JPS63289710A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS63289710A JPS63289710A JP62124736A JP12473687A JPS63289710A JP S63289710 A JPS63289710 A JP S63289710A JP 62124736 A JP62124736 A JP 62124736A JP 12473687 A JP12473687 A JP 12473687A JP S63289710 A JPS63289710 A JP S63289710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- dielectric ceramic
- parts
- main component
- specific resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 title abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910009650 Ti1-yZry Inorganic materials 0.000 abstract 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は非還元性誘電体磁器組成物に関し、特にたと
えば積層コンデンサなどの誘電体材料として好適な非還
元性誘電体磁器組成物に関する。
えば積層コンデンサなどの誘電体材料として好適な非還
元性誘電体磁器組成物に関する。
（従来技術）
従来、積層コンデンサを製造する際には、誘電体グリー
ンシートの上面にたとえば印刷することによって内部電
極となる金属層を形成し、それを複数枚積み重ねて圧着
、一体化した後、焼成するという工程が採用されている
。
ンシートの上面にたとえば印刷することによって内部電
極となる金属層を形成し、それを複数枚積み重ねて圧着
、一体化した後、焼成するという工程が採用されている
。
（発明が解決しようとする問題点）
従来の誘電体磁器材料は、中性または還元性の低酸素分
圧下で焼成すると還元され、半導体化するという性質を
有していた。そのため、内部電極の材料として、誘電体
磁器材料の焼結する温度で熔融せず、かつ誘電体磁器材
料を半導体化しない高い酸素分圧の下で焼成しても酸化
されない、たとえばパラジウム、白金などの貴金属を用
いなければならず、製造される積層コンデンサの小型大
容量化および低価格化の大きな妨げとなっていた。
圧下で焼成すると還元され、半導体化するという性質を
有していた。そのため、内部電極の材料として、誘電体
磁器材料の焼結する温度で熔融せず、かつ誘電体磁器材
料を半導体化しない高い酸素分圧の下で焼成しても酸化
されない、たとえばパラジウム、白金などの貴金属を用
いなければならず、製造される積層コンデンサの小型大
容量化および低価格化の大きな妨げとなっていた。
そこで、上述の問題を解決するために、たとえばニッケ
ルなどの安価な卑金属を内部電極の材料として使用する
ことが望まれていた。しかし、このような卑金属を内部
電極の材料として使用し、従来の条件下で焼成すると、
電極材料が酸化したりン容融したりしてしまう。そのた
め、このような卑金属を内部電極の材料として使用する
ために、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中に
おいて低温で焼成しても半導体化せず、コンデンサ用の
誘電体磁器材料として十分な比抵抗と優れた誘電特性と
を有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
ルなどの安価な卑金属を内部電極の材料として使用する
ことが望まれていた。しかし、このような卑金属を内部
電極の材料として使用し、従来の条件下で焼成すると、
電極材料が酸化したりン容融したりしてしまう。そのた
め、このような卑金属を内部電極の材料として使用する
ために、酸素分圧の低い中性または還元性の雰囲気中に
おいて低温で焼成しても半導体化せず、コンデンサ用の
誘電体磁器材料として十分な比抵抗と優れた誘電特性と
を有する誘電体磁器材料が必要とされていた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、酸素分圧の低い
中性または還元性の雰囲気中において、１．３６０℃以
下の温度で焼結し、かつ還元されることなく、静電容量
の温度係数の絶対値が１００ ｐ ｐ ｍ ／ ”Ｃ以
下で、誘電率が４０以上で、誘電損失が０．１％以下で
あり、２０℃における比抵抗および８５℃における比抵
抗が１×１０′３Ω備以上の、非還元性誘電体磁器組成
物を提供することである。
中性または還元性の雰囲気中において、１．３６０℃以
下の温度で焼結し、かつ還元されることなく、静電容量
の温度係数の絶対値が１００ ｐ ｐ ｍ ／ ”Ｃ以
下で、誘電率が４０以上で、誘電損失が０．１％以下で
あり、２０℃における比抵抗および８５℃における比抵
抗が１×１０′３Ω備以上の、非還元性誘電体磁器組成
物を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、一般式（Ｓ ｒ ＋−ｘ Ｃａｘ ）。（
Ｔ１ ｌ−ｙ Ｚ ｒ ｙ ） ０３で表され、この一
般式のモル比率ｘ、ｙおよびｍが、それぞれ、０．３０
≦ｘ≦０．５０．０．９２≦ｙ≦０．９８、および０．
９５≦ｍ≦１．０８の範囲にある主成分に、１００重量
部の主成分に対して、副成分として、ＭｎをＭ ｎ Ｏ
ｚに換算して０．０１〜４．００重量部、Ｓｉｎｇを２
．００〜８．００重量部、およびＭｇＯを０．０１〜１
．００重量部含有した、非還元性誘電体磁器組成物であ
る。
Ｔ１ ｌ−ｙ Ｚ ｒ ｙ ） ０３で表され、この一
般式のモル比率ｘ、ｙおよびｍが、それぞれ、０．３０
≦ｘ≦０．５０．０．９２≦ｙ≦０．９８、および０．
９５≦ｍ≦１．０８の範囲にある主成分に、１００重量
部の主成分に対して、副成分として、ＭｎをＭ ｎ Ｏ
ｚに換算して０．０１〜４．００重量部、Ｓｉｎｇを２
．００〜８．００重量部、およびＭｇＯを０．０１〜１
．００重量部含有した、非還元性誘電体磁器組成物であ
る。
（発明の効果）
この発明によれば、還元性雰囲気中において、１．３６
０℃以下で焼結し、温度に対する静電容量の温度係数の
絶対値が１１００ｐｐ／”ｃ以下で、誘電率が４０以上
で、誘電損失が０．１％以下であり、２０℃における比
抵抗および８５℃における比抵抗が１×１０′３Ω口以
上の特性を有する非還元性誘電体磁器組成物を得ること
ができる。したがって、この非還元性誘電体磁器組成物
を積層コンデンサ用材料として用いれば、Ｎｉ、Ｆｅ。
０℃以下で焼結し、温度に対する静電容量の温度係数の
絶対値が１１００ｐｐ／”ｃ以下で、誘電率が４０以上
で、誘電損失が０．１％以下であり、２０℃における比
抵抗および８５℃における比抵抗が１×１０′３Ω口以
上の特性を有する非還元性誘電体磁器組成物を得ること
ができる。したがって、この非還元性誘電体磁器組成物
を積層コンデンサ用材料として用いれば、Ｎｉ、Ｆｅ。
Ｃｒなどの卑金属を内部電極として使用することが可能
になる。そのため、積層コンデンサの大容量化にともな
う電極のコストの増大を解消することができ、低価格の
積層コンデンサを提供することができる。
になる。そのため、積層コンデンサの大容量化にともな
う電極のコストの増大を解消することができ、低価格の
積層コンデンサを提供することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
まず、出発原料として工業用の５ｒＣＯｚ、Ｃａｃｏ、
、Ｚｒ０ｚ 、Ｔｉ０ｚ 、Ｍｎ０ｚ 、ＳｉＯ２およ
びＭｇＯを準備した。そして、これらの原料を組成式（
Ｓｒ＋−ｘ Ｃａｘ ）＊ （Ｔｉｔ−ｙ Ｚｒｙ
）０３ ＋Ｍｎ０ｚ ＋Ｓｉｏ２ ＋ＭｇＯにおいて、
表１に示す配合比になるように配合した。
、Ｚｒ０ｚ 、Ｔｉ０ｚ 、Ｍｎ０ｚ 、ＳｉＯ２およ
びＭｇＯを準備した。そして、これらの原料を組成式（
Ｓｒ＋−ｘ Ｃａｘ ）＊ （Ｔｉｔ−ｙ Ｚｒｙ
）０３ ＋Ｍｎ０ｚ ＋Ｓｉｏ２ ＋ＭｇＯにおいて、
表１に示す配合比になるように配合した。
次に、これらの配合原料をボールミルで湿式混合し、粉
砕した後蒸発乾燥し、自然雰囲気中において１，１５０
℃で２時間仮焼した。そして、仮焼した原料に結合材と
して酢酸ビニル系バインダを５重量部加え、ボールミル
で湿式混合した。さらに、この混合物を蒸発乾燥した後
整粒して粉末原料を得た。得られた粉末原料を２，５ｔ
ｏｎ／ｃａｌの圧力で直径２０璽１、厚さｌ、２ｍｍの
円板状に成形した。
砕した後蒸発乾燥し、自然雰囲気中において１，１５０
℃で２時間仮焼した。そして、仮焼した原料に結合材と
して酢酸ビニル系バインダを５重量部加え、ボールミル
で湿式混合した。さらに、この混合物を蒸発乾燥した後
整粒して粉末原料を得た。得られた粉末原料を２，５ｔ
ｏｎ／ｃａｌの圧力で直径２０璽１、厚さｌ、２ｍｍの
円板状に成形した。
次に、この円板状の成形物をジルコニア粉末を敷粉とし
たアルミナ質の箱に入れ、自然雰囲気中において５００
℃で２時間酢酸ビニル系バインダを燃焼させた。その後
、体積比率でＮ２ ：Ｎ２＝３：ｔｏｏの還元ガス雰囲
気中において、円板状の成形物を１，３００〜１，４４
０℃で２時間焼成して、素子を得た。得られた素子の両
面にＩｎ−Ｇａ合金を塗布して電極を形成し、試料（コ
ンデンサ）を作成した。
たアルミナ質の箱に入れ、自然雰囲気中において５００
℃で２時間酢酸ビニル系バインダを燃焼させた。その後
、体積比率でＮ２ ：Ｎ２＝３：ｔｏｏの還元ガス雰囲
気中において、円板状の成形物を１，３００〜１，４４
０℃で２時間焼成して、素子を得た。得られた素子の両
面にＩｎ−Ｇａ合金を塗布して電極を形成し、試料（コ
ンデンサ）を作成した。
そして、得られた試料の誘電率ε、誘電損失ｔａｎδ、
静電容量の温度係数α（ｐ ｐｍ／’Ｃ）。
静電容量の温度係数α（ｐ ｐｍ／’Ｃ）。
２０℃における比抵抗ρ２゜（Ωｃｍ）および８５°Ｃ
における比抵抗ρ８．（Ωｃｍ）を測定した。
における比抵抗ρ８．（Ωｃｍ）を測定した。
なお、誘電損失ｔａｎδは、１ｋＨｚ、ＩＶｒｍｓ、２
０℃の条件で測定した。
０℃の条件で測定した。
さらに、静電容量の温度係数α（ｐｐｍ／”Ｃ）は、２
０℃における静電容ｆｆ１ｃｚ。および８５℃における
静電容ｆｆｉ Ｃｓ ｓから次式によって求めた。
０℃における静電容ｆｆ１ｃｚ。および８５℃における
静電容ｆｆｉ Ｃｓ ｓから次式によって求めた。
また、２０℃における比抵抗ρ２゜（９ｃｍ）および８
５℃における比抵抗ρ８．（９ｃｍ）は、それぞれ２０
°Ｃおよび８５℃において５００■の直流電圧を印加し
たときに流れる電流値より求めた。
５℃における比抵抗ρ８．（９ｃｍ）は、それぞれ２０
°Ｃおよび８５℃において５００■の直流電圧を印加し
たときに流れる電流値より求めた。
そして、これらの結果を表２に示した。
次に、この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物の主
成分の数値を限定した理由について説明する。
成分の数値を限定した理由について説明する。
つまり、試料番号１のようにＸが０．３０より小さいか
、または試料番号５のようにＸが０．５０より大きいと
、焼成温度が１，３６０℃を超え、かつ静電容量の温度
係数の絶対値が１１００ｐｐ／゛Ｃより大きくなって好
ましくない。
、または試料番号５のようにＸが０．５０より大きいと
、焼成温度が１，３６０℃を超え、かつ静電容量の温度
係数の絶対値が１１００ｐｐ／゛Ｃより大きくなって好
ましくない。
また、試料番号９のようにｙが０．９２より小さいと、
静電容量の温度係数の絶対値が１００ｐｐ ｍ ／ ”
ｃより大きくなり、かつ２０℃における比抵抗および８
５℃における比抵抗が１×１０′３Ωｃｍより小さくな
って好ましくない。さらに、試料番号６のように、ｙが
０．９８より大きいと、焼成温度が１，３６０℃を超え
、かつ静電容量の温度係数の絶対値が１１００ｐｐ／”
ｃより大きくなって好ましくない。
静電容量の温度係数の絶対値が１００ｐｐ ｍ ／ ”
ｃより大きくなり、かつ２０℃における比抵抗および８
５℃における比抵抗が１×１０′３Ωｃｍより小さくな
って好ましくない。さらに、試料番号６のように、ｙが
０．９８より大きいと、焼成温度が１，３６０℃を超え
、かつ静電容量の温度係数の絶対値が１１００ｐｐ／”
ｃより大きくなって好ましくない。
また、試料番号１０のようにｍが０．９５より小さい之
、２０℃における比抵抗および８５℃における比抵抗が
１×１０′３Ωｃｍより小さくなり、かつ誘電損失が０
．１％より大きくなって好まし、くない。さらに、試料
番号１４のように、ｍが１．０８より大きいと、焼成温
度が１，３６０℃を超えて好ましくない。
、２０℃における比抵抗および８５℃における比抵抗が
１×１０′３Ωｃｍより小さくなり、かつ誘電損失が０
．１％より大きくなって好まし、くない。さらに、試料
番号１４のように、ｍが１．０８より大きいと、焼成温
度が１，３６０℃を超えて好ましくない。
次に、副成分の含有量の限定理由について説明する。
試料番号１５のように、主成分１００重量部に対してＭ
ｎＯ，の含有量が０．０１重量部より少ないと、焼成温
度が１，３６０℃を超え、かつ誘電損失が０．１％より
大きくなり、さらに２０℃における比抵抗および８５℃
における比抵抗が１ｘｌＱＩ３Ω国より小さくなって好
ましくない。
ｎＯ，の含有量が０．０１重量部より少ないと、焼成温
度が１，３６０℃を超え、かつ誘電損失が０．１％より
大きくなり、さらに２０℃における比抵抗および８５℃
における比抵抗が１ｘｌＱＩ３Ω国より小さくなって好
ましくない。
また、試料番号１９のようにＭｎＯ，の含有量が４．０
０重量部より多いと、２０℃における比抵抗および８５
℃における比抵抗がｌＸｌ０１３Ωｃｍより小さくなっ
て好ましくない。
０重量部より多いと、２０℃における比抵抗および８５
℃における比抵抗がｌＸｌ０１３Ωｃｍより小さくなっ
て好ましくない。
さらに、試料番号２０のように主成分１００重量部に対
してＳｉｎｇの含有量が２．００重量部より少ないと、
焼成温度が１．３６０℃を超えて好ましくない。
してＳｉｎｇの含有量が２．００重量部より少ないと、
焼成温度が１．３６０℃を超えて好ましくない。
また、試料番号２４のようにＳｉｎｇの含有量が８．０
０重量部より多いと、誘電率が４０より小さくなり、か
つ２０℃における比抵抗および８５°Ｃにおける比抵抗
が１×１０１３Ωｃｍより小さくなって好ましくない。
０重量部より多いと、誘電率が４０より小さくなり、か
つ２０℃における比抵抗および８５°Ｃにおける比抵抗
が１×１０１３Ωｃｍより小さくなって好ましくない。
さらに、試料番号２５のように主成分１００重量部に対
してＭｇＯの含有量が０．０１重量部より少ないと、８
５℃における比抵抗が１×１０１３Ω口より小さくなっ
て好ましくない。
してＭｇＯの含有量が０．０１重量部より少ないと、８
５℃における比抵抗が１×１０１３Ω口より小さくなっ
て好ましくない。
また、試料番号２８のようにＭｇＯの含有量が１．００
重量部より多いと、誘電率が４０より小さくなり、かつ
静電容量の温度係数の絶対値が１００ ｐ ｐ ｍ／”
Ｃより太き（なって好ましくない。
重量部より多いと、誘電率が４０より小さくなり、かつ
静電容量の温度係数の絶対値が１００ ｐ ｐ ｍ／”
Ｃより太き（なって好ましくない。
それに対して、この発明の範囲内の試料では、１．３６
０°Ｃ以下で焼結し、静電容量の温度係数の絶対値が１
１００ｐｐ／℃以下で、誘電率が４０以上で、誘電損失
が０．１％以下であり、２０℃における比抵抗および８
５℃における比抵抗が１×１０′３Ω（至）以上である
。
０°Ｃ以下で焼結し、静電容量の温度係数の絶対値が１
１００ｐｐ／℃以下で、誘電率が４０以上で、誘電損失
が０．１％以下であり、２０℃における比抵抗および８
５℃における比抵抗が１×１０′３Ω（至）以上である
。
なお、この実施例では、ＮＺ−Ｈ，からなる逼元性雰囲
気中で、円板状の成形物を焼成したが、Ａｒ、Ｃｏ、Ｃ
Ｏｚ 、Ｈ２、、Ｎｚおよびこれらの混合ガス雰囲気中
で円板状の成形物を焼成してもよい。
気中で、円板状の成形物を焼成したが、Ａｒ、Ｃｏ、Ｃ
Ｏｚ 、Ｈ２、、Ｎｚおよびこれらの混合ガス雰囲気中
で円板状の成形物を焼成してもよい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）＿ｍ（Ｔｉ＿１＿
−＿ｙＺｒ＿ｙ）Ｏ＿３で表され、この一般式のモル比
率ｘ、ｙおよびｍが、それぞれ、 ０．３０≦ｘ≦０．５０、 ０．９２≦ｙ≦０．９８、および ０．９５≦ｍ≦１．０８ の範囲にある主成分に、 １００重量部の前記主成分に対して、副成分として、 ＭｎをＭｎＯ＿２に換算して０．０１〜４．００重量部
、 ＳｉＯ＿２を２．００〜８．００重量部、および ＭｇＯを０．０１〜１．００重量部含有した、非還元性
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124736A JPS63289710A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124736A JPS63289710A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289710A true JPS63289710A (ja) | 1988-11-28 |
Family
ID=14892840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124736A Pending JPS63289710A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63289710A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414704A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| WO2000018701A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Tdk Corporation | Matiere ceramique dielectrique non reduite, procede de production de ladite matiere et condensateur ceramique a couches |
| KR100415558B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US6790801B2 (en) * | 2001-12-27 | 2004-09-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| US6858554B2 (en) * | 2001-12-27 | 2005-02-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| KR100533639B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2005-12-06 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62124736A patent/JPS63289710A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0414704A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| WO2000018701A1 (fr) * | 1998-09-30 | 2000-04-06 | Tdk Corporation | Matiere ceramique dielectrique non reduite, procede de production de ladite matiere et condensateur ceramique a couches |
| EP1036778A1 (en) * | 1998-09-30 | 2000-09-20 | TDK Corporation | Unreduced dielectric ceramic material, process for producing the same, and layer-built ceramic capacitor |
| US6329311B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-12-11 | Tdk Corporation | Non-reducible dielectric ceramic material, making method, and multilayer ceramic capacitor |
| EP1036778A4 (en) * | 1998-09-30 | 2009-01-14 | Tdk Corp | NON-REDUCED DIELECTRIC CERAMIC MATERIAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND CERAMIC LAYER CAPACITOR |
| KR100415558B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2004-01-24 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US6790801B2 (en) * | 2001-12-27 | 2004-09-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| US6858554B2 (en) * | 2001-12-27 | 2005-02-22 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Nonreducible dielectric ceramic composition |
| KR100533639B1 (ko) * | 2004-02-24 | 2005-12-06 | 삼성전기주식회사 | 내환원성 유전체 조성물 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04218207A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2958817B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS63289707A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS63289709A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS63289710A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958819B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958818B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3143922B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS63289708A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH04115409A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPS63224108A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0528448B2 (ja) | ||
| JPS63224109A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0824006B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958822B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958820B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3089833B2 (ja) | 温度補償用誘電体磁器組成物 | |
| JPH04169003A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JP2958823B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH04368709A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958824B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH04331765A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2920688B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 |