JPS62254305A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS62254305A JPS62254305A JP61089649A JP8964986A JPS62254305A JP S62254305 A JPS62254305 A JP S62254305A JP 61089649 A JP61089649 A JP 61089649A JP 8964986 A JP8964986 A JP 8964986A JP S62254305 A JPS62254305 A JP S62254305A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は高誘電率磁器組成物に係り、特にｐｂ（Ｚｎ
Ｎｂ ）Ｏを主体とした誘電重湯度係数（Ｔ、
Ｃ，Ｃ）が小さく信頼性に優れた高誘電率磁器組成物に
関する。
Ｎｂ ）Ｏを主体とした誘電重湯度係数（Ｔ、
Ｃ，Ｃ）が小さく信頼性に優れた高誘電率磁器組成物に
関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
従来、誘電率が３０００を越えるような高誘電率磁器材
料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系材料
が主体として用いられている。
料としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉ０３）系材料
が主体として用いられている。
今日ではこの材料をもちいて、誘電体厚み２０〜３０μ
ｍ、積層数２０〜８０層の積層セラミックコンデンサ（
ＭＬＣ）が実用化されている。しかしながら、この材料
をもちいて積層セラミックコンデンサを作成した場合に
は種々の問題点が現れてきている。誘電体厚みのｉ１層
化に伴い、誘電体厚みあたりに対する電圧が増加し誘電
体のＤＣバイアス依存性、すなわち定格電圧が印加され
た時の実効容量の大幅な低下がそのひとつである。例え
ば定格２５Ｖ、１．０μＦのＦ特性ＭＬＣにおいては誘
電率を１００００．誘電体厚みを２５μｍとすると定格
電圧の印加時には約７０％の容量の低下があり得られる
審議は０．３μＦにすぎない。更に誘電率温度係数（Ｔ
、Ｃ，Ｃ）を考慮すると定格電圧の印加時に最低でも１
．０μＦの容量を必要とする回路では３．３μＦ以上の
Ｍ［Ｃを使用しなくてはならないことになる。
ｍ、積層数２０〜８０層の積層セラミックコンデンサ（
ＭＬＣ）が実用化されている。しかしながら、この材料
をもちいて積層セラミックコンデンサを作成した場合に
は種々の問題点が現れてきている。誘電体厚みのｉ１層
化に伴い、誘電体厚みあたりに対する電圧が増加し誘電
体のＤＣバイアス依存性、すなわち定格電圧が印加され
た時の実効容量の大幅な低下がそのひとつである。例え
ば定格２５Ｖ、１．０μＦのＦ特性ＭＬＣにおいては誘
電率を１００００．誘電体厚みを２５μｍとすると定格
電圧の印加時には約７０％の容量の低下があり得られる
審議は０．３μＦにすぎない。更に誘電率温度係数（Ｔ
、Ｃ，Ｃ）を考慮すると定格電圧の印加時に最低でも１
．０μＦの容量を必要とする回路では３．３μＦ以上の
Ｍ［Ｃを使用しなくてはならないことになる。
また誘電体厚みの薄層化においてはその大きな結晶粒子
径が問題となる。通常の固相反応によるＢ ａ Ｔ ＋
０３の結晶粒子系は４〜１０μｍである。
径が問題となる。通常の固相反応によるＢ ａ Ｔ ＋
０３の結晶粒子系は４〜１０μｍである。
大官量化をはかるため誘電体厚みを２０μｍ以下にする
と居間の粒子数が少なくなり耐電圧の低下の原因となる
。さらに、チタン酸バリウム系材料の焼成温度は１３０
０〜１４００℃と高温であり同時焼成される内部電極材
料は必然的にパラジウムｐｄや白金Ｐｔなどの高温で酸
化されない高価な貴金属材料を用いなければならず、コ
スト窩の原因となる。このチタン酸バリウム系材料の問
題点を解決すべく鉛を含む複合ペロブスカイｌ−化合物
の研究が広く行なわれている。例えば、鉄ニオブ酸鉛Ｐ
ｂ（Ｆｅ Ｎｂ ）Ｏを主体トシたちの（特開
昭５７−５７２０４号）、マグネジ１／３ ２／３
）０３を ラムニオブ酸鉛Ｐｂ（ＭＱ Ｎｂ 主体としたもの（特開昭５５−５１７５８号）マグネシ
ウムタングステン酸鉛Ｐｂ（Ｍｃ＋１／２ Ｗ１／２
）０３を主体としたもの（特開昭５２−２１６９９ 号
）等が知られている。鉄ニオブ酸鉛を主体としたものは
結晶粒子径及び絶縁抵抗の焼成温度による変化が大きく
、８５℃以上における絶縁抵抗の低下が大ぎく高温での
信頼性に問題があるマグネシウムニオブ酸鉛を主体とし
たものは焼成温度が比較的に高く、ペロブスカイト単一
組を得にくいという問題点がある。またマグネシウムタ
ングステン酸鉛を主体としたものは絶縁抵抗が大きいと
誘電率が小さく誘電率が大きいと絶縁抵抗が小さいとい
う問題点があった。更にこれ等の材料を用いて作成した
積層セラミックコンデンサの耐湿負荷テストの結果はチ
タン酸バリウムを用いたものと比較すると不十分であっ
た。
と居間の粒子数が少なくなり耐電圧の低下の原因となる
。さらに、チタン酸バリウム系材料の焼成温度は１３０
０〜１４００℃と高温であり同時焼成される内部電極材
料は必然的にパラジウムｐｄや白金Ｐｔなどの高温で酸
化されない高価な貴金属材料を用いなければならず、コ
スト窩の原因となる。このチタン酸バリウム系材料の問
題点を解決すべく鉛を含む複合ペロブスカイｌ−化合物
の研究が広く行なわれている。例えば、鉄ニオブ酸鉛Ｐ
ｂ（Ｆｅ Ｎｂ ）Ｏを主体トシたちの（特開
昭５７−５７２０４号）、マグネジ１／３ ２／３
）０３を ラムニオブ酸鉛Ｐｂ（ＭＱ Ｎｂ 主体としたもの（特開昭５５−５１７５８号）マグネシ
ウムタングステン酸鉛Ｐｂ（Ｍｃ＋１／２ Ｗ１／２
）０３を主体としたもの（特開昭５２−２１６９９ 号
）等が知られている。鉄ニオブ酸鉛を主体としたものは
結晶粒子径及び絶縁抵抗の焼成温度による変化が大きく
、８５℃以上における絶縁抵抗の低下が大ぎく高温での
信頼性に問題があるマグネシウムニオブ酸鉛を主体とし
たものは焼成温度が比較的に高く、ペロブスカイト単一
組を得にくいという問題点がある。またマグネシウムタ
ングステン酸鉛を主体としたものは絶縁抵抗が大きいと
誘電率が小さく誘電率が大きいと絶縁抵抗が小さいとい
う問題点があった。更にこれ等の材料を用いて作成した
積層セラミックコンデンサの耐湿負荷テストの結果はチ
タン酸バリウムを用いたものと比較すると不十分であっ
た。
［発明の目的］
本発明は以上の点を考慮してなされたもので誘電率が大
きく、かつその温度係数が小さく１１００℃以下の低温
で焼成でき、積層セラミックコンデンサとしたときの耐
湿負荷テストに優れた高誘電率磁器組成物を提供するこ
とを目的とする。
きく、かつその温度係数が小さく１１００℃以下の低温
で焼成でき、積層セラミックコンデンサとしたときの耐
湿負荷テストに優れた高誘電率磁器組成物を提供するこ
とを目的とする。
［発明の概要］
本発明は、一般式
％式％（
とき、それぞれの成分を頂点とする三元図のａ （ｘ
＝０．５０． Ｙ＝Ｏ，ＯＯ，ｚ＝０．５０） ｂ （ｘ＝１．ｏｏ、 Ｙ＝０．００． ｚ＝０
．００） Ｃ（ｘ＝０．２０． Ｖ＝０．８０． ｚ＝０．０
０） ｄ （ｘ−０，０５，Ｖ＝０．９０． ｚ＝０
．０５） で示される各点を結ぶ線内の組成のｐｂの一部を１〜３
５ｍｏ１％のＢａ及びＳｒの少なくとも一種で置換した
ことを特徴とした高誘電率磁器組成物に対して重諸比で
０．０１〜１．０重量％の酸化銀ＡΩ２０．酸化パラジ
ウムＰｄＯ及び酸化白銀ＰｔＯの少なくとも一種を含む
ことを特徴とした高誘電率磁器組成物である。従来から
誘電体材料として各種の複合ペロブスカイト化合物が検
討されているが、亜鉛ニオブ酸鉛は磁器としてはペロブ
スカイト構造を取りにくり、誘電体材料どしては適さな
いと考えられていた（ＮＥＣＲｅ５ｅａｒｃｈ ＆
［）ｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｎ（１２９Ａｐｒｉｌ
１９７３ ｐ、１５〜２１参照）。本発明者等の
研究によれば亜鉛ニオブ酸鉛の鉛の一部をバリウム又は
ストロンチウムで適；ｄ置換することにより磁器で安定
なペロブスカイト構造を形成できることが分かった。更
にこのような磁器組成物は、非常に高い誘電率及び絶縁
抵抗を示し、かつ、その温度特性も極めて良好であるこ
とがわかった。更に研究を進めた結果、この亜鉛ニオブ
酸鉛にマグネシウムニオブ酸鉛及びチタン酸鉛とを組合
せることにより、更に高い誘電率と絶縁抵抗を合せ持つ
高誘電率磁器組成物が得られることを見出したのである
。この材料に重量化で０．０１〜１．０重量％の酸化銀
ＡＱ２０、酸化パラジウムＰｄＯ及び酸化白金ＰｔＯの
少なくとも一種を含むことにより積層セラミックコンデ
ンサの耐湿負荷テストの結果を大幅に向上できることを
見出した。
＝０．５０． Ｙ＝Ｏ，ＯＯ，ｚ＝０．５０） ｂ （ｘ＝１．ｏｏ、 Ｙ＝０．００． ｚ＝０
．００） Ｃ（ｘ＝０．２０． Ｖ＝０．８０． ｚ＝０．０
０） ｄ （ｘ−０，０５，Ｖ＝０．９０． ｚ＝０
．０５） で示される各点を結ぶ線内の組成のｐｂの一部を１〜３
５ｍｏ１％のＢａ及びＳｒの少なくとも一種で置換した
ことを特徴とした高誘電率磁器組成物に対して重諸比で
０．０１〜１．０重量％の酸化銀ＡΩ２０．酸化パラジ
ウムＰｄＯ及び酸化白銀ＰｔＯの少なくとも一種を含む
ことを特徴とした高誘電率磁器組成物である。従来から
誘電体材料として各種の複合ペロブスカイト化合物が検
討されているが、亜鉛ニオブ酸鉛は磁器としてはペロブ
スカイト構造を取りにくり、誘電体材料どしては適さな
いと考えられていた（ＮＥＣＲｅ５ｅａｒｃｈ ＆
［）ｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｎ（１２９Ａｐｒｉｌ
１９７３ ｐ、１５〜２１参照）。本発明者等の
研究によれば亜鉛ニオブ酸鉛の鉛の一部をバリウム又は
ストロンチウムで適；ｄ置換することにより磁器で安定
なペロブスカイト構造を形成できることが分かった。更
にこのような磁器組成物は、非常に高い誘電率及び絶縁
抵抗を示し、かつ、その温度特性も極めて良好であるこ
とがわかった。更に研究を進めた結果、この亜鉛ニオブ
酸鉛にマグネシウムニオブ酸鉛及びチタン酸鉛とを組合
せることにより、更に高い誘電率と絶縁抵抗を合せ持つ
高誘電率磁器組成物が得られることを見出したのである
。この材料に重量化で０．０１〜１．０重量％の酸化銀
ＡＱ２０、酸化パラジウムＰｄＯ及び酸化白金ＰｔＯの
少なくとも一種を含むことにより積層セラミックコンデ
ンサの耐湿負荷テストの結果を大幅に向上できることを
見出した。
以下に本発明の組成物の組成範囲について説明する。Ｍ
ｅ＝３ａ、３ｒは上記した一般式のペロブスカイト構造
を形成するための必要な元素であり、１ｍ０１％以下だ
と、パイロクロア構造が混在し高い誘電率及び高い絶縁
抵抗を示さない。３５ｎ＋ｏ１％以上では誘電率が１０
００程度以下と小さくなってしまったり、焼成温度が１
１００℃以上と高くなったりしてしまう。よって、Ｍｅ
酸成分置換量は、（Ｐｂｌ−ａ Ｍｅａ ）と表したと
き０．０１≦ａ≦０．３５とする。
ｅ＝３ａ、３ｒは上記した一般式のペロブスカイト構造
を形成するための必要な元素であり、１ｍ０１％以下だ
と、パイロクロア構造が混在し高い誘電率及び高い絶縁
抵抗を示さない。３５ｎ＋ｏ１％以上では誘電率が１０
００程度以下と小さくなってしまったり、焼成温度が１
１００℃以上と高くなったりしてしまう。よって、Ｍｅ
酸成分置換量は、（Ｐｂｌ−ａ Ｍｅａ ）と表したと
き０．０１≦ａ≦０．３５とする。
誘電体材料においては常温における容量を高くするため
、誘電率が最大になるキュリ一温度が常温付近（０〜３
０℃）にくるようにする。本発明のＭｅ酸成分上述した
ようにペロブスカイト構造を形成するための必須成分で
あるが、また、本発明磁器組成物のキュリ一温度を下げ
るシフターの働きがある。さらに、絶縁抵抗を著しく増
加させ、機械的強度も向上させる。
、誘電率が最大になるキュリ一温度が常温付近（０〜３
０℃）にくるようにする。本発明のＭｅ酸成分上述した
ようにペロブスカイト構造を形成するための必須成分で
あるが、また、本発明磁器組成物のキュリ一温度を下げ
るシフターの働きがある。さらに、絶縁抵抗を著しく増
加させ、機械的強度も向上させる。
Ｍｅ酸成分よるｐｂの置換量はキュリ一温度等を考慮し
て適当に選定することが可能であるが、亜鉛ニオブ酸鉛
及びチタン酸鉛の多い領域（Ｘ＞０、５． ｚ＞０．１
） ｒハ１０＋ｏｌ ％以上ｆｆ１ｌＥマしく、マグ
ネシウムニオブ酸鉛の多い領域（ｙ＞０、６． ｚ ＜
０．０５ ） ｒハ１ ｍｏｌ ％以上テ充分その置換
の効果を発揮する。
て適当に選定することが可能であるが、亜鉛ニオブ酸鉛
及びチタン酸鉛の多い領域（Ｘ＞０、５． ｚ＞０．１
） ｒハ１０＋ｏｌ ％以上ｆｆ１ｌＥマしく、マグ
ネシウムニオブ酸鉛の多い領域（ｙ＞０、６． ｚ ＜
０．０５ ） ｒハ１ ｍｏｌ ％以上テ充分その置換
の効果を発揮する。
第１図に本発明磁器組成物の組成範囲を示す。
線分ａｄの外側では焼成温度が１１００’Ｃ以上と高く
なってしまい、また絶縁抵抗も低下し高い信頼性を得る
ことができない。
なってしまい、また絶縁抵抗も低下し高い信頼性を得る
ことができない。
また線分ｃｄの外側ではキュリ一温度がもともと常温付
近にあるため、Ｍｅ酸成分よる置換でキュリ一温度が大
幅に低温側に移動して、常温における誘電率が大幅に低
下してしまう。また、添加物である酸化ＩＡｑ２０．Ｆ
ｌｉ化パラジウムＰｄＯ及び酸化白金ＰｔＯの少なくと
も一種を０．０１重石％から１重量％とじたのは０．０
１重量％未満では積層セラミックコンデンサとしたとき
の耐湿負荷テストの結果を大幅に向上できる効果がほと
んど期待できず１重量％以上では誘電率が大幅に低下す
るためである。
近にあるため、Ｍｅ酸成分よる置換でキュリ一温度が大
幅に低温側に移動して、常温における誘電率が大幅に低
下してしまう。また、添加物である酸化ＩＡｑ２０．Ｆ
ｌｉ化パラジウムＰｄＯ及び酸化白金ＰｔＯの少なくと
も一種を０．０１重石％から１重量％とじたのは０．０
１重量％未満では積層セラミックコンデンサとしたとき
の耐湿負荷テストの結果を大幅に向上できる効果がほと
んど期待できず１重量％以上では誘電率が大幅に低下す
るためである。
つぎに、本発明の組成物の製造方法について表明する。
出発原料としてＰｂ、３ａ、３ｒ、 Ｚｎ。
Ｎｂ、Ｔｉ、ＭＣ１，ＡＱ、Ｐｄ、Ｐｔの酸化物もしく
は焼成により酸化物になる炭酸塩、しゆう酸塩等の塩類
、水酸化物、有機化合物などを所定の割合で秤吊し、充
分混合した後に仮焼する。この仮焼は７００〜８５０℃
程度で行う。余り仮焼塩が低いと焼結密度が低下し、ま
た、あまり高いとやはり焼結密度が低下し、絶縁抵抗が
低下する。
は焼成により酸化物になる炭酸塩、しゆう酸塩等の塩類
、水酸化物、有機化合物などを所定の割合で秤吊し、充
分混合した後に仮焼する。この仮焼は７００〜８５０℃
程度で行う。余り仮焼塩が低いと焼結密度が低下し、ま
た、あまり高いとやはり焼結密度が低下し、絶縁抵抗が
低下する。
つぎに仮焼物を粉砕し原料粉末を製造する。平均粒径は
０．５〜２μｍ程度が好ましく、あまり大きいと焼結密
度が低下し、小さいと成型性が低下する。このような原
料粉末を用い所望の形状に成型した後、焼成することに
より、高誘電率磁器を得る。本発明の組成物を用いるこ
とにより焼成は１１００℃以下、９５０〜１０８０℃程
度と比較的低温で行うことができる。
０．５〜２μｍ程度が好ましく、あまり大きいと焼結密
度が低下し、小さいと成型性が低下する。このような原
料粉末を用い所望の形状に成型した後、焼成することに
より、高誘電率磁器を得る。本発明の組成物を用いるこ
とにより焼成は１１００℃以下、９５０〜１０８０℃程
度と比較的低温で行うことができる。
積層タイプの素子を製造する場合は、前述の原料粉末に
バインダー、溶剤等を加えスラリー化して、グリーンシ
ートを形成し、このグリーンシート上に内部電極を印刷
した後、所定の枚数を積層。
バインダー、溶剤等を加えスラリー化して、グリーンシ
ートを形成し、このグリーンシート上に内部電極を印刷
した後、所定の枚数を積層。
圧着し焼成することにより’！！Ｊ造する。このとき、
本発明の誘電体材料は低温で焼成できるため、内部電極
材料として例えば銀主体の安価で抵抗率の低い材料を用
いることができる。
本発明の誘電体材料は低温で焼成できるため、内部電極
材料として例えば銀主体の安価で抵抗率の低い材料を用
いることができる。
また、このように低温で焼成が可能であることから、回
路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペーストの材料
としても有効である。
路基板上等に印刷・焼成する厚膜誘電体ペーストの材料
としても有効である。
このような本発明磁器組成物は、従来まで鉛ぺロブスカ
イト複合化合物の欠点であったｍ１ｆｆｌｔ＝ラミツク
コンデンサとしたときの耐湿負荷テストに優れ、高い絶
縁抵抗、低い誘電損失、ＤＣバイアス特性が良好である
。またＣＲ値も大きく、特に高温でも充分な値を有し、
高温での信頼性に優れている。
イト複合化合物の欠点であったｍ１ｆｆｌｔ＝ラミツク
コンデンサとしたときの耐湿負荷テストに優れ、高い絶
縁抵抗、低い誘電損失、ＤＣバイアス特性が良好である
。またＣＲ値も大きく、特に高温でも充分な値を有し、
高温での信頼性に優れている。
Ｔ、Ｃ，Ｃの小さいことは本発明の大きな特徴であり、
これは、Ｋ≧１００００のごとくの大きな誘電率の場合
、特に顕著である。このように誘電率の大きい場合には
、（誘電率）／（温度変化率の絶対値）の大きいことが
要求される。本発明ではこの点に関しても非常に優れて
いる。
これは、Ｋ≧１００００のごとくの大きな誘電率の場合
、特に顕著である。このように誘電率の大きい場合には
、（誘電率）／（温度変化率の絶対値）の大きいことが
要求される。本発明ではこの点に関しても非常に優れて
いる。
さらに、誘電率バイアス電界依存性も従来のチタン酸鉛
系の材料と比較して優れており、誘電率の変化率が４ｋ
Ｖ／ａｍ＋でも１０％以下程度の材料を得ることもでき
る。したがって、高圧用の材料として有効である。また
誘電損失が小さく、交流用、高周波用としても有効であ
る。
系の材料と比較して優れており、誘電率の変化率が４ｋ
Ｖ／ａｍ＋でも１０％以下程度の材料を得ることもでき
る。したがって、高圧用の材料として有効である。また
誘電損失が小さく、交流用、高周波用としても有効であ
る。
さらに、前述のこと＜Ｔ、Ｃ，Ｃ，が小さいため、電歪
素子へ応用した場合でも変位置の温度変化の小さい素子
を得ることができる。
素子へ応用した場合でも変位置の温度変化の小さい素子
を得ることができる。
さらに、焼成時のグレインサイズも１〜３μｍと均一化
されるため耐圧性にも優れている。
されるため耐圧性にも優れている。
以上電気的特性について述べたが、機械的強度も充分に
優れたものである。
優れたものである。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、重量比で０．０１
〜ｉ、ｏ重量％の酸化銀Ａｇ２ ｏ、酸化パラジウムＰ
ｄＯ及び酸化白金ｐｔ○の少なくとも一種を含むことに
より積ｍ ｔラミックコンデンサとしたときの耐湿負荷
テストに優れ、高い絶縁抵抗、低い誘電損失、優れたＴ
、Ｃ，Ｃ，及びＤＣバイアス特性が良好である高読電率
磁器組成物を得ることができる。特に、このような各種
特性に優れた磁器組成物は低温焼成で得ることができる
ため、低コストの積層セラミックコンデンサ、積層型セ
ラミック変位発生素子等のｆａ層タイプのセラミック素
子への応用に適している。
〜ｉ、ｏ重量％の酸化銀Ａｇ２ ｏ、酸化パラジウムＰ
ｄＯ及び酸化白金ｐｔ○の少なくとも一種を含むことに
より積ｍ ｔラミックコンデンサとしたときの耐湿負荷
テストに優れ、高い絶縁抵抗、低い誘電損失、優れたＴ
、Ｃ，Ｃ，及びＤＣバイアス特性が良好である高読電率
磁器組成物を得ることができる。特に、このような各種
特性に優れた磁器組成物は低温焼成で得ることができる
ため、低コストの積層セラミックコンデンサ、積層型セ
ラミック変位発生素子等のｆａ層タイプのセラミック素
子への応用に適している。
［発明の実施例］
以下に本発明の詳細な説明する。
Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｔｉ、ＭＯ。
ＡＱ、Ｐｄ、Ｐｔの酸化物などの出発原料をボールミル
などで混合し、７００〜８５０℃で仮焼する。ついでこ
の仮焼体をボールミルなどで粉砕し乾燥の後、バインダ
ーを加え造粒し、プレスして直径１７ｍ、厚さ約２ｔｔ
ｘの円板状素体を形成した。
などで混合し、７００〜８５０℃で仮焼する。ついでこ
の仮焼体をボールミルなどで粉砕し乾燥の後、バインダ
ーを加え造粒し、プレスして直径１７ｍ、厚さ約２ｔｔ
ｘの円板状素体を形成した。
混合、粉砕用のボールは、不純物の混入を防止するため
部分安定化ジルコニアボール等の硬度が大きく、かつ靭
性の高いボールを用いることが好ましい。
部分安定化ジルコニアボール等の硬度が大きく、かつ靭
性の高いボールを用いることが好ましい。
この素体を空気中９８０〜１０８０℃、２時間の条件で
焼結し、両生面に銀電極を焼付は各特性を測定した。誘
電損失、容量は、１ｋＨｚ、ＩＶｒｍｓ、２５℃の条件
でのデジタルＬＣＲメータによる測定値であり、この値
から誘電率を算出した。また、絶縁抵抗は、ｉ ｏｏｏ
ｖの電圧を２分間印加した後、絶縁抵抗計を用いて測定
した値から算出した。なお、Ｔ、Ｃ，Ｃ，は、２５℃の
値を基準とし、−２５℃、８５℃、での変化率で表した
。容量抵抗積は、２５℃および１２５℃での（誘電率）
×（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）から求めた。絶縁抵
抗の測定は、空気中の湿気の効果を除くためシリコーン
オイル中で行った。その結果を第１表に示す。
焼結し、両生面に銀電極を焼付は各特性を測定した。誘
電損失、容量は、１ｋＨｚ、ＩＶｒｍｓ、２５℃の条件
でのデジタルＬＣＲメータによる測定値であり、この値
から誘電率を算出した。また、絶縁抵抗は、ｉ ｏｏｏ
ｖの電圧を２分間印加した後、絶縁抵抗計を用いて測定
した値から算出した。なお、Ｔ、Ｃ，Ｃ，は、２５℃の
値を基準とし、−２５℃、８５℃、での変化率で表した
。容量抵抗積は、２５℃および１２５℃での（誘電率）
×（絶縁抵抗）×（真空の誘電率）から求めた。絶縁抵
抗の測定は、空気中の湿気の効果を除くためシリコーン
オイル中で行った。その結果を第１表に示す。
以 下 余 白
積層セラミックコンデンサは以下の方法で作成した。ま
ず、このような組成を有する仮焼粉にバインダー、有機
溶剤を加えてスラリー化した後ドクターブレード型キャ
スターを用いて４５μｍのグリーンシートを作成した。
ず、このような組成を有する仮焼粉にバインダー、有機
溶剤を加えてスラリー化した後ドクターブレード型キャ
スターを用いて４５μｍのグリーンシートを作成した。
このグリーンシート上に７０Ａｏ／３０Ｐｄの電極ペー
ストを所定のパターンで印刷し、このような電極パター
ンを有するシートを２０層積層圧着した。その後、所定
の形状に切断し、脱脂を行い１０４０℃２ｈの条件で焼
成を行った。焼結後、外部電極としてＡｇペーストを焼
付け、積層セラミックコンデンサを製造した。第２図は
上記の手段によって得た積層セラミックコンデンサを示
すもので、第２表は、第１表に示す実施例４の組成物を
用い第２図に示すように構成した積層セラミックコンデ
ンサの電気的特性を示すものである。第２図中１は誘電
体、２は内部電極、３は外部電極である。
ストを所定のパターンで印刷し、このような電極パター
ンを有するシートを２０層積層圧着した。その後、所定
の形状に切断し、脱脂を行い１０４０℃２ｈの条件で焼
成を行った。焼結後、外部電極としてＡｇペーストを焼
付け、積層セラミックコンデンサを製造した。第２図は
上記の手段によって得た積層セラミックコンデンサを示
すもので、第２表は、第１表に示す実施例４の組成物を
用い第２図に示すように構成した積層セラミックコンデ
ンサの電気的特性を示すものである。第２図中１は誘電
体、２は内部電極、３は外部電極である。
第２表
第３表に実施例１．２．４および参考例１，３の組成を
用いて作成した積層セラミックコンデンサにおける絶縁
抵抗（ΩＦ）の耐湿負荷テストの結果を示す。
用いて作成した積層セラミックコンデンサにおける絶縁
抵抗（ΩＦ）の耐湿負荷テストの結果を示す。
第３表
試験条件は４０℃、９５％ＲＨ，５ｏｖ印加。
２０００時間で行った。数通は各ロット１００個である
。判定は試験後に５００ΩＦ以下となったものを不良と
した。第３表から明らかであるように、添加物の含まれ
ない材料を用いた積層セラミックコンデンサでは試験後
の絶縁抵抗が低下するものが５〜６／１００個見られる
のに対して、本発明による酸化物のＡＱ、Ｐｄ、Ｐｔの
少なくとも一種を０．０１〜１ｗｔ％含む材料を用いて
作成した積層セラミックコンデンサは耐湿負荷テストに
おける絶縁抵抗の低下が全く見られない。
。判定は試験後に５００ΩＦ以下となったものを不良と
した。第３表から明らかであるように、添加物の含まれ
ない材料を用いた積層セラミックコンデンサでは試験後
の絶縁抵抗が低下するものが５〜６／１００個見られる
のに対して、本発明による酸化物のＡＱ、Ｐｄ、Ｐｔの
少なくとも一種を０．０１〜１ｗｔ％含む材料を用いて
作成した積層セラミックコンデンサは耐湿負荷テストに
おける絶縁抵抗の低下が全く見られない。
このように、本発明による高誘電率磁器組成物は、各種
特性に優れており、特に積層セラミックコンデンサ用の
材料として有効である。
特性に優れており、特に積層セラミックコンデンサ用の
材料として有効である。
なお、上記説明では添加物であるＡＱ、Ｐｄ。
Ｐｔを酸化物の形態で添加したが、金属粉末および塩化
物、硝酸化物として加えても同等の特性が得られ、これ
等の方法も本発明の範囲に含まれることは明らかである
。
物、硝酸化物として加えても同等の特性が得られ、これ
等の方法も本発明の範囲に含まれることは明らかである
。
第１図は、本発明の組成範囲を示す組成図、第２図は、
積層セラミックコンデンサの一部切欠断面斜視図である
。 １・・・・・・誘電体 ２・・・・・・内
部電極３・・・・・・外部電極 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 本発明の組成範囲を示す組成図 第１図 １誘電体 積層セラミックコンデンサの一部切欠断面斜視図第２図
積層セラミックコンデンサの一部切欠断面斜視図である
。 １・・・・・・誘電体 ２・・・・・・内
部電極３・・・・・・外部電極 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 本発明の組成範囲を示す組成図 第１図 １誘電体 積層セラミックコンデンサの一部切欠断面斜視図第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ｘＰｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３−
ｙＰｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３−
ｚＰｂＴｉＯ＿３で表したとき、それぞれの成分を頂点
とする三元図の ａ（ｘ＝０．５０、ｙ＝０．００、ｚ＝０．５０）ｂ（
ｘ＝１．００、ｙ＝０．００、ｚ＝０．００）ｃ（ｘ＝
０．２０、ｙ＝０．８０、ｚ＝０．００）ｄ（ｘ＝０．
０５、ｙ＝０．９０、ｚ＝０．０５）で示される各点を
結ぶ線内の組成のＰｂの一部を１〜３５ｍｏｌ％のＢａ
及びＳｒの少なくとも一種で置換したことを特徴とした
高誘電率磁器組成物に対して重量比で０．０１〜１．０
重量％の酸化銀Ａｇ＿２Ｏ、酸化パラジウムＰｄＯ及び
酸化白金ＰｔＯの少なくとも一種を含むことを特徴とし
た高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089649A JPS62254305A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61089649A JPS62254305A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254305A true JPS62254305A (ja) | 1987-11-06 |
| JPH0544762B2 JPH0544762B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=13976613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61089649A Granted JPS62254305A (ja) | 1986-04-17 | 1986-04-17 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62254305A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007230839A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 圧電磁器組成物、積層型圧電素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067965B2 (en) * | 2002-09-18 | 2006-06-27 | Tdk Corporation | Piezoelectric porcelain composition, piezoelectric device, and methods of making thereof |
-
1986
- 1986-04-17 JP JP61089649A patent/JPS62254305A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007230839A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 圧電磁器組成物、積層型圧電素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544762B2 (ja) | 1993-07-07 |
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