JPH04206109A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPH04206109A JPH04206109A JP2331098A JP33109890A JPH04206109A JP H04206109 A JPH04206109 A JP H04206109A JP 2331098 A JP2331098 A JP 2331098A JP 33109890 A JP33109890 A JP 33109890A JP H04206109 A JPH04206109 A JP H04206109A
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Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は非還元性誘電体磁器組成物に関し、特にたと
えば積層コンデンサなどの誘電体材料として用いられる
非還元性誘電体磁器組成物に関する。
えば積層コンデンサなどの誘電体材料として用いられる
非還元性誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来、積層コンデンサを製造する際には、誘電体グリー
ンシートの上面にたとえば印刷することによって内部電
極となる金属層を形成し〜それを複数枚積み重ねて圧着
、一体化した後、焼成するという工程が採用されている
。
ンシートの上面にたとえば印刷することによって内部電
極となる金属層を形成し〜それを複数枚積み重ねて圧着
、一体化した後、焼成するという工程が採用されている
。
(発明が解決しようとする課題)
従来の誘電体磁器材料は、中性または還元性の低酸素分
圧下で焼成すると還元され、半導体化するという性質を
有していた。そのため、内部電極の材料として、誘電体
磁器材料の焼結する温度で熔融せず、かつ誘電体磁器材
料を半導体化しない高い酸素分圧の下で焼成しても酸化
されない、たとえばパラジウム、白金などの貴金属を用
いなければならず、製造される積層コンデンサの小型大
容量化および低価格化の大きな妨げとなっていた。
圧下で焼成すると還元され、半導体化するという性質を
有していた。そのため、内部電極の材料として、誘電体
磁器材料の焼結する温度で熔融せず、かつ誘電体磁器材
料を半導体化しない高い酸素分圧の下で焼成しても酸化
されない、たとえばパラジウム、白金などの貴金属を用
いなければならず、製造される積層コンデンサの小型大
容量化および低価格化の大きな妨げとなっていた。
そこで、上述の問題を解決するために、たとえばニッケ
ルや銅などの安価な卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用し、従来の条件下で焼成する
と、電極材料が酸化したり溶融したりしてしまう。その
ため、このような卑金属を内部電極の材料として使用す
るために、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中
において低温で焼成しても半導体化せず、コンデンサ用
の誘電体磁器材料として十分な比抵抗と優れた誘電特性
とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
ルや銅などの安価な卑金属を内部電極の材料として使用
することが望まれていた。しかし、このような卑金属を
内部電極の材料として使用し、従来の条件下で焼成する
と、電極材料が酸化したり溶融したりしてしまう。その
ため、このような卑金属を内部電極の材料として使用す
るために、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中
において低温で焼成しても半導体化せず、コンデンサ用
の誘電体磁器材料として十分な比抵抗と優れた誘電特性
とを有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
このような問題を解決するために、たとえば特開昭6.
3−86.316号公報や特開昭6f−2,24109
号公報などに誘電体磁器組成物が開示されている。この
ような誘電体磁器組成物は酸素分圧の低い中性または還
元性雰囲気中で焼成が可能であるので、これを使用して
ニッケルなどの卑金属を内部電極とする温度補償用積層
コンデンサを作製することができる。しかしながら、上
述の公開公報↓こ開示されている誘電体磁器組成物では
、銅を内部電極として使用するには焼成温度が高く、ま
た焼結後の結晶粒径が大きいfコめ素子厚の薄層化に対
応できない。
3−86.316号公報や特開昭6f−2,24109
号公報などに誘電体磁器組成物が開示されている。この
ような誘電体磁器組成物は酸素分圧の低い中性または還
元性雰囲気中で焼成が可能であるので、これを使用して
ニッケルなどの卑金属を内部電極とする温度補償用積層
コンデンサを作製することができる。しかしながら、上
述の公開公報↓こ開示されている誘電体磁器組成物では
、銅を内部電極として使用するには焼成温度が高く、ま
た焼結後の結晶粒径が大きいfコめ素子厚の薄層化に対
応できない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、酸素分圧の低い
中性または還元性の雰囲気中において、1100℃以下
の温度で焼結し、かつ還元されることなく、静電容量の
温度係数の絶対値力月000ppm/”c以下で、誘電
率が200以上で、誘電損失が0.1%以下であり、2
0℃における比抵抗が1×10′!Ω■以上であり、内
部電極として銅を使用することができる、非還元性誘電
体磁器組成物を提供することである。
中性または還元性の雰囲気中において、1100℃以下
の温度で焼結し、かつ還元されることなく、静電容量の
温度係数の絶対値力月000ppm/”c以下で、誘電
率が200以上で、誘電損失が0.1%以下であり、2
0℃における比抵抗が1×10′!Ω■以上であり、内
部電極として銅を使用することができる、非還元性誘電
体磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、主成分が一般式(Srl−x CaX)
th (T 11−y Z r y ) Oxで表さ
れ、この一般弐のモル比率X、 y’jF3よびmが、
それぞれ、0゜30≦x≦0,50.0.OO≦y≦0
,20.0.95≦m≦1.08の範囲にあり、その粉
末粒径が0.1〜1.0μmの範囲にある、−非還元性
誘電体磁器組成物である。
th (T 11−y Z r y ) Oxで表さ
れ、この一般弐のモル比率X、 y’jF3よびmが、
それぞれ、0゜30≦x≦0,50.0.OO≦y≦0
,20.0.95≦m≦1.08の範囲にあり、その粉
末粒径が0.1〜1.0μmの範囲にある、−非還元性
誘電体磁器組成物である。
さらに、この主成分100重量部に対して、副成分とし
てB 2013. +、 S i O□、LizOの中
から選ばれる少なくとも1種類を含む金属酸化物を0.
1〜10重量部添加してもよい。
てB 2013. +、 S i O□、LizOの中
から選ばれる少なくとも1種類を含む金属酸化物を0.
1〜10重量部添加してもよい。
(発明の効果)
この発明によれば、還元性雰囲気中において、1100
℃以下で焼結し、温度に対する静電容量の温度係数の絶
対値が100. Op p、m/”C以下で、誘電率が
200以上で、誘電損失が(1,−1%以下であり、2
0℃における比抵抗が1×1O12Ω国以上の特性を有
する非還元性誘電体磁器組成物を得ることができる。し
たがって、この非還元性誘電体磁器組成物を積層コンデ
ンサ用材料として用いれば、銅などの卑金属を内部電極
として使用することが可能になる。そのため、積層コン
デンサの大容量化にともなう電極のコストの増大を解消
することができ、低価格の積層コンデンサを提供するこ
とができる。また、焼結後の結晶粒径が小さいため、素
子厚を薄くすることができ、積層コンデンサを小型化す
ることができる。
℃以下で焼結し、温度に対する静電容量の温度係数の絶
対値が100. Op p、m/”C以下で、誘電率が
200以上で、誘電損失が(1,−1%以下であり、2
0℃における比抵抗が1×1O12Ω国以上の特性を有
する非還元性誘電体磁器組成物を得ることができる。し
たがって、この非還元性誘電体磁器組成物を積層コンデ
ンサ用材料として用いれば、銅などの卑金属を内部電極
として使用することが可能になる。そのため、積層コン
デンサの大容量化にともなう電極のコストの増大を解消
することができ、低価格の積層コンデンサを提供するこ
とができる。また、焼結後の結晶粒径が小さいため、素
子厚を薄くすることができ、積層コンデンサを小型化す
ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴オよび利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
まず、主成分の出発原料として水熱合成法で作製された
粉末粒径が0.01〜0.1μmの範囲の(S r 1
−x Ca x )T i02とzro2を準備した。
粉末粒径が0.01〜0.1μmの範囲の(S r 1
−x Ca x )T i02とzro2を準備した。
これらの出発原料を、一般式(Srl−XCaX) m
(T 11−y z ry > 03で表され、そ
れぞれの配合比が表1に示されるように配合して、主成
分を得た。
(T 11−y z ry > 03で表され、そ
れぞれの配合比が表1に示されるように配合して、主成
分を得た。
また、副成分の材料として、Bz Ox 、 S i
Oz 、Li2O,Bad、ZnO,Cub、Mn○
、CaOを準備した。これらの材料を表2に示す割合と
なるように秤量し、ボールミルで湿式混合、粉砕した後
、蒸発乾燥し、自然雰囲気中において1000℃で溶融
させた。さらに、溶融した材料をボールミルで1μm以
下に湿式粉砕した後、蒸発乾燥させて、A系列とB系列
の2種類の副成分を得た。
Oz 、Li2O,Bad、ZnO,Cub、Mn○
、CaOを準備した。これらの材料を表2に示す割合と
なるように秤量し、ボールミルで湿式混合、粉砕した後
、蒸発乾燥し、自然雰囲気中において1000℃で溶融
させた。さらに、溶融した材料をボールミルで1μm以
下に湿式粉砕した後、蒸発乾燥させて、A系列とB系列
の2種類の副成分を得た。
得られ1こ主成分と副成分とを表1に示す割合となるよ
うに配合し、配合原料を得た。
うに配合し、配合原料を得た。
この配合原料に結合材として酢酸ビニル系バインダを5
重量部加え、ボールミルで湿式混合した。
重量部加え、ボールミルで湿式混合した。
さらに、この混合物を蒸発乾燥した後整粒して粉末原料
を得た。得られた粉末原料を2.Qton/jの圧力で
直径20fl、厚さ1.01[mの円板状に成形した。
を得た。得られた粉末原料を2.Qton/jの圧力で
直径20fl、厚さ1.01[mの円板状に成形した。
次に、この円板状の成形物をジルコニア粉末を敷粉とし
たアルミナ質の箱に入れ、自然雰囲気中において500
℃で2時間酢酸ビニル系バインダを燃焼させた。その後
、体積比率でHz : Nz =3:100の還元ガ
ス雰囲気中において、円板状の成形物を820〜110
0℃で2時間焼成して、素子を得た。得られた素子の両
面にIn−Ga合金を塗布して電極を形成し、試料(コ
ンデンサ)を作製した。
たアルミナ質の箱に入れ、自然雰囲気中において500
℃で2時間酢酸ビニル系バインダを燃焼させた。その後
、体積比率でHz : Nz =3:100の還元ガ
ス雰囲気中において、円板状の成形物を820〜110
0℃で2時間焼成して、素子を得た。得られた素子の両
面にIn−Ga合金を塗布して電極を形成し、試料(コ
ンデンサ)を作製した。
そして、得られた試料の誘電率ε、誘電損失tanδ、
静電容量の温度係数α(ppm/’c)。
静電容量の温度係数α(ppm/’c)。
20℃における比抵抗ρ20 (Ω−)を測定した。
なお、誘電損失tanδは、1kHz、IVrms、2
0℃の条件で測定した。
0℃の条件で測定した。
さらに、静電容量の温度係数α(ppm/l)は、20
℃における静電容量C20および85℃における静電容
量CBSから次式によって求めた。
℃における静電容量C20および85℃における静電容
量CBSから次式によって求めた。
また、20℃における比抵抗ρ2゜(Ωan)は、20
℃において500Vの直流電圧を印加したときに流れる
電流値より求めた。
℃において500Vの直流電圧を印加したときに流れる
電流値より求めた。
そして、これらの結果を表3に示した。
次に、この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物の主
成分の数値を限定した理由について説明する。
成分の数値を限定した理由について説明する。
つまり、試料番号1のようにXが0.30より小さいか
、または試料番号5のようにXが0. 50より大きい
と、静電容量の温度係数の絶対値が110001)p/
’Cより大きくなって好ましくない。
、または試料番号5のようにXが0. 50より大きい
と、静電容量の温度係数の絶対値が110001)p/
’Cより大きくなって好ましくない。
ま1こ、試料番号9のようにyが0.20より大きいと
、静電容量の温度係数の絶対値が11000pp/”C
より大きくなり、かつ20℃における比抵抗が1×10
′2Ω口より小さくなって好ましくない。
、静電容量の温度係数の絶対値が11000pp/”C
より大きくなり、かつ20℃における比抵抗が1×10
′2Ω口より小さくなって好ましくない。
また、試料番号10のようにmが0.95より小さいと
、20℃における比抵抗がlXl0”0口より小さくな
り、かつ誘電損失が0.1%より大きくなって好ましく
ない。さらに、試料番号13のようにmが1.08より
大きいと、焼成温度が1100℃を超えて好ましくない
。
、20℃における比抵抗がlXl0”0口より小さくな
り、かつ誘電損失が0.1%より大きくなって好ましく
ない。さらに、試料番号13のようにmが1.08より
大きいと、焼成温度が1100℃を超えて好ましくない
。
次に、副成分の含有量の限定理由について説明する。
試料番号17のように主成分100重量部に対してA系
列の副成分の添加量が10重量部より大きいと、誘電損
失が0.1%より大きくなり、かつ静電容量の温度係数
の絶対値がxoooppm/℃より大きくなって好まし
くない。
列の副成分の添加量が10重量部より大きいと、誘電損
失が0.1%より大きくなり、かつ静電容量の温度係数
の絶対値がxoooppm/℃より大きくなって好まし
くない。
また、試料番号22のように主成分100重量部に対し
てB系列の副成分の添加量が10重量部より大きいと、
誘電損失が0.1%より大きくなり、かつ静電容量の温
度係数の絶対値が11000pp/’Cより大きくなっ
て好ましくない。
てB系列の副成分の添加量が10重量部より大きいと、
誘電損失が0.1%より大きくなり、かつ静電容量の温
度係数の絶対値が11000pp/’Cより大きくなっ
て好ましくない。
それに対して、この発明の範囲内の試料では、1100
℃以下で焼結し、静電容量の温度係数の絶対値が110
00pp/’c以下で、誘電率が200以上で、誘電損
失が0.1%以下であり、20℃における比抵抗が1×
1OIzΩ口以上である。
℃以下で焼結し、静電容量の温度係数の絶対値が110
00pp/’c以下で、誘電率が200以上で、誘電損
失が0.1%以下であり、20℃における比抵抗が1×
1OIzΩ口以上である。
したがって、この発明の非還元性誘電体磁器組成物を積
層コンデンサ用材料として用いれば、銅などの卑金属を
内部電極として使用することができる。そのため、積層
コンデンサの大容量化にともなう電極のコスト増大を解
消することができ、低価格の積層コンデンサを提供する
ことができる。
層コンデンサ用材料として用いれば、銅などの卑金属を
内部電極として使用することができる。そのため、積層
コンデンサの大容量化にともなう電極のコスト増大を解
消することができ、低価格の積層コンデンサを提供する
ことができる。
また、この非還元性誘電体磁器組成物を用いれば、結晶
粒径の小さい素子を得ることができ、素子厚を薄くする
ことができる。そのため、積層コンデンサを小型化する
ことができる。
粒径の小さい素子を得ることができ、素子厚を薄くする
ことができる。そのため、積層コンデンサを小型化する
ことができる。
なお、この実施例では、原料粉末として水熱合成性によ
って作製したものを使用したが、これ以外にも共沈法(
アルコキシド法、シュウ酸性)などで作製された原料粉
末を使用してもよい。また、副成分として金属酸化物を
使用したか、それ以外に溶液添加をしてもよい。
って作製したものを使用したが、これ以外にも共沈法(
アルコキシド法、シュウ酸性)などで作製された原料粉
末を使用してもよい。また、副成分として金属酸化物を
使用したか、それ以外に溶液添加をしてもよい。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 主成分が一般式(Sr_1_−_xCa_x)_m
(Ti_1_−_yZr_y)O_3で表され、この一
般式のモル比率x、yおよびmが、それぞれ、 0.30≦x≦0.50、 0.00≦y≦0.20、および 0.95≦m≦1.08 の範囲にあり、 その粉末粒径が0.1〜1.0μmの範囲にある、非還
元性誘電体磁器組成物。 2 さらに、前記主成分100重量部に対して、副成分
としてB_2O_3,SiO_2,Li_2Oの中から
選ばれる少なくとも1種類を含む金属酸化物を0.1〜
10重量部添加した、特許請求の範囲第1項記載の非還
元性誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02331098A JP3143922B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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