JPH0582341B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0582341B2 JPH0582341B2 JP1192238A JP19223889A JPH0582341B2 JP H0582341 B2 JPH0582341 B2 JP H0582341B2 JP 1192238 A JP1192238 A JP 1192238A JP 19223889 A JP19223889 A JP 19223889A JP H0582341 B2 JPH0582341 B2 JP H0582341B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- present
- pbo
- dielectric constant
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 16
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004774 CaSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002976 CaZrO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017676 MgTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000008 nickel(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) carbonate Chemical compound [Ni+2].[O-]C([O-])=O ZULUUIKRFGGGTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoferriooxy)iron hydrate Chemical compound O.O=[Fe]O[Fe]=O NDLPOXTZKUMGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に低温焼
結が可能で、焼結体中の粒成長を抑えると共に高
誘電率かつ低損失な誘電特性を有し、例えば小型
大容量の積層コンデンサ等の誘電体材料として好
適な誘電体磁器組成物に関する。 [従来の技術] 従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸
バリウム(BaTiO3)を主体とする組成物が一般
に使用されている。即ち、BaTiO3を基体とし、
これにキユリー点を室温付近に移動させるシフタ
ー剤と容量温度特性を改善するデプレツサ剤、さ
らに焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成と
するのが一般的である。 シフター剤としては、BaSnO3、BaZrO3、
CaZrO3、CaSnO3、SrTiO3、PbTiO3、La2O3、
CeO2などが用いられ、デプレツサ剤としては、
CaTiO3、MgTiO3、Bi2(SnO3)3、Bi2(TiO3)3、
NiSnO3、MgZrO3MgSnO3などが用いられてい
る。ま焼結促進剤としては、Al2O3、SiO2、
ZnO、CeO2、B2O3、Nb2O5、WO3などが用いら
れ、還元防止剤としては、MnO2、Fe2O3、CuO
などが用いられている。 [発明が解決しようとする課題] しかしながら、BaTiO3を主体とする組成物は
焼結温度が1300〜1400℃の高温であるため、焼成
コストが高く、特にこれを積層コンデンサとして
利用する場合には内部電極として、パラジウム、
白金などの高価な貴金属を用いなければならず、
積層コンデンサのコスト低減の大きな問題点にな
つていた。 しかも、BaTiO3を主体とする組成物の誘電率
は最高でも10000程度であるため、小型大容量の
積層コンデンサを得るには層数を多くしなければ
ならず、やはり、製造コスト低減の大きな障害と
なつていた。 このようなことから、内部電極として安価な
Agを主成分とする電極を使用することができ、
しかも、層数を少なく抑えて積層コンデンサの製
造コストを低減し得る、低温焼結が可能な高誘電
率誘電体材料の出現が要望されている。 近年、主体そのもとが低温焼結可能な鉛系複合
ペロブスカイト型化合物を用いた組成物が数多く
提案されている。特に、Pb(Fe1/2Nb1/2)O3及び
Pb(Fe2/3W1/3)O3を含む組成物は低温焼結が可
能でかつ高誘電率を有しており、この2成分系を
中心として様々な組成物が提案されている(例え
ば、M.Yonezawa:Ceramic Bulletin 62
(1983) 1375)。しかし、このようなPbやWを
含む組成物を用いた場合、焼結体中の結晶粒径が
大きくなつてしまい薄層化に向かないという欠点
がある。一方、結晶粒成長を抑えられるような低
温で焼成した場合、優れた電気特性を得られない
等の不都合が生じる。 このため、低温焼結が可能で、かつ焼結体中の
粒成長を抑えながら優れた電気特性を示す高誘電
率誘電体材料の出現が要望されている。 本発明は上記従来の実情に鑑みてなされたもの
であつて、低温焼結が可能で、また焼結体中の粒
成長を抑えることが可能で、その上、誘電率が高
く、しかも誘電損失(tanδ)が小さく、小型大容
量の積層コンデンサ等を低コストで製造すること
を可能とする誘電体磁器組成物を提供することを
目的とする。 [課題を解決するための手段及び作用] 本発明の誘電体磁器組成物は、Pb(Fe1/2Nb1/2)
O3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3及びPb(M1/2W1/2)O3の3
成分を主成分として含む組成物において、Pb原
子の一部をCa、Ba及びSrよりなる群から選ばれ
る少なくとも1種の原子で置換したものであつ
て、一般式() Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c (Zn1/3Nb2/3)b (M1/2W1/2)c]O3 ……() (RはCa、Ba及びSrよりなる群から選ばれる少
なくとも1種、MはZn、Mg及びNiよりなる群か
ら選ばれる少なくとも1種) で表わした場合、 0.00<a<0.10 0.00<b+c<0.50 となり組成よりなる仮焼物に対して、PbO及び
Nb2O5を、それぞれ重量%で 0.00<PbO<1.5 0.00<Nb2O5<1.0 添加した組成を有することを特徴とする。 本発明者らは、先に1000℃程度の温度で焼結可
能な高誘電率誘電体磁器組成物として、前記一般
式()で示される組成を有する組成物を提案し
た(特願平1−74573号)。本発明の誘電体磁器組
成物は、この組成系よりなる仮焼物に副成分とし
て更にPbO及びNb2O3の所定量を添加含有せしめ
たものであつて、これにより、950℃付近の温度
で焼結が可能となり、かつ焼結体中の粒成長を抑
えながら優れた電気特性を示す高誘電率誘電体磁
器組成物を提供するものである。 以下、本発明を詳細に説明する。 まず、本発明の誘電体磁器組成物の組成域の限
定理由について説明する。 前記()式中、aが0.00であると誘電率の温
度変化が急激になり、aが0.10以上であると誘電
率のピークが著しく低温側に移行するため誘電率
が小さくなる。このため、aの値の範囲は0.00<
a<0.10とする。 また、前記()式中、b≧0.50を満たす領域
においては、通常のの固相反応でベロブスカイト
構造にならないPb(Zn1/3Nb2/3)O3が主組成とな
り、誘電率が低下する。また、c≧0.50を満たす
領域においては、反強誘電体であるPb(M1/2
W1/2)O3(但し、Mは前記の通り)が主組成とな
り、誘電率が低下する。更に、b+c≧0.50かつ
b<0.50、c<0.5を満たす領域においては、前
述の二つの要因が共存するため、やはり誘電率が
低下する。このため、b+c<0.50でなければな
らない。また、b+c=0のときは、Pb(Fe1/2
Nb1/2)O3のPbをR(Rは前記の通り)で置換し
た組成となり、良好な電気特性が得られない。こ
のため、0.00<b+cとする。 本発明においては、特に 0.00<b≦0.20 0.00<c≦0.20 であることが好ましい。 上記のごとく限定された組成よりなる仮焼物に
対して、Nb2O3のみを添加した場合、その添加量
に従つて焼結体中の粗成長が著しく制御される
が、反面、焼結が悪くなり、誘電率及び絶縁抵抗
が低下する。これに対して、PbOとNb2O5を同時
に添加した場合には、粒成長が制御され、かつ低
温焼結が可能となり、誘電率及び絶縁抵抗の低下
も起こすことがない。このことから、PbO及び
Nb2O5が同時に添加されることが必要とされる。
しかし、PbO及びNb2O5の添加量が多過ぎると、
焼結が不安定になつたり、電気特性の劣化、信頼
性や強度の低下を招くなど好ましくない。従つ
て、PbO及びNb2O5の添加量は、前記一般式
()で表わされる組成よりなる仮焼物に対して、
それぞれ重量%で 0.00<PbO<1.5 0.00<Nb2O5<1.0 とする。 このような本発明の誘電体磁器組成物を製造す
るには、例えば、一酸化鉛、炭酸カルシウム、炭
酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化第二鉄、
五酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭
酸ニツケル、三酸化タングステン等の粉末を所定
の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用
いて十分に混合する。次にこの混合物を乾燥した
後、必要に応じ、600〜800℃の範囲で数時間程度
仮焼する。得られた仮焼物に、所定量のPbO及び
Nb2O5を添加し、湿式ボールミル等で粉砕する。
粉砕により得られた仮焼物を乾燥後、ポリビニル
アルコールなどの適当な有機バインダを加えて、
顆粒を作り、これを所定の形状にプレス成形した
後、焼成を行なう。この焼成は、750〜1000℃の
温度範囲で0.5〜数時間程度行なう。(勿論、これ
らの製造条件は最も好適な数値であつて、本発明
の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方法によ
つて製造されても良い。) [実施例] 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以
下の実施例に限定されるものではない。 実施例 1 出発原料としてPbO、CaCO3、Fe2O3、
Nb2O5、ZnO及びWO3を使用し、これらの前記
一般式()において、a=b=c=0.05、R=
Ca、M=Znの配合比となるように秤量し、ボー
ルミル中で純水と共に約20時間湿式混合した。次
いで混合物を乾燥後、700〜750℃で2時間保持し
て仮焼した。この仮焼物に第1表の配合比になる
ようにPbO及びNb2O5を添加し(ただし、No.1〜
4ではNb2O5のみを添加)、再びボールミル中で
純水と共に約20時間湿式粉砕した後、乾燥した。 得られた粉末にポリビニルアルコール水溶液
(有機バインダ)を加え、成形圧力約2ton/cm2で、
直径約15mm、厚さ約0.7mmの円板に加圧成形した。
この成形物を約600℃で1時間保持してバインダ
を除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、第1
表に示す温度で3〜18時間焼成した。 得られた焼結体の両面に、銀電極を650〜700℃
で焼付けて平行平板コンデンサとし、その電気特
性を調べた。 結果を第1表に示す。 なお、誘電率及び誘電損失はYHPデジタル
LCRメータモデル4274Aを用い、測定周波数1K
Hz、測定電圧1.0Vrms、温度25℃にて測定した。
また、絶縁抵抗はYHPアナログIRメータ4329A
を使用し、温度25℃で印加電圧100Vにて、1分
後の値を測定した。また、単板状試料断面を研磨
後、適当なエツチヤントを用いて化学的にエツチ
ングし、その断面を光学顕微鏡で観察することに
より焼結体中の結晶粒の平均粒径を求めた。
結が可能で、焼結体中の粒成長を抑えると共に高
誘電率かつ低損失な誘電特性を有し、例えば小型
大容量の積層コンデンサ等の誘電体材料として好
適な誘電体磁器組成物に関する。 [従来の技術] 従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン酸
バリウム(BaTiO3)を主体とする組成物が一般
に使用されている。即ち、BaTiO3を基体とし、
これにキユリー点を室温付近に移動させるシフタ
ー剤と容量温度特性を改善するデプレツサ剤、さ
らに焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成と
するのが一般的である。 シフター剤としては、BaSnO3、BaZrO3、
CaZrO3、CaSnO3、SrTiO3、PbTiO3、La2O3、
CeO2などが用いられ、デプレツサ剤としては、
CaTiO3、MgTiO3、Bi2(SnO3)3、Bi2(TiO3)3、
NiSnO3、MgZrO3MgSnO3などが用いられてい
る。ま焼結促進剤としては、Al2O3、SiO2、
ZnO、CeO2、B2O3、Nb2O5、WO3などが用いら
れ、還元防止剤としては、MnO2、Fe2O3、CuO
などが用いられている。 [発明が解決しようとする課題] しかしながら、BaTiO3を主体とする組成物は
焼結温度が1300〜1400℃の高温であるため、焼成
コストが高く、特にこれを積層コンデンサとして
利用する場合には内部電極として、パラジウム、
白金などの高価な貴金属を用いなければならず、
積層コンデンサのコスト低減の大きな問題点にな
つていた。 しかも、BaTiO3を主体とする組成物の誘電率
は最高でも10000程度であるため、小型大容量の
積層コンデンサを得るには層数を多くしなければ
ならず、やはり、製造コスト低減の大きな障害と
なつていた。 このようなことから、内部電極として安価な
Agを主成分とする電極を使用することができ、
しかも、層数を少なく抑えて積層コンデンサの製
造コストを低減し得る、低温焼結が可能な高誘電
率誘電体材料の出現が要望されている。 近年、主体そのもとが低温焼結可能な鉛系複合
ペロブスカイト型化合物を用いた組成物が数多く
提案されている。特に、Pb(Fe1/2Nb1/2)O3及び
Pb(Fe2/3W1/3)O3を含む組成物は低温焼結が可
能でかつ高誘電率を有しており、この2成分系を
中心として様々な組成物が提案されている(例え
ば、M.Yonezawa:Ceramic Bulletin 62
(1983) 1375)。しかし、このようなPbやWを
含む組成物を用いた場合、焼結体中の結晶粒径が
大きくなつてしまい薄層化に向かないという欠点
がある。一方、結晶粒成長を抑えられるような低
温で焼成した場合、優れた電気特性を得られない
等の不都合が生じる。 このため、低温焼結が可能で、かつ焼結体中の
粒成長を抑えながら優れた電気特性を示す高誘電
率誘電体材料の出現が要望されている。 本発明は上記従来の実情に鑑みてなされたもの
であつて、低温焼結が可能で、また焼結体中の粒
成長を抑えることが可能で、その上、誘電率が高
く、しかも誘電損失(tanδ)が小さく、小型大容
量の積層コンデンサ等を低コストで製造すること
を可能とする誘電体磁器組成物を提供することを
目的とする。 [課題を解決するための手段及び作用] 本発明の誘電体磁器組成物は、Pb(Fe1/2Nb1/2)
O3Pb(Zn1/3Nb2/3)O3及びPb(M1/2W1/2)O3の3
成分を主成分として含む組成物において、Pb原
子の一部をCa、Ba及びSrよりなる群から選ばれ
る少なくとも1種の原子で置換したものであつ
て、一般式() Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c (Zn1/3Nb2/3)b (M1/2W1/2)c]O3 ……() (RはCa、Ba及びSrよりなる群から選ばれる少
なくとも1種、MはZn、Mg及びNiよりなる群か
ら選ばれる少なくとも1種) で表わした場合、 0.00<a<0.10 0.00<b+c<0.50 となり組成よりなる仮焼物に対して、PbO及び
Nb2O5を、それぞれ重量%で 0.00<PbO<1.5 0.00<Nb2O5<1.0 添加した組成を有することを特徴とする。 本発明者らは、先に1000℃程度の温度で焼結可
能な高誘電率誘電体磁器組成物として、前記一般
式()で示される組成を有する組成物を提案し
た(特願平1−74573号)。本発明の誘電体磁器組
成物は、この組成系よりなる仮焼物に副成分とし
て更にPbO及びNb2O3の所定量を添加含有せしめ
たものであつて、これにより、950℃付近の温度
で焼結が可能となり、かつ焼結体中の粒成長を抑
えながら優れた電気特性を示す高誘電率誘電体磁
器組成物を提供するものである。 以下、本発明を詳細に説明する。 まず、本発明の誘電体磁器組成物の組成域の限
定理由について説明する。 前記()式中、aが0.00であると誘電率の温
度変化が急激になり、aが0.10以上であると誘電
率のピークが著しく低温側に移行するため誘電率
が小さくなる。このため、aの値の範囲は0.00<
a<0.10とする。 また、前記()式中、b≧0.50を満たす領域
においては、通常のの固相反応でベロブスカイト
構造にならないPb(Zn1/3Nb2/3)O3が主組成とな
り、誘電率が低下する。また、c≧0.50を満たす
領域においては、反強誘電体であるPb(M1/2
W1/2)O3(但し、Mは前記の通り)が主組成とな
り、誘電率が低下する。更に、b+c≧0.50かつ
b<0.50、c<0.5を満たす領域においては、前
述の二つの要因が共存するため、やはり誘電率が
低下する。このため、b+c<0.50でなければな
らない。また、b+c=0のときは、Pb(Fe1/2
Nb1/2)O3のPbをR(Rは前記の通り)で置換し
た組成となり、良好な電気特性が得られない。こ
のため、0.00<b+cとする。 本発明においては、特に 0.00<b≦0.20 0.00<c≦0.20 であることが好ましい。 上記のごとく限定された組成よりなる仮焼物に
対して、Nb2O3のみを添加した場合、その添加量
に従つて焼結体中の粗成長が著しく制御される
が、反面、焼結が悪くなり、誘電率及び絶縁抵抗
が低下する。これに対して、PbOとNb2O5を同時
に添加した場合には、粒成長が制御され、かつ低
温焼結が可能となり、誘電率及び絶縁抵抗の低下
も起こすことがない。このことから、PbO及び
Nb2O5が同時に添加されることが必要とされる。
しかし、PbO及びNb2O5の添加量が多過ぎると、
焼結が不安定になつたり、電気特性の劣化、信頼
性や強度の低下を招くなど好ましくない。従つ
て、PbO及びNb2O5の添加量は、前記一般式
()で表わされる組成よりなる仮焼物に対して、
それぞれ重量%で 0.00<PbO<1.5 0.00<Nb2O5<1.0 とする。 このような本発明の誘電体磁器組成物を製造す
るには、例えば、一酸化鉛、炭酸カルシウム、炭
酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化第二鉄、
五酸化ニオブ、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、炭
酸ニツケル、三酸化タングステン等の粉末を所定
の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用
いて十分に混合する。次にこの混合物を乾燥した
後、必要に応じ、600〜800℃の範囲で数時間程度
仮焼する。得られた仮焼物に、所定量のPbO及び
Nb2O5を添加し、湿式ボールミル等で粉砕する。
粉砕により得られた仮焼物を乾燥後、ポリビニル
アルコールなどの適当な有機バインダを加えて、
顆粒を作り、これを所定の形状にプレス成形した
後、焼成を行なう。この焼成は、750〜1000℃の
温度範囲で0.5〜数時間程度行なう。(勿論、これ
らの製造条件は最も好適な数値であつて、本発明
の磁器組成物は上記以外の条件もしくは方法によ
つて製造されても良い。) [実施例] 以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以
下の実施例に限定されるものではない。 実施例 1 出発原料としてPbO、CaCO3、Fe2O3、
Nb2O5、ZnO及びWO3を使用し、これらの前記
一般式()において、a=b=c=0.05、R=
Ca、M=Znの配合比となるように秤量し、ボー
ルミル中で純水と共に約20時間湿式混合した。次
いで混合物を乾燥後、700〜750℃で2時間保持し
て仮焼した。この仮焼物に第1表の配合比になる
ようにPbO及びNb2O5を添加し(ただし、No.1〜
4ではNb2O5のみを添加)、再びボールミル中で
純水と共に約20時間湿式粉砕した後、乾燥した。 得られた粉末にポリビニルアルコール水溶液
(有機バインダ)を加え、成形圧力約2ton/cm2で、
直径約15mm、厚さ約0.7mmの円板に加圧成形した。
この成形物を約600℃で1時間保持してバインダ
を除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、第1
表に示す温度で3〜18時間焼成した。 得られた焼結体の両面に、銀電極を650〜700℃
で焼付けて平行平板コンデンサとし、その電気特
性を調べた。 結果を第1表に示す。 なお、誘電率及び誘電損失はYHPデジタル
LCRメータモデル4274Aを用い、測定周波数1K
Hz、測定電圧1.0Vrms、温度25℃にて測定した。
また、絶縁抵抗はYHPアナログIRメータ4329A
を使用し、温度25℃で印加電圧100Vにて、1分
後の値を測定した。また、単板状試料断面を研磨
後、適当なエツチヤントを用いて化学的にエツチ
ングし、その断面を光学顕微鏡で観察することに
より焼結体中の結晶粒の平均粒径を求めた。
【表】
第1表からも明らかなように、本発明の範囲内
の組成物は、いずれも誘電率が高く、誘電損失が
低く、しかも、容量抵抗積も比較的大きいという
優れた電気特性を示し、その上、焼結温度が低
く、焼結体中の結晶粒径が小さいという利点も有
している。 [発明の効果] 以上詳述したり、本発明の誘電体磁器組成物
は、高誘電率かつ低損失であり、容量抵抗積も比
較的大きい。また、本発明の誘電体磁器組成物は
焼結体中の結晶粒径が小さい。このため、本発明
の誘電体磁器組成物を用いることにより、信頼性
の高い小型大容量のコンデンサを得ることができ
る。 しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温
度が低いため、焼成コストが安価で積層コンデン
サに用いた場合、内部電極に高価なパラジウムや
白金などの貴金属を使用することなく、比較的安
価な銀系等の金属を使用することができる。この
ため、積層コンデンサの製造コストを低下させ、
その価格を大幅に低減することができる。
の組成物は、いずれも誘電率が高く、誘電損失が
低く、しかも、容量抵抗積も比較的大きいという
優れた電気特性を示し、その上、焼結温度が低
く、焼結体中の結晶粒径が小さいという利点も有
している。 [発明の効果] 以上詳述したり、本発明の誘電体磁器組成物
は、高誘電率かつ低損失であり、容量抵抗積も比
較的大きい。また、本発明の誘電体磁器組成物は
焼結体中の結晶粒径が小さい。このため、本発明
の誘電体磁器組成物を用いることにより、信頼性
の高い小型大容量のコンデンサを得ることができ
る。 しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温
度が低いため、焼成コストが安価で積層コンデン
サに用いた場合、内部電極に高価なパラジウムや
白金などの貴金属を使用することなく、比較的安
価な銀系等の金属を使用することができる。この
ため、積層コンデンサの製造コストを低下させ、
その価格を大幅に低減することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3、Pb(Zn1/3Nb2/3)O3及び
Pb(M1/2W1/2)O3を主成分として含み、下記一般
式() (Pb1-aRa)[(Fe1/2Nb1/2)1-b-c (Zn1/3Nb2/3)b (M1/2W1/2)c]O3 ……() [式中、RはCa、Ba及びSrよりなる群から選ば
れる少なくとも1種 MはZn、Mg及びNiよりなる群から選ばれる少
なくとも1種 a、b及びcは 0.00<a<0.10 0.00<b+c<0.50 を満たす正数] で表わされるように、Pb原子のうちの一部を、
Ca、Ba及びSrよりなる群から選ばれる少なくと
も1種の原子で置換した組成よりなる仮焼物に対
して、PbO及びNb2O5を、それぞれ重量%で 0.00<PbO<1.5 0.00<Nb2O5<1.0 添加した組成を有することを特徴とする誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1192238A JPH0360452A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1192238A JPH0360452A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0360452A JPH0360452A (ja) | 1991-03-15 |
JPH0582341B2 true JPH0582341B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=16287954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1192238A Granted JPH0360452A (ja) | 1989-07-25 | 1989-07-25 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0360452A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101646531B1 (ko) | 2016-01-18 | 2016-08-08 | 회명산업 주식회사 | 에폭시 수지용 잠재성 경화제, 그 제조방법, 이를 포함하는 일액형 에폭시 수지 조성물 |
-
1989
- 1989-07-25 JP JP1192238A patent/JPH0360452A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0360452A (ja) | 1991-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3046436B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
EP0865052A2 (en) | High dielectric-constant ceramic composition, and its fabrication process | |
JPH0232227B2 (ja) | ||
JPS597665B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6128621B2 (ja) | ||
JPS6128619B2 (ja) | ||
JPH058524B2 (ja) | ||
JPH0582341B2 (ja) | ||
JPH0637322B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
KR100268702B1 (ko) | 유전체세라믹조성물 | |
JPS6348826B2 (ja) | ||
JPS6128620B2 (ja) | ||
US5262369A (en) | Dielectric ceramic compositions | |
JP2694975B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物の製造方法 | |
JPS6211444B2 (ja) | ||
JPS6216481B2 (ja) | ||
JPS61203506A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS6211443B2 (ja) | ||
JPS6346925B2 (ja) | ||
JPS6135144B2 (ja) | ||
JPS6134206B2 (ja) | ||
JPS6216482B2 (ja) | ||
JPH054354B2 (ja) | ||
JPS6216483B2 (ja) | ||
JPH0212889B2 (ja) |