JPH0419910A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0419910A JPH0419910A JP2120018A JP12001890A JPH0419910A JP H0419910 A JPH0419910 A JP H0419910A JP 2120018 A JP2120018 A JP 2120018A JP 12001890 A JP12001890 A JP 12001890A JP H0419910 A JPH0419910 A JP H0419910A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は１１００℃以下の低酸素分圧雰囲気で焼成され
、銅等の卑金属を内部電極とする高誘電率系磁器組成物
に関する。
、銅等の卑金属を内部電極とする高誘電率系磁器組成物
に関する。
従来の技術
最近セラミックコンデンサの需要が上昇し、特に小型で
大容量の要求から、積層型セラミ・ンクコンデンサの需
要が増大している。積層型セラミックコンデンサは、誘
電体磁器原料粉末から成るグリーンシートに導電性ペー
ストを印刷し、これを積層圧着し、内部電極とセラミッ
クスとを一体焼成する工程を経て製造される。
大容量の要求から、積層型セラミ・ンクコンデンサの需
要が増大している。積層型セラミックコンデンサは、誘
電体磁器原料粉末から成るグリーンシートに導電性ペー
ストを印刷し、これを積層圧着し、内部電極とセラミッ
クスとを一体焼成する工程を経て製造される。
従来は、焼成温度が１３００℃程度のチタン醇バリウム
系の材料が用いられてきたが、この場合、内部電極材料
として酸化性雰囲気中で使用できる高価なＰｔ、Ｐｄが
必要となる。
系の材料が用いられてきたが、この場合、内部電極材料
として酸化性雰囲気中で使用できる高価なＰｔ、Ｐｄが
必要となる。
そこで、コストの低下を目指す必要があり、そのために
Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属内部電極の使用か検討されてきて
いる。また、この様な卑金属をセラミックと一体焼成す
るためには、金属成分が酸化されない雰囲気が必要であ
る。
Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属内部電極の使用か検討されてきて
いる。また、この様な卑金属をセラミックと一体焼成す
るためには、金属成分が酸化されない雰囲気が必要であ
る。
さらに、この時、セラミックが還元されない必要がある
。還元されると、絶縁抵抗が低下しコンデンサとしての
性能が低下する。この為、セラミックの成分としてＡサ
イト（一般にペロブスカイト化合物は、ＡＢＯ３の形で
あられされる。）を過剰にしたり（特公昭５６−４８８
４１） 、ガラス成分を添加したり（特開昭６２−２２
２５１３、同６２−１５７６０７、同６２〜１５７８０
６、同８２−１５７６０５）することがチタン酸バリウ
ム系では行われている。
。還元されると、絶縁抵抗が低下しコンデンサとしての
性能が低下する。この為、セラミックの成分としてＡサ
イト（一般にペロブスカイト化合物は、ＡＢＯ３の形で
あられされる。）を過剰にしたり（特公昭５６−４８８
４１） 、ガラス成分を添加したり（特開昭６２−２２
２５１３、同６２−１５７６０７、同６２〜１５７８０
６、同８２−１５７６０５）することがチタン酸バリウ
ム系では行われている。
また、焼成温度の低い（８５０〜１１５０℃）鉛系ペロ
ブスカイト化合物系では、Ａサイトを過剰にしたり（＃
開開６３−１７２５２、同６２−１２３０Ｅ１２、同８
２１０５９５４、特開平１−！３５４０４） Ｍｎ化合
物を添加したり（特開昭６１−１１［３８１３） して
耐還元性セラミックの開発が行われている。
ブスカイト化合物系では、Ａサイトを過剰にしたり（＃
開開６３−１７２５２、同６２−１２３０Ｅ１２、同８
２１０５９５４、特開平１−！３５４０４） Ｍｎ化合
物を添加したり（特開昭６１−１１［３８１３） して
耐還元性セラミックの開発が行われている。
発明が解決しようとする課題
上記（Ｐｂａ Ｍｅｂ）（（ＭｇｙＮｂ２．ｉ） ｘ
Ｔｉｙ（Ｍｇｕ２Ｗｕ２） ｚ０２＊ａ＊６ テ表され
る化合物（ＭｅはＰｂ、 Ｃａ、Ｂａ、 Ｓｒを表す、
）において、内部電極として銅を使用する際、窒素下あ
るいは窒素と水素の混合雰囲気下で焼結させる必要があ
り、その場合、セラミックが還元され、絶縁抵抗が低下
するという問題点があった。
Ｔｉｙ（Ｍｇｕ２Ｗｕ２） ｚ０２＊ａ＊６ テ表され
る化合物（ＭｅはＰｂ、 Ｃａ、Ｂａ、 Ｓｒを表す、
）において、内部電極として銅を使用する際、窒素下あ
るいは窒素と水素の混合雰囲気下で焼結させる必要があ
り、その場合、セラミックが還元され、絶縁抵抗が低下
するという問題点があった。
ここにおいて、上記の組成式は鎖成分としてＰｂ （Ｍ
ｇ＋ｚ３Ｎｂ２／３） ０３、ＰｂＴｉＯ３及びＰｂ
（Ｍｇｖ２Ｗ ｖ２）○３から成る三成分系複合ペロブ
スカイト化合物である。
ｇ＋ｚ３Ｎｂ２／３） ０３、ＰｂＴｉＯ３及びＰｂ
（Ｍｇｖ２Ｗ ｖ２）○３から成る三成分系複合ペロブ
スカイト化合物である。
課題を解決するための手段
（Ｐｂａ Ｍｅｎ ）（（Ｍｇ＋ｚ：＋Ｎｂ２／３）
ｘ Ｔｌｖ （Ｍｇｔｚ２Ｗｔｚ２）０２＋ａ４ｂで
表される化合物（！ＩｌｅはＰｂ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒを
表す。ｘ＋ｙ＋ｚ＝ １）に対し、０．００１≦ｂ≦０
．０４．１．００１ ≦ａ＋ｂ≦１．０４として、Ａサ
イトを過剰にし、かつ、添加成分として、Ｍｎ化合物を
Ｍｕに換算して、０．（１０５〜０．１４ｗｔ％添加す
る事により、耐還元性を向上させる。
ｘ Ｔｌｖ （Ｍｇｔｚ２Ｗｔｚ２）０２＋ａ４ｂで
表される化合物（！ＩｌｅはＰｂ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒを
表す。ｘ＋ｙ＋ｚ＝ １）に対し、０．００１≦ｂ≦０
．０４．１．００１ ≦ａ＋ｂ≦１．０４として、Ａサ
イトを過剰にし、かつ、添加成分として、Ｍｎ化合物を
Ｍｕに換算して、０．（１０５〜０．１４ｗｔ％添加す
る事により、耐還元性を向上させる。
作用
Ａサイトの過剰及びＭｎ化合物の添加により上記化合物
成分は窒素や、窒素と水素の混合ガス雰囲気下でも耐還
元性を持ち、十分な抵抗率を持つことができる。
成分は窒素や、窒素と水素の混合ガス雰囲気下でも耐還
元性を持ち、十分な抵抗率を持つことができる。
実施例
出発原料による高純度のＰｂＯ、ＭｇＮｂ、０６ （
１０００℃で仮焼したＭｇＯが５ｗｔ％過剰のコロンバ
イト）Ｔ１０２、ＭｇＣ１、ＷＯ３、ＭｅＣＯ３（Ｍｅ
： Ｐｂ、 Ｂａ、 Ｃａ、 Ｓｒ）を用いた。
１０００℃で仮焼したＭｇＯが５ｗｔ％過剰のコロンバ
イト）Ｔ１０２、ＭｇＣ１、ＷＯ３、ＭｅＣＯ３（Ｍｅ
： Ｐｂ、 Ｂａ、 Ｃａ、 Ｓｒ）を用いた。
これらを純度補正を行い所定量（マグネシウムニオブ酸
鉛（ＰＭＮ）−チタン酸鉛（ＰＴ）−マグネシウムタン
グステン酸鉛（ＰＭＷ）の複合ペロブスカイトとなるよ
うに２例えば、ＰＭＮ／ＰＴ／ ＰＭＷ＝０．５５１０
．２５１０．２０の比で、及びＡサイトが過剰になるよ
うにＭｅのそれぞれを、さらに、ＮｎＣＯ３を）秤量し
、ジルコニア製玉石を用いエタノールをｅＩ奴として２
４時時間式混合した。
鉛（ＰＭＮ）−チタン酸鉛（ＰＴ）−マグネシウムタン
グステン酸鉛（ＰＭＷ）の複合ペロブスカイトとなるよ
うに２例えば、ＰＭＮ／ＰＴ／ ＰＭＷ＝０．５５１０
．２５１０．２０の比で、及びＡサイトが過剰になるよ
うにＭｅのそれぞれを、さらに、ＮｎＣＯ３を）秤量し
、ジルコニア製玉石を用いエタノールをｅＩ奴として２
４時時間式混合した。
これを乾燥した後ライカイ機で十分に解砕し、直径Ｃｏ
ｚＩＩ、高ざ３０１１℃程度に成形した。これをアルミ
ナルツボにいれ、８Ｈ℃で２時間仮焼した。次に仮焼粉
をよく粉砕し、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液
を粉体量の５ｖｔ％加え、乾燥後成形圧力１．５ｔ／ｃ
ｍ２で成形した。成形体は、空気中で７００℃まで昇温
し、１時間保持しポリビニルアルコールを八−ソアウト
した。これをマグネシア磁器容器に入れフタをし、電気
炉で大気中、窒素中あるいは窒素と水素の混合気中で１
０００〜１１００’Ｃで焼成した。
ｚＩＩ、高ざ３０１１℃程度に成形した。これをアルミ
ナルツボにいれ、８Ｈ℃で２時間仮焼した。次に仮焼粉
をよく粉砕し、ポリビニルアルコール１０ｗｔ％水溶液
を粉体量の５ｖｔ％加え、乾燥後成形圧力１．５ｔ／ｃ
ｍ２で成形した。成形体は、空気中で７００℃まで昇温
し、１時間保持しポリビニルアルコールを八−ソアウト
した。これをマグネシア磁器容器に入れフタをし、電気
炉で大気中、窒素中あるいは窒素と水素の混合気中で１
０００〜１１００’Ｃで焼成した。
焼成物は、厚さ１ｍ＋ｏに研磨し１両面にＡｕを蒸着し
、誘電率、ｔａｎδを１ ｋＨｚ 、 ｌ Ｖ／ａｌ
ｌ（７）電界下テ測定した。また抵抗率は、１ ｋＶ／
ｅ＋ｅの電圧な印加後２分値から求めた。第１表から第
３表に組成範囲および周辺組成の成分［ａ、ｂ、ｘ、ｙ
、ｚは（Ｐｂａ ＭＥ！ｂ ）（（ＭｇＩ／３Ｎｂ２／
３） ｘ Ｔｉｙ （Ｍｇ＋ｚ２ＶＶ＋１２） ！
）０２゜ａ＋ｂ と表した時の値］、種々の雰囲気（大
気（第１表） 、 Ｎ２ （り’４２表）、Ｎ２Ｈ７Ｗ
合ガス（第３表））で焼成した時の焼成温度、誘電率（
ε）ｔａｎ δ、抵抗率、音度を示した。
、誘電率、ｔａｎδを１ ｋＨｚ 、 ｌ Ｖ／ａｌ
ｌ（７）電界下テ測定した。また抵抗率は、１ ｋＶ／
ｅ＋ｅの電圧な印加後２分値から求めた。第１表から第
３表に組成範囲および周辺組成の成分［ａ、ｂ、ｘ、ｙ
、ｚは（Ｐｂａ ＭＥ！ｂ ）（（ＭｇＩ／３Ｎｂ２／
３） ｘ Ｔｉｙ （Ｍｇ＋ｚ２ＶＶ＋１２） ！
）０２゜ａ＋ｂ と表した時の値］、種々の雰囲気（大
気（第１表） 、 Ｎ２ （り’４２表）、Ｎ２Ｈ７Ｗ
合ガス（第３表））で焼成した時の焼成温度、誘電率（
ε）ｔａｎ δ、抵抗率、音度を示した。
第１表から第３表によりＮｎＣＯ３の添加量は０．０１
〜［）、３ ｗｔ％程度が抵抗率からみてよい事が分か
る。丈たＡサイトの過剰量も、０．ＯＱｌ≦ｂ≦０．０
４１．００＋ ≦ａ＋ｂ≦１．０４、で適している。す
なわち、窒素中あるいは窒素と水素の混合気中で、誘電
率が、７ｏｏｏカラｒｏｏｏａを示し、低イｔａｎ δ
（０，８から２．５）を示し、絶縁抵抗率が、１０１０
〜１ＱＩ２Ωｃｍのオーダーであり、大差のない事が分
かる。
〜［）、３ ｗｔ％程度が抵抗率からみてよい事が分か
る。丈たＡサイトの過剰量も、０．ＯＱｌ≦ｂ≦０．０
４１．００＋ ≦ａ＋ｂ≦１．０４、で適している。す
なわち、窒素中あるいは窒素と水素の混合気中で、誘電
率が、７ｏｏｏカラｒｏｏｏａを示し、低イｔａｎ δ
（０，８から２．５）を示し、絶縁抵抗率が、１０１０
〜１ＱＩ２Ωｃｍのオーダーであり、大差のない事が分
かる。
（以下余白）
発明の効果
本発明によれば、還元性雰囲気１１００℃以下の焼成で
高誘電率、緻密で抵抗率の高い誘電体磁器が得られ、特
に本発明の手法により、内部電極にＣｕをもちいて、積
層コンデンサ素子を形成した場合、電気的特性を損なう
事なく、抵抗率の高いコンデンサが得られる。
高誘電率、緻密で抵抗率の高い誘電体磁器が得られ、特
に本発明の手法により、内部電極にＣｕをもちいて、積
層コンデンサ素子を形成した場合、電気的特性を損なう
事なく、抵抗率の高いコンデンサが得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ＰｂａＭｅ＿ｂ）（（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／
＿３）ｘＴｉｙ（Ｍｇ＿１＿／＿２Ｗ＿１＿／＿２）ｚ
）Ｏ＿２＋ａ＋ｂで表わされる基本組成において、 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ ０．００１≦ｂ≦０．０４、 １．００１≦ａ＋ｂ≦１．０４、 であり、ここで、ＭｅはＰｂ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒを示し
、添加成分として、Ｍｎ化合物をＭｎに換算して０．０
０５〜０．１４ｗｔ％であることを特徴とする誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120018A JPH0419910A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2120018A JPH0419910A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0419910A true JPH0419910A (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14775871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2120018A Pending JPH0419910A (ja) | 1990-05-11 | 1990-05-11 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0419910A (ja) |
-
1990
- 1990-05-11 JP JP2120018A patent/JPH0419910A/ja active Pending
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