JPS6033259A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6033259A JPS6033259A JP58142930A JP14293083A JPS6033259A JP S6033259 A JPS6033259 A JP S6033259A JP 58142930 A JP58142930 A JP 58142930A JP 14293083 A JP14293083 A JP 14293083A JP S6033259 A JPS6033259 A JP S6033259A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- porcelain
- composition
- temperature
- ceramic composition
- practical
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が
高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関するもの
である。
結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が
高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関するもの
である。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiOs)を主成分とするW&器が広く実用化されて
いることは周知のとおシである。しかじながら、チタン
酸バリウム(BaTiOg)を主成分とするものは、焼
結温度が通常1300〜1400℃の高温である。この
ためこれを積層形コンデンサに利用する場合に拡内部電
極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パ
ラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず、
製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コンデ
ンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、できる
だけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必要
である。
aTiOs)を主成分とするW&器が広く実用化されて
いることは周知のとおシである。しかじながら、チタン
酸バリウム(BaTiOg)を主成分とするものは、焼
結温度が通常1300〜1400℃の高温である。この
ためこれを積層形コンデンサに利用する場合に拡内部電
極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パ
ラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず、
製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コンデ
ンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、できる
だけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必要
である。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求
される。
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求
される。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いによシ、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わシ、チップコンデンサに
クランクが発生したシ、破損した9することがある。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラックが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサを形成
している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入シ
やすく容易に破損するため、信頼性が低くなる・したが
って、磁器の機械的強度をできるだけ増大させることは
実用上極めて重要なことである。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いによシ、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わシ、チップコンデンサに
クランクが発生したシ、破損した9することがある。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラックが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサを形成
している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入シ
やすく容易に破損するため、信頼性が低くなる・したが
って、磁器の機械的強度をできるだけ増大させることは
実用上極めて重要なことである。
本発明の目的は900〜1000℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、n@損失が小さく、絶縁抵抗が高匹
優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼
性の高い磁器組成物を提供することにある。
き、誘電率が高く、n@損失が小さく、絶縁抵抗が高匹
優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼
性の高い磁器組成物を提供することにある。
本発明の磁器組成物は、ニッケル・タングステン酸鉛(
Pb (Ni z/2W1/2)o3 )とチタン酸鉛
(PbTiOs)を主成分とし、その組成をCPb (
Ni□/zWi/g)Os )工〔PbTi0g )1
−Xと表わしたときの生成分配合比Xが0.30≦X≦
0.60の範囲内にある主成分組成物に、副成分として
マンガン・タンタル酸鉛CPb (Mn 1/zTaV
a)0.〕を前記主成分組成物に対して0.05Mmo
1%添加含有せしめてなることを特徴とする。
Pb (Ni z/2W1/2)o3 )とチタン酸鉛
(PbTiOs)を主成分とし、その組成をCPb (
Ni□/zWi/g)Os )工〔PbTi0g )1
−Xと表わしたときの生成分配合比Xが0.30≦X≦
0.60の範囲内にある主成分組成物に、副成分として
マンガン・タンタル酸鉛CPb (Mn 1/zTaV
a)0.〕を前記主成分組成物に対して0.05Mmo
1%添加含有せしめてなることを特徴とする。
以下、本発明をその実施例にょシ詳細に説明する。
出発原料として純度99.9−以上の酸化鉛(PbO)
、酸化ニッケル(NIO) 、酸化タングステンCWC
)s )、酸化チタン(TiOx)、酸化タンタル(T
asks)および炭酸マンガン(MnCOs )を使用
し、第1表に示した配合比となるように各々秤量する。
、酸化ニッケル(NIO) 、酸化タングステンCWC
)s )、酸化チタン(TiOx)、酸化タンタル(T
asks)および炭酸マンガン(MnCOs )を使用
し、第1表に示した配合比となるように各々秤量する。
次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、
750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボールミ
ルで粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整
粒後プレスし、試料として直径16絽、厚さ約2Uの円
板4枚と、直径16ioc、厚さ約101mの円柱を作
製した・次にこの試料を空気中900−1000℃の温
度で1時間焼結し、焼結した円板4枚の上下面に600
℃で銀電極を焼付け、デジタルLCRメーターで周波数
IKHz 、電圧IVr、m、a温度20℃で容量と誘
電損失を測定し、誘電重金算出した1次に超絶縁抵抗計
で50vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温度加℃で
測定し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評
価するため、焼結した円柱から厚さ0−5M、幅2間、
長さ13鴎の矩形板を10枚切シ出した。支点間距離を
9fiにょシ、三点法でに従い、抗折強度τ〔−一〕を
めた。ただしlは支点間距離、tは試料の厚み、Wは試
料の幅である・電気的特性は円板試料4点の平均値、抗
折強度は矩形板試料10点の平均値よりめた。
750〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボールミ
ルで粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整
粒後プレスし、試料として直径16絽、厚さ約2Uの円
板4枚と、直径16ioc、厚さ約101mの円柱を作
製した・次にこの試料を空気中900−1000℃の温
度で1時間焼結し、焼結した円板4枚の上下面に600
℃で銀電極を焼付け、デジタルLCRメーターで周波数
IKHz 、電圧IVr、m、a温度20℃で容量と誘
電損失を測定し、誘電重金算出した1次に超絶縁抵抗計
で50vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温度加℃で
測定し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評
価するため、焼結した円柱から厚さ0−5M、幅2間、
長さ13鴎の矩形板を10枚切シ出した。支点間距離を
9fiにょシ、三点法でに従い、抗折強度τ〔−一〕を
めた。ただしlは支点間距離、tは試料の厚み、Wは試
料の幅である・電気的特性は円板試料4点の平均値、抗
折強度は矩形板試料10点の平均値よりめた。
このようにして得られた磁器組成物の主成分〔Pb (
Nl 1/2W1/2)On )z (PbT i O
x ) 1”Xの配合比Xおよび副成分添加量と誘電率
、誘電損失、比抵抗および抗折強度の関係を第1表に示
す。なお、試料番号にホーを付したものは本発明の範囲
に含まれない。
Nl 1/2W1/2)On )z (PbT i O
x ) 1”Xの配合比Xおよび副成分添加量と誘電率
、誘電損失、比抵抗および抗折強度の関係を第1表に示
す。なお、試料番号にホーを付したものは本発明の範囲
に含まれない。
(以下余白)
第1表
この結果から明らかなように、本発明のものは誘電率が
1200刈900と高く、誘電損失が0.2〜2.4チ
と小さく、比抵抗が4 Xl011〜3X10”Ω・口
という高い値を示し、さらに抗弁強度も990〜145
0’Q/cdと実用上十分高い値を示す信頼性の高い実
用性の極めて高い磁器組成物が得られた。このように優
れたI!!i性を示す本発明の磁器は焼結温度が100
0℃以下の低温であるため積層コンデンサの内部電極の
低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節
約にもなるという極めて優れた効果も生じる・なお、主
成分配合比Xはx (0,30ではキュリ一温度が実用
範囲よシ高くなシすぎ室温での防電率が小さくなシ、ま
た誘電損失も大きくなるため実用的でない。x)0.6
0 では磁器として焼結せず実用的でない。まだ副成分
であるPb (Mn 1/2Ta 1/! )03の添
加量が帆05moJ−未満では抗折強度の改善効果が小
さく、s mol %を超えると逆に抗折強度が小さく
なるため実用的でない。
1200刈900と高く、誘電損失が0.2〜2.4チ
と小さく、比抵抗が4 Xl011〜3X10”Ω・口
という高い値を示し、さらに抗弁強度も990〜145
0’Q/cdと実用上十分高い値を示す信頼性の高い実
用性の極めて高い磁器組成物が得られた。このように優
れたI!!i性を示す本発明の磁器は焼結温度が100
0℃以下の低温であるため積層コンデンサの内部電極の
低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節
約にもなるという極めて優れた効果も生じる・なお、主
成分配合比Xはx (0,30ではキュリ一温度が実用
範囲よシ高くなシすぎ室温での防電率が小さくなシ、ま
た誘電損失も大きくなるため実用的でない。x)0.6
0 では磁器として焼結せず実用的でない。まだ副成分
であるPb (Mn 1/2Ta 1/! )03の添
加量が帆05moJ−未満では抗折強度の改善効果が小
さく、s mol %を超えると逆に抗折強度が小さく
なるため実用的でない。
Claims (1)
- (1)ニッケル・タングステン酸鉛(Pb (Ni l
/雪W□/、)on)とチタン酸鉛(PbTiOs)と
を主成分とし、その組成を(Pb (Ni x/*Wn
/JOs )X(PbT ion ) 、1と表わした
ときの主成分配合比Xが0.30≦X≦0.60の範囲
内にある主成分組成物に、副成分としてマンガン・タン
タル酸鉛(Pb (MnいTax/JOm )を前記主
成分組成物に対して0.05−5mojチ添加含有せし
めてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142930A JPS6033259A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142930A JPS6033259A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6033259A true JPS6033259A (ja) | 1985-02-20 |
Family
ID=15326943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58142930A Pending JPS6033259A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6033259A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6415741A (en) * | 1987-06-16 | 1989-01-19 | Kurasuniansukii Sarujiyu | Integrated automatic apparatus for continuously and simultaneously performing development of photographic film and printing and development of photographic print |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58142930A patent/JPS6033259A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6415741A (en) * | 1987-06-16 | 1989-01-19 | Kurasuniansukii Sarujiyu | Integrated automatic apparatus for continuously and simultaneously performing development of photographic film and printing and development of photographic print |
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