JPH0524915A - 磁器組成物 - Google Patents
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンデンサ用の磁器組成物の中で低温焼結が
可能な鉛系ペロブスカイト化合物において、室温での誘
電率が１００００以上の高い値を持ち、誘電率の温度特
性が良く、かつ直流バイアス印加時の容量減少が小さい
磁器組成物を提供する。 【構成】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3）Ｏ3］−ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］の３成
分系磁器組成物において、ＰｂイオンをＳｒイオンまた
はＢａイオンまたはＣａイオンで一部置換する。
可能な鉛系ペロブスカイト化合物において、室温での誘
電率が１００００以上の高い値を持ち、誘電率の温度特
性が良く、かつ直流バイアス印加時の容量減少が小さい
磁器組成物を提供する。 【構成】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3）Ｏ3］−ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］の３成
分系磁器組成物において、ＰｂイオンをＳｒイオンまた
はＢａイオンまたはＣａイオンで一部置換する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁器組成物に関し、特に
誘電率、絶縁抵抗が高く、しかも誘電率の温度変化およ
び直流バイアスを印加したときの誘電率の減少率が小さ
い磁器組成物に関するものである。
誘電率、絶縁抵抗が高く、しかも誘電率の温度変化およ
び直流バイアスを印加したときの誘電率の減少率が小さ
い磁器組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、高誘電率系磁器組成物として、チ
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3］系がよく知られてお
り、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］などを添加、置換することにより、温
度特性の改善を図っているが、焼結温度が１３００℃以
上の高温であるため積層セラミックコンデンサに使用し
た場合、内部電極には白金，パラジウム等の高価な貴金
属しか利用できなかった。またこれらの誘電体の磁器組
成物で得られる誘電率はたかだか８０００程度にすぎ
ず、しかも誘電率を大きくしようとすれば誘電率の温度
変化が大きくなり、ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性（−３０℃
〜８５℃：＋２２％，−８２％）をかろうじて満足する
程度にとどまっていた。
タン酸バリウム［ＢａＴｉＯ3］系がよく知られてお
り、チタン酸カルシウム［ＣａＴｉＯ3］、チタン酸鉛
［ＰｂＴｉＯ3］などを添加、置換することにより、温
度特性の改善を図っているが、焼結温度が１３００℃以
上の高温であるため積層セラミックコンデンサに使用し
た場合、内部電極には白金，パラジウム等の高価な貴金
属しか利用できなかった。またこれらの誘電体の磁器組
成物で得られる誘電率はたかだか８０００程度にすぎ
ず、しかも誘電率を大きくしようとすれば誘電率の温度
変化が大きくなり、ＥＩＡ規格のＹ５Ｖ特性（−３０℃
〜８５℃：＋２２％，−８２％）をかろうじて満足する
程度にとどまっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の材料で温度変化
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い
材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されて
いる。例えばマグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］および
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
からなる３成分組成物は、誘電率を室温で２００００以
上と高くすることが可能であることが報告されている。
しかしこの３成分系では誘電率の温度依存性が大きく、
かつ直流バイアスを印加した時の容量の減少が大きいと
いう問題点がある。そのため実用上その使用範囲が限ら
れていた。本発明の目的は、上記の組成物の誘電率の温
度特性を改善し、直流バイアス印加時の容量減少ができ
るだけ小さく、かつ誘電率が１００００以上の磁器組成
物を提供することにある。
率の小さい材料を実現した場合、得られる誘電率はせい
ぜい２０００程度にすぎず、コンデンサ用の材料として
は小さすぎる。近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高い
材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告されて
いる。例えばマグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］および
ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
からなる３成分組成物は、誘電率を室温で２００００以
上と高くすることが可能であることが報告されている。
しかしこの３成分系では誘電率の温度依存性が大きく、
かつ直流バイアスを印加した時の容量の減少が大きいと
いう問題点がある。そのため実用上その使用範囲が限ら
れていた。本発明の目的は、上記の組成物の誘電率の温
度特性を改善し、直流バイアス印加時の容量減少ができ
るだけ小さく、かつ誘電率が１００００以上の磁器組成
物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、マグネシウム
・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケ
ル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］および
チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］からなる３成分組成物を主
組成として、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ
＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５）…（ｂ） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５）…（ｃ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） …（ｄ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） …（ｅ） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） …（ｆ） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） …（ｇ） を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物において、鉛イオン（Ｐｂ2+）をストロ
ンチウムイオン（Ｓｒ2+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置
換するか、バリウムイオン（Ｂａ2+）で０．０１〜２５
ｍｏｌ％置換するか、あるいはカルシウムイオン（Ｃａ
2+）で０．０１〜２５ｍｏｌ％置換したことを特徴とす
る磁器組成物である。本発明における主成分の組成範囲
を表す３成分組成図は図７で示される。図中、（ａ）〜
（ｇ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は
図の斜線で示す範囲、およびその境界線上である。
・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケ
ル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］および
チタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］からなる３成分組成物を主
組成として、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ
（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ
＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） …（ａ） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５）…（ｂ） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５）…（ｃ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） …（ｄ） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） …（ｅ） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） …（ｆ） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） …（ｇ） を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物において、鉛イオン（Ｐｂ2+）をストロ
ンチウムイオン（Ｓｒ2+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置
換するか、バリウムイオン（Ｂａ2+）で０．０１〜２５
ｍｏｌ％置換するか、あるいはカルシウムイオン（Ｃａ
2+）で０．０１〜２５ｍｏｌ％置換したことを特徴とす
る磁器組成物である。本発明における主成分の組成範囲
を表す３成分組成図は図７で示される。図中、（ａ）〜
（ｇ）は各組成点を表し、本発明に含まれる組成範囲は
図の斜線で示す範囲、およびその境界線上である。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。請求項１の実施例 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および炭酸ストロ
ンチウム（ＳｒＣＯ3）を使用し、次表に示した配合比
となるように各々秤量した。次に秤量した各材料をボ−
ルミル中で湿式混合したのち、８００〜８５０℃で仮焼
を行い、この粉末をボ−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６
ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚
さ約１０ｍｍの円柱を作製した。円柱は焼結密度測定用
に供した。次にプレスした円板試料を１１００〜１１５
０℃の温度で１時間焼成を行い、焼成した円板の上下面
に６００℃で銀電極を焼付けた。デジタルＬＣＲメ―タ
で周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖr.m.s.の交流を用いて室温
で容量と誘電損失を測定し、５０Ｖの直流電圧を１分間
印加した時の電流値を絶縁抵抗計で測定して試料の比抵
抗を求めた。誘電率は測定した容量値から求めた。さら
に−３０℃と８５℃における容量を測定し、２０℃の誘
電率に対する誘電率の変化率を求めた。このようにして
得られた磁器の主成分、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉ
Ｏ3］zの配合比ｘ，ｙ，ｚと、Ｐｂ2+イオンを置換した
Ｓｒ2+の量を表１〜表３に示し、得られた磁器組成物の
室温における誘電率、誘電損失、比抵抗、および−３０
℃、８５℃における誘電率の変化率（２０℃における誘
電率を基準）を表４〜表６に示す。表の試料番号で、*
を付したものは主成分組成が本発明の範囲外のものを示
し、**を付したものはＳｒ置換量が本発明の範囲外のも
のを示す。
る。請求項１の実施例 実施例１ 出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および炭酸ストロ
ンチウム（ＳｒＣＯ3）を使用し、次表に示した配合比
となるように各々秤量した。次に秤量した各材料をボ−
ルミル中で湿式混合したのち、８００〜８５０℃で仮焼
を行い、この粉末をボ−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６
ｍｍ、厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚
さ約１０ｍｍの円柱を作製した。円柱は焼結密度測定用
に供した。次にプレスした円板試料を１１００〜１１５
０℃の温度で１時間焼成を行い、焼成した円板の上下面
に６００℃で銀電極を焼付けた。デジタルＬＣＲメ―タ
で周波数１ｋＨｚ、電圧１Ｖr.m.s.の交流を用いて室温
で容量と誘電損失を測定し、５０Ｖの直流電圧を１分間
印加した時の電流値を絶縁抵抗計で測定して試料の比抵
抗を求めた。誘電率は測定した容量値から求めた。さら
に−３０℃と８５℃における容量を測定し、２０℃の誘
電率に対する誘電率の変化率を求めた。このようにして
得られた磁器の主成分、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）
Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉ
Ｏ3］zの配合比ｘ，ｙ，ｚと、Ｐｂ2+イオンを置換した
Ｓｒ2+の量を表１〜表３に示し、得られた磁器組成物の
室温における誘電率、誘電損失、比抵抗、および−３０
℃、８５℃における誘電率の変化率（２０℃における誘
電率を基準）を表４〜表６に示す。表の試料番号で、*
を付したものは主成分組成が本発明の範囲外のものを示
し、**を付したものはＳｒ置換量が本発明の範囲外のも
のを示す。
【０００６】
【表１】
【０００７】
【表２】
【０００８】
【表３】
【０００９】
【表４】
【００１０】
【表５】
【００１１】
【表６】
【００１２】また、主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝
（０．５０，０．３０，０．２０）の組成物におけるＳ
ｒ2+置換量による誘電率の温度特性の変化を図１に示
す。図１から明らかなように、Ｓｒ2+置換によってキュ
リ−点が低温側にシフトして、誘電率のディプレス効果
が現れていることがわかる。さらに表１〜表６からも明
らかなように、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［Ｐ
ｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［ＰｂＴｉＯ3］３成分系
組成物のＰｂ2+をＳｒ2+で置換した本発明の組成範囲の
磁器組成物は、室温において高い誘電率、比抵抗の値を
有し、かつ誘電率の温度による変化が小さく、ＥＩＡ規
格のＹ５Ｕ特性（−３０℃〜８５℃：＋２２％，−５６
％）を満足することが可能である。さらに本発明の磁器
組成物は１１５０℃以下の比較的低い温度で焼結できる
ため、積層セラミックコンデンサの内部電極に銀・パラ
ジウム合金を用いることができる。
（０．５０，０．３０，０．２０）の組成物におけるＳ
ｒ2+置換量による誘電率の温度特性の変化を図１に示
す。図１から明らかなように、Ｓｒ2+置換によってキュ
リ−点が低温側にシフトして、誘電率のディプレス効果
が現れていることがわかる。さらに表１〜表６からも明
らかなように、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［Ｐ
ｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［ＰｂＴｉＯ3］３成分系
組成物のＰｂ2+をＳｒ2+で置換した本発明の組成範囲の
磁器組成物は、室温において高い誘電率、比抵抗の値を
有し、かつ誘電率の温度による変化が小さく、ＥＩＡ規
格のＹ５Ｕ特性（−３０℃〜８５℃：＋２２％，−５６
％）を満足することが可能である。さらに本発明の磁器
組成物は１１５０℃以下の比較的低い温度で焼結できる
ため、積層セラミックコンデンサの内部電極に銀・パラ
ジウム合金を用いることができる。
【００１３】実施例２
［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）３成分系磁器組成物において、（ｘ，ｙ，ｚ）
＝（０．５０，０．３０，０．２０）としてＰｂ2+をＳ
ｒ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成になるように、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニッケル、酸
化ニオブおよび炭酸ストロンチウムを正確に秤量し、実
施例１で示した方法と同様な方法で誘電体粉末を合成し
た。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機
バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を通常
のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成膜し
た。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―スト
を印刷し、所定の形状に打ち抜いた後、積層、熱プレス
を行って得た積層体を一定の形状に切断してコンデンサ
のグリ―ンチップを作製した。グリ−ンチップを所定の
温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―スト
を用いて外部電極を被着、形成した。コンデンサにデジ
タルマルチメ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加
した状態でデジタルＬＣＲメ―タを用いて１ｋＨｚ、１
Ｖr.m.s.の交流で、室温でコンデンサの容量を測定し
た。測定結果を図２に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）３成分系磁器組成物において、（ｘ，ｙ，ｚ）
＝（０．５０，０．３０，０．２０）としてＰｂ2+をＳ
ｒ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成になるように、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニッケル、酸
化ニオブおよび炭酸ストロンチウムを正確に秤量し、実
施例１で示した方法と同様な方法で誘電体粉末を合成し
た。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機
バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を通常
のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成膜し
た。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―スト
を印刷し、所定の形状に打ち抜いた後、積層、熱プレス
を行って得た積層体を一定の形状に切断してコンデンサ
のグリ―ンチップを作製した。グリ−ンチップを所定の
温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―スト
を用いて外部電極を被着、形成した。コンデンサにデジ
タルマルチメ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加
した状態でデジタルＬＣＲメ―タを用いて１ｋＨｚ、１
Ｖr.m.s.の交流で、室温でコンデンサの容量を測定し
た。測定結果を図２に示した。
【００１４】比較例１
［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２０となるような組
成物（比較例１）を用い、実施例２で示した方法と同様
にしてコンデンサを作製し同様の方法で直流バイアス印
加時の容量を測定した。測定結果を実施例２の結果と同
時に図２に示した。図２に示したように、比較例１で示
した組成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイア
ス印加時の容量減少が著しい。それに対してＰｂ2+イオ
ンをＳｒ2+イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組成物を用
いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れているこ
とがわかる。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２０となるような組
成物（比較例１）を用い、実施例２で示した方法と同様
にしてコンデンサを作製し同様の方法で直流バイアス印
加時の容量を測定した。測定結果を実施例２の結果と同
時に図２に示した。図２に示したように、比較例１で示
した組成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイア
ス印加時の容量減少が著しい。それに対してＰｂ2+イオ
ンをＳｒ2+イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組成物を用
いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れているこ
とがわかる。
【００１５】請求項２の実施例
実施例３
出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ3）を使用し、次表に示した配合比となる
ように各々秤量した。次に秤量した各材料をボ−ルミル
中で湿式混合したのち、８００〜８５０℃で仮焼を行
い、この粉末をボ−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有
機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、
厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１
０ｍｍの円柱を作製した。円柱は焼結密度測定用に供し
た。次にプレスした円板試料を１１００〜１１５０℃の
温度で１時間焼成を行い、焼成した円板の上下面に６０
０℃で銀電極を焼付けた。デジタルＬＣＲメ―タで周波
数１ｋＨｚ、電圧１Ｖr.m.s.の交流を用いて室温で容量
と誘電損失を測定し、５０Ｖの直流電圧を１分間印加し
た時の電流値を絶縁抵抗計で測定して試料の比抵抗を求
めた。誘電率は測定した容量値から求めた。さらに−３
０℃と８５℃における容量を測定し、２０℃の誘電率に
対する誘電率の変化率を求めた。このようにして得られ
た磁器の主成分、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐ
ｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配合比
ｘ，ｙ，ｚと、Ｐｂ2+イオンを置換したＢａ2+の量を表
７〜表９に示し、得られた磁器組成物の室温における誘
電率、誘電損失、比抵抗、および−３０℃、８５℃にお
ける誘電率の変化率（２０℃における誘電率を基準）を
表１０〜表１２に示す。表の試料番号で、*を付したも
のは主成分組成が本発明の範囲外のものを示し、**を付
したものはＢａ置換量が本発明の範囲外のものを示す。
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および炭酸バリウ
ム（ＢａＣＯ3）を使用し、次表に示した配合比となる
ように各々秤量した。次に秤量した各材料をボ−ルミル
中で湿式混合したのち、８００〜８５０℃で仮焼を行
い、この粉末をボ−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有
機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、
厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１
０ｍｍの円柱を作製した。円柱は焼結密度測定用に供し
た。次にプレスした円板試料を１１００〜１１５０℃の
温度で１時間焼成を行い、焼成した円板の上下面に６０
０℃で銀電極を焼付けた。デジタルＬＣＲメ―タで周波
数１ｋＨｚ、電圧１Ｖr.m.s.の交流を用いて室温で容量
と誘電損失を測定し、５０Ｖの直流電圧を１分間印加し
た時の電流値を絶縁抵抗計で測定して試料の比抵抗を求
めた。誘電率は測定した容量値から求めた。さらに−３
０℃と８５℃における容量を測定し、２０℃の誘電率に
対する誘電率の変化率を求めた。このようにして得られ
た磁器の主成分、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐ
ｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配合比
ｘ，ｙ，ｚと、Ｐｂ2+イオンを置換したＢａ2+の量を表
７〜表９に示し、得られた磁器組成物の室温における誘
電率、誘電損失、比抵抗、および−３０℃、８５℃にお
ける誘電率の変化率（２０℃における誘電率を基準）を
表１０〜表１２に示す。表の試料番号で、*を付したも
のは主成分組成が本発明の範囲外のものを示し、**を付
したものはＢａ置換量が本発明の範囲外のものを示す。
【００１６】
【表７】
【００１７】
【表８】
【００１８】
【表９】
【００１９】
【表１０】
【００２０】
【表１１】
【００２１】
【表１２】
【００２２】また、主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝
（０．５０，０．３０，０．２０）の組成物におけるＢ
ａ2+置換量による誘電率の温度特性の変化を図３に示
す。図３から明らかなように、Ｂａ2+置換によってキュ
リ−点が低温側にシフトして、誘電率のディプレス効果
が現れていることがわかる。さらに表からも明らかなよ
うに、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［ＰｂＴｉＯ3］３成分系組成物の
Ｐｂ2+をＢａ2+で置換した本発明の組成範囲の磁器組成
物は、高い誘電率、比抵抗の値を有し、かつ誘電率の温
度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５Ｕ特性（−３
０℃〜８５℃：＋２２％，−５６％）を満足することが
可能である。さらに本発明の磁器組成物は１１５０℃以
下の比較的低い温度で焼結できるため、積層セラミック
コンデンサの内部電極に銀・パラジウム合金を用いるこ
とができる。
（０．５０，０．３０，０．２０）の組成物におけるＢ
ａ2+置換量による誘電率の温度特性の変化を図３に示
す。図３から明らかなように、Ｂａ2+置換によってキュ
リ−点が低温側にシフトして、誘電率のディプレス効果
が現れていることがわかる。さらに表からも明らかなよ
うに、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［ＰｂＴｉＯ3］３成分系組成物の
Ｐｂ2+をＢａ2+で置換した本発明の組成範囲の磁器組成
物は、高い誘電率、比抵抗の値を有し、かつ誘電率の温
度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５Ｕ特性（−３
０℃〜８５℃：＋２２％，−５６％）を満足することが
可能である。さらに本発明の磁器組成物は１１５０℃以
下の比較的低い温度で焼結できるため、積層セラミック
コンデンサの内部電極に銀・パラジウム合金を用いるこ
とができる。
【００２３】実施例４
［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）３成分系磁器組成物において、（ｘ，ｙ，ｚ）
＝（０．５０，０．３０，０．２０）としてＰｂ2+をＢ
ａ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成になるように、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニッケル、酸
化ニオブ、および炭酸バリウムを正確に秤量し、実施例
３で示した方法と同様な方法で誘電体粉末を合成した。
得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機バイ
ンダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を通常のド
クタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成膜した。
さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―ストを印
刷し、所定の形状に打ち抜いた後、積層、熱プレスを行
って得た積層体を一定の形状に切断してコンデンサのグ
リ―ンチップを作製した。グリ−ンチップを所定の温度
条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―ストを用
いて外部電極を被着、形成した。コンデンサにデジタル
マルチメ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した
状態でデジタルＬＣＲメ―タを用いて１ｋＨｚ、１Ｖr.
m.s.の交流で、室温でコンデンサの容量を測定した。測
定結果を図４に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）３成分系磁器組成物において、（ｘ，ｙ，ｚ）
＝（０．５０，０．３０，０．２０）としてＰｂ2+をＢ
ａ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成になるように、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニッケル、酸
化ニオブ、および炭酸バリウムを正確に秤量し、実施例
３で示した方法と同様な方法で誘電体粉末を合成した。
得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機バイ
ンダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を通常のド
クタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成膜した。
さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―ストを印
刷し、所定の形状に打ち抜いた後、積層、熱プレスを行
って得た積層体を一定の形状に切断してコンデンサのグ
リ―ンチップを作製した。グリ−ンチップを所定の温度
条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―ストを用
いて外部電極を被着、形成した。コンデンサにデジタル
マルチメ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加した
状態でデジタルＬＣＲメ―タを用いて１ｋＨｚ、１Ｖr.
m.s.の交流で、室温でコンデンサの容量を測定した。測
定結果を図４に示した。
【００２４】比較例２
［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２０となるような組
成物（比較例２）を用い、実施例４で示した方法と同様
にしてコンデンサを作製し同様の方法で直流バイアス印
加時の容量を測定した。測定結果を実施例４の結果と同
時に図４に示した。図４に示したように、比較例２で示
した組成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイア
ス印加時の容量減少が著しい。それに対してＰｂ2+イオ
ンをＢａ2+イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組成物を用
いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れているこ
とがわかる。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２０となるような組
成物（比較例２）を用い、実施例４で示した方法と同様
にしてコンデンサを作製し同様の方法で直流バイアス印
加時の容量を測定した。測定結果を実施例４の結果と同
時に図４に示した。図４に示したように、比較例２で示
した組成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイア
ス印加時の容量減少が著しい。それに対してＰｂ2+イオ
ンをＢａ2+イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組成物を用
いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れているこ
とがわかる。
【００２５】請求項３の実施例
実施例５
出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および炭酸カルシ
ウム（ＣａＣＯ3）を使用し、次表に示した配合比とな
るように各々秤量した。次に秤量した各材料をボ−ルミ
ル中で湿式混合したのち、８００〜８５０℃で仮焼を行
い、この粉末をボ−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有
機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、
厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１
０ｍｍの円柱を作製した。円柱は焼結密度測定用に供し
た。次にプレスした円板試料を１１００〜１１５０℃の
温度で１時間焼成を行い、焼成した円板の上下面に６０
０℃で銀電極を焼付けた。デジタルＬＣＲメ―タで周波
数１ｋＨｚ、電圧１Ｖr.m.s.の交流を用いて室温で容量
と誘電損失を測定し、５０Ｖの直流電圧を１分間印加し
た時の電流値を絶縁抵抗計で測定して試料の比抵抗を求
めた。誘電率は測定した容量値から求めた。さらに−３
０℃と８５℃における容量を測定し、２０℃の誘電率に
対する誘電率の変化率を求めた。このようにして得られ
た磁器の主成分、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐ
ｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配合比
ｘ，ｙ，ｚと、Ｐｂ2+イオンを置換したＣａ2+の量を表
１３〜表１５に示し、得られた磁器組成物の室温におけ
る誘電率、誘電損失、比抵抗、および−３０℃、８５℃
における誘電率の変化率（２０℃における誘電率を基
準）を表１６〜表１８に示す。表の試料番号で、*を付
したものは主成分組成が本発明の範囲外のものを示し、
**を付したものはＣａ置換量が本発明の範囲外のものを
示す。
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化ニッケル
（ＮｉＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および炭酸カルシ
ウム（ＣａＣＯ3）を使用し、次表に示した配合比とな
るように各々秤量した。次に秤量した各材料をボ−ルミ
ル中で湿式混合したのち、８００〜８５０℃で仮焼を行
い、この粉末をボ−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有
機バインダを入れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、
厚さ約２ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ、厚さ約１
０ｍｍの円柱を作製した。円柱は焼結密度測定用に供し
た。次にプレスした円板試料を１１００〜１１５０℃の
温度で１時間焼成を行い、焼成した円板の上下面に６０
０℃で銀電極を焼付けた。デジタルＬＣＲメ―タで周波
数１ｋＨｚ、電圧１Ｖr.m.s.の交流を用いて室温で容量
と誘電損失を測定し、５０Ｖの直流電圧を１分間印加し
た時の電流値を絶縁抵抗計で測定して試料の比抵抗を求
めた。誘電率は測定した容量値から求めた。さらに−３
０℃と８５℃における容量を測定し、２０℃の誘電率に
対する誘電率の変化率を求めた。このようにして得られ
た磁器の主成分、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐ
ｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］zの配合比
ｘ，ｙ，ｚと、Ｐｂ2+イオンを置換したＣａ2+の量を表
１３〜表１５に示し、得られた磁器組成物の室温におけ
る誘電率、誘電損失、比抵抗、および−３０℃、８５℃
における誘電率の変化率（２０℃における誘電率を基
準）を表１６〜表１８に示す。表の試料番号で、*を付
したものは主成分組成が本発明の範囲外のものを示し、
**を付したものはＣａ置換量が本発明の範囲外のものを
示す。
【００２６】
【表１３】
【００２７】
【表１４】
【００２８】
【表１５】
【００２９】
【表１６】
【００３０】
【表１７】
【００３１】
【表１８】
【００３２】また、主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝
（０．５０，０．３０，０．２０）の組成物におけるＣ
ａ2+置換量による誘電率の温度特性の変化を図５に示
す。図５から明らかなように、Ｃａ2+置換によってキュ
リ−点が低温側にシフトして、誘電率のディプレス効果
が現れていることがわかる。さらに表からも明らかなよ
うに、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［ＰｂＴｉＯ3］３成分系組成物の
Ｐｂ2+をＣａ2+で置換した本発明の組成範囲の磁器組成
物は、高い誘電率、比抵抗の値を有し、かつ誘電率の温
度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５Ｕ特性（−３
０℃〜８５℃：＋２２％，−５６％）を満足することが
可能である。さらに本発明の磁器組成物は１１５０℃以
下の比較的低い温度で焼結できるため、積層セラミック
コンデンサの内部電極に銀・パラジウム合金を用いるこ
とができる。
（０．５０，０．３０，０．２０）の組成物におけるＣ
ａ2+置換量による誘電率の温度特性の変化を図５に示
す。図５から明らかなように、Ｃａ2+置換によってキュ
リ−点が低温側にシフトして、誘電率のディプレス効果
が現れていることがわかる。さらに表からも明らかなよ
うに、［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［Ｐｂ（Ｎｉ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］−［ＰｂＴｉＯ3］３成分系組成物の
Ｐｂ2+をＣａ2+で置換した本発明の組成範囲の磁器組成
物は、高い誘電率、比抵抗の値を有し、かつ誘電率の温
度による変化が小さく、ＥＩＡ規格のＹ５Ｕ特性（−３
０℃〜８５℃：＋２２％，−５６％）を満足することが
可能である。さらに本発明の磁器組成物は１１５０℃以
下の比較的低い温度で焼結できるため、積層セラミック
コンデンサの内部電極に銀・パラジウム合金を用いるこ
とができる。
【００３３】実施例６
［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）３成分系磁器組成物において、（ｘ，ｙ，ｚ）
＝（０．５０，０．３０，０．２０）としてＰｂ2+をＣ
ａ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成になるように、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニッケル、酸
化ニオブ、および炭酸カルシウムを正確に秤量し、実施
例５で示した方法と同様な方法で誘電体粉末を合成し
た。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機
バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を通常
のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成膜し
た。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―スト
を印刷し、所定の形状に打ち抜いた後、積層、熱プレス
を行って得た積層体を一定の形状に切断してコンデンサ
のグリ―ンチップを作製した。グリ−ンチップを所定の
温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―スト
を用いて外部電極を被着、形成した。コンデンサにデジ
タルマルチメ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加
した状態でデジタルＬＣＲメ―タを用いて１ｋＨｚ、１
Ｖr.m.s.の交流で、室温でコンデンサの容量を測定し
た。測定結果を図６に示した。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）３成分系磁器組成物において、（ｘ，ｙ，ｚ）
＝（０．５０，０．３０，０．２０）としてＰｂ2+をＣ
ａ2+で１０ｍｏｌ％置換した組成になるように、酸化
鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化ニッケル、酸
化ニオブ、および炭酸カルシウムを正確に秤量し、実施
例５で示した方法と同様な方法で誘電体粉末を合成し
た。得られた誘電体粉末を有機溶媒中に分散させ、有機
バインダと混練してスラリ―を作製し、スラリ―を通常
のドクタ―ブレ―ド法を用いて４０μｍの厚さに成膜し
た。さらに通常のスクリ―ン印刷法で内部電極ペ―スト
を印刷し、所定の形状に打ち抜いた後、積層、熱プレス
を行って得た積層体を一定の形状に切断してコンデンサ
のグリ―ンチップを作製した。グリ−ンチップを所定の
温度条件で脱バインダ、焼成を行い、さらに銀ペ―スト
を用いて外部電極を被着、形成した。コンデンサにデジ
タルマルチメ―タで０Ｖ〜５０Ｖの直流バイアスを印加
した状態でデジタルＬＣＲメ―タを用いて１ｋＨｚ、１
Ｖr.m.s.の交流で、室温でコンデンサの容量を測定し
た。測定結果を図６に示した。
【００３４】比較例３
［Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２０となるような組
成物（比較例３）を用い、実施例６で示した方法と同様
にしてコンデンサを作製し同様の方法で直流バイアス印
加時の容量を測定した。測定結果を実施例６の結果と同
時に図６に示した。図６に示したように、比較例３で示
した組成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイア
ス印加時の容量減少が著しい。それに対してＰｂ2+イオ
ンをＣａ2+イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組成物を用
いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れているこ
とがわかる。なお、本発明の主組成の特許請求範囲外の
組成では、キュリ−点が室温から高温側や低温側に片寄
りすぎるために、室温での容量が低くなる、容量の温度
特性が悪くなる、あるいは比抵抗が小さくなるという弊
害が現れる。またＳｒ2+，Ｂａ2+あるいはＣａ2+の置換
量を特許請求範囲以外にすると、容量が小さくなりすぎ
る、あるいはキュリ−点が室温から著しくずれるため、
コンデンサ用の磁器組成物としては適さなくなる。
2/3）Ｏ3］y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝
１．０）で示される３成分系磁器組成物において、ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．６０、ｚ＝０．２０となるような組
成物（比較例３）を用い、実施例６で示した方法と同様
にしてコンデンサを作製し同様の方法で直流バイアス印
加時の容量を測定した。測定結果を実施例６の結果と同
時に図６に示した。図６に示したように、比較例３で示
した組成の磁器組成物を用いたコンデンサは直流バイア
ス印加時の容量減少が著しい。それに対してＰｂ2+イオ
ンをＣａ2+イオンで置換した本発明の磁器組成物を用い
たコンデンサは、Ｐｂ2+イオンを置換しない組成物を用
いたコンデンサよりも直流バイアス特性が優れているこ
とがわかる。なお、本発明の主組成の特許請求範囲外の
組成では、キュリ−点が室温から高温側や低温側に片寄
りすぎるために、室温での容量が低くなる、容量の温度
特性が悪くなる、あるいは比抵抗が小さくなるという弊
害が現れる。またＳｒ2+，Ｂａ2+あるいはＣａ2+の置換
量を特許請求範囲以外にすると、容量が小さくなりすぎ
る、あるいはキュリ−点が室温から著しくずれるため、
コンデンサ用の磁器組成物としては適さなくなる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の磁器組成物は、Ｐｂ2+イオンを
Ｓｒ2+，Ｂａ2+あるいはＣａ2+イオンで置換することに
よって、キュリ−点の低温側へのシフト、および誘電率
の温度特性のディプレスが起こることによって、室温で
の誘電率を高くし、温度による誘電率の変化を小さくす
ることができる。さらに直流バイアス印加時の容量減少
が小さい、Ｐｂ2+を置換しない磁器組成物よりも高い比
抵抗の値を持つという優れた特徴がある。従って誘電率
の温度特性が優れ、かつ信頼性の高い積層セラミックコ
ンデンサを製造することが可能である。また焼成温度も
１１５０℃以下であるので、コンデンサの内部電極に銀
−パラジウム合金を用いることができる。さらに直流バ
イアス印加時の容量減少が小さいためスイッチング電源
など直流バイアスを印加した条件で使用される積層セラ
ミックコンデンサ用の磁器組成物として用いることが可
能である。
Ｓｒ2+，Ｂａ2+あるいはＣａ2+イオンで置換することに
よって、キュリ−点の低温側へのシフト、および誘電率
の温度特性のディプレスが起こることによって、室温で
の誘電率を高くし、温度による誘電率の変化を小さくす
ることができる。さらに直流バイアス印加時の容量減少
が小さい、Ｐｂ2+を置換しない磁器組成物よりも高い比
抵抗の値を持つという優れた特徴がある。従って誘電率
の温度特性が優れ、かつ信頼性の高い積層セラミックコ
ンデンサを製造することが可能である。また焼成温度も
１１５０℃以下であるので、コンデンサの内部電極に銀
−パラジウム合金を用いることができる。さらに直流バ
イアス印加時の容量減少が小さいためスイッチング電源
など直流バイアスを印加した条件で使用される積層セラ
ミックコンデンサ用の磁器組成物として用いることが可
能である。
【図１】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５
０，０．３０，０．２０）でＳｒ2+置換量が０，１０，
３０ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図であ
る。
０，０．３０，０．２０）でＳｒ2+置換量が０，１０，
３０ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図であ
る。
【図２】実施例２および比較例１で測定した直流バイア
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層あたりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層あたりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
【図３】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５
０，０．３０，０．２０）でＢａ2+置換量が０，１０，
２５ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図であ
る。
０，０．３０，０．２０）でＢａ2+置換量が０，１０，
２５ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図であ
る。
【図４】実施例４および比較例２で測定した直流バイア
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層あたりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層あたりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
【図５】主組成の配合比が（ｘ，ｙ，ｚ）＝（０．５
０，０．３０，０．２０）でＣａ2+置換量が０，１０，
２５ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図であ
る。
０，０．３０，０．２０）でＣａ2+置換量が０，１０，
２５ｍｏｌ％における誘電率の温度特性を示す図であ
る。
【図６】実施例６および比較例３で測定した直流バイア
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層あたりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
ス印加時の容量の変化率を積層セラミックコンデンサの
１層あたりの直流電界強度に対してプロットした図であ
る。
【図７】本発明の主成分組成範囲を示す３成分組成図で
ある。
ある。
Claims (3)
- 【請求項１】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物を主組成として、［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表
現したとき、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物において、鉛イオン（Ｐｂ2+）をストロ
ンチウムイオン（Ｓｒ2+）で０．０１〜３０ｍｏｌ％置
換したことを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項２】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物を主組成として、［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表
現したとき、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物において、鉛イオン（Ｐｂ2+）をバリウ
ムイオン（Ｂａ2+）で０．０１〜２５ｍｏｌ％置換した
ことを特徴とする磁器組成物。 - 【請求項３】 マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］、ニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ3］
からなる３成分組成物を主組成として、［Ｐｂ（Ｍｇ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］x［Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3］
y［ＰｂＴｉＯ3］z（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表
現したとき、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．１０， ｙ＝０．４７５，ｚ＝０．４２５） （ｘ＝０．６２５，ｙ＝０．０５， ｚ＝０．３２５） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．０５， ｚ＝０．２０） （ｘ＝０．７５， ｙ＝０．１５， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．５０， ｙ＝０．４０， ｚ＝０．１０） （ｘ＝０．１５， ｙ＝０．７０， ｚ＝０．１５） を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物において、鉛イオン（Ｐｂ2+）をカルシ
ウムイオン（Ｃａ2+）で０．０１〜２５ｍｏｌ％置換し
たことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/865,445 US5275988A (en) | 1991-04-12 | 1992-04-09 | Ceramic composition |
| TW081102795A TW197408B (ja) | 1991-04-12 | 1992-04-10 | |
| KR1019920006088A KR0160310B1 (ko) | 1991-04-12 | 1992-04-11 | 자기 조성물 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10646991 | 1991-04-12 | ||
| JP3-106469 | 1991-04-12 | ||
| JP3-106470 | 1991-04-12 | ||
| JP10647091 | 1991-04-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524915A true JPH0524915A (ja) | 1993-02-02 |
| JPH07121828B2 JPH07121828B2 (ja) | 1995-12-25 |
Family
ID=26446583
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3337864A Expired - Fee Related JPH07121828B2 (ja) | 1991-04-12 | 1991-11-28 | 磁器組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121828B2 (ja) |
| KR (1) | KR0160310B1 (ja) |
| TW (1) | TW197408B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014036022A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Nagoya Institute Of Technology | チューナブルキャパシタ |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP3337864A patent/JPH07121828B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-10 TW TW081102795A patent/TW197408B/zh active
- 1992-04-11 KR KR1019920006088A patent/KR0160310B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014036022A (ja) * | 2012-08-07 | 2014-02-24 | Nagoya Institute Of Technology | チューナブルキャパシタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0160310B1 (ko) | 1998-11-16 |
| TW197408B (ja) | 1993-01-01 |
| JPH07121828B2 (ja) | 1995-12-25 |
| KR920019703A (ko) | 1992-11-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |