JPH0292858A - 磁器組成物の製造方法 - Google Patents
磁器組成物の製造方法Info
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- JPH0292858A JPH0292858A JP63243959A JP24395988A JPH0292858A JP H0292858 A JPH0292858 A JP H0292858A JP 63243959 A JP63243959 A JP 63243959A JP 24395988 A JP24395988 A JP 24395988A JP H0292858 A JPH0292858 A JP H0292858A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は積層セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製
造方法に関し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高
誘電率のコンデンサに用いられる磁器組成物の製造方法
に関する。
造方法に関し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高
誘電率のコンデンサに用いられる磁器組成物の製造方法
に関する。
［従来の技術］
電子部品の基板上への実装密度が高まるにつれ、コンデ
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴ ｉ ０３ ）系が知
られており、添加や置換によってキュリー点を移動させ
て温度特性の改善をはかつている。
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴ ｉ ０３ ）系が知
られており、添加や置換によってキュリー点を移動させ
て温度特性の改善をはかつている。
［発明か解決しようとする課題１
この従来の方法により温度変化率の小さな材料を実現し
た場合、得られる誘電率は高々２０００程度にすぎず、
チップの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解
決する手段として、キュリー点か異なった高い誘電率を
持つ磁器組成物材料を組合わけ、温度特性の優れた大容
量コンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実際
には組合わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応か起っ
てキュリー点が１つとなり、温度特性改善効果はあまり
望めなかった。
た場合、得られる誘電率は高々２０００程度にすぎず、
チップの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを解
決する手段として、キュリー点か異なった高い誘電率を
持つ磁器組成物材料を組合わけ、温度特性の優れた大容
量コンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実際
には組合わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応か起っ
てキュリー点が１つとなり、温度特性改善効果はあまり
望めなかった。
本発明の目的は、上記した従来の事情に鑑み、誘電率が
高く、かつ温度変化率の小さい優れた電気特性を有する
セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方法を提供
することにある。
高く、かつ温度変化率の小さい優れた電気特性を有する
セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方法を提供
することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍ
ｇ１／２ ・Ｗ１／２）０３］、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉ ０３ ］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ１／３・Ｎｂ２／３）０３］からなる３成分組成物を
、［Ｐｂ（ｌＶｔＱ１／２ ・Ｗｌ／２ ）０３］
［ＰｂＴｉＯ３］ ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３ｙ Ｎ ｂ２／３ ＞ ０３ ］ ｚと表したときに（ただ
しＸ＋Ｖ＋Ｚ＝ １．００）、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．
４５ ）−ａ）ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．５０
、 ｚ＝ ０．３５ ） ・ｂ）ｘ＝ ０．４０ 、
ｙ＝ ０．５０ 、 ｚ＝ ０．１０ ）−ｃ）ｘ＝
０．５０ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．１０
）・・・ｄ）Ｘ＝ ０．５０ 、 ｙ＝ ０．３０ 、
Ｚ＝ ０．２０ ＞−ｅ）ｘ＝ ０．２５ 、 ｙ＝
０１３０ 、 ｚ＝ ０．４５ ）・・・ｆ）の各点
を結ぶ線上、およびこの６点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物に、副成分として五酸化ニオブ（Ｎｂ２
０５ ）を主成分に対してｏ、 ｏｉ〜１０重団％添加
した仮焼粉末を１０００〜１１５０°Ｃの温度で焼結し
てなることを特徴とする磁器組成物の′ＩＡ造方決方法
る。
ｇ１／２ ・Ｗ１／２）０３］、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉ ０３ ］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｎ
ｉ１／３・Ｎｂ２／３）０３］からなる３成分組成物を
、［Ｐｂ（ｌＶｔＱ１／２ ・Ｗｌ／２ ）０３］
［ＰｂＴｉＯ３］ ［Ｐｂ（Ｎｉ１／３ｙ Ｎ ｂ２／３ ＞ ０３ ］ ｚと表したときに（ただ
しＸ＋Ｖ＋Ｚ＝ １．００）、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．
４５ ）−ａ）ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．５０
、 ｚ＝ ０．３５ ） ・ｂ）ｘ＝ ０．４０ 、
ｙ＝ ０．５０ 、 ｚ＝ ０．１０ ）−ｃ）ｘ＝
０．５０ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．１０
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Ｚ＝ ０．２０ ＞−ｅ）ｘ＝ ０．２５ 、 ｙ＝
０１３０ 、 ｚ＝ ０．４５ ）・・・ｆ）の各点
を結ぶ線上、およびこの６点に囲まれる組成範囲内にあ
る主成分組成物に、副成分として五酸化ニオブ（Ｎｂ２
０５ ）を主成分に対してｏ、 ｏｉ〜１０重団％添加
した仮焼粉末を１０００〜１１５０°Ｃの温度で焼結し
てなることを特徴とする磁器組成物の′ＩＡ造方決方法
る。
本発明における主成分組成範囲を表す３成分組成図は第
１図で示される。図中、（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）（
ｄ）、 （ｅ）および（ｆ）は各組成点を表し、本発明
に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲およびその境
界線上である。
１図で示される。図中、（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）（
ｄ）、 （ｅ）および（ｆ）は各組成点を表し、本発明
に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲およびその境
界線上である。
なお、本発明の成分組成範囲外である場合、および成分
組成範囲内でも焼結温度が本発明の方法の温度範囲外で
おる場合は、誘電率か低くなったり、誘電率の温度変化
が大きくなったりするため、前述のように組成範囲と焼
結温度が限定されるものである。
組成範囲内でも焼結温度が本発明の方法の温度範囲外で
おる場合は、誘電率か低くなったり、誘電率の温度変化
が大きくなったりするため、前述のように組成範囲と焼
結温度が限定されるものである。
また、本発明の方法による焼結温度は比較的低いため、
積層セラミックコンデンサに用いた場合、内部電極とし
ては高価な白金やパラジウムではなく、安価な銀パラジ
ウム系の材料を用いることができ、積層セラミックコン
デンサの製造コストを低く抑えることかできる。
積層セラミックコンデンサに用いた場合、内部電極とし
ては高価な白金やパラジウムではなく、安価な銀パラジ
ウム系の材料を用いることができ、積層セラミックコン
デンサの製造コストを低く抑えることかできる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化タングステン
（ＷＯ：Ｊ ） 、ｌｆ２化チクチタン０＋）、Ｍ化ニ
ッケル（Ｎｉｐ＞および五酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）
を使用し、表−１に示した配合比となるように各々秤量
する。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化タングステン
（ＷＯ：Ｊ ） 、ｌｆ２化チクチタン０＋）、Ｍ化ニ
ッケル（Ｎｉｐ＞および五酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）
を使用し、表−１に示した配合比となるように各々秤量
する。
次に秤量した原料をボールミル中で湿式混合した後、７
５０〜８００ ’Ｃで予焼を行い、この粉末をポルミル
で粉砕し、濾過、乾燥復、有機バインダを入れて整粒後
プレスし、直径１６ｍｍ 、厚さ２ｍｍの円板２０枚を
作製した。次にこれらの円板を空気中、表−１に示すよ
うな焼成温度で１時間焼結した。焼結した円板試料の上
下面に銀電極を６００ ’Ｃで焼付け、デジタルＬＣＲ
メータで周波数１ＫＨ２、電圧１ｖｒ、ｍ、ｓ、 、温
度−５５〜１２５°Ｃで容量と誘電損失を測定し、これ
をもとに誘電率の温度変化を締出した。
５０〜８００ ’Ｃで予焼を行い、この粉末をポルミル
で粉砕し、濾過、乾燥復、有機バインダを入れて整粒後
プレスし、直径１６ｍｍ 、厚さ２ｍｍの円板２０枚を
作製した。次にこれらの円板を空気中、表−１に示すよ
うな焼成温度で１時間焼結した。焼結した円板試料の上
下面に銀電極を６００ ’Ｃで焼付け、デジタルＬＣＲ
メータで周波数１ＫＨ２、電圧１ｖｒ、ｍ、ｓ、 、温
度−５５〜１２５°Ｃで容量と誘電損失を測定し、これ
をもとに誘電率の温度変化を締出した。
次に超絶縁計を用い、５０ Ｖの電圧を１分間印加して
、絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。
、絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。
各組成に対応する特性は試料４点の平均値より求めた。
このようにして得られた磁器組成物の配合比と誘電率、
誘電損失および比抵抗との関係を表−１に示す。
誘電損失および比抵抗との関係を表−１に示す。
表−１に示した結果から明らかなように、本発明の方法
により得られた磁器組成物は、誘電率が２０°Ｃにおい
て３０００以上と高く、誘電損失、比抵抗も実用的な水
準を満たしており、かつ誘電率の温度変化が一５５〜１
２５℃の温度範囲で、２０°Ｃの誘電率を基準とした場
合に極めて小さく温度安定性が優れており、セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料である。
により得られた磁器組成物は、誘電率が２０°Ｃにおい
て３０００以上と高く、誘電損失、比抵抗も実用的な水
準を満たしており、かつ誘電率の温度変化が一５５〜１
２５℃の温度範囲で、２０°Ｃの誘電率を基準とした場
合に極めて小さく温度安定性が優れており、セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料である。
（以下余白）
［発明の効果］
本発明の方法により得られる磁器組成物は、良好な誘電
損失、比抵抗の値を備え、誘電率が高く、かつその温度
変化が極めて小ざいものである。このため、単位体積当
りの容量が大きく、かつ＠量の温度変化の小ざいセラミ
ックコンデンサ、特に積層セラミックコンデンサを実現
するのに好適な磁器組成物である。
損失、比抵抗の値を備え、誘電率が高く、かつその温度
変化が極めて小ざいものである。このため、単位体積当
りの容量が大きく、かつ＠量の温度変化の小ざいセラミ
ックコンデンサ、特に積層セラミックコンデンサを実現
するのに好適な磁器組成物である。
第１図は本発明の主成分組成範囲を示す３成分系組成図
である。
である。
Claims (1)
- （１）マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ＿
１＿／＿２・Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３］、チタン酸鉛［
ＰｂＴｉＯ＿３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（
Ｎｉ＿１＿／＿３・Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］からな
る３成分組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿２・Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３］＿ｘ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ＿１＿／＿３・Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］＿ｚ
と表したときに（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、この
３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．４５）（ｘ＝
０．１５，ｙ＝０．５０，ｚ＝０．３５）（ｘ＝０．４
０，ｙ＝０．５０，ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ
＝０．４０，ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ＝０．
３０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．２５，ｙ＝０．３０，
ｚ＝０．４５）の各点を結ぶ線上、およびこの６点に囲
まれる組成範囲内にある主成分組成物に、副成分として
五酸化ニオブ（Ｎｂ＿２Ｏ＿５）を主成分に対して０．
０１〜１０重量％添加した仮焼粉末を１０００〜１１５
０℃の温度で焼結してなることを特徴とする磁器組成物
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243959A JPH0292858A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243959A JPH0292858A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁器組成物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0292858A true JPH0292858A (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=17111585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243959A Pending JPH0292858A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0292858A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176175A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-15 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63243959A patent/JPH0292858A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176175A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-15 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
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