JPS5860671A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS5860671A JPS5860671A JP56157319A JP15731981A JPS5860671A JP S5860671 A JPS5860671 A JP S5860671A JP 56157319 A JP56157319 A JP 56157319A JP 15731981 A JP15731981 A JP 15731981A JP S5860671 A JPS5860671 A JP S5860671A
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- Japan
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- temperature
- rate
- resistance
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に１０００℃以下の低温で焼
結でき、誘１［本と比抵抗の積が高く、訪電率のＯＡ度
変化率の優れた磁器組成物に関するものである。
結でき、誘１［本と比抵抗の積が高く、訪電率のＯＡ度
変化率の優れた磁器組成物に関するものである。
従来、銹電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂ
ａＴｉ（Ｊ３）を主成分とする磁器が広く実用化されて
いることは周知のとおりである。しかしながら、チタン
酸バリウム（ＢａＴｉ０３）を主成分とするものは、焼
結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。この
ためこれを槓１−形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。積Ｆｇ形コ
ンデンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成
分とする安価な金属が内部電極に使用できるような、で
きるだけ低温、特Ｋ１００Ｏ℃以下で焼結できる磁器が
必要である。
ａＴｉ（Ｊ３）を主成分とする磁器が広く実用化されて
いることは周知のとおりである。しかしながら、チタン
酸バリウム（ＢａＴｉ０３）を主成分とするものは、焼
結温度が通常１３００〜１４００℃の高温である。この
ためこれを槓１−形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。積Ｆｇ形コ
ンデンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成
分とする安価な金属が内部電極に使用できるような、で
きるだけ低温、特Ｋ１００Ｏ℃以下で焼結できる磁器が
必要である。
また磁器組成物を用い、実用的な積層形コンデ／すを作
成するときに磁器組成物の電気的特性としては、誘１を
率、誘′旺率の温間変化率、舖電損失：比抵抗という項
目が評価されなければならない。
成するときに磁器組成物の電気的特性としては、誘１を
率、誘′旺率の温間変化率、舖電損失：比抵抗という項
目が評価されなければならない。
誘゛戒率は高く、その温度変化は小さいことが望まれて
いる。誘′ｗＬ損失は用途により、ある直以下の限定は
あるが冨温で最大５．０Ｘである。比抵抗に関しては、
例えばＥＩＡＪ規格（日本電子機械工業会の電子機器用
積ＩｉＩＭｉ器コ／デ／す（チップ形）１−ＬＣ−３６
９８Ｂ）に述べられているごとく、檀１−コンデンサの
絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ以上または容量・抵抗積
で５００７ＪＰ−Ｍ（１以上のいずれが小さい方以上と
規定されている。
いる。誘′ｗＬ損失は用途により、ある直以下の限定は
あるが冨温で最大５．０Ｘである。比抵抗に関しては、
例えばＥＩＡＪ規格（日本電子機械工業会の電子機器用
積ＩｉＩＭｉ器コ／デ／す（チップ形）１−ＬＣ−３６
９８Ｂ）に述べられているごとく、檀１−コンデンサの
絶縁抵抗として１１００ＯＯΩ以上または容量・抵抗積
で５００７ＪＰ−Ｍ（１以上のいずれが小さい方以上と
規定されている。
すなわち６器組成物のｇ’ｍ率と比抵抗の槓がある絶対
値以上なければ、任意の容量、特に大きな容量のコンデ
ンサを実用的規格に合せることができず、その用途が非
常に限定され、実用的な意味がなくなる。この点を詳し
く説明すると次の様になる。積層形コンデンサでは％ｎ
＋１個の内部電極を構成して一般にｎ個の同じ厚さの層
からなる単一層コンデンサが積層された構造になってい
る。
値以上なければ、任意の容量、特に大きな容量のコンデ
ンサを実用的規格に合せることができず、その用途が非
常に限定され、実用的な意味がなくなる。この点を詳し
く説明すると次の様になる。積層形コンデンサでは％ｎ
＋１個の内部電極を構成して一般にｎ個の同じ厚さの層
からなる単一層コンデンサが積層された構造になってい
る。
この場合、単一層当りの容綾をＣｏ１絶縁抵抗をＲＯと
すれば、積層形コンデンサの容１ｉｃＶｉｃｏ。
すれば、積層形コンデンサの容１ｉｃＶｉｃｏ。
ｎ倍になり、絶縁抵抗Ｒは几０の１になる。ここで磁器
組成物の酵電率を５、真空の窮電率金８０、磁器組成分
の比抵抗を！、単一層コンデンサの磁器の厚さを４５重
なる電極面積を８とすれば、単一層コンデンサのｃｏは
（ｔ ｏε８）／ｄ となり、ル０は（ｊｄ）／Ｓ
となる。従って０層からなる積り一コンデンサの容１
ｌ（（１）と絶縁抵抗（１（ｌの績ＣｘＲは（（／ｄ）
４ｎ８））Ｘ（（ｎｇｏａｓ）／ｄ）＝−ｇｏεｆ と
なる。
組成物の酵電率を５、真空の窮電率金８０、磁器組成分
の比抵抗を！、単一層コンデンサの磁器の厚さを４５重
なる電極面積を８とすれば、単一層コンデンサのｃｏは
（ｔ ｏε８）／ｄ となり、ル０は（ｊｄ）／Ｓ
となる。従って０層からなる積り一コンデンサの容１
ｌ（（１）と絶縁抵抗（１（ｌの績ＣｘＲは（（／ｄ）
４ｎ８））Ｘ（（ｎｇｏａｓ）／ｄ）＝−ｇｏεｆ と
なる。
すなわちどのような容量の積層コンデンサもその容量・
抵抗積ＣｘＲは、磁器組成物のεとｆの積ＶＣＣｏを乗
じた一定値（εｏｇ／）に規格化される。
抵抗積ＣｘＲは、磁器組成物のεとｆの積ＶＣＣｏを乗
じた一定値（εｏｇ／）に規格化される。
容量・抵抗積ＣｘＲが５００μＦ−ＭＯすなわち５００
Ｆ−Ω以上ということは、εｏ＝ ８．８５５ Ｘ１
０ Ｆ／ａａｚ リ、 ＣＸ Ｒ＝ｔ ｏ ’ｃ／
？ ＝ｓ、ｓ ５５ Ｘ １０″４（Ｆ／Ｑｓ） ｘ
ｇ Ｘ ／≧５００Ｆ−Ω、よってεｆ≧５．６５Ｘ１
０１ｓ（−２”ｍなる要求がある。例えば＃＝１０００
ＯｆＨ／＝５．６５Ｘ１０”（７−（ｋ３ ｇ＝３
０００−ｔ”Ｆｉ／：１．８８Ｘ１０１２（２−ｄｉｇ
、（ｇ＝５００−ｔ”はＪ≧１．１３ Ｘ １０１３＋
、−２・鋤）が要求される。誘１１！ｃ率に応じてこれ
らの値以上のＪを持つ磁器組成物であればどのような大
きな容量の積層コンデンサも容量・抵抗＆は５００μＦ
−Ｊ）を満足する。もしεが３０００で１が要求値より
１桁低い１．８８ ×１０”’、１−”とすればｔ。ｔ
Ｊ＝５ｏｔｔＦ−Ｍ（λで５００μｌｌＩ−ＭＯは満足
せず、絶縁抵抗として１００００Ｊ２すなわち、１０
（１以上を満足するには容重Ｃとして０．００５μＦ
以丁に限定されなければならない。それはこの槓１−コ
ンデンサの容量・抵抗積（Ｃｘ几）は常に５０μＦ・Ｍ
Ｏを示しているので、几がＩｏｏｏｏＭＯのとき、Ｃ＃
″ｔＯ，００５μＦとなり、Ｃがこれより大きければＩ
（、ｉｊｌｏｏｏｏＭＯよ抄小さくなり、０．００５μ
Ｆが規格を満たす蝋高の容量となるためである。従って
磁器組成物の比抵抗が低いとその材料の実用性、特に積
噛形コンデンサの特長である小型、大容量の特長を生か
すことはできないし、全く意味のないことにもなる。よ
ってａ器組成物のｆｓ電電率比抵抗の積が上に述べた規
格値（ε。げ＝５００μ）’−Ｍ（２）以上、製造上の
ばらつきを考えると、少なくとも２倍（ｉ ｏ ｇ ｊ
＝１０００μＦ−ＭＯ）、さらに望ましくは３ ＠
（’６’ｊ ”１５００μ）”−Ｍ（７）以上（７）
ｉ＋［’に持つことが実用上極めて重要なことである。
Ｆ−Ω以上ということは、εｏ＝ ８．８５５ Ｘ１
０ Ｆ／ａａｚ リ、 ＣＸ Ｒ＝ｔ ｏ ’ｃ／
？ ＝ｓ、ｓ ５５ Ｘ １０″４（Ｆ／Ｑｓ） ｘ
ｇ Ｘ ／≧５００Ｆ−Ω、よってεｆ≧５．６５Ｘ１
０１ｓ（−２”ｍなる要求がある。例えば＃＝１０００
ＯｆＨ／＝５．６５Ｘ１０”（７−（ｋ３ ｇ＝３
０００−ｔ”Ｆｉ／：１．８８Ｘ１０１２（２−ｄｉｇ
、（ｇ＝５００−ｔ”はＪ≧１．１３ Ｘ １０１３＋
、−２・鋤）が要求される。誘１１！ｃ率に応じてこれ
らの値以上のＪを持つ磁器組成物であればどのような大
きな容量の積層コンデンサも容量・抵抗＆は５００μＦ
−Ｊ）を満足する。もしεが３０００で１が要求値より
１桁低い１．８８ ×１０”’、１−”とすればｔ。ｔ
Ｊ＝５ｏｔｔＦ−Ｍ（λで５００μｌｌＩ−ＭＯは満足
せず、絶縁抵抗として１００００Ｊ２すなわち、１０
（１以上を満足するには容重Ｃとして０．００５μＦ
以丁に限定されなければならない。それはこの槓１−コ
ンデンサの容量・抵抗積（Ｃｘ几）は常に５０μＦ・Ｍ
Ｏを示しているので、几がＩｏｏｏｏＭＯのとき、Ｃ＃
″ｔＯ，００５μＦとなり、Ｃがこれより大きければＩ
（、ｉｊｌｏｏｏｏＭＯよ抄小さくなり、０．００５μ
Ｆが規格を満たす蝋高の容量となるためである。従って
磁器組成物の比抵抗が低いとその材料の実用性、特に積
噛形コンデンサの特長である小型、大容量の特長を生か
すことはできないし、全く意味のないことにもなる。よ
ってａ器組成物のｆｓ電電率比抵抗の積が上に述べた規
格値（ε。げ＝５００μ）’−Ｍ（２）以上、製造上の
ばらつきを考えると、少なくとも２倍（ｉ ｏ ｇ ｊ
＝１０００μＦ−ＭＯ）、さらに望ましくは３ ＠
（’６’ｊ ”１５００μ）”−Ｍ（７）以上（７）
ｉ＋［’に持つことが実用上極めて重要なことである。
と２ろで１°（Ｍｇ±Ｗ４）０・−１°Ｔｉ（Ｊ・系磁
器組成吻については既にエヌ、エヌ、クライニクとエイ
・アイ・アグラノフスカヤ（Ｎ、Ｎ、Ｋｒａｉｎｉｋａ
ｎｄ Ａ、 Ｉ 、 Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （１
’ｉ ｚ ｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇ。
器組成吻については既にエヌ、エヌ、クライニクとエイ
・アイ・アグラノフスカヤ（Ｎ、Ｎ、Ｋｒａｉｎｉｋａ
ｎｄ Ａ、 Ｉ 、 Ａｇｒａｎｏｖｓｋａｙａ （１
’ｉ ｚ ｉｋｏ Ｔｖｅｒｄｏｇ。
Ｔｅ１ａａＶｏ、２ｍＮｏ、 １ 、 ＰＰ７０〜７２
、 Ｊａｎｕａｒａ１９６０））より提案があったが
誘電率とその温度変化に関する記載のみであった。また
（８ｒｘｌ’ｂ１−５Ｂ’ｒＪＯｘ）ａ（ＰｂＭｇａ、
ｓＷａ、５Ｏｓ）ｂ （ただし、ｘ二０〜０．１０．
ａは０．３５〜０．５、ｂは０．５〜０．６５であり、
そしてａ＋ｂ＝１）について、モノリシックコンデンサ
およびその製造方法として特開昭５２−２１６６２号公
報に開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭５２
−２１６９９号公報に開示されている。しかしながらい
ずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず、これら
の磁器組成物の実用性は明らかでなかった。また、本発
明者達は既に９１０℃〜９５０℃の温度で焼結でき、ｍ
ＷＳ組成物を提案している。この磁器組成物は、誘′ｖ
ｔ率と比抵抗の積が５．６５Ｘ１０ （λ・１以上の
筒い値を持ち、誘電損失の小さい章れた電気的特性を有
している。
、 Ｊａｎｕａｒａ１９６０））より提案があったが
誘電率とその温度変化に関する記載のみであった。また
（８ｒｘｌ’ｂ１−５Ｂ’ｒＪＯｘ）ａ（ＰｂＭｇａ、
ｓＷａ、５Ｏｓ）ｂ （ただし、ｘ二０〜０．１０．
ａは０．３５〜０．５、ｂは０．５〜０．６５であり、
そしてａ＋ｂ＝１）について、モノリシックコンデンサ
およびその製造方法として特開昭５２−２１６６２号公
報に開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭５２
−２１６９９号公報に開示されている。しかしながらい
ずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず、これら
の磁器組成物の実用性は明らかでなかった。また、本発
明者達は既に９１０℃〜９５０℃の温度で焼結でき、ｍ
ＷＳ組成物を提案している。この磁器組成物は、誘′ｖ
ｔ率と比抵抗の積が５．６５Ｘ１０ （λ・１以上の
筒い値を持ち、誘電損失の小さい章れた電気的特性を有
している。
しかしながら、このＰ ｂ （Ｍｇ４Ｗ４１０３−Ｐｂ
’ｒｉ（Ｊ３２３２系では、−磁率の温度変化率の小さ
い組成範囲では、キーリ一点が低温側に大きくずれ、室
温付近での訪を率は小さくなり、室温付近で誘電率の扁
い組成範囲では、温度変化率が大きくなってしまい、実
用範囲で、篩＆を率が高く、シかも温度特性に優れた磁
器組成物を得ることはできなかったＯ テＰｂ（Ｍｇ４Ｗ４）Ｕｓ Ｐｂ’ｒｉＯａ−Ｐｂ（Ｍ
ｇ４Ｎｂ４）０３糸が、特開昭５５−１１７８０９
において、糸が、それぞれ開示されている。しかしなが
らいずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず、こ
れらの磁器組成物の実用性は明らかでなく、またＰｂＣ
Ｍｇ＋〒０・−ＰｂＴｉＯ・−１°（Ｍｇ、’ｒ“暑）
０３系（ＩＩ？開昭５５−１１７８０９）Ｏｆｉ、ｕｉ
ｌｌｉ＋’！、１０００〜１］５０’Ｃの高温であるた
め、銀、ニッケル等を生成分とする安価な金Ｓを内部電
極として使用するのは困難であった。さらに特開昭５６
−４８００４に＄′パ・Ｐ ｂ Ｚ ｒ Ｏ・岬ｂ（Ｍ
ｇ亡１）０３ Ｐｂ（ＭｇｌＷｔ）０３ 系カ開示す
レテいルカ、焼結温度が１０００ Ｓ−１１５０’Ｃの
高温であるため、釧、ニッケル等を主成分とする安価な
金属を内部電極として使用するのは困難であった。
’ｒｉ（Ｊ３２３２系では、−磁率の温度変化率の小さ
い組成範囲では、キーリ一点が低温側に大きくずれ、室
温付近での訪を率は小さくなり、室温付近で誘電率の扁
い組成範囲では、温度変化率が大きくなってしまい、実
用範囲で、篩＆を率が高く、シかも温度特性に優れた磁
器組成物を得ることはできなかったＯ テＰｂ（Ｍｇ４Ｗ４）Ｕｓ Ｐｂ’ｒｉＯａ−Ｐｂ（Ｍ
ｇ４Ｎｂ４）０３糸が、特開昭５５−１１７８０９
において、糸が、それぞれ開示されている。しかしなが
らいずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず、こ
れらの磁器組成物の実用性は明らかでなく、またＰｂＣ
Ｍｇ＋〒０・−ＰｂＴｉＯ・−１°（Ｍｇ、’ｒ“暑）
０３系（ＩＩ？開昭５５−１１７８０９）Ｏｆｉ、ｕｉ
ｌｌｉ＋’！、１０００〜１］５０’Ｃの高温であるた
め、銀、ニッケル等を生成分とする安価な金Ｓを内部電
極として使用するのは困難であった。さらに特開昭５６
−４８００４に＄′パ・Ｐ ｂ Ｚ ｒ Ｏ・岬ｂ（Ｍ
ｇ亡１）０３ Ｐｂ（ＭｇｌＷｔ）０３ 系カ開示す
レテいルカ、焼結温度が１０００ Ｓ−１１５０’Ｃの
高温であるため、釧、ニッケル等を主成分とする安価な
金属を内部電極として使用するのは困難であった。
本発明は以上の点にかんがみ、９００−１０００℃の低
温領域で焼結でき、かっ鹸１！嘉（ε１と比抵抗（ｆ）
の積に真空の誘電率（６ｏ）を乗じた値（εεｏｆ）が
規格値の３倍（１５００μＦ−ＭΩ）以上の高い値を持
ち、誘電損失が小さく、ｒｕ誘電率高く、その温度変化
率が一３０ｔ、〜８５℃の温度範囲で−２゜に以内と優
れた磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネ
シウム・り／ゲステン＋１ 鉛よびジルコ／虐鉛（Ｐｂ
ＺｒＵ３）からなる三成分組成物からなり、このｍｌｌ
ｌＢ （Ｐｂ（ＭｇＪＩＷｌ ）ｏ３）ｘ２ （）’ｂ’ｌ’１Ｕ３）ｙ（ＰｂＺｒＯａ）ｚと戊わし
たときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ−＝１．００）、三元図
における点（ｘ＝０．５８５ 、ｙ＝０．０６５
、ｚ＝０．３５）（ｘ＝０．７４２５．ｙ＝０．２４７
５．ｚ＝０．０１）（ｘ＝０．６４３５．ｙ＝０．３４
６５．ｚ＝ｏ、ｏｌ）（ｘ＝０．４９５ 、ｙ ＝０
．４０５ 、ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．３３７５ 、
ｙ＝Ｑ、ｌ ］ ２５ 、 ｚ ＝０．５５ ）を結ぶ
線上およびこの５点に囲まれる組成範囲にあることを特
徴とするものである。
温領域で焼結でき、かっ鹸１！嘉（ε１と比抵抗（ｆ）
の積に真空の誘電率（６ｏ）を乗じた値（εεｏｆ）が
規格値の３倍（１５００μＦ−ＭΩ）以上の高い値を持
ち、誘電損失が小さく、ｒｕ誘電率高く、その温度変化
率が一３０ｔ、〜８５℃の温度範囲で−２゜に以内と優
れた磁器組成物を提供しようとするものであり、マグネ
シウム・り／ゲステン＋１ 鉛よびジルコ／虐鉛（Ｐｂ
ＺｒＵ３）からなる三成分組成物からなり、このｍｌｌ
ｌＢ （Ｐｂ（ＭｇＪＩＷｌ ）ｏ３）ｘ２ （）’ｂ’ｌ’１Ｕ３）ｙ（ＰｂＺｒＯａ）ｚと戊わし
たときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ−＝１．００）、三元図
における点（ｘ＝０．５８５ 、ｙ＝０．０６５
、ｚ＝０．３５）（ｘ＝０．７４２５．ｙ＝０．２４７
５．ｚ＝０．０１）（ｘ＝０．６４３５．ｙ＝０．３４
６５．ｚ＝ｏ、ｏｌ）（ｘ＝０．４９５ 、ｙ ＝０
．４０５ 、ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．３３７５ 、
ｙ＝Ｑ、ｌ ］ ２５ 、 ｚ ＝０．５５ ）を結ぶ
線上およびこの５点に囲まれる組成範囲にあることを特
徴とするものである。
以下、本発明を実施例により詳細Ｋｆｆ明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（Ｐ鼠ハ、
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＪ
３’ｌ、酸化チタン（Ｔ ｉ ０２ ）およびヤ化ジル
コニウム（ＺｒＯ□）を使用し、表に示した配合比とな
るように各々秤量する。
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＪ
３’ｌ、酸化チタン（Ｔ ｉ ０２ ）およびヤ化ジル
コニウム（ＺｒＯ□）を使用し、表に示した配合比とな
るように各々秤量する。
次ＫＰＰｔＬ、た各材料をボールミル中で湿式混合した
後７５０〜８００”Ｃで予焼を行ない、この粉末をボー
ルぐルで粉砕し、日別、乾燥鏝、有機バインダーを入れ
、贅粒後プレス１７、直径１５□ｒｘ、厚さ約２鶴の円
根會４枚作成した。次に空気中においてｓｏｏ 〜１ｏ
ｏｏ℃ ｏｔｍ＋ｆＬで１時ｔｕｎａ結した。
後７５０〜８００”Ｃで予焼を行ない、この粉末をボー
ルぐルで粉砕し、日別、乾燥鏝、有機バインダーを入れ
、贅粒後プレス１７、直径１５□ｒｘ、厚さ約２鶴の円
根會４枚作成した。次に空気中においてｓｏｏ 〜１ｏ
ｏｏ℃ ｏｔｍ＋ｆＬで１時ｔｕｎａ結した。
焼結した円板の上下面に鈑−ａ懐を６００’Ｃで焼付け
、デジタルＩＪＣルメーターで周波数Ｉ ＫＨｚ、 ４
圧” ｒ ｍ、ａ ｍ度２０ ℃で容献と、ｌｌ ’Ｋ
’ｊ４失を測定し、ｆＩｓ電率を算出した。次に軸絶
縁抵抗計で５゜Ｖの磁圧ｔ−１分間印加して絶線抵抗を
温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。温度特性は、
室温２０℃を基準として、−３０’Ｃ１＋８５℃での各
皺変化率を求めた。４個の試料の平均値をとり、その値
をもって、各配合比の代表１直とした。このようにして
得られた磁器組成物の配合比と誘電率、訪′鑞損失、温
度特性および銹’ｍＡ（ｌと比抵抗げ）の績ＫＪＥ空の
誘電率（ε０）を乗じた値（ε。εｆ）の関係を次表に
示す。
、デジタルＩＪＣルメーターで周波数Ｉ ＫＨｚ、 ４
圧” ｒ ｍ、ａ ｍ度２０ ℃で容献と、ｌｌ ’Ｋ
’ｊ４失を測定し、ｆＩｓ電率を算出した。次に軸絶
縁抵抗計で５゜Ｖの磁圧ｔ−１分間印加して絶線抵抗を
温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。温度特性は、
室温２０℃を基準として、−３０’Ｃ１＋８５℃での各
皺変化率を求めた。４個の試料の平均値をとり、その値
をもって、各配合比の代表１直とした。このようにして
得られた磁器組成物の配合比と誘電率、訪′鑞損失、温
度特性および銹’ｍＡ（ｌと比抵抗げ）の績ＫＪＥ空の
誘電率（ε０）を乗じた値（ε。εｆ）の関係を次表に
示す。
ｉ）試料番号に＊印會Ｆｔシたちのは本発明にぎまれな
い。
い。
−１１−
明の謹囲内のものは、訪′亀率が１４２０〜５３００と
品く、その偏度変化率が一り０℃〜８０゛Ｃで一２０為
以内と小さく、誘（損失が５九以下と小さく、Ｊ５亀率
と比抵抗の槓に真空の誘嶋率を木じた１１４が１５００
μＦ−Ｍ（１以上の埴をボし〕λ格迫（５００μＦ−Ｍ
ｉ２） より十分大きく実用性の慮めて尚い６６組成
物であることがわかる。こうしたｊれた特性を示す本発
明の磁器組成物は９゛ｈ７ｈ７清温 ０００℃以Ｆの低
１品であるため、４＊ｊ曽コンテンサの内部１１の低価
格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約に
もなるという極めて浸れた効果も生じる。
品く、その偏度変化率が一り０℃〜８０゛Ｃで一２０為
以内と小さく、誘（損失が５九以下と小さく、Ｊ５亀率
と比抵抗の槓に真空の誘嶋率を木じた１１４が１５００
μＦ−Ｍ（１以上の埴をボし〕λ格迫（５００μＦ−Ｍ
ｉ２） より十分大きく実用性の慮めて尚い６６組成
物であることがわかる。こうしたｊれた特性を示す本発
明の磁器組成物は９゛ｈ７ｈ７清温 ０００℃以Ｆの低
１品であるため、４＊ｊ曽コンテンサの内部１１の低価
格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約に
もなるという極めて浸れた効果も生じる。
なお、本発明の組成物を（Ｐｂ（Ｍｇ４Ｗ４）（Ｊ３）
ｘ（ＰｂＴｉＵ３）ｙ（ＰｂＺｒ０３）ｚと表わしたと
きに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ＯＯ） と表わした
ときに、その組成は三元国における点 ２：（ｘ＝０．５８５ 、Ｙ＝０．０６５ 、ｚ＝
０３５）７： （ｘ ＝０．７４２５ 、 ｙ＝＝０．
２４７５ 、ｚ＝０．０１ ）１８：（ｘ−＝０．Ｆ＋
４３５．ｙ＝０．３４６５．ｚ＝０．（１１１２５：（
ｘ＝０．４９５ 、ｙ二０．４（１５、ｚ”０．１０）
１２：（ｘ＝０．３３７５．ｙ＝０．１１２５．ｚ−（
）、５５）ケ姑ぶ耐上およびこの市に囲まれる組成範囲
に限定される。応２．７と結ぶ−の外側ではキーリ一点
が室温よゆ低ｌ晶ｊｌｌｌｌに大きくずれるため温ば物
件が悪くなり′実用的でない。、「尽７、ｔ８ｆ結ぶ−
の外側では温度特性の改善効果が小さ・く、点１８．２
５ケ結ぶ紐・の外側では、輻εｆが小さくなり、しかも
キュリ一点が室温より高＠ｉｌｌに太きくずれるため、
ｆＭ川“特注が咋〈なり実用的でない。点２５．１２．
２ヶ結ぶ線の外側ではキュリー意力式室温より高温側に
太きくずれるため温ｌＷ特性が慈くなり実用的でない。
ｘ（ＰｂＴｉＵ３）ｙ（ＰｂＺｒ０３）ｚと表わしたと
きに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．ＯＯ） と表わした
ときに、その組成は三元国における点 ２：（ｘ＝０．５８５ 、Ｙ＝０．０６５ 、ｚ＝
０３５）７： （ｘ ＝０．７４２５ 、 ｙ＝＝０．
２４７５ 、ｚ＝０．０１ ）１８：（ｘ−＝０．Ｆ＋
４３５．ｙ＝０．３４６５．ｚ＝０．（１１１２５：（
ｘ＝０．４９５ 、ｙ二０．４（１５、ｚ”０．１０）
１２：（ｘ＝０．３３７５．ｙ＝０．１１２５．ｚ−（
）、５５）ケ姑ぶ耐上およびこの市に囲まれる組成範囲
に限定される。応２．７と結ぶ−の外側ではキーリ一点
が室温よゆ低ｌ晶ｊｌｌｌｌに大きくずれるため温ば物
件が悪くなり′実用的でない。、「尽７、ｔ８ｆ結ぶ−
の外側では温度特性の改善効果が小さ・く、点１８．２
５ケ結ぶ紐・の外側では、輻εｆが小さくなり、しかも
キュリ一点が室温より高＠ｉｌｌに太きくずれるため、
ｆＭ川“特注が咋〈なり実用的でない。点２５．１２．
２ヶ結ぶ線の外側ではキュリー意力式室温より高温側に
太きくずれるため温ｌＷ特性が慈くなり実用的でない。
なし、図に本発明の三成分組成範囲と実施例の組成を示
す。図中の番号は表に承した試料番号に対応している。
す。図中の番号は表に承した試料番号に対応している。
図は本発明の組１１に、範囲と実施例の組成を示す図で
ある・ ％ＺｉＯａ
ある・ ％ＺｉＯａ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ′グネ′つ４す７″テｙ＃ｌ−鉛〔１°（Ｍｇ＋Ｖ♀０
３〕、チタン酸鉛（ＰｂＴｉ０３）およびジルコン酸鉛
（、ＰｂＺｒ０３）からなる三成分組成物であり、この
組成物ｖ （ｐｏ（Ｍｇ４Ｗ４）０３〕ｘ（ＰｂＴｉ０
３〕ｙ（ＰｂＺｒ０３）ｚと表わしたときに（ただし、
ｘ ＋ ｙ ＋ ｚ ＝１．００）、三元図における点 （ｘ＝０．５８５ 、ｙ＝０．０６５ 、ｚ二０３
５）（ｘ＝０．７４２５ 、ｙ＝０．２４７５ 、 ｚ
＝０．０１ ）（ｘ＝０．６４３５ 、ｙ ＝０．３
４６５ 、 ｚ＝０．０１ ）（ｘ ＝０．４９５ ．
７ ＝０．４０５ 、ｚ ＝０．１０）（ｘ＝０．３
３７５ａｙ＝０．１１２５．ｚ＝０．５５）を結ぶ線上
、およびこの５点に囲まれる組成範囲にあることを特徴
とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157319A JPS5860671A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56157319A JPS5860671A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5860671A true JPS5860671A (ja) | 1983-04-11 |
| JPH0247423B2 JPH0247423B2 (ja) | 1990-10-19 |
Family
ID=15647088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56157319A Granted JPS5860671A (ja) | 1981-10-02 | 1981-10-02 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5860671A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861350A (en) * | 1996-06-17 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
-
1981
- 1981-10-02 JP JP56157319A patent/JPS5860671A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861350A (en) * | 1996-06-17 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0247423B2 (ja) | 1990-10-19 |
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