JPS61256959A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS61256959A JPS61256959A JP60093741A JP9374185A JPS61256959A JP S61256959 A JPS61256959 A JP S61256959A JP 60093741 A JP60093741 A JP 60093741A JP 9374185 A JP9374185 A JP 9374185A JP S61256959 A JPS61256959 A JP S61256959A
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- dielectric constant
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
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- H01G4/06—Solid dielectrics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
-
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- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は積層磁器コンデンサ等に使用されるPb(Mg
1/3. Nb2/3)Ox −PbTiOs−Pb
(Mn 1/3゜Nb2/3)O.系高誘電率磁器組成
物に関するものである。
1/3. Nb2/3)Ox −PbTiOs−Pb
(Mn 1/3゜Nb2/3)O.系高誘電率磁器組成
物に関するものである。
従来17)Pb(Mg 1/3. Nb2/3)Os
PbTiOz−Ptl(Mn1/3. Nb2/3)
Off系の磁器誘電体は比誘電率6.は高い値を示し誘
電体損失tanδは掻めて小さく、絶縁抵抗IRは大き
い値を示して電気的緒特性については良好であったが、
焼結温度が1150を以上と高温領域が必要であった。
PbTiOz−Ptl(Mn1/3. Nb2/3)
Off系の磁器誘電体は比誘電率6.は高い値を示し誘
電体損失tanδは掻めて小さく、絶縁抵抗IRは大き
い値を示して電気的緒特性については良好であったが、
焼結温度が1150を以上と高温領域が必要であった。
そのために焼結時、多量の熱エネルギーを必要とし、更
に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激しく、したがっ
て焼成装置の保全費がかさむ等の欠点があった。また、
積層磁器コンデンサにあっては、製造法上、内部電極を
磁器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要があるが、焼
結温度が1000 tを超えると、1300℃以上の高
温で安定ではあるが、高価な貴金属、白金、パラジウム
若しくはこれらの合金を電極として使用しなければなら
なかった。
に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激しく、したがっ
て焼成装置の保全費がかさむ等の欠点があった。また、
積層磁器コンデンサにあっては、製造法上、内部電極を
磁器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要があるが、焼
結温度が1000 tを超えると、1300℃以上の高
温で安定ではあるが、高価な貴金属、白金、パラジウム
若しくはこれらの合金を電極として使用しなければなら
なかった。
そこで本発明は1000℃以下の低温度焼結可能な磁器
誘電体を積層磁器コンデンサとしてとして使用し、埋込
み内部電極に銀系、ニッケル系、アルミ系等の安価な金
属材料を使用可能として製造コスト面で極めて有利にす
ることを目的としたものである。
誘電体を積層磁器コンデンサとしてとして使用し、埋込
み内部電極に銀系、ニッケル系、アルミ系等の安価な金
属材料を使用可能として製造コスト面で極めて有利にす
ることを目的としたものである。
本発明者らは、上述の要請に鑑み、鋭意研究を行った結
果、Pb(Mg 1/3. Nb2/3)Os Pb
TiOi−Pb(Mn 1/3. Nb2/3)Oiの
混合組成物に酸化鉛(PbO)と酸化亜鉛(ZnO)を
添加することによって焼結温度を1000℃以下とした
高誘電率磁器組成物が得られることを見出し本発明に到
達したものである。
果、Pb(Mg 1/3. Nb2/3)Os Pb
TiOi−Pb(Mn 1/3. Nb2/3)Oiの
混合組成物に酸化鉛(PbO)と酸化亜鉛(ZnO)を
添加することによって焼結温度を1000℃以下とした
高誘電率磁器組成物が得られることを見出し本発明に到
達したものである。
出発原料として、酸化鉛(pbo > 、酸化ニオブ(
NbzOs) 、酸化マグネシウム(MgO) 、酸化
チタン(Tie、) 、酸化マンガン(MnO)を用い
、第1表の配合比でこれら原料配合物を合成樹脂ボール
ミルで湿式混合した後、700〜850℃で2時間仮焼
し、化学反応を行わせた。この反応物を再びボールミル
で粒子径数μm程度に粉砕する。また別に酸化鉛(Pb
O)と酸化亜鉛(ZnO)とを第1表に示す割合にボー
ルミル等により粉砕混合したものを上記の母材粉砕混合
物に第1表に示すように適量添加して、ボールミル等で
微粉砕する。
NbzOs) 、酸化マグネシウム(MgO) 、酸化
チタン(Tie、) 、酸化マンガン(MnO)を用い
、第1表の配合比でこれら原料配合物を合成樹脂ボール
ミルで湿式混合した後、700〜850℃で2時間仮焼
し、化学反応を行わせた。この反応物を再びボールミル
で粒子径数μm程度に粉砕する。また別に酸化鉛(Pb
O)と酸化亜鉛(ZnO)とを第1表に示す割合にボー
ルミル等により粉砕混合したものを上記の母材粉砕混合
物に第1表に示すように適量添加して、ボールミル等で
微粉砕する。
これらの微粉砕混合物に粘結材としてポリビニールアル
コール(PVA)を適当量加え、脱泡泥塊して約3 t
on/cdの成形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6
vaの円板状成形物を作成した。この成形物に内部電
極を印刷し、これを積層圧着する。そして高温での鉛成
分の蒸発を防ぐためマグネシア磁器製容器にこの積層圧
着したものを密封して約950℃で2時間本焼成する。
コール(PVA)を適当量加え、脱泡泥塊して約3 t
on/cdの成形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6
vaの円板状成形物を作成した。この成形物に内部電
極を印刷し、これを積層圧着する。そして高温での鉛成
分の蒸発を防ぐためマグネシア磁器製容器にこの積層圧
着したものを密封して約950℃で2時間本焼成する。
こうして得られた磁器素体の両端面に銀電極を焼付けす
る。
る。
このようにして製造した試料について、それぞれ電気特
性を測定した結果を第1表に示す。
性を測定した結果を第1表に示す。
ここで、誘電率ε1および誘電体損失tanδは周波数
IKHzで測定した。絶縁抵抗は直流500Vを印加し
て、室温20℃で測定した。
IKHzで測定した。絶縁抵抗は直流500Vを印加し
て、室温20℃で測定した。
第1表より明らかなように、本発明の高誘電率磁器組成
物は誘電率ε、が約16,500〜20.500の高い
値を示し、誘電体損失tanδは約0.8〜1.4χの
小さい値、絶縁抵抗IRは4X10”(Ω)の極めて大
きい値を示し、しかも焼結温度は950℃の低温度で焼
結が可能である。
物は誘電率ε、が約16,500〜20.500の高い
値を示し、誘電体損失tanδは約0.8〜1.4χの
小さい値、絶縁抵抗IRは4X10”(Ω)の極めて大
きい値を示し、しかも焼結温度は950℃の低温度で焼
結が可能である。
第1図は副成分酸化鉛pboと酸化亜鉛ZnQとの配合
比重量%を横軸に、縦軸はそれぞれ絶縁抵抗i!ogl
R,誘電体損失tanδ(%)、誘電率ε3をとったも
のである。第2図は横軸に主成分に対する副成分PbO
/ZnOの添加量(重量%)を、縦軸に前述のうよにf
oglR,tanδ(%)、ε。
比重量%を横軸に、縦軸はそれぞれ絶縁抵抗i!ogl
R,誘電体損失tanδ(%)、誘電率ε3をとったも
のである。第2図は横軸に主成分に対する副成分PbO
/ZnOの添加量(重量%)を、縦軸に前述のうよにf
oglR,tanδ(%)、ε。
をそれぞれとったものである。
以上、第1図、第2図から明らかなように、副成分組成
の範囲PbO50〜93wt%、 ZnO7〜50wt
%外、すなわちPbO50wt%以下(ZnO50wt
%以上)では磁器の焼結性が低下し、低温度での焼結が
困難となる。またPb093wt%以上(ZnO7wt
%以下)では焼結性としては十分であるが誘電率ε、が
急激に低下し、本来の目的である高誘電率のものが望め
ない。次に、主成分に対する副成分の添加量(重量%)
の範囲0.25〜1.25wt%外、すなわち添加量0
.25wt%以下では焼結が不十分である。
の範囲PbO50〜93wt%、 ZnO7〜50wt
%外、すなわちPbO50wt%以下(ZnO50wt
%以上)では磁器の焼結性が低下し、低温度での焼結が
困難となる。またPb093wt%以上(ZnO7wt
%以下)では焼結性としては十分であるが誘電率ε、が
急激に低下し、本来の目的である高誘電率のものが望め
ない。次に、主成分に対する副成分の添加量(重量%)
の範囲0.25〜1.25wt%外、すなわち添加量0
.25wt%以下では焼結が不十分である。
(ただし、焼成温度を上げれば焼結する)添加量1゜2
5−t%以上では反応性が異常に向上し局部的な異常粒
成長およびセッター(下敷材料)と磁器との反応が発生
してしまい電気的特性は満足するものの磁器としての使
用が困難となる。
5−t%以上では反応性が異常に向上し局部的な異常粒
成長およびセッター(下敷材料)と磁器との反応が発生
してしまい電気的特性は満足するものの磁器としての使
用が困難となる。
本発明は従来知られているPb(Mg 1/3.Nb2
/3)OsPbTiOs Pb(Mn 1/3. N
b2/3)Os系高誘電率磁器組成物にPbOとZnO
を副成分として添加することにより、焼結温度を100
0℃以下に下げ、これを積層磁器コンデンサに使用した
場合、埋込内部電極に銀系、ニッケル系、アルミ系の如
き低融点金属の使用を可能としたものである。さらに、
従来の高温領域焼結材に比較して、多量の熱エネルギー
。
/3)OsPbTiOs Pb(Mn 1/3. N
b2/3)Os系高誘電率磁器組成物にPbOとZnO
を副成分として添加することにより、焼結温度を100
0℃以下に下げ、これを積層磁器コンデンサに使用した
場合、埋込内部電極に銀系、ニッケル系、アルミ系の如
き低融点金属の使用を可能としたものである。さらに、
従来の高温領域焼結材に比較して、多量の熱エネルギー
。
焼成炉材等の保全費の減少を図り、コスト面で極めて有
利な効果を期待できるものである。
利な効果を期待できるものである。
第1図は副成分PbOとZnOとの配合比(重量%)と
電気的緒特性の関係説明図、第2図は主成分に対する副
成分の添加量(重量%)と電気的緒特性の関係説明図で
ある。
電気的緒特性の関係説明図、第2図は主成分に対する副
成分の添加量(重量%)と電気的緒特性の関係説明図で
ある。
Claims (3)
- (1)Pb(Mg1/3、Nb2/3)O_395mo
l%、PbTiO_3、5mol%、Pb(Mn1/3
、Nb2/3)O_30.5重量%を主成分とする組成
分に対し副成分として PbOとZnOを含有することを特徴とするPb(Mg
1/3、Nb2/3)O_3−PbTiO_3−Pb(
Mn1/3、Nb2/3)O_3系高誘電率磁器組成物
。 - (2)前記副成分は、PbO50〜93重量%、ZnO
7〜50重量%から成ることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の高誘電率磁器組成物。 - (3)前記副成分は前記主成分に対し0.25〜1.2
5重量%含有することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60093741A JPS61256959A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 高誘電率磁器組成物 |
EP86105908A EP0200207B1 (en) | 1985-05-02 | 1986-04-29 | Porcelain composition having a high dielectric constant |
CN86103056A CN1012730B (zh) | 1985-05-02 | 1986-04-29 | 高介电常数瓷质组成物 |
DE8686105908T DE3661586D1 (en) | 1985-05-02 | 1986-04-29 | Porcelain composition having a high dielectric constant |
KR1019860003413A KR930001539B1 (ko) | 1985-05-02 | 1986-05-01 | 고유전율 자기 조성물 |
US06/858,945 US4692422A (en) | 1985-05-02 | 1986-05-02 | High dielectric porcelain composition and method of reducing sintering temperature thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60093741A JPS61256959A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61256959A true JPS61256959A (ja) | 1986-11-14 |
JPH0583508B2 JPH0583508B2 (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14090836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60093741A Granted JPS61256959A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4692422A (ja) |
EP (1) | EP0200207B1 (ja) |
JP (1) | JPS61256959A (ja) |
KR (1) | KR930001539B1 (ja) |
CN (1) | CN1012730B (ja) |
DE (1) | DE3661586D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63185853A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68926099T2 (de) * | 1988-11-07 | 1996-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
US5364840A (en) * | 1989-12-05 | 1994-11-15 | Vical, Inc. | Synthetic calcitonin peptides |
JP2564676B2 (ja) * | 1990-02-22 | 1996-12-18 | 三菱マテリアル 株式会社 | 電子光学用組成物 |
KR970008754B1 (en) * | 1994-12-23 | 1997-05-28 | Korea Inst Sci & Tech | Multilayer ceramic capacitor and production thereof |
KR19980040840A (ko) * | 1996-11-29 | 1998-08-17 | 조희재 | 저온 소결용 유전체 세라믹스 조성물 |
KR100324266B1 (ko) * | 1999-07-19 | 2002-02-25 | 구자홍 | 고체 표시소자용 유전체후막 조성물 |
CN114436652B (zh) * | 2022-01-28 | 2023-05-16 | 厦门乃尔电子有限公司 | 一种锆钛酸铅-铌钽镁酸铅压电陶瓷材料及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5551761A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-15 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric constance ceramic composition |
JPS5551760A (en) * | 1978-10-06 | 1980-04-15 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric constance ceramic composition |
GB2035994B (en) * | 1978-10-30 | 1982-11-24 | Tdk Electronics Co Ltd | High dielectric constant type ceramic composition |
JPS6031797B2 (ja) * | 1980-07-24 | 1985-07-24 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
GB2107300B (en) * | 1981-07-03 | 1985-04-24 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
US4530031A (en) * | 1984-03-12 | 1985-07-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP60093741A patent/JPS61256959A/ja active Granted
-
1986
- 1986-04-29 CN CN86103056A patent/CN1012730B/zh not_active Expired
- 1986-04-29 EP EP86105908A patent/EP0200207B1/en not_active Expired
- 1986-04-29 DE DE8686105908T patent/DE3661586D1/de not_active Expired
- 1986-05-01 KR KR1019860003413A patent/KR930001539B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-05-02 US US06/858,945 patent/US4692422A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63185853A (ja) * | 1987-01-27 | 1988-08-01 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR930001539B1 (ko) | 1993-03-04 |
CN86103056A (zh) | 1986-10-29 |
KR860009446A (ko) | 1986-12-23 |
EP0200207B1 (en) | 1988-12-28 |
US4692422A (en) | 1987-09-08 |
CN1012730B (zh) | 1991-06-05 |
EP0200207A1 (en) | 1986-11-05 |
DE3661586D1 (en) | 1989-02-02 |
JPH0583508B2 (ja) | 1993-11-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |