JPS63224109A - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JPS63224109A JPS63224109A JP62056208A JP5620887A JPS63224109A JP S63224109 A JPS63224109 A JP S63224109A JP 62056208 A JP62056208 A JP 62056208A JP 5620887 A JP5620887 A JP 5620887A JP S63224109 A JPS63224109 A JP S63224109A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
この発明は酸本分圧の低い中性または還元性雰囲気中１
３６０℃以下の温度で焼成しても還元されることなく、
静電容量の温度係数の絶対値が１１０００ｐｐ／’Ｃ以
下と小さく、誘電率が２００以上で、誘電体損失が０．
２％以下であり、２０℃における比抵抗が１×１０１２
Ωαより大きい非還元性誘電体磁器組成物に関するもの
である。
３６０℃以下の温度で焼成しても還元されることなく、
静電容量の温度係数の絶対値が１１０００ｐｐ／’Ｃ以
下と小さく、誘電率が２００以上で、誘電体損失が０．
２％以下であり、２０℃における比抵抗が１×１０１２
Ωαより大きい非還元性誘電体磁器組成物に関するもの
である。
〈従来の技術およびその問題点〉
ｍａセラミックコンデンサーの一般的な製法においては
、ドクターブレード法等の方法によってをられたグリー
ンシートと呼ばれる焼成前のセラミックシート上に内部
電極とする導体金属粉末ペーストを印ｅｌｌ布し、これ
を複数枚交互にＷＡ！Ｗシ、圧着したものを焼成する工
程がとられている。
、ドクターブレード法等の方法によってをられたグリー
ンシートと呼ばれる焼成前のセラミックシート上に内部
電極とする導体金属粉末ペーストを印ｅｌｌ布し、これ
を複数枚交互にＷＡ！Ｗシ、圧着したものを焼成する工
程がとられている。
従来の誘電体セラミック材料は、中性または還元性の低
い酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化づること
が知られている。
い酸素分圧下で焼成すると還元され、半導体化づること
が知られている。
従って、誘電体セラミックと同時に焼成される′ｌａ層
コンデンサーの内部電極金属としては、誘電体セラミッ
クの焼結する温度で溶融せず、かつセラミックが半導体
化しない高い酸素分圧下での焼成において酸化されない
金属でなければならず、このため白金あるいはパラジウ
ムなどの高価な負金属を使用する必要があり、小型大容
量化、低価格化に対する障害となっていた。
コンデンサーの内部電極金属としては、誘電体セラミッ
クの焼結する温度で溶融せず、かつセラミックが半導体
化しない高い酸素分圧下での焼成において酸化されない
金属でなければならず、このため白金あるいはパラジウ
ムなどの高価な負金属を使用する必要があり、小型大容
量化、低価格化に対する障害となっていた。
以上のことから、ｖ４層セラミックコンデンサーの低価
格小型大容量化のために、内部電極を高価な負金属から
安価な卑金属にすることが望まれていたが、卑金属例え
ばＩｔを内部電極として用いるためには、Ｎしが酸化あ
るいは溶融しない酸素分圧の低い中性または還元性雰囲
気中、１３６０℃以下の温度で焼成されても半導体化せ
ず、コンデンサー用誘電体として充分な高い比抵抗とす
ぐれた誘電特性を有するセラミック誘電体材料が必要と
されていた。
格小型大容量化のために、内部電極を高価な負金属から
安価な卑金属にすることが望まれていたが、卑金属例え
ばＩｔを内部電極として用いるためには、Ｎしが酸化あ
るいは溶融しない酸素分圧の低い中性または還元性雰囲
気中、１３６０℃以下の温度で焼成されても半導体化せ
ず、コンデンサー用誘電体として充分な高い比抵抗とす
ぐれた誘電特性を有するセラミック誘電体材料が必要と
されていた。
〈発明の目的〉
この発明は１４層セラミックコンデンサーの内部電極に
Ｎ１、Ｆ・、Ｃｒあるいはこれらの゛合金等の安価な卑
金属を使用することを可能ならしめ、安価な小型大容量
の積層セラミックコンデンサーを供給するために、酸素
分圧の低い中性または還元性雰囲気中の１３６０℃以下
の温度で焼成しても還元されることなく、静電容量の温
度係数の絶対値が１０００ρｐｉ／”Ｃ以下と小さく、
誘電率が２００以上で、誘電体損失が０．２％以下であ
り、２０℃における比抵抗が１×１０１２Ω傷より大き
い非還元性誘電体磁器組成物を供給することを目的とす
るものである。
Ｎ１、Ｆ・、Ｃｒあるいはこれらの゛合金等の安価な卑
金属を使用することを可能ならしめ、安価な小型大容量
の積層セラミックコンデンサーを供給するために、酸素
分圧の低い中性または還元性雰囲気中の１３６０℃以下
の温度で焼成しても還元されることなく、静電容量の温
度係数の絶対値が１０００ρｐｉ／”Ｃ以下と小さく、
誘電率が２００以上で、誘電体損失が０．２％以下であ
り、２０℃における比抵抗が１×１０１２Ω傷より大き
い非還元性誘電体磁器組成物を供給することを目的とす
るものである。
く問題点を解決するための手段〉
この発明は上記した問題点を解消するためになされたも
のであって、その要旨とするところは組成式（Ｓｒ１−
ｘ Ｃａｘ ） 、 （Ｔ＝１−、 Ｚｒ、 ） Ｏ
ｓで表わされる物質を主成分とする誘電体磁器組成物に
おいて、上式のｘ、ｙおよびｍがモル比率でそれぞれ０
．３０ ≦ｘ ≦０．５０．０．０３ ≦ｙ≦０．２０
。
のであって、その要旨とするところは組成式（Ｓｒ１−
ｘ Ｃａｘ ） 、 （Ｔ＝１−、 Ｚｒ、 ） Ｏ
ｓで表わされる物質を主成分とする誘電体磁器組成物に
おいて、上式のｘ、ｙおよびｍがモル比率でそれぞれ０
．３０ ≦ｘ ≦０．５０．０．０３ ≦ｙ≦０．２０
。
０．９５≦ｍ≦ １．０８の範囲にあり、かつ主成分を
１００重Φ部としたとき、副成分として１を１１ｎ Ｏ
ｔに換算して０．０１〜２．００季吊部、ＳＬ ０１を
０．１０〜４．００小吊部、さらにＺｏｏを０．０１〜
１，００重量部含有づることを特徴とする非還元性誘電
体磁器組成物を提供するものである。
１００重Φ部としたとき、副成分として１を１１ｎ Ｏ
ｔに換算して０．０１〜２．００季吊部、ＳＬ ０１を
０．１０〜４．００小吊部、さらにＺｏｏを０．０１〜
１，００重量部含有づることを特徴とする非還元性誘電
体磁器組成物を提供するものである。
〈組成範囲の限定理由〉
この発明の組成式（Ｓｒ １−Ｘ Ｃａ ｘ ） ｌ（
Ｔｈ １−ｙ Ｚｒ、）０３で表わされる誘電体磁器組
成物において、上式のｘ、ｙおよびｍをモル比率にて０
．３０≦ｘ≦０．５０．０．０３≦ｙ≦０．２０．０．
９５≦ｍ≦１．０８と限定する理由について説明する。
Ｔｈ １−ｙ Ｚｒ、）０３で表わされる誘電体磁器組
成物において、上式のｘ、ｙおよびｍをモル比率にて０
．３０≦ｘ≦０．５０．０．０３≦ｙ≦０．２０．０．
９５≦ｍ≦１．０８と限定する理由について説明する。
係数Ｘを０．３０≦ｘ≦０．５０の範囲とするのは、０
．３０より小さいか、または０．５０より大きいと、焼
成温度が１３６０℃を越え、また静電容量の温度係数の
絶対値が１１０００ｐｐ／”Ｃより大きくなり好ましく
ない。
．３０より小さいか、または０．５０より大きいと、焼
成温度が１３６０℃を越え、また静電容量の温度係数の
絶対値が１１０００ｐｐ／”Ｃより大きくなり好ましく
ない。
係数ｙを０．０３≦ｙ≦０．２０の範囲とするのは、０
．０３より小さいと誘電体損失（ｔａｎδ）が０．２％
より大きくなり、かつ２５℃および８５℃での比抵抗が
１×１０１２Ω１より低くなって好ましくなく、また０
、２０より大きい時は焼成温度が１３６０℃を越え、静
電容量の温度係数の絶対値が１０００Ｅ）ｌ）ＩＩ／’
Ｃより大きくなって好ましくないためである。
．０３より小さいと誘電体損失（ｔａｎδ）が０．２％
より大きくなり、かつ２５℃および８５℃での比抵抗が
１×１０１２Ω１より低くなって好ましくなく、また０
、２０より大きい時は焼成温度が１３６０℃を越え、静
電容量の温度係数の絶対値が１０００Ｅ）ｌ）ＩＩ／’
Ｃより大きくなって好ましくないためである。
さらに係数ｍについては、その値が０．９５より小さい
時は２５℃および８５℃での比抵抗が１×１０１２Ωα
より一低くなり、かつｔａｎδが０，２％より人さくな
って好ましくなく、”また１、０８より大きいときは、
焼成温度が１３６０℃より高くなり、かつ静電容量の温
度係数の絶対値が１１０００１）ｌ）Ｉ／”Ｃより大き
くなって好ましくない。
時は２５℃および８５℃での比抵抗が１×１０１２Ωα
より一低くなり、かつｔａｎδが０，２％より人さくな
って好ましくなく、”また１、０８より大きいときは、
焼成温度が１３６０℃より高くなり、かつ静電容量の温
度係数の絶対値が１１０００１）ｌ）Ｉ／”Ｃより大き
くなって好ましくない。
次に副成分添加量の範囲限定理由についてのべると、主
成分を１００重量部としたとき、ｌ’ｈ Ｏｔの添加量
が０．０１重量部より少ないと、焼成温度が１３６０℃
を越え、かつｔａｎ ６が０．２％より大きくなり、２
５℃および８５℃での比抵抗も１Ｘ１０１２Ωｃｍより
低くなって好ましくなく、また２、００重量部より多い
時は静電容量の温度係数の絶対値が１０００ａｐｌＩ／
”Ｃより大きくなり、かつｔａｎδが０．２％より大ぎ
くなるとともに、２５℃および８５℃での比抵抗も１ｘ
１０１２Ωｃ１より低くなって好ましくない。
成分を１００重量部としたとき、ｌ’ｈ Ｏｔの添加量
が０．０１重量部より少ないと、焼成温度が１３６０℃
を越え、かつｔａｎ ６が０．２％より大きくなり、２
５℃および８５℃での比抵抗も１Ｘ１０１２Ωｃｍより
低くなって好ましくなく、また２、００重量部より多い
時は静電容量の温度係数の絶対値が１０００ａｐｌＩ／
”Ｃより大きくなり、かつｔａｎδが０．２％より大ぎ
くなるとともに、２５℃および８５℃での比抵抗も１ｘ
１０１２Ωｃ１より低くなって好ましくない。
５ＬＯ２の添加量については、ｏ、ｉｏ ｍｅ部より少
ないと焼成温度が１３６０℃を越え、かつ静電容量の温
度係数の絶対値が１ｏｏｏｐｐｎ／”ｃより大きくなっ
て好ましくなく、また４、００重量部より多い時は誘電
率が２００より小さくなり、かつｔａｎδが０，２％よ
り大きくなって好ましくない。
ないと焼成温度が１３６０℃を越え、かつ静電容量の温
度係数の絶対値が１ｏｏｏｐｐｎ／”ｃより大きくなっ
て好ましくなく、また４、００重量部より多い時は誘電
率が２００より小さくなり、かつｔａｎδが０，２％よ
り大きくなって好ましくない。
２■Ｏの添加量は０．０１重量部より少ないと８５℃で
の比抵抗が１×１０１２Ωαより低くなり、また１、０
０重量部より多いときは静電容量の湿度係数の絶対値が
１１０００１１１）Ｉ／”Ｃより大きくなって好ましく
ない。
の比抵抗が１×１０１２Ωαより低くなり、また１、０
０重量部より多いときは静電容量の湿度係数の絶対値が
１１０００１１１）Ｉ／”Ｃより大きくなって好ましく
ない。
〈実施例〉
以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
出発［４として工業用のＳｒ Ｃｏ ｓ 、Ｃａ Ｃｏ
ｓ 、Ｚｒ Ｏｔ、ＴＬ ｏ、、ｆｌｎｏｅ 、 ５
ＬＯｔ 、 ＺｎＯを用い、組成式＜ Ｓｒ １− ｘ
Ｃａ ） （１１−ｙＺｒｙ）Ｏｓ＋ｔＩｎＯｅ
＋５ＬＯｔ＋ＺｎＯにＩ おいて、夫々第１表に示す配合比になるように配合した
。
ｓ 、Ｚｒ Ｏｔ、ＴＬ ｏ、、ｆｌｎｏｅ 、 ５
ＬＯｔ 、 ＺｎＯを用い、組成式＜ Ｓｒ １− ｘ
Ｃａ ） （１１−ｙＺｒｙ）Ｏｓ＋ｔＩｎＯｅ
＋５ＬＯｔ＋ＺｎＯにＩ おいて、夫々第１表に示す配合比になるように配合した
。
次に、これら配合原料をボールミルにて湿式混合し、粉
砕したのち、蒸発乾燥させ、１１５０℃で２時間自然雰
囲気中で仮焼した。
砕したのち、蒸発乾燥させ、１１５０℃で２時間自然雰
囲気中で仮焼した。
次いで仮焼した原料に結合材として酢酸ビニル系バイン
ダーを５重量部加え、ボールミルによって湿式混合し、
さらに蒸発乾燥、整粒の工程を経て、得られた粉末原料
を２．５ｔｏｎ／ｃｊの圧力にて直径１０ａ、厚さ１．
２闇の円板状に成形した。
ダーを５重量部加え、ボールミルによって湿式混合し、
さらに蒸発乾燥、整粒の工程を経て、得られた粉末原料
を２．５ｔｏｎ／ｃｊの圧力にて直径１０ａ、厚さ１．
２闇の円板状に成形した。
次にこの円板をジルコニア粉末を敷粉としたアルミナ買
置に入れ、自然雰囲気中５００℃、２時間で酢酸ビニル
系バインダーを燃焼させたのち、体積比率で８２ ／
Ｎ２ ＝ ３／１００の還元ガス雰囲気中において、１
２４０〜１３６０℃で２時間焼成した。
置に入れ、自然雰囲気中５００℃、２時間で酢酸ビニル
系バインダーを燃焼させたのち、体積比率で８２ ／
Ｎ２ ＝ ３／１００の還元ガス雰囲気中において、１
２４０〜１３６０℃で２時間焼成した。
焼結した磁器の両面にＩｎ−一合金を塗布し、誘電率（
ε）および誘電体損失（ｊａｎδ）を１Ｋ）−ＩＺ １
１ Ｖｒｌ１３．２０℃の条件で測定した。
ε）および誘電体損失（ｊａｎδ）を１Ｋ）−ＩＺ １
１ Ｖｒｌ１３．２０℃の条件で測定した。
なお、静電容量の温度係数は２０℃での静電容量を基準
とし、これと８５℃での静電容量とから次式にて算出し
た。
とし、これと８５℃での静電容量とから次式にて算出し
た。
静電容量の温度係数＝そ×アーｙＸ／６’ （ｒｍ／Ｉ
ｃ）また、比抵抗（ρ）は２０℃および８５℃において
５００Ｖの直流電圧を印加した時に流れる電流値より求
めた。その結果は第２表に示した。
ｃ）また、比抵抗（ρ）は２０℃および８５℃において
５００Ｖの直流電圧を印加した時に流れる電流値より求
めた。その結果は第２表に示した。
なお、表中＊印の試料番号のものは、この発明の請求範
囲外のものである。
囲外のものである。
第 １ 表
〈発明の効果〉
上表からこの発明の非還元性誘電体ｉｆｉ器組成吻にお
いては、還元雰囲気中１３６０℃以下で焼結し、温度に
対づる静電容量の温度係数の絶対値が１１０００ｐｐ／
’Ｃ以下と小さく、誘電率が２００以上で誘電体損失が
０．２％以下であり、２０℃における比抵抗が１×１０
１２Ω１以上の特性が得られることが認められた。
いては、還元雰囲気中１３６０℃以下で焼結し、温度に
対づる静電容量の温度係数の絶対値が１１０００ｐｐ／
’Ｃ以下と小さく、誘電率が２００以上で誘電体損失が
０．２％以下であり、２０℃における比抵抗が１×１０
１２Ω１以上の特性が得られることが認められた。
このような誘電体磁器１１１１ｔ物を積層セラミックコ
ンデンサー用材料として用いることにより、従来の高価
な轟金属に比べて安価なＮ５、Ｆｅ１Ｃｒ等の卑金属を
内部電極とすることが可能になり、８１間セラミックコ
ンデンサーの゛大容量化に伴う電極コストの増大を解消
することかでき、低価格な積層セラミックコンデンサー
を供給することができるのである。
ンデンサー用材料として用いることにより、従来の高価
な轟金属に比べて安価なＮ５、Ｆｅ１Ｃｒ等の卑金属を
内部電極とすることが可能になり、８１間セラミックコ
ンデンサーの゛大容量化に伴う電極コストの増大を解消
することかでき、低価格な積層セラミックコンデンサー
を供給することができるのである。
なお、実施例において焼成雰囲気はＮ２ Ｎ２からな
る還元性雰囲気を用いたが、ｂ、ｃｏ、Ｃｏ２、Ｉｈ、
Ｎ２およびこれらの混合雰囲気ガスを用いてもよいこと
はいうまでもない。
る還元性雰囲気を用いたが、ｂ、ｃｏ、Ｃｏ２、Ｉｈ、
Ｎ２およびこれらの混合雰囲気ガスを用いてもよいこと
はいうまでもない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 組成式（Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）＿ｍ（Ｔｉ＿１
＿−＿ｙＺｒ＿ｙ）Ｏ＿３で表わされる物質を主成分と
する誘電体磁器組成物において、上式のｘ、ｙおよびｍ
が夫々モル比率にて ０．３０≦ｘ≦０．５０ ０．０３≦ｙ≦０．２０ ０．９５≦ｍ≦１．０８ の範囲にあり、かつ主成分を１００重量部としたとき、
副成分としてＭｎをＭｎＯ＿２に換算して０．０１〜２
．００重量部、ＳｉＯ＿２を０．１０〜４．００重量部
、さらにＺｎＯを０．０１〜１．００重量部含有するこ
とを特徴とする非還元性誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056208A JPS63224109A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| US07/169,393 US4859641A (en) | 1987-03-11 | 1988-03-09 | Nonreducible dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62056208A JPS63224109A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224109A true JPS63224109A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13020692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62056208A Pending JPS63224109A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224109A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994029235A1 (en) * | 1993-06-09 | 1994-12-22 | The United States Of America, Represented By The | NOVEL CERAMIC FERROELECTIC COMPOSITE MATERIAL - BSTO-ZrO¿2? |
| EP1125904A1 (en) | 2000-02-09 | 2001-08-22 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
| US6572793B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-06-03 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
| US6645895B2 (en) | 2000-03-30 | 2003-11-11 | Tdk Corporation | Method of producing ceramic composition and method of producing electronic device |
| US6656863B2 (en) | 2000-02-09 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, electronic device, and method for producing the same |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP62056208A patent/JPS63224109A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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