JPS58156576A - チタン酸鉛に基づく誘電体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はチタン酸鉛のチタンの少なくともｚＯモルチを
マグネシウムおよびタングステンで置換したチタン酸鉛
に基づく誘電体、上記誘電体の製造方法および上記誘電
体を含む多層コンデンサに関する０ 上記種類の誘電体はコンデンサ、とくに多層コンデンサ
の製造上重要であるＯ モノリシックセラミック多層コンデンサは小容積で高い
信頼性をもって着しく大きい静電容量をもちうる０出発
セラミック材料は結合剤で処理されて薄い箔がつくられ
る０次にこのようなセラミック格上に金属ペーストが付
着されて電極が形成され続いて箔はセラミック層と金属
の層が交互になるように積み重ねられるＯ このようにしてつくられた誘電体と電極の層の連続物は
一つの組立体として焼結されるので、金属層が融けたり
酸化したりしないように電極材料および焼結条件を選ぶ
必要がある。

多層コンデンサにおいてセラミック材料が空気中１８０
０℃以上の温度で緻密に焼結される多層コンデンサを製
造することは知られている＠このような焼結温度では非
常に高い融点をもつ貴金属例えばパラジウムまたは白金
、だけが電極用金属として使用できる。

貴金属は極めて高価であり、又一部は豊富に入手できず
、さらにまたその価格の点でセラミック材料と何らの関
係もないので（多層コンデンサ製造ではすでに高度の機
械化が達成されている結果貴金属からの電極のための材
料費が特に重要である）、パラジウムまたは白金の高価
な電極なしで済ませ、それらの代りに銀の電極を用いる
ことを可能にするため有用な誘電値をもつセラミック材
料を徹底的に低くした焼結温度で製造する種々の試みが
なされてきたｏ　Ｐ　ｂＴｌｏｓ　−Ｐ　ｂ　（Ｍｇ１
７ｓＷ工／ｍ　）　ＯＩＩ系に基づくセラミック誘電体
が米国特許第４．０６２１，２１４１号明細書から知ら
れ、それは９５０〜１０００℃の温度で焼結でき、又誘
電・損率ｔａｎ　ａ　Ｏ，８５〜４．１８％に対して誘
電率８〉１０００値をもち有用な値を示す０米国特許第
４、０６８，８４１号明細書記載のセラミック材料から
多層コンデンサの製造のためには銀が電極金属として用
いられるべきである０このセラミック材料では銀電極を
使用して多層コンデンサを再現性のある品質で製造でき
ないことを確かめた０何故なら上記セラミック材料の焼
結温度が銀の融点に近すぎるからである０しかしながら
電気的性質に基づいて銀は電極金属として優秀な適合性
があり、可能ならば支持すべきである０ 本発明の目的は、上述の類のセラミック材料の焼結温度
を銀の融点よりかなり下になるように低下させ、電気的
特性、とくに誘電率Ｃおよび誘電損率ｔａｎδ、又抵抗
率および寿命試験後のそれからの変化を既知のセラミッ
ク材料に対して一層改善することにある０ 本発明において、この目的は次の組成：Ｐｂ（Ｔｓｘ−
、−ｙｗｇｘｖｔｙ　）　Ｏ。

ここで０．２５≦Ｘ≦０．８５ および０．２５≦ｙ≦０．８５ を有する化学量論の基礎的化合物に、添加剤のモル基準
でｓ　ｐｂｏ　＋　ｉ　ｗｏ８の組合わせを０，００１
〜ｏ、ｏｏａ添加することにより達成される。

−融点７２０℃の共晶（Ｓ　ｐｂｏ　十ｉ　ｗｏ、　）
を添加した結果、８８０〜１０００℃、とくに８８０〜
９００℃の範囲の焼結温度が使用でき、そのさいさらに
改良された誘電特性が達成できる０誘電率εの値は約１
５００〜５４００の間であり、１ｋＨｚにおける誘電損
率ｔａｎδの値は約１８６〜８．１−の間であり、抵抗
率の値は２５℃で約ｆｉＸ１０”〜ｌＸｌ０　　Ω１の
間である０ 本発明の他の好適例によれば誘電体は次式：％式％ ） に相当する組成を有する０ マグネシウムのＯ，１〜１．２モルチを少なくとも一つ
の遷移金属（Ｍ・）例えばＯｒ％Ｋｎ　ｓ　Ｆ・または
００で置換すると抵抗率値の重大な改良が有利な誘電特
性および低焼結温度のすでに得られた利点とともに得ら
れるＯ 例えば、上記組成に基づくセラミック材料は２８００〜
６１００の範囲の誘電率１値、０．８〜ａ、ｉｎの範囲
の１　ｋＨｚにおける誘電損率ｔａｎ　Ｊ値、２５℃に
おける８　Ｘ　１０１０〜ｌ　Ｘ　ｌ　Ｏ”Ω儂の範囲
の抵抗率値を有するＯ焼結温度は８８０〜１０００℃、
好ましくは８８０〜９００℃の範囲である０ 化学量論の基礎的化合物を形成する化合物をそれぞれ混
合し粉砕した後か焼工程を７００〜７５０℃の範囲、し
たがって比較的低温で実施するように工程を実施する場
合、　ｐｂｏの蒸発がかなりの範囲まで避けられるとい
う利点が得られるＯ本発明により得られる利点は、主と
して、電気的特性によって望ましい銀を純粋な形で電極
用金属として用いる場合でさえ、良好な多層コンデンす
が再現性よく得られるような低い焼結温度で最適のセラ
叱ツク特性、電気的特性および誘電体特性に到達するセ
ラミック誘電体を製造しうるという点にある＠ 本発明による誘電体の他の利点は誘電率Ｉが比較的小さ
い温度依存性を示すということであるＯ周囲温度におけ
るＩ値からの偏差が−ＩＳ６℃乃至＋１２５℃の温度範
囲にわたってできれば±１５−以下であることが実際的
目的に対して適当であるが、若干それより大きい偏差も
実際的目的に適している０ 本発明の誘電体のさらに利点をあげると＝（１ｐｂｏ＋
ｘｗｏ、　）−混合物の添加によって焼結温度を従来技
術の組成に比較して１０Ｇ−１５０℃だけ低下させるこ
とができるＯこれは鉛の蒸発を減じ、又例えば多層コン
デンサに再現性のある良好な効率で安価な銀電極の使用
が可能になるのでセラミックコンデンサとくに多層コン
デンサの製造に決定的な利点である。

遷移金属イオン、例えばＩｎ　ｓ　Ｏｒ　ｓ　Ｆ・およ
び／またはＣｏを混入することによって抵抗率値はと（
に１２５℃で増加するＯこの結果としてのみこれらの誘
電体は用途に対して十分高い絶縁値に達する０ 遷移金属イオン（とくにＫｎおよびＯｒ）の混入により
寿命特性が著しく改善されるのでこの結果この材料はセ
ラミックコンデンサおよびとくに多層コンデンサ用誘電
体として最適に使用できるＯＭｎを混入する結果として
誘電損率ｔａｎ　ａ値はかなりｌ−より下に減すること
ができる０次に本発明を図面を参照して実施例により詳
細に説明する０図面において： 第１図は本発明の誘電体（対する収縮挙動を示すＯ 第２図は誘電体の寿命試験後の抵抗率（０）の変化を時
間ｉ）の関数として、゛米国特許第４，０６Ｂ、８◆１
号明細書の誘電体を本発明の種々の誘電体と比較して示
すグラフであるＯ数字は表の組成に該当する０ 焼結特性をより良く定義できるように膨張計重（ｄｉｌ
ａｔｏｍｓｔ＠ｒ　ｆｕｒｎａｏｓ　）を用いて焼結温
度における収縮挙動をすべての試料に対して検討した◎
第１図に、収縮挙動を特徴例として次の組成：Ｐｂ（”
ｏ、４’ｇｏ、ｓｓ＊”ｏ、ｏｏｅ”ｏ、ｓ　）　０１
１　”ｏ、ｏ　ｏ　ａ　（５Ｐｂｏ＋ｚｏｏ、　）の誘
電体に対して示す〇 一定昇温速度で、用いた膨張計重は８００分後に１００
０℃に達し、この温度に２００分間保ち昇温速度と同速
度で再び冷却する〇 この温度変化（Ｔ）と平行して種々のセラミック試料の
収縮（Δりを時間（１）の関数として測定する。

以下の表１〜Ｂにおいて、収縮開始温度（ＴＥ；第１図
による試料に対してＴＥ＝！ｉ８０℃）および長さ方向
の収縮が５％に達した温度（ＴＩ＞１；第１図による試
料に対しＴ５％＝７８０℃）を示す０６４ｓの収縮はこ
の到達密度が未処理のセラミック材料の出発密度と理論
的に可能な密度との間のほぼ中間であることを意味する
０ 第１図の曲線は試料が昇温サイクルにおいて９００℃で
すでに高い最終の密度に到達し、１０００℃における等
温和において最早顕著な収縮が起こらないことを示す０ そこで９００℃の焼結温度が、次の組成；Ｐ　ｂ　（Ｔ
　ｉ　１　＋　（ｘ　＋　ｓ　）　−ｙ　Ｍｇ　ｘ　−
−〇　＊　Ｗ　ｙ　）　＋０．００１〜０．００６　（
ＰｂＯ＋　ＩＷＯ８）ここで０．１１８８＜１＜０．２
９９ ７　＝　０．８ ０．００　ｘ＜ｚ＜ｏ、ｏ　１　ｇ およびＭｓ＝遷移金属 の誘電体に対して十分であるＯ 以下の表１〜８においてさらに相対収縮値の和ΣＳ＝Δ
ａ　／　ａ＋Δｂ／ｂ＋Δｌ／ｌをチでプｐットする◎
なお見、互およびＩは試験試料のリブ（ｒｉｂ　）の長
さであるＯ 試料を特徴づけるためさらに２５℃における誘電率１値
、ｅの最高値の℃で示された温度、８５℃におけるＣ値
からの一５５’Ｃ１−ｇｏ℃、十Ｎｏ℃、＋８１ｓ℃お
よび＋１２５℃におけるＣ値の−で示した偏差、ならび
にｚａ’ｃｔｈ−における俤で示した誘電損率ｔａｎ　
ａの値を示す０絶縁抵抗を２５℃および１２５℃で測定
したＯこの測定において３４０ｖの直流電圧を厚さ０．
５−の試料に印加し、電流は電圧を印加して１分後に測
定した０表中に示した抵抗率値が得られるＯ多層コンデ
ンサの製造に実際的゛に適用するのに遺していることが
判明した若干の組成において寿命試験を１！Ｉｓ’ｃお
よび直流電圧の電界の強さ鳴Ｖ　／　μｍ　＝　２００
０　Ｖ　／　０．５１１１　テ実施したＯ試料を通って
流れる時間依存の電流を測定しこれから抵抗率を計算し
た。

°表１〜８の測定結果の説明 Ｌ　　（５Ｐ　ｂｏ　＋　Ｉ　ＷＯａ　）　（Ｆ）添加
による焼結温度の低下。

表１の試料番号ｌは従来技術の誘電体である〇膨張計測
定からＴ１値ｓｅｏ”ｃが見出されたが、この組成物は
２時間ｏｏｏ’ｃで焼結した後もなお開放気孔率を示し
ており、したがってコンデンサ用誘電体として不適当で
あるｏ　１０００’Ｃで焼結後８１５　Ｊｉｌ　／ａｎ
”の密度が見出され、これに関し理論密度８．７８　ｆ
ｌ　７ｃｍ”の場合まだ５〜６嗟の気孔率があることを
意味（ている０コンデンサ誘電体として十分な密度はこ
れで達せられるが誘電率Ｃに対する最適値は約８．２５
９／ａｍ’の密度に対する値では達成できない；これら
は８．４〜８．５ｇ／ｃｇＬ８（気孔率＜８１）よりよ
い密度でのみ起る＠最適密度は１００　Ｇ’Ｃより高い
焼結温度でのみ到達されるので、この組成は銀電極（融
点９６０．１１℃）と共に焼結する誘電体として不適当
である〇 次の組Ｉ＆： Ｐｂ　（’ｒ１□−３ｃｍ、ＭｇｘＷ、　）　０８ここ
で０．２５≦Ｘ≦０．８５ ０、ｆｆ１５≦ｙ≦０．８５ の基礎的化合物の焼結温度は添加剤のモル基準で０．０
０１〜ｏ、ｏｏａの範囲で（５ＰｂＯ＋ＩＷＯ，）を添
加することにより著しく低下させることができる◇ 表１から明らかなようにＴ５％値は番号ｌの試料（従来
技術の組成）の８６０　’Ｃ，から番号２〜２７の試料
（本発明に係る組成）において７６５℃まで低下させら
れる。番号ｌの試料は２時間で９００℃の焼結環境でま
だ開放気孔率を示すのに対し、本発明に係る組成を有す
る試料はｓｏｏ℃でさえ密に焼結できる＠（５Ｐ　ｂｏ
　＋　Ｉ　ＷＯｓ　）の添加剤を増すにつれてＣ値は増
加しｏ、ｏｏｇ〜ｏ、ｏｏａの添加でそれぞれ５４００
および５８００の最高値に達するＯ ａ　　ｍ移金属の混入による抵抗率、誘電損およびｇ　
（Ｔ）特徴◎ 次の組成： ｐｂ　（Ｔ１１−　（ｘ＋ｚ）　−ｙ　ｗＢｘ−、Ｍｅ
、Ｗｙ　）　Ｏ，＋ｏ、ｏ　ｏ　ｓ　（ｆｉｐｂｏ＋　
ＩＷＯ，）ここで０．２８８＜ｘ＜０．２９９ ｙ　　＝　　ｏ、　ｓ Ｏ，００１＜ｚ＜０．０１２ およびＭｅ＝遷移金属　　　゛ の基礎的化合物に遷移金属（ｃｒ　ｓ　Ｍｎ　ｓ　Ｆｅ
および／またはＣｏ　）混入の影響 表２： Ｉｎの混入は良好な焼結特性に影響することなくそりり
材料の誘電特性を本質的に改良する。とくに１１！Ｉｓ
℃において抵抗率は表１の番号１の試料（従来技術セラ
ミック材料）に対しＮｏ’倍に増加する０誘電損は１％
より下に低下しａ　（Ｔ）特徴もより平坦になる。

表８，４および５： 次の組成： Ｐｂ　（Ｔ１１−（ｘ＋ｍ）−７’ｇｘ−ｇ”ｇ”７　
）　Ｏ，＋０．００８　（５ＰｂＯ＋　ＩＷＯ，）ここ
で０．！　８　Ｂ＜ｘ＜０．２９９７　＝　０．８ ０．００　ｘ＜ｚ＜ｏ、ｏ　１２ およびＭｅ＝＝遷移金属 の基礎的化合物にＯｒ％Ｆｅおよび／又は００を混入す
ることによっても表１の番号ｌの試料に関して誘電特性
の改良が起る０ 誘電率ε値は６０００に増加しく番号７０の試料）、抵
抗率の値も８桁の大きさで改良される０表６に０．８モ
ルチのＫｎと０．δモルーのＯｒを組合わせて混入した
結果を示す０ 表７： 一定の基礎的化合物Ｐｂ（Ｔ１０，４’ｇＯｊ９４”０
，００６ｗ０．、　）　ｏ、　ニ種★ノ量（７）　ｐｂ
ｏ　＋　ｗｏ、を添加した０次の結論が表７の結果から
引き出される：添加はか焼前すでにすなわち基礎的物質
を秤量した際直ちに行ってもよい（この目的のために試
料番号８０および８１の試料を番号８δおよび８４の試
料と比較して参照）。

ＰｂＯおよびＷＯ８を共晶組成に相応する（　５　Ｐｂ
Ｏ＋ＩＷＯ８）の形で添加することは厳密には必要でな
いｏしかし、約１モル−のＰｂＯの上まわる用量（ｏｖ
ｓｒｄｏｓｓ　）が必須で、％ル。

ＷＯのみを添加した試料（試料番号Ｂ８参照）は９００
℃の焼結温度で８，８１５．！ｉｌ／ＣＩＬ”の密度し
か示さないｏ　ｐｂｏの上まわる用量は非常に臨界的で
はない；しかし０．００８　（ｌ５ＰｂＯ＋　１１０．
　）　（７）添加が最適として推奨されるＯ セラミックコンデンサ用材料の重要な特性＆ま寿命試験
における挙動であるＯこれはコンデンサに対してその電
気的特性とくにその抵抗率値＆ま高温かつ高い直流電圧
電界の強さく４ｖ／μｆｎ）で１０００時間負荷後も維
持されるべきであるとしλうことを意味する（仕様Ｘ？
Ｈに対してｌｓｓ℃、仕様Ｚ６Ｕに対シテ８　Ｂ　”Ｃ
）　。

１２Ｉｓ℃における寿命試験の測定結果を第３図に示す
０従来技術の組成（表１試料番号１）Ｇま１時間後にす
でにかなりのより低し−抵抗率を示し１０時間後に電気
的破壊を示したのに対し少量のＩｎまたはＯｒを添加し
た試料（試料番号１８゜８０）はとくに１０　Ω１を越
えるま′でやかて増加する抵抗率を有する。高Ｋｎ含量
を有する試料（試料番号８６．δ８）ならびにＣｏ含量
０．８モル嗟の試料（試料番号５８）は時間に無関係な
抵抗率を示す＠ ペロブスキー石型（ｐｅｒｏｗｓｋｉｔｓ　）基礎的化
合物の出発原料として非常に純粋な品質ｐｂｏ、ＭｇＯ
１Ｎｏ　　　Ｔｉｅ、　、酢酸マンガン、シュウ瞭コバ
ルト、８　％ シュウ醗鉄およびＯｒ、Ｏ，が役立つ。基礎的物質を表
に示すモル量に応じて秤取し；シュウ醗塩または酢酸塩
の代りに原則としてか焼温度で分解□されうる炭酸塩ま
たは他の化合物を使用してもよい。

粉末にした基礎的物質を８時間乾式摩砕し、次に７００
〜７６０℃の温度で１５時間予備焼結し次に再び１時間
乾式摩砕する。約６Ｘ６Ｘ１８ｍの寸法を有するプリズ
ム状体を粉末から形成する。

プリズム状体を４バールの圧力で均衡的に圧縮し、次い
で表に示す温度でＯ１雰囲気中ｚ時間焼結した・焼結プ
リズム状体の密度は蒸留水に沈めて測定する０ 約５．５　Ｘ　５．５　Ｘ　Ｏ，５ｍの寸法を有する長
方形平板をプリズム状体から形成し、その表面に、ラッ
プ仕上げ後蒸着金電極を設ける〇 誘電率８（Ｔ）および誘電損率ｔａｎδの値の測定は、
１　ｋＨｚで一５５〜＋１２５℃の範囲の温度で１ｖ未
満の測定電圧で行なう０昇温速度は１０℃／分であった
。

問題の組成物の焼結温度が低い結果として銀電極を有す
る多層コンデンサの製造が可能である。

次の組成： Ｐｂ（”０．４’ｇＯＪ９４　０，００６”０．８　）
　０８　＋ｎ Ｏ，００８（５ＰｂＯ＋　１．ＷＯ８）のセラミック材
料を有する多層コンデンサの製造の一例を次に述べるｏ
　Ｏ，００８（、！ｉ　ｐｂｏ　＋　ＩＷＯｓ）の添加
は基礎的化合物の材料のか焼抜行うＯペロジスキー石型
基礎的化合物用出発原料として非常に純粋な品質のｐｂ
ｏ、Ｔ１０８、ＭｇＯ、Ｎｏ。

および酢醗マンガンが役に立つ０これらの粉末をそれら
のモル組成に応じて秤取し、８時間乾式摩砕し、次いで
７００℃で１６時間か焼した０かくして得られた粉末に
適当な結合剤例えばポリビニルｔルコー〃を加えてかき
混ぜ水中懸濁液をつくる。このペースシから５０μｍ厚
さの箔を成形し、乾燥後これに銀ペーストをプリントし
て電極層を形成する０サンドイツチ構造の製造のためそ
のつど電極ペーストを付した四つの箔と電極ペーストな
しの一つの箔を積重ね圧縮す７？ｏ次に電極ペーストお
よび未処理セラミック材料の結合剤を２４時間以内に徐
徐に４０Ｑ℃に加熱することによって空気中で焼いた、
焼結は空気中で８５０，９００および９８０℃で２時間
行なった。焼結機誘電体層の厚さはまだ８０μ飢であっ
た０この上・うにしテ製造した多層コンデンサの電気的
特性を表８４．。

示す＠多層コンデンサで得られたこれらの値を平板（ｄ
ｉｓｏ　）コンデンサで測定した値と比較すると良好な
一致が見られるので平板コンデンサで測定されたデータ
の多く（表１〜７）は多層コンデンサ（表８）にも移す
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の誘電体に対する収縮挙動を示すグラフ
、 第２図は従来の誘導体と本発明の誘電体の抵抗率の時間
に対する変化を示すグラフである〇（）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　チタン酸鉛のチタンの少なくとも６０モル−がマグ
   ネシウムおよびタングステンによって置換されたチタン
   酸鉛に基づく誘電体において、次の組成： Ｐｂ　（Ｔｉ□−ｘ−、ＭｇｘＷ、　）　Ｏ。 ここで０，３Ｓ≦Ｘ≦０．８５ および０．３５≦ｙ≦０．８５ の化学量論の基礎的化合物に、添加剤のモル基準で０．
   ００１ないし０．００６　（５ＰｂＯ＋１１０、）が添
   加されて成ることを特徴とするチタン酸鉛に基づく誘電
   体０ 亀　上記誘電体が式： ％式％ ） で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の誘電体Ｏ 亀　上記誘電体が式； ％式％ ） で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第２項記載の誘電体０ ４　チタン酸鉛のチタンの少なくともｓＯモルチがマグ
   ネシウムおよびタングステンによって置換されているチ
   タン酸鉛に基づく誘電体において、該誘電体がマグネシ
   ウムの一部が遷移金属によって置換され次式： ％式％） ） およびに・は遷移金属 で表わされる組成を有することを特徴とするチタン酸鉛
   に基づく誘電体Ｏ 狐　上記誘電体が式： Ｐｂ（”０．４Ｋｇ０．１９４”０．００６”０．８　
   ”　ＯＩＩ＋０．０ｏａ（５ＰｂＯ＋ＩＷＯ８） で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第４項記載の誘電体Ｏ ａ　上記遷移金属としてＯｒ％Ｍｎ％ＦｓまたはＣｏを
   それぞれｌまたはそれより多い遷移金属として用いたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の誘電体。 ｉ　上記誘電体が式： ％式％ ） （式中）ｇ＝ｏ、ｏ　ｏ　ａ　〜ｏ、ｏ　ｏ　ｅ、Ｍｅ
   　ハＫｎ　ｓＯｒ　ｓ　Ｃｊ　ｏ　＃　ヨＵ　Ｆ　ｅよ
   り成る群から選ばれた１種または３種以上の金属を示す
   ）で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求
   の範囲第４項または第６項記載の誘電体Ｏａ　上記誘電
   体が式： ％式％） ） Ｏｏで表わされる組成を有することを特徴とする特許請
   求の範囲第４項記載５の誘電体〇甑　チタン酸鉛のチタ
   ンの少なくとも５０モルチがマグネシウムおよびタング
   ステンによって置換されているチタン酸鉛に基づく誘電
   体が次の組成： Ｐｂ　（Ｔｉ、！−、Ｍｇ、Ｗ、　）　Ｏ。 ここで０．２５≦Ｘ≦０．８５ および０．２５≦ｙ≦０．８Ｓ の化学量論の基礎的化合物に、添加剤のモル基準で０．
   ００１ないしｏ、ｏ　ｏ　ａ　（ｓ　ｐｂｏ＋１ｗｏ、
   ）が添加されて成る誘電体を製造するに当り、化学量論
   の基礎的化合物を形成する化合物をそれぞれ混合し、摩
   砕した後７００〜１５０℃の範囲でか焼工程を実″施し
   、しかる後生成物を摩砕し成形し次いで８００〜１００
   ０℃の範囲の温度で緻密に焼結し、添付剤を形成する化
   合物を基礎的化合物を形成する化合物にか焼前又はか焼
   抜添加することを特徴とする誘電体の製造方法Ｏ １ａ　　上記誘電体が式： ％式％ ） で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第９項記載の誘電体の製造方法Ｏ ＩＬ　　上記誘電体が式： ％式％） ） で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第１０項記載の誘電体の製造方法。 １１　　チタン酸鉛のチタンの少なくとも５０モルチが
   マグネシウムおよびタングステンによって置換されてい
   るチタン酸鉛に基づく誘電体が、マグネシウムの一部が
   遷移金属によって置換され次式： ％式％） ） およびＭ・は遷移金属 で表わされる組成を有する誘電体を製造するに当り、化
   学量論の基礎的化合物を形成する化合物をそれぞれ混合
   し摩砕した後７００〜７５０℃の範囲でか焼工程を実施
   し、しかる後生成物を摩砕し成形し次いで８００〜１０
   ００℃の範囲の温度で緻密に焼結し、添加剤を形成する
   化合物を基礎的化合物を形成する化合物にか焼前又はか
   焼抜付加することを特徴とする誘電体の製造方法Ｏ １＆　上記誘電体が式： ％式％） ） で表わされる組成を有することを特徴とする特許請求の
   範囲第１２項記載の誘電体の製造方法。 １賑　　上記遷移金属としてＣｒｓＭｎ％ＦｅまたはＣ
   ｏをそれぞれｌまたはそれより多い遷移金属として用い
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１Ｂ項記載の誘電
   体の製造方法Ｏ１＆　上記誘電体が式： ％式％ ） （式中のｉ＝ｏ、００８〜０．００９、舅・は金属Ｍ　
   ｎ　ｓ　Ｏｒ％ＣｏおよびＦ・より成る群から選ばれた
   １種または２種以上の金属を示す）で表わされる組成を
   有することを特徴とする特許請求の範囲第１２項または
   第１４項記載の誘電体の製造方法。 １６−　上記誘電体が式： ％式％） ） Ｍｅ＝Ｏｒ＊　Ｍｎｓ　Ｆ＠および／または００で表わ
   される組成を有することを特徴とする特許請求の範囲第
   １２項記載の誘電体の製造方法Ｏ１′Ｌ　　特許請求の
   範囲第１〜８項のいずれかの項に記載の誘電体を有する
   ことを特徴とする多層コンデンサ０