JPH06139819A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH06139819A JPH06139819A JP4281652A JP28165292A JPH06139819A JP H06139819 A JPH06139819 A JP H06139819A JP 4281652 A JP4281652 A JP 4281652A JP 28165292 A JP28165292 A JP 28165292A JP H06139819 A JPH06139819 A JP H06139819A
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- dielectric
- dielectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 焼結温度が低く、誘電率が高く、しかも、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、誘電率の温度変化
が小さく、小型で大容量の積層セラミックコンデンサの
誘電体材料に有効に利用可能な誘電体磁器組成物を提供
する。 【構成】 Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 ,Pb(Zn
1/3 Nb2/3 )O3 及びPb(M1/2 W1/2 )O3 を含
み、下記一般式(I)で表わされる組成となるように、
Pb原子のうちの一部を、Ca,Ba及びSrよりなる
群から選ばれる少なくとも1種の原子で置換した組成を
有する主成分100と、副成分としてPb(Al1/2 N
b1/2 )O3 を前記主成分100重量部に対して0.0
1〜0.5重量部含有することを特徴とする誘電体磁器
組成物。
電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、誘電率の温度変化
が小さく、小型で大容量の積層セラミックコンデンサの
誘電体材料に有効に利用可能な誘電体磁器組成物を提供
する。 【構成】 Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 ,Pb(Zn
1/3 Nb2/3 )O3 及びPb(M1/2 W1/2 )O3 を含
み、下記一般式(I)で表わされる組成となるように、
Pb原子のうちの一部を、Ca,Ba及びSrよりなる
群から選ばれる少なくとも1種の原子で置換した組成を
有する主成分100と、副成分としてPb(Al1/2 N
b1/2 )O3 を前記主成分100重量部に対して0.0
1〜0.5重量部含有することを特徴とする誘電体磁器
組成物。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体磁器組成物に係
り、特に、小型大容量の積層コンデンサ等の誘電体材料
に好適な誘電体磁器組成物に関する。
り、特に、小型大容量の積層コンデンサ等の誘電体材料
に好適な誘電体磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、高誘電率磁器組成物として、チタ
ン酸バリウム(BaTiO3 )を主体とする磁器組成物
が一般に使用されている。この磁器組成物は、BaTi
O3 を基体とし、これにキュリー点を室温付近に移動さ
せるシフター剤と温度特性を改善するデプレッサ剤、更
に焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成とするのが
一般的である。
ン酸バリウム(BaTiO3 )を主体とする磁器組成物
が一般に使用されている。この磁器組成物は、BaTi
O3 を基体とし、これにキュリー点を室温付近に移動さ
せるシフター剤と温度特性を改善するデプレッサ剤、更
に焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成とするのが
一般的である。
【0003】しかし、BaTiO3 を主体とする磁器組
成物は、その焼結温度が1300〜1400℃の高温で
あるため、焼成コストが高く、特にこの磁器組成物を積
層コンデンサとして利用する場合には、内部電極材料と
して、パラジウム、白金などの高価な貴金属を用いなけ
ればならず、このことが積層コンデンサのコスト低減の
大きな障壁になっていた。
成物は、その焼結温度が1300〜1400℃の高温で
あるため、焼成コストが高く、特にこの磁器組成物を積
層コンデンサとして利用する場合には、内部電極材料と
して、パラジウム、白金などの高価な貴金属を用いなけ
ればならず、このことが積層コンデンサのコスト低減の
大きな障壁になっていた。
【0004】これに対し、近年、鉛系複合型ペロブスカ
イト化合物を主体とする誘電体磁器組成物を用いて、低
温で焼成することにより、積層コンデンサの製造コスト
の低減が図られている。特に、Pb(Fe1/2 Nb
1/2 )O3 を含む磁器組成物は低温焼成可能で、かつ高
誘電率を有しており、この成分系を中心とした様々な磁
器組成物が提案されている(例えば、M.Yoneza
wa:Ceramic Bulletin 62(19
83)1375)。
イト化合物を主体とする誘電体磁器組成物を用いて、低
温で焼成することにより、積層コンデンサの製造コスト
の低減が図られている。特に、Pb(Fe1/2 Nb
1/2 )O3 を含む磁器組成物は低温焼成可能で、かつ高
誘電率を有しており、この成分系を中心とした様々な磁
器組成物が提案されている(例えば、M.Yoneza
wa:Ceramic Bulletin 62(19
83)1375)。
【0005】また、特開平2−252649号公報に
は、この種の磁器組成物として、Pb(Fe1/2 Nb
1/2 )O3 ,Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 及びPb
(M1/2 W1/2 )O3 を含み、下記一般式(I)で表わ
される組成となるように、Pb原子のうちの一部を、C
a,Ba及びSrよりなる群から選ばれる少なくとも1
種の原子で置換した組成を有する誘電体磁器組成物が開
示されている。
は、この種の磁器組成物として、Pb(Fe1/2 Nb
1/2 )O3 ,Pb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 及びPb
(M1/2 W1/2 )O3 を含み、下記一般式(I)で表わ
される組成となるように、Pb原子のうちの一部を、C
a,Ba及びSrよりなる群から選ばれる少なくとも1
種の原子で置換した組成を有する誘電体磁器組成物が開
示されている。
【0006】 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)c]O3 …(I) (式中、RはCa,Ba及びSrよりなる群から選ばれ
る少なくとも1種の原子であり、MはZn,Mg及びN
iよりなる群から選ばれる少なくとも1種の原子であ
り、a,b及びcは、 0.00< a <0.10 0.00<b+c<0.50 を満たす正数である。)この磁器組成物は1000℃程
度の温度で焼結可能であって、高い誘電率を示すもので
ある。
る少なくとも1種の原子であり、MはZn,Mg及びN
iよりなる群から選ばれる少なくとも1種の原子であ
り、a,b及びcは、 0.00< a <0.10 0.00<b+c<0.50 を満たす正数である。)この磁器組成物は1000℃程
度の温度で焼結可能であって、高い誘電率を示すもので
ある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の磁
器組成物は、低温焼結が可能で、高誘電率であっても、
誘電損失が大きいか、或いは絶縁抵抗が小さいなどの問
題が依然として残されていた。
器組成物は、低温焼結が可能で、高誘電率であっても、
誘電損失が大きいか、或いは絶縁抵抗が小さいなどの問
題が依然として残されていた。
【0008】本発明は、焼結温度が低く、誘電率が高
く、しかも、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、誘
電率の温度変化が小さく、小型で大容量の積層セラミッ
クコンデンサの誘電体材料に有効に利用可能な誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
く、しかも、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が大きく、誘
電率の温度変化が小さく、小型で大容量の積層セラミッ
クコンデンサの誘電体材料に有効に利用可能な誘電体磁
器組成物を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項1の誘電
体磁器組成物は、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 ,Pb
(Zn1/3 Nb2/3 )O3 及びPb(M1/2 W1/2 )O
3 を含み、下記一般式(I)で表わされる組成となるよ
うに、Pb原子のうちの一部を、Ca,Ba及びSrよ
りなる群から選ばれる少なくとも1種の原子で置換した
組成を有する主成分と、副成分としてPb(Al1/2 N
b1/2 )O3 を前記主成分100重量部に対して0.0
1〜0.5重量部含有することを特徴とする。
体磁器組成物は、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 ,Pb
(Zn1/3 Nb2/3 )O3 及びPb(M1/2 W1/2 )O
3 を含み、下記一般式(I)で表わされる組成となるよ
うに、Pb原子のうちの一部を、Ca,Ba及びSrよ
りなる群から選ばれる少なくとも1種の原子で置換した
組成を有する主成分と、副成分としてPb(Al1/2 N
b1/2 )O3 を前記主成分100重量部に対して0.0
1〜0.5重量部含有することを特徴とする。
【0010】 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)c]O3 …(I) (式中、RはCa,Ba及びSrよりなる群から選ばれ
る少なくとも1種の原子であり、MはZn,Mg及びN
iよりなる群から選ばれる少なくとも1種の原子であ
り、a,b及びcは、 0.00< a <0.10 0.00<b+c<0.50 を満たす正数である。)請求項2の誘電体磁器組成物は
請求項1の誘電体磁器組成物において、前記一般式
(I)中のb及びcが、 0.00< b ≦0.20 0.00< c ≦0.20 を満たす正数であることを特徴とする。
る少なくとも1種の原子であり、MはZn,Mg及びN
iよりなる群から選ばれる少なくとも1種の原子であ
り、a,b及びcは、 0.00< a <0.10 0.00<b+c<0.50 を満たす正数である。)請求項2の誘電体磁器組成物は
請求項1の誘電体磁器組成物において、前記一般式
(I)中のb及びcが、 0.00< b ≦0.20 0.00< c ≦0.20 を満たす正数であることを特徴とする。
【0011】以下に本発明を詳細に説明する。
【0012】本発明の誘電体磁器組成物は、前記一般式
(I)で表される主成分と、この主成分に所定の割合で
添加されるPb(Al1/2 Nb1/2 )O3 の副成分とに
より構成される。
(I)で表される主成分と、この主成分に所定の割合で
添加されるPb(Al1/2 Nb1/2 )O3 の副成分とに
より構成される。
【0013】本発明の誘電体磁器組成物の組成域の限定
理由について説明する。
理由について説明する。
【0014】前記一般式(I)中、aが0.00である
と誘電率の温度変化が急激になり、aが0.10以上で
あると誘電率のピークが著しく低温側に移行するため誘
電率が小さくなる。このため、aの範囲は0.00<a
<0.10とする。
と誘電率の温度変化が急激になり、aが0.10以上で
あると誘電率のピークが著しく低温側に移行するため誘
電率が小さくなる。このため、aの範囲は0.00<a
<0.10とする。
【0015】また、前記一般式(I)中、b≧0.50
を満たす領域においては、通常の固相反応ではペロブス
カイト構造にならないPb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 が
主組成となり、誘電率が低下する。また、c≧0.50
を満たす領域においては、反強誘電体であるPb(M
1/2 W1/2 )O3 (但し、Mは前記の通り)が主組成と
なり、誘電率が低下する。更に、b+c≧0.50かつ
b<0.50、c<0.5を満たす領域においては、前
述の二つの要因が共存するため、やはり誘電率が低下す
る。このため、b+c<0.50でなければならない。
また、b+c=0のときは、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )
O3 のPbをR(Rは前記の通り)で置換した組成とな
り、良好な電気特性が得られない。このため、0.00
<b+cとする。
を満たす領域においては、通常の固相反応ではペロブス
カイト構造にならないPb(Zn1/3 Nb2/3 )O3 が
主組成となり、誘電率が低下する。また、c≧0.50
を満たす領域においては、反強誘電体であるPb(M
1/2 W1/2 )O3 (但し、Mは前記の通り)が主組成と
なり、誘電率が低下する。更に、b+c≧0.50かつ
b<0.50、c<0.5を満たす領域においては、前
述の二つの要因が共存するため、やはり誘電率が低下す
る。このため、b+c<0.50でなければならない。
また、b+c=0のときは、Pb(Fe1/2 Nb1/2 )
O3 のPbをR(Rは前記の通り)で置換した組成とな
り、良好な電気特性が得られない。このため、0.00
<b+cとする。
【0016】本発明においては、特に 0.00< b ≦0.20 0.00< c ≦0.20 であることが好ましい。
【0017】上記のごとく限定された組成の主成分に対
して、副成分としてPb(Al1/2Nb1/2 )O3 を添
加した場合、その添加量が多すぎると、電気特性の劣化
を招く。従って、Pb(Al1/2 Nb1/2 )O3 の添加
量は、前記一般式(I)で示される主成分100重量部
に対して、0.01〜0.50重量部とする。
して、副成分としてPb(Al1/2Nb1/2 )O3 を添
加した場合、その添加量が多すぎると、電気特性の劣化
を招く。従って、Pb(Al1/2 Nb1/2 )O3 の添加
量は、前記一般式(I)で示される主成分100重量部
に対して、0.01〜0.50重量部とする。
【0018】このような本発明の誘電体磁器組成物を製
造するには、例えば、一酸化鉛、炭酸カルシウム、炭酸
バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化第二鉄、五酸化ニ
オブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸ニッケル、三
酸化タングステン、酸化アルミニウム等の粉末を所定の
割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分
に混合する。ここで所定の割合とは後述する焼成により
上記混合粉末が本発明で限定される主成分組成の固溶体
となる割合である。
造するには、例えば、一酸化鉛、炭酸カルシウム、炭酸
バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化第二鉄、五酸化ニ
オブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭酸ニッケル、三
酸化タングステン、酸化アルミニウム等の粉末を所定の
割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて十分
に混合する。ここで所定の割合とは後述する焼成により
上記混合粉末が本発明で限定される主成分組成の固溶体
となる割合である。
【0019】次いで、この混合物を脱水し乾燥した後、
600〜800℃程度の温度範囲で数時間程度仮焼す
る。この仮焼は必ずしも行なう必要はないが、これを行
なうことにより粒子がより均一化され、諸電気特性が向
上する傾向がある。仮焼を行なった場合には、仮焼物を
再度湿式ボールミル等により粉砕し、乾燥後、ポリビニ
ルアルコール等の適当なバインダを加えて、顆粒を作
り、これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行な
う。この焼成は、850〜1000℃の温度範囲で0.
5〜数時間程度行なう。
600〜800℃程度の温度範囲で数時間程度仮焼す
る。この仮焼は必ずしも行なう必要はないが、これを行
なうことにより粒子がより均一化され、諸電気特性が向
上する傾向がある。仮焼を行なった場合には、仮焼物を
再度湿式ボールミル等により粉砕し、乾燥後、ポリビニ
ルアルコール等の適当なバインダを加えて、顆粒を作
り、これを所定の形状にプレス成形した後、焼成を行な
う。この焼成は、850〜1000℃の温度範囲で0.
5〜数時間程度行なう。
【0020】なお、上記製造条件は最も好適な値であっ
て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方法
によって製造されても良い。
て、本発明の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方法
によって製造されても良い。
【0021】
【実施例】以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【0022】実施例1 出発原料としてPbO,CaCO3 ,Fe2 O3 ,Nb
2 O5 ,ZnO,NiO,WO3 及びAl2 O3 を使用
し、これらを前記一般式(I)において、a=0.0
4,b=0.05,c=0.04,R=Ca,M=Ni
の配合比となるように秤量し、ボールミル中で純水と共
に約20時間湿式混合した。Pb(Al1/2 Nb1/2 )
O3 については表1に示すように、前記一般式(I)で
表される主成分100重量部に対して0.00〜0.6
0重量部添加した。次いでこの混合物を脱水し乾燥した
後、700〜750℃で2時間保持して仮焼した。この
仮焼物を再びボールミル中で純水と共に約20時間湿式
粉砕した後、脱水し乾燥した。
2 O5 ,ZnO,NiO,WO3 及びAl2 O3 を使用
し、これらを前記一般式(I)において、a=0.0
4,b=0.05,c=0.04,R=Ca,M=Ni
の配合比となるように秤量し、ボールミル中で純水と共
に約20時間湿式混合した。Pb(Al1/2 Nb1/2 )
O3 については表1に示すように、前記一般式(I)で
表される主成分100重量部に対して0.00〜0.6
0重量部添加した。次いでこの混合物を脱水し乾燥した
後、700〜750℃で2時間保持して仮焼した。この
仮焼物を再びボールミル中で純水と共に約20時間湿式
粉砕した後、脱水し乾燥した。
【0023】得られた粉末にバインダとしてポリビニル
ブチラールエタノール溶液を加え、成形圧力約3t/c
m2 で、直径約15mm、厚さ約0.7mmの円板に加
圧成形した。表1の試料No.1〜7の配合比に基づく
7種類の成形物を約600℃で1時間保持してバインダ
を除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、表1に示す
温度で2時間焼成した。
ブチラールエタノール溶液を加え、成形圧力約3t/c
m2 で、直径約15mm、厚さ約0.7mmの円板に加
圧成形した。表1の試料No.1〜7の配合比に基づく
7種類の成形物を約600℃で1時間保持してバインダ
を除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、表1に示す
温度で2時間焼成した。
【0024】得られた焼結体の両面に、銀電極を650
〜750℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その
電気特性を調べた。結果を表1及び図1,2に示す。
〜750℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その
電気特性を調べた。結果を表1及び図1,2に示す。
【0025】なお、誘電率及び誘電損失はYHPデジタ
ルLCRメータモデル4274Aを用い、測定周波数1
kHz、測定電圧1.0Vrms、温度25℃にて測定
した。また、絶縁抵抗はYHPアナログIRメータ43
29Aを使用し、温度25℃で印加電圧100Vにて1
分後の値を測定した。
ルLCRメータモデル4274Aを用い、測定周波数1
kHz、測定電圧1.0Vrms、温度25℃にて測定
した。また、絶縁抵抗はYHPアナログIRメータ43
29Aを使用し、温度25℃で印加電圧100Vにて1
分後の値を測定した。
【0026】
【表1】
【0027】表1より明らかなように、副成分のPb
(Al1/2 Nb1/2 )O3 が添加されている本発明の実
施例の誘電体磁器組成物(試料No.3〜6)はいずれ
も副成分が添加されていない比較例の誘電体磁器組成物
(試料No.1,2)に比較して、誘電損失及び絶縁抵
抗の特性が優れていることが判る。また、副成分の添加
量が0.50重量部を超えた比較例の誘電体磁器組成物
(試料No.7)では誘電損失は低く抑えられているも
のの、誘電率及び絶縁抵抗が低下し、副成分が添加され
ていない比較例の誘電体磁器組成物(試料No.1,
2)に比較して特性の優位性が見られないことが判る。
(Al1/2 Nb1/2 )O3 が添加されている本発明の実
施例の誘電体磁器組成物(試料No.3〜6)はいずれ
も副成分が添加されていない比較例の誘電体磁器組成物
(試料No.1,2)に比較して、誘電損失及び絶縁抵
抗の特性が優れていることが判る。また、副成分の添加
量が0.50重量部を超えた比較例の誘電体磁器組成物
(試料No.7)では誘電損失は低く抑えられているも
のの、誘電率及び絶縁抵抗が低下し、副成分が添加され
ていない比較例の誘電体磁器組成物(試料No.1,
2)に比較して特性の優位性が見られないことが判る。
【0028】また、図1は試料No.4(実施例)、図
2は試料No.2(比較例)の誘電率及び誘電損失の温
度特性をそれぞれ示す。但し、誘電率は25℃の値を基
準とし、その変化率の温度特性を示した。
2は試料No.2(比較例)の誘電率及び誘電損失の温
度特性をそれぞれ示す。但し、誘電率は25℃の値を基
準とし、その変化率の温度特性を示した。
【0029】図1及び図2より明らかなように、副成分
Pb(Al1/2 Nb1/2 )O3 が本発明範囲内の量で添
加されている実施例の磁器組成物試料No.4は、副成
分が添加されていない比較例の磁器組成物試料No.2
に比べて、誘電損失の温度変化が小さい。
Pb(Al1/2 Nb1/2 )O3 が本発明範囲内の量で添
加されている実施例の磁器組成物試料No.4は、副成
分が添加されていない比較例の磁器組成物試料No.2
に比べて、誘電損失の温度変化が小さい。
【0030】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の誘電体磁器
組成物は、900〜950℃の比較的低温で焼結可能で
あって、しかも、誘電率が高く誘電損失が低く、絶縁抵
抗が大きく、かつ誘電損失の温度変化が小さい。このた
め、このような本発明の誘電体磁器組成物を積層セラミ
ックコンデンサの誘電体材料として用いることにより、
小型で大容量のコンデンサを得ることができる。
組成物は、900〜950℃の比較的低温で焼結可能で
あって、しかも、誘電率が高く誘電損失が低く、絶縁抵
抗が大きく、かつ誘電損失の温度変化が小さい。このた
め、このような本発明の誘電体磁器組成物を積層セラミ
ックコンデンサの誘電体材料として用いることにより、
小型で大容量のコンデンサを得ることができる。
【0031】また、本発明の誘電体磁器組成物は、低い
温度で焼結可能であるため、焼成コストが小さく、しか
も、積層セラミックコンデンサの材料に用いた場合、内
部電極に高価なパラジウムや白金などの貴金属を使用す
ることなく、比較的安価な銀系等の金属を使用すること
ができる。これにより、積層コンデンサの製造コストを
大幅に低減することができる。
温度で焼結可能であるため、焼成コストが小さく、しか
も、積層セラミックコンデンサの材料に用いた場合、内
部電極に高価なパラジウムや白金などの貴金属を使用す
ることなく、比較的安価な銀系等の金属を使用すること
ができる。これにより、積層コンデンサの製造コストを
大幅に低減することができる。
【0032】特に、請求項2の誘電体磁器組成物によれ
ば、より一層優れた特性を有する誘電体磁器組成物が提
供される。
ば、より一層優れた特性を有する誘電体磁器組成物が提
供される。
【図1】本発明の実施例に係る誘電体磁器組成物試料N
o.4の誘電率の変化率及び誘電損失の温度特性を示す
図である。
o.4の誘電率の変化率及び誘電損失の温度特性を示す
図である。
【図2】比較例に係る誘電体磁器組成物試料No.2の
誘電率の変化率及び誘電損失の温度特性を示す図であ
る。
誘電率の変化率及び誘電損失の温度特性を示す図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項1】 Pb(Fe1/2 Nb1/2 )O3 ,Pb
(Zn1/3 Nb2/3 )O3 及びPb(M1/2 W1/2 )O
3 を含み、下記一般式(I)で表わされる組成となるよ
うに、Pb原子のうちの一部を、Ca,Ba及びSrよ
りなる群から選ばれる少なくとも1種の原子で置換した
組成を有する主成分と、副成分としてPb(Al1/2 N
b1/2 )O3 を前記主成分100重量部に対して0.0
1〜0.5重量部含有することを特徴とする誘電体磁器
組成物。 (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c(Zn1/3Nb2/3)b(M1/2W1/2)c]O3 …(I) (式中、RはCa,Ba及びSrよりなる群から選ばれ
る少なくとも1種の原子であり、MはZn,Mg及びN
iよりなる群から選ばれる少なくとも1種の原子であ
り、a,b及びcは、 0.00< a <0.10 0.00<b+c<0.50 を満たす正数である。) - 【請求項2】 前記一般式(I)中のb及びcが、 0.00< b ≦0.20 0.00< c ≦0.20 を満たす正数であることを特徴とする請求項1に記載の
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4281652A JPH06139819A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4281652A JPH06139819A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06139819A true JPH06139819A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17642090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4281652A Withdrawn JPH06139819A (ja) | 1992-10-20 | 1992-10-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06139819A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111908918A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-11-10 | 太原理工大学 | 一种负温度系数陶瓷介质材料及其制备方法 |
-
1992
- 1992-10-20 JP JP4281652A patent/JPH06139819A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111908918A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-11-10 | 太原理工大学 | 一种负温度系数陶瓷介质材料及其制备方法 |
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