JP2757402B2 - 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は焼成温度が800〜1000℃でかつ大気中、中性
雰囲気中または還元雰囲気中にて短時間で焼成し得る、
高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法に関するもので
ある。
雰囲気中または還元雰囲気中にて短時間で焼成し得る、
高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法に関するもので
ある。
従来の技術 小型化，大容量化の進むセラミックコンデンサの高誘
電率材料としては、従来よりチタン酸バリウムを主成分
とする材料が用いられてきたが、この材料を焼結させる
には大気中でかつ焼成温度として1300℃程度の高温が必
要であるため、積層型セラミックコンデンサの作成する
場合に、電極材料としては高価な白金あるいはパラジュ
ウムなどの貴金属の使用が不可欠であり、特に大容量化
に伴い内部電極材料が原材料費を押し上げる要因となっ
ていた。
電率材料としては、従来よりチタン酸バリウムを主成分
とする材料が用いられてきたが、この材料を焼結させる
には大気中でかつ焼成温度として1300℃程度の高温が必
要であるため、積層型セラミックコンデンサの作成する
場合に、電極材料としては高価な白金あるいはパラジュ
ウムなどの貴金属の使用が不可欠であり、特に大容量化
に伴い内部電極材料が原材料費を押し上げる要因となっ
ていた。
これに対して、近年、チタン酸バリウム材料に耐還元
性を持たせ、電極材料として安価な卑金属を用いて酸素
分圧の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電体材料
と安価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の電極材料
とを用いて、1000℃前後の低温で焼成する方法により積
層セラミックコンデンサの低コスト化が図られている。
性を持たせ、電極材料として安価な卑金属を用いて酸素
分圧の低い雰囲気中で焼成する方法や、鉛系誘電体材料
と安価な銀を主体とする銀−パラジウム合金の電極材料
とを用いて、1000℃前後の低温で焼成する方法により積
層セラミックコンデンサの低コスト化が図られている。
一方、小型化や高信頼性が望まれる電子機器において
は、実装密度の高いハイブッリドIC化が進められてお
り、従来のチップコンデンサに変わって厚膜コンデンサ
に対する要望が高まっている。この厚膜コンデンサを作
成するには、低温，短時間焼成が可能な誘電体が必要で
あり、このための材料としては主に鉛系誘電体が用いら
れる。
は、実装密度の高いハイブッリドIC化が進められてお
り、従来のチップコンデンサに変わって厚膜コンデンサ
に対する要望が高まっている。この厚膜コンデンサを作
成するには、低温，短時間焼成が可能な誘電体が必要で
あり、このための材料としては主に鉛系誘電体が用いら
れる。
従って、積層チップコンデンサの大容量化あるいはコ
ンデンサの厚膜化のいずれにも対応できる材料として、
鉛系誘電体の開発が盛んに進められている。
ンデンサの厚膜化のいずれにも対応できる材料として、
鉛系誘電体の開発が盛んに進められている。
発明が解決しようとする課題 さて、PbTiO3−Pb（Mg1/3Nb2/3）O3−Pb（Ni
1/2Ｗ1/2）O3系固溶体は、特開昭61−155249号公報で知
られているように、1000℃以下の大気中で焼成される高
誘電率組成物であるが、誘電率を高め、充分緻密な焼結
体を得るためには、焼成温度にて数時間保持する必要が
ある。一方、ハイブリッドIC用の厚膜コンデンサを作成
する場合、低温短時間焼成が不可欠となり、このような
条件化では前記誘電体材料は未焼結となるため、所望の
特性が得られないという問題が起こる。さらに、長時間
の中性あるいは還元雰囲気中における熱処理により誘電
体磁器中に酸素欠陥が生じ易くなり、誘電率の低下，絶
縁抵抗の低下をきたし、実用上問題であった。
1/2Ｗ1/2）O3系固溶体は、特開昭61−155249号公報で知
られているように、1000℃以下の大気中で焼成される高
誘電率組成物であるが、誘電率を高め、充分緻密な焼結
体を得るためには、焼成温度にて数時間保持する必要が
ある。一方、ハイブリッドIC用の厚膜コンデンサを作成
する場合、低温短時間焼成が不可欠となり、このような
条件化では前記誘電体材料は未焼結となるため、所望の
特性が得られないという問題が起こる。さらに、長時間
の中性あるいは還元雰囲気中における熱処理により誘電
体磁器中に酸素欠陥が生じ易くなり、誘電率の低下，絶
縁抵抗の低下をきたし、実用上問題であった。
本発明ではかかる問題に鑑み、PbTiO3−Pb（Mg1/3Nb
2/3）O3−Pb（Ni1/2Ｗ1/2）O3系固溶体の持つ高い誘電
率を損なわず、大気中ならびに中性雰囲気中あるいは還
元雰囲気中にて800〜1000℃で短時間焼成が可能な高誘
電率誘電体磁器組成物の製造方法、およびそれを用いた
セラミックコンデンサまたは厚膜コンデンサを提供する
ことを目的とするものである。
2/3）O3−Pb（Ni1/2Ｗ1/2）O3系固溶体の持つ高い誘電
率を損なわず、大気中ならびに中性雰囲気中あるいは還
元雰囲気中にて800〜1000℃で短時間焼成が可能な高誘
電率誘電体磁器組成物の製造方法、およびそれを用いた
セラミックコンデンサまたは厚膜コンデンサを提供する
ことを目的とするものである。
課題を解決するための手段 前記問題点を解決するために本発明の高誘電率系誘電
体磁器組成物の製造方法は、PbTix（Mg1/3Nb2/3）ｙ（N
i1/2Ｗ1/2）zO3で表される磁器組成物（ただし、Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１）において、PbTiO3,Pb（（Mg1/3Nb2/3）O3お
よびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を頂点とする三角座標で、下記
〔 〕内の数値で表される組成A,B,C,D,Eを頂点とす
る五角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の粉
体に対して、副成分として酸化鉛1.0〜25.0モル％にて
前記誘電体粉体を被覆した粉体を用い、その後、成形，
焼成するという構成を備えたものである。
体磁器組成物の製造方法は、PbTix（Mg1/3Nb2/3）ｙ（N
i1/2Ｗ1/2）zO3で表される磁器組成物（ただし、Ｘ＋Ｙ
＋Ｚ＝１）において、PbTiO3,Pb（（Mg1/3Nb2/3）O3お
よびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を頂点とする三角座標で、下記
〔 〕内の数値で表される組成A,B,C,D,Eを頂点とす
る五角形の領域内からなる主成分誘電体磁器組成物の粉
体に対して、副成分として酸化鉛1.0〜25.0モル％にて
前記誘電体粉体を被覆した粉体を用い、その後、成形，
焼成するという構成を備えたものである。
作 用 すなわち、本発明の特許請求の範囲の組成物において
は、ペロブスカイト構造を有するPbTiO3−Pb（Mg1/3Nb
2/3）O3−Pb（Ni1/2Ｗ1/2）O3系の粉体を酸化鉛にて被
覆することにより、酸化鉛の融点（880℃）を利用して
低温で前記誘電体粉体の表面に均一な液相を発生させ、
液相焼結することによって誘電体への拡散を円滑に行
え、添加物による粒界相の形成が抑制されることによっ
て誘電率の低下を防ぎ、1000℃以下という低い焼成温度
にて、短時間に緻密に焼成し得る大容量の積層セラミッ
クコンデンサあるいは厚膜コンデンサ用の組成物が得ら
れることとなる。
は、ペロブスカイト構造を有するPbTiO3−Pb（Mg1/3Nb
2/3）O3−Pb（Ni1/2Ｗ1/2）O3系の粉体を酸化鉛にて被
覆することにより、酸化鉛の融点（880℃）を利用して
低温で前記誘電体粉体の表面に均一な液相を発生させ、
液相焼結することによって誘電体への拡散を円滑に行
え、添加物による粒界相の形成が抑制されることによっ
て誘電率の低下を防ぎ、1000℃以下という低い焼成温度
にて、短時間に緻密に焼成し得る大容量の積層セラミッ
クコンデンサあるいは厚膜コンデンサ用の組成物が得ら
れることとなる。
実施例 以下、本発明の実施例を示す。
＜実施例１＞ まず、出発原料としては化学的に高純度なPbO,MgO,Nb
2O5,TiO2,NiO,WO3を用いた。これらを純度補正を行った
上で所定量を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いて
ボールミルで17時間混合した。これを吸引濾過して水分
の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解
砕した後、粉体量5wt％の純水を加え、直径60mm,高さ50
mmの円柱状に成形圧力500Kg/cm2で成形した。これをア
ルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、750〜1000℃で２
時間仮焼した。次に、前記仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕
し、さらにボールミルにて17時間粉砕し、吸引濾過した
後、乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥を数回繰り返し
た。この粉末をＸ線回折法により解析し、ペロブスカイ
ト相であることを確認した。この誘電体粉末に酸化鉛の
被覆を行う。
2O5,TiO2,NiO,WO3を用いた。これらを純度補正を行った
上で所定量を秤量し、純水を加えメノウ製玉石を用いて
ボールミルで17時間混合した。これを吸引濾過して水分
の大半を分離した後乾燥し、その後ライカイ機で充分解
砕した後、粉体量5wt％の純水を加え、直径60mm,高さ50
mmの円柱状に成形圧力500Kg/cm2で成形した。これをア
ルミナルツボ中に入れ同質の蓋をし、750〜1000℃で２
時間仮焼した。次に、前記仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕
し、さらにボールミルにて17時間粉砕し、吸引濾過した
後、乾燥した。以上の仮焼・粉砕・乾燥を数回繰り返し
た。この粉末をＸ線回折法により解析し、ペロブスカイ
ト相であることを確認した。この誘電体粉末に酸化鉛の
被覆を行う。
ここで、酸化鉛の被覆方法としては、乾式法・液相法
・気相法とがある。まず、乾式法ではメカノケミカル反
応を利用して、基体である誘電体粉末の表面を酸化鉛の
微粉が付着したような構造を有する。一方の液相法は湿
式法ともいわれ、化学反応を利用して誘電体粉末の表面
に酸化鉛の被覆層を構成させるものである。この方法は
セラミック粉末を得るための合成方法として知られてい
るものであり、液相法は沈澱法と溶媒蒸発法に大別され
るが、沈澱法で合成されることが圧倒的に多い。さら
に、気相法による被覆方法では蒸発−凝縮法と気相化学
反応法があり、いずれも被覆層を薄くすることができ
る。これらのいずれの方法で被覆してもよいが、本実施
例では液相法を用いて被覆処理を行った。
・気相法とがある。まず、乾式法ではメカノケミカル反
応を利用して、基体である誘電体粉末の表面を酸化鉛の
微粉が付着したような構造を有する。一方の液相法は湿
式法ともいわれ、化学反応を利用して誘電体粉末の表面
に酸化鉛の被覆層を構成させるものである。この方法は
セラミック粉末を得るための合成方法として知られてい
るものであり、液相法は沈澱法と溶媒蒸発法に大別され
るが、沈澱法で合成されることが圧倒的に多い。さら
に、気相法による被覆方法では蒸発−凝縮法と気相化学
反応法があり、いずれも被覆層を薄くすることができ
る。これらのいずれの方法で被覆してもよいが、本実施
例では液相法を用いて被覆処理を行った。
まず、誘電体粉末，純水，分散剤としてアンモニウム
塩を加えて分散処理する。その後、鉛水溶液，鉛沈澱剤
とを加えて鉛沈澱物を生成させる。その後、濾過，乾燥
をした後、500℃程度の低温にて加熱することによって
酸化鉛の被覆層を有した誘電体粉末を得ることができ
る。この誘電体粉末をＸ線回折,ESCA,電顕観察にて解析
を行った結果、ペロブスカイト単一相の誘電体粉末の表
面を酸化鉛層が被覆していることを確認した。
塩を加えて分散処理する。その後、鉛水溶液，鉛沈澱剤
とを加えて鉛沈澱物を生成させる。その後、濾過，乾燥
をした後、500℃程度の低温にて加熱することによって
酸化鉛の被覆層を有した誘電体粉末を得ることができ
る。この誘電体粉末をＸ線回折,ESCA,電顕観察にて解析
を行った結果、ペロブスカイト単一相の誘電体粉末の表
面を酸化鉛層が被覆していることを確認した。
さらに、第３成分としてNiO,またはWO3を下記の表１
に示すモル％にて添加・混合する。この酸化鉛被覆誘電
体粉末にポリビニルアルコール6wt％水溶液を粉体量の6
wt％加え、32メッシュのふるいをパスさせた後、造粒し
成形圧力1000Kg/cm2で直径13mm,高さ約5mmの円盤状の成
形した。次いで、この成形物を大気中600℃で、１時間
保持して脱バインダーした後、マグネシア磁器容器に入
れて同質の蓋をし、大気中、中性雰囲気中あるいは還元
雰囲気中で所定温度まで2400℃／時間で昇温し、最高温
度で５〜30分間保持後、2400℃／時間で降温した。以上
のようにして得られた焼成物を厚さ1mmの円盤状に加工
し、両面に電極としてCr−Agを蒸着し、誘電率，誘電正
接を1K Hz,1V/mmの電界下で測定した。下記の＜表１＞
に本発明の材料組成と、大気中にて焼成した焼成物の誘
電特性を示す。また、焼成雰囲気を中性雰囲気である窒
素中とした場合、あるいは10-8atm以上の酸素分圧を有
する窒素−水素混合ガス中とした場合の900℃焼成の結
果をそれぞれ下記の＜表２＞および＜表３＞に示す。
に示すモル％にて添加・混合する。この酸化鉛被覆誘電
体粉末にポリビニルアルコール6wt％水溶液を粉体量の6
wt％加え、32メッシュのふるいをパスさせた後、造粒し
成形圧力1000Kg/cm2で直径13mm,高さ約5mmの円盤状の成
形した。次いで、この成形物を大気中600℃で、１時間
保持して脱バインダーした後、マグネシア磁器容器に入
れて同質の蓋をし、大気中、中性雰囲気中あるいは還元
雰囲気中で所定温度まで2400℃／時間で昇温し、最高温
度で５〜30分間保持後、2400℃／時間で降温した。以上
のようにして得られた焼成物を厚さ1mmの円盤状に加工
し、両面に電極としてCr−Agを蒸着し、誘電率，誘電正
接を1K Hz,1V/mmの電界下で測定した。下記の＜表１＞
に本発明の材料組成と、大気中にて焼成した焼成物の誘
電特性を示す。また、焼成雰囲気を中性雰囲気である窒
素中とした場合、あるいは10-8atm以上の酸素分圧を有
する窒素−水素混合ガス中とした場合の900℃焼成の結
果をそれぞれ下記の＜表２＞および＜表３＞に示す。
また、前記の実施例においては被覆する酸化鉛の形態
としてPbOを用いているが、これはPb2O3,Pb3O4,PbO2の
いずれにおいても誘電特性の優れた焼結体が得られた。
としてPbOを用いているが、これはPb2O3,Pb3O4,PbO2の
いずれにおいても誘電特性の優れた焼結体が得られた。
前記の＜表１＞〜＜表３＞に示すように、本発明の材
料組成にかかる焼成物は、900℃短時間焼成にもかかわ
らず、またさまざまな雰囲気焼成においても高誘電率の
緻密な焼結体が得られた。
料組成にかかる焼成物は、900℃短時間焼成にもかかわ
らず、またさまざまな雰囲気焼成においても高誘電率の
緻密な焼結体が得られた。
また、第１図には本発明の主成分の組成範囲をPbTi
O3,Pb（Mg1/3Nb2/3）O3,Pb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を主成分と
する三角組成図中に示した。
O3,Pb（Mg1/3Nb2/3）O3,Pb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を主成分と
する三角組成図中に示した。
ここで、本発明において、特許請求の範囲をPbTix（M
g1/3Nb2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3で表される磁器組成物
（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）において、PbTiO3,Pb（（M
g1/3Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を頂点とする
三角座標で下記〔 〕内の数値で表される組成A,B,C,
D,Eを頂点とする五角形の領域内からなる主成分誘電体
磁器組成物の粉体に対して、副成分として酸化鉛1.0〜2
5.0モル％にて被覆すること、さらには、第３成分とし
てNiOまたはWO3を1.0〜15.0モル％添加することを特徴
とする誘電体磁器組成物〔Ａはｘ＝2.5,y＝95.0,z＝2.
5,Bはｘ＝12.5,y＝85.0,z＝2.5,Cはｘ＝60.0,y＝10.0,z
＝30.0,Dはｘ＝40.0,y＝10.0,z＝50.0,Eはｘ＝2.5,y＝9
0.0,z＝7.5（単位はいずれもモル％）〕と具体的に限定
した理由は、＜表１＞＜表２＞＜表３＞の比較例に示す
ように限定範囲外の組成では、900℃焼成温度で焼結体
の誘電率が4000を下回ることとなり、焼結が不十分とな
るものである。また、800℃より低い温度での焼成で
は、焼結が不十分となり、1000℃より高い温度での焼成
は誘電率の低下などの問題を生じ、所望の特性は得られ
ないためである。
g1/3Nb2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3で表される磁器組成物
（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）において、PbTiO3,Pb（（M
g1/3Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を頂点とする
三角座標で下記〔 〕内の数値で表される組成A,B,C,
D,Eを頂点とする五角形の領域内からなる主成分誘電体
磁器組成物の粉体に対して、副成分として酸化鉛1.0〜2
5.0モル％にて被覆すること、さらには、第３成分とし
てNiOまたはWO3を1.0〜15.0モル％添加することを特徴
とする誘電体磁器組成物〔Ａはｘ＝2.5,y＝95.0,z＝2.
5,Bはｘ＝12.5,y＝85.0,z＝2.5,Cはｘ＝60.0,y＝10.0,z
＝30.0,Dはｘ＝40.0,y＝10.0,z＝50.0,Eはｘ＝2.5,y＝9
0.0,z＝7.5（単位はいずれもモル％）〕と具体的に限定
した理由は、＜表１＞＜表２＞＜表３＞の比較例に示す
ように限定範囲外の組成では、900℃焼成温度で焼結体
の誘電率が4000を下回ることとなり、焼結が不十分とな
るものである。また、800℃より低い温度での焼成で
は、焼結が不十分となり、1000℃より高い温度での焼成
は誘電率の低下などの問題を生じ、所望の特性は得られ
ないためである。
＜実施例２＞ 前記実施例１にて用いた酸化鉛被覆誘電体粉末、さら
には第３成分としてNiO,WO3を添加してボールミルにて
湿式混合した後、乾燥し、エチルセルローズを主成分と
する樹脂を溶媒で溶かしたビヒクルを加え、三段ロール
にて混練し誘電体ペーストを作成した。一方、純度96％
のアルミナ基板上に２×2mm2の形状を有する厚膜コンデ
ンサを形成するために、下部電極として銅電極を印刷
し、乾燥させた。次に、誘電体層として前記誘電体ペー
ストを厚み50〜60μｍになるように２度印刷・乾燥する
ことにより、電極−誘電体−電極の３層構造の印刷厚膜
を形成し、ベルト炉を用いて最高温度800〜1000℃，保
持時間５〜30分間，窒素中で焼成した。
には第３成分としてNiO,WO3を添加してボールミルにて
湿式混合した後、乾燥し、エチルセルローズを主成分と
する樹脂を溶媒で溶かしたビヒクルを加え、三段ロール
にて混練し誘電体ペーストを作成した。一方、純度96％
のアルミナ基板上に２×2mm2の形状を有する厚膜コンデ
ンサを形成するために、下部電極として銅電極を印刷
し、乾燥させた。次に、誘電体層として前記誘電体ペー
ストを厚み50〜60μｍになるように２度印刷・乾燥する
ことにより、電極−誘電体−電極の３層構造の印刷厚膜
を形成し、ベルト炉を用いて最高温度800〜1000℃，保
持時間５〜30分間，窒素中で焼成した。
このようにして得られた厚膜コンデンサの誘電率，誘
電正接を1K Hz,1V/mmの電界下で測定した。下記の＜表
４＞に本発明の材料組成と、窒素中900℃で焼成した焼
成物の誘電特性を示す。
電正接を1K Hz,1V/mmの電界下で測定した。下記の＜表
４＞に本発明の材料組成と、窒素中900℃で焼成した焼
成物の誘電特性を示す。
前記＜表４＞に示すように、本発明の材料組成にかか
る焼成物は、短時間低温焼成にもかかわらず、緻密な焼
結体からなる高誘電率の厚膜コンデンサが得られた。
る焼成物は、短時間低温焼成にもかかわらず、緻密な焼
結体からなる高誘電率の厚膜コンデンサが得られた。
また、特許請求の範囲を限定した理由は、実施例１と
同様に、＜表４＞の比較例に示すように、限定範囲外の
組成物では、900℃の焼成温度で焼結の誘電率が5000以
下となり、焼結が不十分となるためである。
同様に、＜表４＞の比較例に示すように、限定範囲外の
組成物では、900℃の焼成温度で焼結の誘電率が5000以
下となり、焼結が不十分となるためである。
本実施例では窒素中にて焼成が可能であることを示し
たが、アルゴン，ヘリウムなどの中性雰囲気中でも焼成
が可能であることは容易に推測される。
たが、アルゴン，ヘリウムなどの中性雰囲気中でも焼成
が可能であることは容易に推測される。
尚、本発明で用いられる電極としては、大気中，中性
雰囲気中，あるいは還元雰囲気中にて800〜1000℃で焼
成可能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
雰囲気中，あるいは還元雰囲気中にて800〜1000℃で焼
成可能な電極が適宜選択され、使用されるものである。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明はPbTix（Mg1/3N
b2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3で表される磁器組成物（た
だし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）において、PbTiO3,Pb（（Mg1/3
Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を頂点とする三角
座標で、下記〔 〕内の数値で表される組成A,B,C,D,
Eを頂点とする五角形の領域内からなる主成分誘電体磁
器組成物の粉体に対して、副成分として酸化鉛1.0〜25.
0モル％にて前記誘電体粉体を被覆した粉体を用い、そ
の後、成形，焼成するという構成を備えたものである
〔Ａはｘ＝2.5,y＝95.0,z＝30.0,Bはｘ＝12.5,y＝85.0,
z＝2.5,Cはｘ＝60.0,y＝10.0,z＝30.0,Dはｘ＝40.0,y＝
10.0,z＝50.0Eはｘ＝2.5,y＝90.0,z＝7.5（単位はいず
れもモル％）〕。このような構成とすることにより、80
0〜1000℃の温度にて短時間でかつ大気中または中性雰
囲気中あるいは還元雰囲気中においても焼成可能なセラ
ミックコンデンサおよび厚膜コンデンサを提供し得ると
いう優れた効果を発揮するものである。
b2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3で表される磁器組成物（た
だし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）において、PbTiO3,Pb（（Mg1/3
Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を頂点とする三角
座標で、下記〔 〕内の数値で表される組成A,B,C,D,
Eを頂点とする五角形の領域内からなる主成分誘電体磁
器組成物の粉体に対して、副成分として酸化鉛1.0〜25.
0モル％にて前記誘電体粉体を被覆した粉体を用い、そ
の後、成形，焼成するという構成を備えたものである
〔Ａはｘ＝2.5,y＝95.0,z＝30.0,Bはｘ＝12.5,y＝85.0,
z＝2.5,Cはｘ＝60.0,y＝10.0,z＝30.0,Dはｘ＝40.0,y＝
10.0,z＝50.0Eはｘ＝2.5,y＝90.0,z＝7.5（単位はいず
れもモル％）〕。このような構成とすることにより、80
0〜1000℃の温度にて短時間でかつ大気中または中性雰
囲気中あるいは還元雰囲気中においても焼成可能なセラ
ミックコンデンサおよび厚膜コンデンサを提供し得ると
いう優れた効果を発揮するものである。
第１図は本発明の組成範囲を示す、PbTiO3,Pb（（Mg1/3
Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を主成分とする三
角組成図である。
Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ1/2）O3を主成分とする三
角組成図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 H01B 3/00 - 3/14
Claims (7)
- 【請求項１】PbTix（Mg1/3Nb2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3
で表される磁器組成物（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）にお
いて、PbTiO3,Pb（（Mg1/3Nb2/3）O3およびPb（Ni1/2Ｗ
1/2）O3を頂点とする三角座標で、下記〔 〕内の数
値で表される組成A,B,C,D,Eを頂点とする五角形の領域
内組成からなる主成分誘電体の粉体に対して、副成分と
して酸化鉛1.0〜25.0モル％にて前記誘電体粉体を被覆
した粉体を用い、その後、成形，焼成することを特徴と
する高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項２】請求項１記載の酸化鉛として、PbO,Pb2O3,
Pb3O4,PbO2のうち少なくとも一種を含んだことを特徴と
する高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項３】請求項１または２記載のPbTix（Mg1/3Nb
2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3で表される誘電体磁器組成物
に対して、NiOを1.0〜15.0モル％添加することを特徴と
する高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項４】請求項１または２記載のPbTix（Mg1/3Nb
2/3）ｙ（Ni1/2Ｗ1/2）zO3で表される誘電体磁器組成物
に対してWO3を1.0〜15.0モル％添加することを特徴とす
る高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項５】請求項1,2,3または４記載の誘電体磁器組
成物を用い、大気中にて800〜1000℃で焼成可能な電極
とで構成されたことを特徴とするセラミックコンデン
サ。 - 【請求項６】請求項1,2,3または４記載の誘電体磁器組
成物を用い、中性雰囲気中あるいは還元雰囲気中にて80
0〜1000℃で焼成可能な電極とで構成されたことを特徴
とするセラミックコンデンサ。 - 【請求項７】セラミック基板上に、請求項1,2,3または
４記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と800〜100
0℃で焼成可能な電極とを設けて構成されたことを特徴
とする厚膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309509A JP2757402B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309509A JP2757402B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02157155A JPH02157155A (ja) | 1990-06-15 |
| JP2757402B2 true JP2757402B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=17993855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309509A Expired - Fee Related JP2757402B2 (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 高誘電率系誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2757402B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2630111B2 (ja) * | 1991-05-29 | 1997-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミックコンデンサと厚膜コンデンサ |
| KR970008754B1 (en) * | 1994-12-23 | 1997-05-28 | Korea Inst Sci & Tech | Multilayer ceramic capacitor and production thereof |
-
1988
- 1988-12-07 JP JP63309509A patent/JP2757402B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02157155A (ja) | 1990-06-15 |
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