JPH0292856A - 磁器組成物の製造方法 - Google Patents
磁器組成物の製造方法Info
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- JPH0292856A JPH0292856A JP63243957A JP24395788A JPH0292856A JP H0292856 A JPH0292856 A JP H0292856A JP 63243957 A JP63243957 A JP 63243957A JP 24395788 A JP24395788 A JP 24395788A JP H0292856 A JPH0292856 A JP H0292856A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は積層セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製
造方法に関し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高
誘電率のコンデンサに用いられる磁器組成物の製造方法
に関する。
造方法に関し、特に誘電率の温度変化が少なく、かつ高
誘電率のコンデンサに用いられる磁器組成物の製造方法
に関する。
［従来の技術］
電子部品の基板上への実装密度が高まるにつれ、コンデ
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴ ！ ０３ ）系が知
られており、添加や置換によってキュリー点を移動させ
て温度特性の改善をはかつている。
ンサ等の電子部品のチップ化が盛んになってきているが
、コンデンサチップ市場では温度特性変化の小さな素子
が大半を占めている。従来の高誘電率磁器組成物材料と
してはチタン酸バリウム（ＢａＴ ！ ０３ ）系が知
られており、添加や置換によってキュリー点を移動させ
て温度特性の改善をはかつている。
［発明が解決しようとする課題］
この従来の方法により温度変化率の小さな材料を実現し
た場合、１ｑられる誘電率は高々２０００程度にすぎず
、チップの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを
解決する手段として、キュリー点が異なった高い誘電率
を持つ磁器組成物材料を組合わせ、温度特性の優れた大
容量コンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実
際には組合わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応が起
ってキュリー点が１つとなり、温度特性改善効果はあま
り望めなかった。
た場合、１ｑられる誘電率は高々２０００程度にすぎず
、チップの軽薄短小化の要求に適合しなかった。これを
解決する手段として、キュリー点が異なった高い誘電率
を持つ磁器組成物材料を組合わせ、温度特性の優れた大
容量コンデンサを実現する製造方法が提案されたが、実
際には組合わせた異種磁器組成物材料間に拡散反応が起
ってキュリー点が１つとなり、温度特性改善効果はあま
り望めなかった。
本発明の目的は、上記した従来の事情に鑑み、誘電率が
高く、かつ温度変化率の小さい優れた電気特性を有する
セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方法を提供
することにある。
高く、かつ温度変化率の小さい優れた電気特性を有する
セラミック・コンデンサ用磁器組成物の製造方法を提供
することにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、マグネシウム・タングステンｒ！ｉ鉛［Ｐｂ
（Ｍｇ１／２ ・Ｗ１７２ ） ０３ ］ 、チタン酸
鉛［ＰｂＴ ｉ○３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐ
ｂ （Ｎ ｉ １／３・Ｎ ｂ２７３ ＞ ０３］から
なる３成分組成物を、［Ｐｂ（ＭＣ１１／２・Ｗｌ／２
＞０３］ ［ＰｂＴｉＯ３］ ［Ｐｂ（Ｎｉ１／
３ｙ Ｎ ｂ２７３ ） ０３ ］ ｚと表したときに（ただ
しＸ十Ｖ＋Ｚ＝ １．００）、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．
４５ ） ・ａｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．５０
、 ｚ＝ ０．３５ ）・・・ｂｘ＝ ０．４０ 、
ｙ＝ ０．５０ 、 ｚ＝ ０．１０ ）・・・Ｃｘ＝
０．５０ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．１０
）・・・ｄｘ＝ ０．５０ 、 ｙ＝ ０．３０ 、
ｚ＝ ０．２０ ）−ｅｘ＝ ０．２５ 、 ｙ＝
０．３０ 、 ｚ＝ ０．４５ ）・・・ｆの各点を結
ぶ線上、およびこの６点に囲まれる組成範囲内にある主
成分組成物に、副成分として酸化マグネシウム（ＭｇＯ
）を主成分に対して０、０１〜１０重量％添加した仮焼
粉末を１０００〜１１５０°Ｃの温度で焼結してなるこ
とを特徴とする磁器組成物の製造方法である。
（Ｍｇ１／２ ・Ｗ１７２ ） ０３ ］ 、チタン酸
鉛［ＰｂＴ ｉ○３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐ
ｂ （Ｎ ｉ １／３・Ｎ ｂ２７３ ＞ ０３］から
なる３成分組成物を、［Ｐｂ（ＭＣ１１／２・Ｗｌ／２
＞０３］ ［ＰｂＴｉＯ３］ ［Ｐｂ（Ｎｉ１／
３ｙ Ｎ ｂ２７３ ） ０３ ］ ｚと表したときに（ただ
しＸ十Ｖ＋Ｚ＝ １．００）、この３成分組成図におい
て、以下の組成点、 ｘ＝ ０．１５ 、 ｙ＝ ０．４０ 、 ｚ＝ ０．
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、 ｚ＝ ０．３５ ）・・・ｂｘ＝ ０．４０ 、
ｙ＝ ０．５０ 、 ｚ＝ ０．１０ ）・・・Ｃｘ＝
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ｚ＝ ０．２０ ）−ｅｘ＝ ０．２５ 、 ｙ＝
０．３０ 、 ｚ＝ ０．４５ ）・・・ｆの各点を結
ぶ線上、およびこの６点に囲まれる組成範囲内にある主
成分組成物に、副成分として酸化マグネシウム（ＭｇＯ
）を主成分に対して０、０１〜１０重量％添加した仮焼
粉末を１０００〜１１５０°Ｃの温度で焼結してなるこ
とを特徴とする磁器組成物の製造方法である。
本発明における主成分組成範囲を表す３成分組成図は第
１図で示される。図中、（ａＬ （ｂ）、 （ＣＬ（ｄ
Ｌ （ｅ）および（ｆ）は各組成点を表し、本発明に含
まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲およびその境界線
上でおる。
１図で示される。図中、（ａＬ （ｂ）、 （ＣＬ（ｄ
Ｌ （ｅ）および（ｆ）は各組成点を表し、本発明に含
まれる組成範囲は図の斜線で示す範囲およびその境界線
上でおる。
なお、本発明の成分組成範囲外である場合、および成分
組成範囲内でも焼結温度が本発明の方法の温度範囲外で
ある場合は、誘電率が低くなったり、誘電率の温度変化
が大きくなったりするため、前述のように組成範囲と焼
結温度が限定されるものである。
組成範囲内でも焼結温度が本発明の方法の温度範囲外で
ある場合は、誘電率が低くなったり、誘電率の温度変化
が大きくなったりするため、前述のように組成範囲と焼
結温度が限定されるものである。
また、本発明の方法による焼結温度は比較的低いため、
積層セラミックコンデンサに用いた場合、内部電極とし
ては高価な白金やパラジウムではなく、安価な銀パラジ
ウム系の材料を用いることができ、＠層セラミックコン
デンサのＨａミコスト低く抑えることができる。
積層セラミックコンデンサに用いた場合、内部電極とし
ては高価な白金やパラジウムではなく、安価な銀パラジ
ウム系の材料を用いることができ、＠層セラミックコン
デンサのＨａミコスト低く抑えることができる。
［実施例］
次に、本発明の実施例について説明する。
出発原料として純度９９．９％以上の酸化鉛（ＰｂＯ）
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化タングステン
（ＷＯ３） 、ａ化チタン（Ｔ０２〉、酸化ニッケル（
Ｎｉｐ＞および五酸化ニオブ（Ｎｂｚ Ｏｓ ）を使用
し、表−１に示した配合比となるように各々秤量する。
、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、三酸化タングステン
（ＷＯ３） 、ａ化チタン（Ｔ０２〉、酸化ニッケル（
Ｎｉｐ＞および五酸化ニオブ（Ｎｂｚ Ｏｓ ）を使用
し、表−１に示した配合比となるように各々秤量する。
次に秤量した原料をボールミル中で湿式混合した後、７
５０〜８００℃で予焼を行い、この粉末をポルミルで粉
砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒後プレ
スし、直径１８ｍｍ 、厚さ２ｍｍの円板２０枚を作製
した。次にこれらの円板を空気中、表−１に示すような
焼成温度で１時間焼結した。焼結した円板試料の上下面
に銀電極を６００ ’Ｃで焼付け、デジタルＬＣＲメ〜
りで周波＠１ＫＨ２、電圧ｉＶｒ、ｍ、Ｓ、 、温度−
５５〜１２５℃で容量と誘電損失を測定し、これをもと
に誘電率の温度変化を韓出した。
５０〜８００℃で予焼を行い、この粉末をポルミルで粉
砕し、濾過、乾燥後、有機バインダを入れて整粒後プレ
スし、直径１８ｍｍ 、厚さ２ｍｍの円板２０枚を作製
した。次にこれらの円板を空気中、表−１に示すような
焼成温度で１時間焼結した。焼結した円板試料の上下面
に銀電極を６００ ’Ｃで焼付け、デジタルＬＣＲメ〜
りで周波＠１ＫＨ２、電圧ｉＶｒ、ｍ、Ｓ、 、温度−
５５〜１２５℃で容量と誘電損失を測定し、これをもと
に誘電率の温度変化を韓出した。
次に超絶縁計を用い、５０ Ｖの電圧を１分間印加して
、絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。
、絶縁抵抗を温度２０℃で測定し、比抵抗を算出した。
各組成に対応する特性は試料４点の平均値より求めた。
このようにして得られた磁器組成物の配合比と誘電率、
誘電損失および比抵抗との関係を表−１に示す。
誘電損失および比抵抗との関係を表−１に示す。
表−１に示した結果から明らかなように、本発明の方法
により得られた磁器組成物は、誘電率が２０℃において
３０００以上と高く、誘電損失、比抵抗も実用的な水準
を満たしており、かつ誘電率の温度変化が一５５〜１２
５℃の温度範囲で、２０’Ｃの誘電率を基準とした場合
に極めて小さく温度安定性が優れており、セラミックコ
ンデンサ用磁器組成物として優れた材料である。
により得られた磁器組成物は、誘電率が２０℃において
３０００以上と高く、誘電損失、比抵抗も実用的な水準
を満たしており、かつ誘電率の温度変化が一５５〜１２
５℃の温度範囲で、２０’Ｃの誘電率を基準とした場合
に極めて小さく温度安定性が優れており、セラミックコ
ンデンサ用磁器組成物として優れた材料である。
（以下余白）
［発明の効果］
本発明の方法により得られる磁器組成物は良好な誘電損
失、比抵抗の値を備え、誘電率が高く、かつその温度変
化が極めて小さいものである。このため、単位体積当り
の容量が大きく、かつ容量の温度変化の小さいセラミッ
クコンデンサ、特に積層セラミックコンデンサを実現す
るのに好適な磁器組成物である。
失、比抵抗の値を備え、誘電率が高く、かつその温度変
化が極めて小さいものである。このため、単位体積当り
の容量が大きく、かつ容量の温度変化の小さいセラミッ
クコンデンサ、特に積層セラミックコンデンサを実現す
るのに好適な磁器組成物である。
第１図は本発明の主成分組成範囲を゛示す３成分系組成
図である。
図である。
Claims (1)
- （１）マグネシウム・タングステン酸鉛［Ｐｂ（Ｍｇ＿
１＿／＿２・Ｗ＿１＿／＿２）Ｏ＿３］、チタン酸鉛［
ＰｂＴｉＯ＿３］およびニッケル・ニオブ酸鉛［Ｐｂ（
Ｎｉ＿１＿／＿３・Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］からな
る３成分組成物を、［Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿２・Ｗ＿１
＿／＿２）Ｏ＿３］＿ｘ［ＰｂＴｉＯ＿３］＿ｙ［Ｐｂ
（Ｎｉ＿１＿／＿３・Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３］＿ｚ
と表したときに（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）、この
３成分組成図において、以下の組成点、 （ｘ＝０．１５，ｙ＝０．４０，ｚ＝０．４５）（ｘ＝
０．１５，ｙ＝０．５０，ｚ＝０．３５）（ｘ＝０．４
０，ｙ＝０．５０，ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ
＝０．４０，ｚ＝０．１０）（ｘ＝０．５０，ｙ＝０．
３０，ｚ＝０．２０）（ｘ＝０．２５，ｙ＝０．３０，
ｚ＝０．４５）の各点を結ぶ線上、およびこの６点に囲
まれる組成範囲内にある主成分組成物に、副成分として
酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分に対して０．０１
〜１０重量％添加した仮焼粉末を１０００〜１１５０℃
の温度で焼結してなることを特徴とする磁器組成物の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243957A JPH0292856A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63243957A JPH0292856A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁器組成物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0292856A true JPH0292856A (ja) | 1990-04-03 |
Family
ID=17111555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63243957A Pending JPH0292856A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0292856A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136952A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-24 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP63243957A patent/JPH0292856A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61136952A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-24 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
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