JPH03223149A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPH03223149A JPH03223149A JP2014797A JP1479790A JPH03223149A JP H03223149 A JPH03223149 A JP H03223149A JP 2014797 A JP2014797 A JP 2014797A JP 1479790 A JP1479790 A JP 1479790A JP H03223149 A JPH03223149 A JP H03223149A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は磁器組成物に関し、特に誘電率および絶縁抵抗
が高く、誘電損失が小さく、かつ１０５０℃以下の温度
で焼結可能な磁器組成物に関するものである。
が高く、誘電損失が小さく、かつ１０５０℃以下の温度
で焼結可能な磁器組成物に関するものである。
［従来の技術］
従来、高誘電率系磁器組成物としてチタン酸バリウム（
ＢａＴｉＯ３）系がよく知られており、チタン酸カルシ
ウム［ＣａＴ ｉ ０３ ］ 、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉ ０３ ］などを添加、置換することにより温度特性
の改善を図っている。
ＢａＴｉＯ３）系がよく知られており、チタン酸カルシ
ウム［ＣａＴ ｉ ０３ ］ 、チタン酸鉛［ＰｂＴ
ｉ ０３ ］などを添加、置換することにより温度特性
の改善を図っている。
［発明が解決しようとする課題］
従来の材料で温度変化率の小さい材料を実現した場合、
得られる誘電率はせいぜい２０００程度にすぎず、コン
デンサ用の材料としては小さすぎる。
得られる誘電率はせいぜい２０００程度にすぎず、コン
デンサ用の材料としては小さすぎる。
近年、低温で焼結し、かつ誘電率が高く温度変化率の小
ざい材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告さ
れている。マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐ ｂ （Ｍｇ
１／３ Ｎ ｂ２／３ ＞ ０３ ］ 、ニッケルニオ
ブ酸鉛［Ｐ ｂ （Ｎ ！ １／３ Ｎ ｂ２７３ ＞
０３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴ ！ ０３ ］から
なる３成３成成物は、誘電率が２００００以上もあり、
温度変化率も比較的小さいが、１１００℃以上の高温で
なければ焼結できないという欠点がある。また、上記の
３成分組成物にマンガン・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎ１／
３ Ｎ ｂ２／３ ＞ ０３ ］を添加した組成物は誘
電率が１２０００以上もあるが、１１５０℃以上の高温
でなければ焼結できないという欠点がある。
ざい材料として鉛系複合ペロブスカイト化合物が報告さ
れている。マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐ ｂ （Ｍｇ
１／３ Ｎ ｂ２／３ ＞ ０３ ］ 、ニッケルニオ
ブ酸鉛［Ｐ ｂ （Ｎ ！ １／３ Ｎ ｂ２７３ ＞
０３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴ ！ ０３ ］から
なる３成３成成物は、誘電率が２００００以上もあり、
温度変化率も比較的小さいが、１１００℃以上の高温で
なければ焼結できないという欠点がある。また、上記の
３成分組成物にマンガン・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎ１／
３ Ｎ ｂ２／３ ＞ ０３ ］を添加した組成物は誘
電率が１２０００以上もあるが、１１５０℃以上の高温
でなければ焼結できないという欠点がある。
以上のことから、コンデンサを製造するときに内部電極
として安価な銀・パラジウム合金は使用できない。
として安価な銀・パラジウム合金は使用できない。
本発明は以上述べたような従来の課題を解決するために
なされたもので、上記の３成分系組成物の優れた特性を
満足し、かつ１０５０℃以下で焼結可能な磁器組成物を
提供することにある。
なされたもので、上記の３成分系組成物の優れた特性を
満足し、かつ１０５０℃以下で焼結可能な磁器組成物を
提供することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍ（Ｊｌ
／３ Ｎ ｂ２／３ ） ０３コ、ニッケル・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ （Ｎ ！１／３ Ｎｂ２／３ ＞０３１およ
びチタン酸鉛［ＰｂＴ ｉ ０３ ］からなる３成３成
成物を［Ｐ ｂ （Ｍ ｇ１７３ Ｎｂ２／３ ＞０３
］Ｘ［Ｐ ｂ （Ｎ ｉ Ｎ ｂ ） ０３
］ ｙ ［Ｐ ｂ Ｔ ｉ１／３ ２／３ ０３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０ ）と表現したと
き、この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝ ０．１０ 、 ｙ＝ ０．７０ 、 ｚ＝ ０
．２０ ）−ａ（ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．６０
、 ｚ＝ ０．２５ ） ・ｂ（ｘ＝ ０．１５ 、
ｙ＝ ０．７０ 、 ｚ＝ ０．１５ ＞・・・Ｃ（
ｘ＝ ０．４０ 、 ｙ＝ ０．３５ 、 ｚ＝ ０．
２５ ）−ｄ（ｘ＝ ０．６０ 、 ｙ＝ ０．２０
、 ｚ＝ ０．２０ ）−ｅ（ｘ＝ ０．７０ 、
’ｙ＝ ０．２０ 、 ｚ＝ ０．１０ ）・・・
（ｆ）（ｘ＝ ０．５０ 、 ｙ＝ ０．４０
、 ｚ＝ ０．１０ ）・・・（ｇ）の各点を結７
Ｓ″Ｘ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にお
る主成分組成物に、副成分として銀［ＡＱ］を０．０１
〜２，０重壷％添加したことを特徴とする磁器組成物、
および上記の主成分組成物に、第１副成分としてマンガ
ン・ニオブ酸鉛［Ｐ ｂ （Ｍｎ１／３ Ｎ ｂ２／３
＞ ０３ ］を０．０１〜１０ｍｏｌ％、第２副成分
として銀［Ａｇ３］を０．０１〜２．０重量％添加した
ことを特徴とする磁器組成物、および上記の主成分組成
物に、第１副成分としてマンガン［Ｍｎ］および／また
はニオブ［Ｎｂ］を主成分に対して０．０１〜３ ｍｏ
ｔ％、第２ ｅＪ酸成分して銀［Ａｑ］を０．０１〜２
．０重量％添加したことを特徴とする磁器組成物である
。
／３ Ｎ ｂ２／３ ） ０３コ、ニッケル・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ （Ｎ ！１／３ Ｎｂ２／３ ＞０３１およ
びチタン酸鉛［ＰｂＴ ｉ ０３ ］からなる３成３成
成物を［Ｐ ｂ （Ｍ ｇ１７３ Ｎｂ２／３ ＞０３
］Ｘ［Ｐ ｂ （Ｎ ｉ Ｎ ｂ ） ０３
］ ｙ ［Ｐ ｂ Ｔ ｉ１／３ ２／３ ０３］ｚ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０ ）と表現したと
き、この３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝ ０．１０ 、 ｙ＝ ０．７０ 、 ｚ＝ ０
．２０ ）−ａ（ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．６０
、 ｚ＝ ０．２５ ） ・ｂ（ｘ＝ ０．１５ 、
ｙ＝ ０．７０ 、 ｚ＝ ０．１５ ＞・・・Ｃ（
ｘ＝ ０．４０ 、 ｙ＝ ０．３５ 、 ｚ＝ ０．
２５ ）−ｄ（ｘ＝ ０．６０ 、 ｙ＝ ０．２０
、 ｚ＝ ０．２０ ）−ｅ（ｘ＝ ０．７０ 、
’ｙ＝ ０．２０ 、 ｚ＝ ０．１０ ）・・・
（ｆ）（ｘ＝ ０．５０ 、 ｙ＝ ０．４０
、 ｚ＝ ０．１０ ）・・・（ｇ）の各点を結７
Ｓ″Ｘ線上、およびこの７点に囲まれる組成範囲内にお
る主成分組成物に、副成分として銀［ＡＱ］を０．０１
〜２，０重壷％添加したことを特徴とする磁器組成物、
および上記の主成分組成物に、第１副成分としてマンガ
ン・ニオブ酸鉛［Ｐ ｂ （Ｍｎ１／３ Ｎ ｂ２／３
＞ ０３ ］を０．０１〜１０ｍｏｌ％、第２副成分
として銀［Ａｇ３］を０．０１〜２．０重量％添加した
ことを特徴とする磁器組成物、および上記の主成分組成
物に、第１副成分としてマンガン［Ｍｎ］および／また
はニオブ［Ｎｂ］を主成分に対して０．０１〜３ ｍｏ
ｔ％、第２ ｅＪ酸成分して銀［Ａｑ］を０．０１〜２
．０重量％添加したことを特徴とする磁器組成物である
。
本発明における主成分組成範囲を表す３成分組成図は第
１図で示される。図中、（ａ）〜（Ｃ１）は各組成点を
表し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲
およびその境界線上である。
１図で示される。図中、（ａ）〜（Ｃ１）は各組成点を
表し、本発明に含まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲
およびその境界線上である。
［実施例］
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例１〜３５、比較例１〜１９
出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ） 、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）、酸化ニッケ
ル（ＮｉＯ〉、酸化チタン（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ
＞を使用し、第１表に示した配合比となるように各々秤
量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
したのち７５０〜８００°Ｃで仮焼を行い、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入
れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ ｍｍ
の円板２枚と、直径約１６ ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円
柱を作製した。
（ＭｇＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）、酸化ニッケ
ル（ＮｉＯ〉、酸化チタン（ＴｉＯ２）および銀（Ａｇ
＞を使用し、第１表に示した配合比となるように各々秤
量する。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混合
したのち７５０〜８００°Ｃで仮焼を行い、この粉末を
ボールミルで粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入
れて整粒後プレスし、直径約１６ｍｍ、厚さ約２ ｍｍ
の円板２枚と、直径約１６ ｍｍ、厚さ約１０ｍｍの円
柱を作製した。
次にこれらの組成範囲の試料を９５０〜１１００℃の温
度で１時間焼成を行った。
度で１時間焼成を行った。
焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密度を求めた。
次に、円板の上下面に６００°Ｃで銀電極を焼き付け、
デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋｌ−ＩＺ、電圧１
Ｖｒ、ｍ、ｓ 、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を求めた。
デジタルＬＣＲメータで周波数１ｋｌ−ＩＺ、電圧１
Ｖｒ、ｍ、ｓ 、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を求めた。
次に絶縁抵抗計で５０ Ｖの電圧を１分間印加して、絶
縁抵抗を測定し、比抵抗を締出した。このようにして得
られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ２／３
＞０３ ］ ［Ｐｂ （Ｎ １１／３× １’ｌｂ２／３ ） ０３ ］Ｖ ［Ｐ ｂＴ ｌ
０３ ］Ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副成分添加量と、
密度、誘電率、誘電損失および比抵抗の関係を第１表に
示す。
縁抵抗を測定し、比抵抗を締出した。このようにして得
られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ２／３
＞０３ ］ ［Ｐｂ （Ｎ １１／３× １’ｌｂ２／３ ） ０３ ］Ｖ ［Ｐ ｂＴ ｌ
０３ ］Ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副成分添加量と、
密度、誘電率、誘電損失および比抵抗の関係を第１表に
示す。
（以下余白）
−ＰｂＴ ！ ０３３成分系組成物に副成分である銀（
Ａｇ）を主成分に対して０．０１〜２．０重量％添加し
た本発明の磁器組成物は、高い誘電率、比抵抗を保持し
、１０００℃以下の低い温度で焼結し、積層セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。
Ａｇ）を主成分に対して０．０１〜２．０重量％添加し
た本発明の磁器組成物は、高い誘電率、比抵抗を保持し
、１０００℃以下の低い温度で焼結し、積層セラミック
コンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供するも
のである。
実施例３６〜６０、比較例２０〜４９
出発原料として酸化鉛（ＰｂＯ） 、酸化マグネシウム
（ＭＣＩＯ） 、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ＞、酸化チタン（Ｔ ＋ ０２、炭酸マ
ンカン（ＭｎＣＯ３＞および銀（Ａｃｔ＞を使用し、第
２表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合したのち８００
〜８５０ °Ｃで仮焼を行い、この粉末をボールミルで
粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒後プ
レスし、直径的１６ ｍｍ、厚さ約２ ｍｍの円板２枚
と、直径的１６ｍｍ、厚さ約１０ ｍｍの円柱を作製し
た。次にこれらの組成範囲の試料を１０５０〜１２００
℃の温度で１時間焼成を行った。
（ＭＣＩＯ） 、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）、酸化ニ
ッケル（ＮｉＯ＞、酸化チタン（Ｔ ＋ ０２、炭酸マ
ンカン（ＭｎＣＯ３＞および銀（Ａｃｔ＞を使用し、第
２表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合したのち８００
〜８５０ °Ｃで仮焼を行い、この粉末をボールミルで
粉砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒後プ
レスし、直径的１６ ｍｍ、厚さ約２ ｍｍの円板２枚
と、直径的１６ｍｍ、厚さ約１０ ｍｍの円柱を作製し
た。次にこれらの組成範囲の試料を１０５０〜１２００
℃の温度で１時間焼成を行った。
焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密度を求めた。
次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を焼き付け、デ
ジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨ２、電圧１ ｙｒ、
ｍ、ｓ 、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電率およ
びその変化率を求めた。
ジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨ２、電圧１ ｙｒ、
ｍ、ｓ 、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電率およ
びその変化率を求めた。
次に、絶縁抵抗計で５０ Ｖの電圧を１分間印加して、
絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして
得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ２／３
） ０３ ］、 ［Ｐｂ （Ｎ ｉ １／３Ｎｂ２／
３ ）０３ ］、［ＰｂＴ ｉｏ３］７の配合比ｘ、ｙ
、ｚおよび副成分添加量と密度、誘電率、誘電損失およ
び比抵抗の関係を第２表に示す。
絶縁抵抗を測定し、比抵抗を算出した。このようにして
得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ１／３ Ｎｂ２／３
） ０３ ］、 ［Ｐｂ （Ｎ ｉ １／３Ｎｂ２／
３ ）０３ ］、［ＰｂＴ ｉｏ３］７の配合比ｘ、ｙ
、ｚおよび副成分添加量と密度、誘電率、誘電損失およ
び比抵抗の関係を第２表に示す。
（以下余白）
第２表からも明らかなように、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２
／３）Ｏ３ Ｐｂ（Ｎ１１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３Ｐｂ
Ｔｉ０３３成分系組成物に第１副成分であるマンカン・
ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎｌ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３コを０
．０１〜１０ ｍｏｌ％、第２副成分である銀（Ａｃｔ
＞を主成分に対して０．０１〜２．０重量％添加した本
発明の磁器組成物は、高い誘電率、比抵抗を保持し、か
つ１０５０ ’Ｃ以下の低い温度で焼結し、積層セラミ
ックコンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供す
るものである。
／３）Ｏ３ Ｐｂ（Ｎ１１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３Ｐｂ
Ｔｉ０３３成分系組成物に第１副成分であるマンカン・
ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎｌ／３Ｎｂ２／３）Ｏ３コを０
．０１〜１０ ｍｏｌ％、第２副成分である銀（Ａｃｔ
＞を主成分に対して０．０１〜２．０重量％添加した本
発明の磁器組成物は、高い誘電率、比抵抗を保持し、か
つ１０５０ ’Ｃ以下の低い温度で焼結し、積層セラミ
ックコンデンサ用磁器組成物として優れた材料を提供す
るものである。
実施例６１〜９７、比較例５０〜１０４出発原料として
酸化鉛（ＰｂＯ） 、酸化マグネシウム（ＭＣＩＯ＞
、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）、酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ） 、酸化チタン（Ｔｉ０２）、炭酸マンガン（Ｍｎ
ＣＯ３）および銀（Ａｇ）を使用し、第３表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料を
ボールミル中で湿式混合したのち８００〜８５０℃て仮
焼を行い、口の粉末を小−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒債プレスし、直径約１６
ｍｍ、厚さ約２ ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ
、厚さ約１０ ｍｍの円柱を作製した。次にこれらの組
成範囲の試料を１０５０〜１２００ ’Ｃの温度で１時
間焼成を行った。
酸化鉛（ＰｂＯ） 、酸化マグネシウム（ＭＣＩＯ＞
、酸化ニオブ（Ｎｂ２０５ ）、酸化ニッケル（Ｎｉ
Ｏ） 、酸化チタン（Ｔｉ０２）、炭酸マンガン（Ｍｎ
ＣＯ３）および銀（Ａｇ）を使用し、第３表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料を
ボールミル中で湿式混合したのち８００〜８５０℃て仮
焼を行い、口の粉末を小−ルミルで粉砕し、濾過、乾燥
後、有機バインダを入れて整粒債プレスし、直径約１６
ｍｍ、厚さ約２ ｍｍの円板２枚と、直径約１６ｍｍ
、厚さ約１０ ｍｍの円柱を作製した。次にこれらの組
成範囲の試料を１０５０〜１２００ ’Ｃの温度で１時
間焼成を行った。
焼成した円柱でアルキメデス法を用いて密度を求めた。
次に、円板の上下面に６００℃で銀電極を焼き付け、デ
ジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨ７、電圧１ Ｖｒ、
ＩＩｌ、Ｓ 、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電率
を求めた。
ジタルＬＣＲメータで周波数１ｋＨ７、電圧１ Ｖｒ、
ＩＩｌ、Ｓ 、室温で容量と誘電損失を測定し、誘電率
を求めた。
次に、絶縁抵抗計で５０ Ｖの電圧を１分間印加して、
絶縁抵抗を測定し、比抵抗を粋出した。このようにして
得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ ＼ｂ ）０
３］ ［Ｐｂ（Ｎ＋１７３１／３ ２／３
ｘ Ｉ’ｌｂ２／３ ）０３］ｙ ＥＰｂＴ ｉ Ｏ３］
ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副成分添加量と密度、誘電
率、誘電損失および比抵抗の関係を第３表に示す。
絶縁抵抗を測定し、比抵抗を粋出した。このようにして
得られた磁器の主成分［Ｐｂ（Ｍｇ ＼ｂ ）０
３］ ［Ｐｂ（Ｎ＋１７３１／３ ２／３
ｘ Ｉ’ｌｂ２／３ ）０３］ｙ ＥＰｂＴ ｉ Ｏ３］
ｚの配合比ｘ、ｙ、ｚおよび副成分添加量と密度、誘電
率、誘電損失および比抵抗の関係を第３表に示す。
（以下余白）
第３表からも明らかなように、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２
／３）Ｏ３ Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−Ｐｂ
Ｔ ！０３３成分系組成物に第１副成分としてマンガン
（Ｍｎ）、ニオブ（Ｎｂ＞の中から少なくとも一種以上
の元素を主成分に対して０．０２〜３ ｍｏｌ％、第２
副成分として銀（Ａｇ）を主成分に対して０．０１〜２
．０重量％添加した本発明の磁器組成物は、高い誘電率
、比抵抗を保持し、かつ１０５０℃以下の低い温度で焼
結し、積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優
れた材料を提供するものである。なお、実施例では、第
１副成分としてマンガンまたはニオブを用いたが、この
両成分をともに用いても同様の効果が得られた。
／３）Ｏ３ Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−Ｐｂ
Ｔ ！０３３成分系組成物に第１副成分としてマンガン
（Ｍｎ）、ニオブ（Ｎｂ＞の中から少なくとも一種以上
の元素を主成分に対して０．０２〜３ ｍｏｌ％、第２
副成分として銀（Ａｇ）を主成分に対して０．０１〜２
．０重量％添加した本発明の磁器組成物は、高い誘電率
、比抵抗を保持し、かつ１０５０℃以下の低い温度で焼
結し、積層セラミックコンデンサ用磁器組成物として優
れた材料を提供するものである。なお、実施例では、第
１副成分としてマンガンまたはニオブを用いたが、この
両成分をともに用いても同様の効果が得られた。
なお、本発明の主成分の範囲以外および副成分添前置以
外では焼結温度が高くなったり、誘電率、比抵抗が低下
し、実用的でないため、前述のように限定される。
外では焼結温度が高くなったり、誘電率、比抵抗が低下
し、実用的でないため、前述のように限定される。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の磁器組成物は誘電率、比
抵抗の値が高く、良好な誘電損失の値を持ち、かつ低い
温度で焼結が可能である。このため、本発明の磁器組成
物を用いれば積層セラミックコンデンサの内部電極に安
価な銀−パラジウムを用いることができる等の効果を有
する。
抵抗の値が高く、良好な誘電損失の値を持ち、かつ低い
温度で焼結が可能である。このため、本発明の磁器組成
物を用いれば積層セラミックコンデンサの内部電極に安
価な銀−パラジウムを用いることができる等の効果を有
する。
第１図は本発明の主成分組成範囲を示す３成分組成図で
ある。
ある。
Claims (3)
- （１）マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／
＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］、ニッケル・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ＿３］からなる３成分
組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）
Ｏ＿３］＿ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿
３）Ｏ＿３］＿ｙ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｚ（ただしｘ＋
ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図に
おいて、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝
０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．１
５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０，ｙ
＝０．３５，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０，ｙ＝０．
２０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，
ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０
．１０）の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる
組成範囲内にある主成分組成物に、副成分として銀［Ａ
ｇ］を０．０１〜２．０重量％添加したことを特徴とす
る磁器組成物。 - （２）マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／
＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］、ニッケル・ニオブ酸
鉛［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ＿３］からなる３成分
組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）
Ｏ＿３］＿ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿
３）Ｏ＿３］＿ｙ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｚ（ただしｘ＋
ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図に
おいて、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝
０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．１
５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０，ｙ
＝０．３５，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０，ｙ＝０．
２０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，
ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０
．１０）の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる
組成範囲内にある主成分組成物に、第１副成分としてマ
ンガン・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２
＿／＿３）Ｏ＿３］を０．０１〜１０ｍｏｌ％、第２副
成分として銀［Ａｇ］を０．０１〜２．０重量％添加し
たことを特徴とする磁器組成物。 - （３）マグネシウム・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿＿
／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］、ニッケル・ニオブ
酸鉛［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿
３］およびチタン酸鉛［ＰｂＴｉＯ＿３］からなる３成
分組成物を［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３
）Ｏ＿３］＿ｘ［Ｐｂ（Ｎｉ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／
＿３）Ｏ＿３］＿ｙ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｚ（ただしｘ
＋ｙ＋ｚ＝１．０）と表現したとき、この３成分組成図
において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１０，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝
０．１５，ｙ＝０．６０，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．１
５，ｙ＝０．７０，ｚ＝０．１５）（ｘ＝０．４０，ｙ
＝０．３５，ｚ＝０．２５）（ｘ＝０．６０，ｙ＝０．
２０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．７０，ｙ＝０．２０，
ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ＝０．４０，ｚ＝０
．１０）の各点を結ぶ線上、およびこの７点に囲まれる
組成範囲内にある主成分組成物に、第１副成分としてマ
ンガン［Ｍｎ］および／またはニオブ［Ｎｂ］を主成分
に対して０．０１〜３ｍｏｌ％、第２副成分として銀［
Ａｇ］を０．０１〜２．０重量％添加したことを特徴と
する磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014797A JPH0610100B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014797A JPH0610100B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03223149A true JPH03223149A (ja) | 1991-10-02 |
| JPH0610100B2 JPH0610100B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=11871043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014797A Expired - Fee Related JPH0610100B2 (ja) | 1990-01-26 | 1990-01-26 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610100B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5935485A (en) * | 1996-10-31 | 1999-08-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Piezoelectric material and piezoelectric element |
| CN100449813C (zh) * | 2006-10-24 | 2009-01-07 | 北京科技大学 | 一种功能梯度结构的压电驱动器件及其制备方法 |
| CN114804872A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-29 | 杭州瑞声海洋仪器有限公司 | 一种高居里温度高稳定性偏铌酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法 |
-
1990
- 1990-01-26 JP JP2014797A patent/JPH0610100B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5935485A (en) * | 1996-10-31 | 1999-08-10 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Piezoelectric material and piezoelectric element |
| CN100449813C (zh) * | 2006-10-24 | 2009-01-07 | 北京科技大学 | 一种功能梯度结构的压电驱动器件及其制备方法 |
| CN114804872A (zh) * | 2022-04-29 | 2022-07-29 | 杭州瑞声海洋仪器有限公司 | 一种高居里温度高稳定性偏铌酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610100B2 (ja) | 1994-02-09 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |