ｆ／cm）×ε×≧500F・Ω、よつてεf≧5.65×
1015Ω・cmなる要求がある。例えばε＝10000で
は≧5.65×1011Ω・cm、ε＝3000では≧1.88
×1012Ω・cm、（ε＝500では≧1.13×1013Ω・
cm）が要求される。誘電率に応じてこれらの値以
上のを持つ磁器組成物であればどのような大き
な容量の積層コンデンサも容量・抵抗積は
500μF・MΩを満足する。もしεが3000でが要
求値より１桁低い1.88×1011Ω・cmとすればεpε
＝50μF・MΩで500μF・MΩは満足せず、絶縁抵
抗として10000MΩすなわち、1010Ω以上を満足す
るには容量Ｃとして0.005μF以下に限定されなけ
ればならない。それはこの積層コンデンサの容
量・抵抗積（Ｃ×Ｒ）は常に50μF・MΩを示して
いるので、Ｒが10000MΩのとき、Ｃは0.005μFと
なり、Ｃがこれより大きければＲは10000MΩよ
り小さくなり、0.005μFが規格を満たす最高の容
量となるためである。従つて磁器組成物の比抵抗
が低いとその材料の実用性、特に積層形コンデン
サの特長である小型、大容量の特長を生かすこと
はできないし、全く意味のないことにもなる。よ
つて磁器組成物の誘電率と比抵抗の積が上に述べ
た規格値（εpε＝500μF・MΩ）以上、製造上の
ばらつきを考えると、少なくとも２倍（εpε＝
1000μF・MΩ）、さらに望ましくは３倍（εpε＝
1500μF・MΩ）以上の値を持つことが実用上極め
て重要なことである。
ところでPb（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3系磁器組
成物については既にエヌ．エヌ．クライニクとエ
イ．アイ．アグラノフスカヤ〔N.N.Krainik
and A.I.Agranovskaya（Fiziko Tverdogo
Tela，Vo.2，No.１，PP70〜72，Januara 1960）〕
より提案があつたが誘電率とその温度変化に関す
る記載のみであつた。また（SrxPb1-xTiO3）ａ
（PbMg0.5W0.5O3）ｂ〔ただし、ｘ＝０〜0.10、ａ
は0.35〜0.5、ｂは0.5〜0.65であり、そしてａ＋
ｂ＝１〕について、モノリシツクコンデンサおよ
びその製造方法として特開昭52−21662号公報に
開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭52
−21699号公報に開示されている。しかしながら
いずれも比抵抗に関する開示は全くされておら
ず、これらの磁器組成物の実用性は明らかでなか
つた。また、本発明者達は既に910℃〜950℃の温
度で焼結でき、Pb（Mg1/2W1/2）O3とPbTiO3系二
成分からなり、これを〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕ｘ
〔PbTiO3〕1-xと表わした時にｘが0.65＜ｘ≦1.00
の範囲にある磁器組成物を提案している。この磁
器組成物は、誘電率と比抵抗の積が5.65×
1015Ω・cm以上の高い値を持ち、誘電損失の小さ
い優れた電気的特性を有している。
成物については既にエヌ．エヌ．クライニクとエ
イ．アイ．アグラノフスカヤ〔N.N.Krainik
and A.I.Agranovskaya（Fiziko Tverdogo
Tela，Vo.2，No.１，PP70〜72，Januara 1960）〕
より提案があつたが誘電率とその温度変化に関す
る記載のみであつた。また（SrxPb1-xTiO3）ａ
（PbMg0.5W0.5O3）ｂ〔ただし、ｘ＝０〜0.10、ａ
は0.35〜0.5、ｂは0.5〜0.65であり、そしてａ＋
ｂ＝１〕について、モノリシツクコンデンサおよ
びその製造方法として特開昭52−21662号公報に
開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭52
−21699号公報に開示されている。しかしながら
いずれも比抵抗に関する開示は全くされておら
ず、これらの磁器組成物の実用性は明らかでなか
つた。また、本発明者達は既に910℃〜950℃の温
度で焼結でき、Pb（Mg1/2W1/2）O3とPbTiO3系二
成分からなり、これを〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕ｘ
〔PbTiO3〕1-xと表わした時にｘが0.65＜ｘ≦1.00
の範囲にある磁器組成物を提案している。この磁
器組成物は、誘電率と比抵抗の積が5.65×
1015Ω・cm以上の高い値を持ち、誘電損失の小さ
い優れた電気的特性を有している。
しかしながら、このPb（Mg1/2W1/2）O3−
PbTiO32成分系では、誘電率の温度変化率の小
さい組成範囲では、キユリー点が低温側に大きく
ずれ、室温付近での誘電率は小さくなり、室温付
近で誘電率の高い組成範囲では、温度変化率が大
きくなつてしまい、実用範囲で、誘電率が高く、
しかも温度特性に優れた磁器組成物を得ることは
できなかつた。
PbTiO32成分系では、誘電率の温度変化率の小
さい組成範囲では、キユリー点が低温側に大きく
ずれ、室温付近での誘電率は小さくなり、室温付
近で誘電率の高い組成範囲では、温度変化率が大
きくなつてしまい、実用範囲で、誘電率が高く、
しかも温度特性に優れた磁器組成物を得ることは
できなかつた。
またPb（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3系を含む三成
分系については、特開昭55−111011においてPb
（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/2Nb1/2）O3
系が、特開昭55−117809において、Pb（Mg1/2
W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/2Ta1/2）O3系が、
それぞれ開示されている。しかしながらいずれも
比抵抗に関する開示は全くされておらず、これら
の磁器組成物の実用性は明らかでなく、またPb
（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/2Ta1/2）O3
系（特開昭55−117809）の焼結温度は、1000〜
1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等を主成
分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であつた。さらに特開昭56−48004におい
て、PbZrO3−Pb（Mg1/2Nb1/2）O3−Pb（Mg1/2
W1/2）O3系が開示されているが、焼結温度が
1000〜1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等
を主成分とする安価な金属を内部電極として使用
するのは困難であつた。
分系については、特開昭55−111011においてPb
（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/2Nb1/2）O3
系が、特開昭55−117809において、Pb（Mg1/2
W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/2Ta1/2）O3系が、
それぞれ開示されている。しかしながらいずれも
比抵抗に関する開示は全くされておらず、これら
の磁器組成物の実用性は明らかでなく、またPb
（Mg1/2W1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/2Ta1/2）O3
系（特開昭55−117809）の焼結温度は、1000〜
1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等を主成
分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であつた。さらに特開昭56−48004におい
て、PbZrO3−Pb（Mg1/2Nb1/2）O3−Pb（Mg1/2
W1/2）O3系が開示されているが、焼結温度が
1000〜1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等
を主成分とする安価な金属を内部電極として使用
するのは困難であつた。
本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の
低温領域で焼結でき、かつ誘電率（ε）と比抵抗
（ｆ）の積に真空の誘電率（εp）を乗じた値（εεp
ｆ）が規格値の３倍（1500μF・MΩ）以上の高い
値を持ち、誘電損失が小さく、誘電率が高く、そ
の温度変化率が−30℃〜85℃の温度範囲で±20％
以内と優れた磁器組成物を提供しようとするもの
であり、マグネシウム・タングステン酸鉛Pb
（Mg1/2W1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およ
びジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からなる三成分組成
物からなり、この組成物〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕
ｘ〔PbTiO3〕ｙ〔PbZrO3〕ｚと表わしたときに
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）、三元図における点 （ｘ＝0.585、ｙ＝0.065、ｚ＝0.35） （ｘ＝0.7425、ｙ＝0.2475、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.6435、ｙ＝0.3465、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495、ｙ＝0.405、ｚ＝0.10） （ｘ＝0.3375、ｙ＝0.1125、ｚ＝0.55） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
あることを特徴とするものである。
低温領域で焼結でき、かつ誘電率（ε）と比抵抗
（ｆ）の積に真空の誘電率（εp）を乗じた値（εεp
ｆ）が規格値の３倍（1500μF・MΩ）以上の高い
値を持ち、誘電損失が小さく、誘電率が高く、そ
の温度変化率が−30℃〜85℃の温度範囲で±20％
以内と優れた磁器組成物を提供しようとするもの
であり、マグネシウム・タングステン酸鉛Pb
（Mg1/2W1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およ
びジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からなる三成分組成
物からなり、この組成物〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕
ｘ〔PbTiO3〕ｙ〔PbZrO3〕ｚと表わしたときに
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）、三元図における点 （ｘ＝0.585、ｙ＝0.065、ｚ＝0.35） （ｘ＝0.7425、ｙ＝0.2475、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.6435、ｙ＝0.3465、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495、ｙ＝0.405、ｚ＝0.10） （ｘ＝0.3375、ｙ＝0.1125、ｚ＝0.55） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
あることを特徴とするものである。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）および酸化
ジルコニウム（ZrO2）を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）および酸化
ジルコニウム（ZrO2）を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。
次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボ
ールミルで粉砕し、口別、乾燥後、有機バインダ
ーを入れ、整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約２
mmの円板を４枚作成した。次に空気中において
900〜1000℃の温度で１時間焼結した。焼結した
円板の上下面に銀電極を600℃で焼付け、デジタ
ルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr-n
した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボ
ールミルで粉砕し、口別、乾燥後、有機バインダ
ーを入れ、整粒後プレスし、直径16mm、厚さ約２
mmの円板を４枚作成した。次に空気中において
900〜1000℃の温度で１時間焼結した。焼結した
円板の上下面に銀電極を600℃で焼付け、デジタ
ルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr-n
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb
（Mg1/2W1/2）O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およ
びジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からなる三成分組成
物であり、この組成物を〔Pb（Mg1/2W1/2）O3〕
ｘ〔PbTiO3〕ｙ〔PbZrO3〕ｚと表わしたときに
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）、三元図における点 （ｘ＝0.585、ｙ＝0.065、ｚ＝0.35） （ｘ＝0.7425、ｙ＝0.2475、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.6435、ｙ＝0.3465、ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495、ｙ＝0.405、ｚ＝0.10） （ｘ＝0.3375、ｙ＝0.1125、ｚ＝0.55） を結ぶ線上、およびこの５点に囲まれる組成範囲
にあることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157319A JPS5860671A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157319A JPS5860671A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860671A JPS5860671A (ja) | 1983-04-11 |
| JPH0247423B2 true JPH0247423B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=15647088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56157319A Granted JPS5860671A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860671A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2919360B2 (ja) * | 1996-06-17 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP56157319A patent/JPS5860671A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5860671A (ja) | 1983-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6227026B2 (ja) | ||
| JPS6234707B2 (ja) | ||
| JPH0247423B2 (ja) | ||
| JPH05190376A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JP2821768B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6227029B2 (ja) | ||
| JPS6117087B2 (ja) | ||
| JPH0566332B2 (ja) | ||
| JPS6227025B2 (ja) | ||
| EP0841310A1 (en) | Dielectric ceramic composition | |
| JP2571386B2 (ja) | 高誘電率系誘電体磁器組成物 | |
| JPS6234706B2 (ja) | ||
| JPH0566331B2 (ja) | ||
| JPS6234708B2 (ja) | ||
| JPS6227024B2 (ja) | ||
| JP2872513B2 (ja) | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ | |
| JPS6235990B2 (ja) | ||
| JPH0137806B2 (ja) | ||
| JPH0566333B2 (ja) | ||
| JPH0457632B2 (ja) | ||
| JP3301814B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6222942B2 (ja) | ||
| JPS63136507A (ja) | セラミツクコンデンサ | |
| JPS6230151B2 (ja) |