JPH02226613A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH02226613A JPH02226613A JP1044731A JP4473189A JPH02226613A JP H02226613 A JPH02226613 A JP H02226613A JP 1044731 A JP1044731 A JP 1044731A JP 4473189 A JP4473189 A JP 4473189A JP H02226613 A JPH02226613 A JP H02226613A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電率が2
500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が
小さく、比抵抗が1010Ω印以上と大きい誘電体磁器
組成物に関する。
500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が
小さく、比抵抗が1010Ω印以上と大きい誘電体磁器
組成物に関する。
(従来技術および発明が解決しようとする課題)従来、
高誘電率系磁器コンデンサ材料としてBaTio、を主
体とした誘電体磁器組成物がある。
高誘電率系磁器コンデンサ材料としてBaTio、を主
体とした誘電体磁器組成物がある。
しかし、これらの磁器組成物においては、温度に対する
静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃〜+
85℃においてΔC/ Ct。=±10%)を満足する
ものは室温での誘電率が2000と低い。
静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃〜+
85℃においてΔC/ Ct。=±10%)を満足する
ものは室温での誘電率が2000と低い。
一方、鉛複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物において
、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以
下という組成物はすでに知られている。しかし、これら
の組成物は、温度に対する静電容量の変化率が一25℃
〜+85℃の範囲で一50%〜+30%と大きい欠点を
有していた。
、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以
下という組成物はすでに知られている。しかし、これら
の組成物は、温度に対する静電容量の変化率が一25℃
〜+85℃の範囲で一50%〜+30%と大きい欠点を
有していた。
そこで、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ
高誘電率である組成物が望まれていた。
高誘電率である組成物が望まれていた。
また、酸化鉛を含む誘電体磁器組成物を用いて積層コン
デンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間に
内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を還
元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわれ
るために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で焼
成しても酸化。
デンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間に
内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を還
元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわれ
るために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で焼
成しても酸化。
溶解せず、また誘電体と反応しない安定な銀−パラジウ
ム合金等の貴金属が一般的に用いられる。
ム合金等の貴金属が一般的に用いられる。
しかしながら、銀−パラジウム合金の材料は高価であり
、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化したり
、導電率が小さいため等個直列抵抗が大きくなるなどの
欠点を有している。
、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化したり
、導電率が小さいため等個直列抵抗が大きくなるなどの
欠点を有している。
つまり、積層コンデンサには、第1に誘電体磁器が高誘
電率であること、第2に誘電体磁器の温度に対する静電
容量の変化率が小さいこと、第3にマイグレーションの
心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられるこ
との3点が望まれている。また、上述の第3の要望に答
える電極として、安価な銅または銅系の合金材料がある
が、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成しても
比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
電率であること、第2に誘電体磁器の温度に対する静電
容量の変化率が小さいこと、第3にマイグレーションの
心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられるこ
との3点が望まれている。また、上述の第3の要望に答
える電極として、安価な銅または銅系の合金材料がある
が、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成しても
比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、高誘電率を有し
、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還元
雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成物
を提供することである。
、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還元
雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成物
を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、P b (M g l/l Wl/□)
0.−PbTio、の組成物を構成する個々の化合物の
配合比(モル%)が、それぞれ、P b (Mg+7z
WI/l )03 : 55.O〜70.0.Pb
Ti0a:30.0〜45.0の範囲にある主成分を1
゜0重量%とじたとき、副成分としてZnOを0゜1重
量%以上2.0重量%以下の範囲内で含有する誘電体成
分に、一般弐aL i2 o十b (RO)+c132
03 +(1a b c) Stowで表される成
分において、a、b、cの値が、それぞれ、0≦a<Q
、 2.0.1≦bo0.55、O≦c<9.4 (
ただし、ROは、Bad、Ca03rOおよびMgOの
中の1種以上)の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用
還元防止剤を0゜05重量%以上6重量%以下含有する
、誘電体磁器組成物である。
0.−PbTio、の組成物を構成する個々の化合物の
配合比(モル%)が、それぞれ、P b (Mg+7z
WI/l )03 : 55.O〜70.0.Pb
Ti0a:30.0〜45.0の範囲にある主成分を1
゜0重量%とじたとき、副成分としてZnOを0゜1重
量%以上2.0重量%以下の範囲内で含有する誘電体成
分に、一般弐aL i2 o十b (RO)+c132
03 +(1a b c) Stowで表される成
分において、a、b、cの値が、それぞれ、0≦a<Q
、 2.0.1≦bo0.55、O≦c<9.4 (
ただし、ROは、Bad、Ca03rOおよびMgOの
中の1種以上)の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用
還元防止剤を0゜05重量%以上6重量%以下含有する
、誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、温度に対する静電容量の変化率が小
さくかつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が酸
化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電損
失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物が
得られる。
さくかつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が酸
化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電損
失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物が
得られる。
くわしり蓮べると、この発明に係る組成物の主成分であ
るP b CMg+y* Wlyz ) Os P
bTlo、系誘電体磁器組成物については、N、N。
るP b CMg+y* Wlyz ) Os P
bTlo、系誘電体磁器組成物については、N、N。
Kraink and A、 I 、 Agraro
vskaya (Fizik。
vskaya (Fizik。
Tverdogo Te1a + Vo 2. No
1. pp70〜72 Jarnary、 1960
)によって提案されているが、容量温度変化率が±50
%と大きく、かつ比抵抗に関することは述べられていな
い。
1. pp70〜72 Jarnary、 1960
)によって提案されているが、容量温度変化率が±50
%と大きく、かつ比抵抗に関することは述べられていな
い。
それに対して、この発明では、Pb(Mg+z□W!/
! ) Os P b T i 03よりなる2成分
系にZnOを添加した誘電体成分と鉛複合ペロブスカイ
ト用還元防止剤とを混合することで、誘電率が2500
以上と高く、温度に対する静電容量の変化率がJIS規
格のB特性(−25℃〜+85℃においてΔC/C,。
! ) Os P b T i 03よりなる2成分
系にZnOを添加した誘電体成分と鉛複合ペロブスカイ
ト用還元防止剤とを混合することで、誘電率が2500
以上と高く、温度に対する静電容量の変化率がJIS規
格のB特性(−25℃〜+85℃においてΔC/C,。
=±10%)を満足し、かつ比抵抗が1010Ω口以上
であり、焼成温度が900〜1050℃と低く、銅電極
が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体
磁器組成物が得られたのである。
であり、焼成温度が900〜1050℃と低く、銅電極
が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体
磁器組成物が得られたのである。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
鉛複合ペロブスカイトの誘電体の原料として、P bz
O4r M g O+ WO3+ T t 02 、
Z n O、Mn0tを、別表1および別表2に示す組
成となるように秤量し、それらをボールミルで16時時
間式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
O4r M g O+ WO3+ T t 02 、
Z n O、Mn0tを、別表1および別表2に示す組
成となるように秤量し、それらをボールミルで16時時
間式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて680℃
で2時間焼成した後、200メツシ゛ユの篩を通過する
ように粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した
。
で2時間焼成した後、200メツシ゛ユの篩を通過する
ように粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した
。
さらに、別表1および別表2に示した組成の鉛複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで16時時間式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で1時間放置してから急冷してガ
ラス化した後、200メツシユの篩を通過するように粗
粉砕して、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備し
た。
ブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで16時時間式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で1時間放置してから急冷してガ
ラス化した後、200メツシユの篩を通過するように粗
粉砕して、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備し
た。
次に、準備した鉛複合ペロブスカイト粉末に鉛複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表1お
よび別表2に示す割合で添加し、これにポリビニルブチ
ラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミル
で16時時間式混合した。そして、これをドクタープレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥後
、そのグリーンシートを適当な大きさにカントした。そ
れから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷法
で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着し
積層した。
ブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表1お
よび別表2に示す割合で添加し、これにポリビニルブチ
ラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミル
で16時時間式混合した。そして、これをドクタープレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥後
、そのグリーンシートを適当な大きさにカントした。そ
れから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷法
で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着し
積層した。
圧着したグリーンシートをきまった規格にカットした後
、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布して、
積層性ユニットを形成した。
、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布して、
積層性ユニットを形成した。
このようにして形成した積層性ユニットを、Hz、Hz
OおよびN2の混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない
還元雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜105
0℃で2時間焼成して、積層コンデンサ(試料)を得た
。
OおよびN2の混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない
還元雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜105
0℃で2時間焼成して、積層コンデンサ(試料)を得た
。
得られた積層コンデンサ(試料)について、ふくしん液
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
。
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
。
また、各試料について、25℃の温度におけるIKHz
、lVrmsでの誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)
、比抵抗および一25〜+85℃の温度範囲で+20℃
を基準にした誘電率の温度特性を測定した。この測定結
果を別表1および別表2に示した。
、lVrmsでの誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)
、比抵抗および一25〜+85℃の温度範囲で+20℃
を基準にした誘電率の温度特性を測定した。この測定結
果を別表1および別表2に示した。
別表1および別表2において、温度特性について、B、
C,DおよびFの各特性はJIS規格による温度特性を
意味し、各特性について詳細に説明すれば次のとおりで
ある。
C,DおよびFの各特性はJIS規格による温度特性を
意味し、各特性について詳細に説明すれば次のとおりで
ある。
B特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一10〜+10%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一10〜+10%を超えない。
C特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一20〜+20%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一20〜+20%を超えない。
D特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一30〜+20%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一30〜+20%を超えない。
F特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一80〜+30%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一80〜+30%を超えない。
なお、別表1および別表2中、*印を付したものはこの
発明の範囲外のものである。
発明の範囲外のものである。
次に、この発明にかかる組成物の組成範囲を限定した理
由について説明する。
由について説明する。
まず、主成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
pb((Mg+z□W+/2 ) z T i +−m
) C++ (ただし、0≦2≦1)と表した場合
に、2が0゜55より小さい場合または2が0.70よ
り大きい場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤
を混合した時、誘電率が2500より小さくなり、かつ
温度に対する静電容量の変化率がJIS規格のB特性(
−25℃から+85℃においてΔC/C2゜=±lO%
)を満足しないので好ましくない(試料番号1〜3およ
び10〜12参照)。
) C++ (ただし、0≦2≦1)と表した場合
に、2が0゜55より小さい場合または2が0.70よ
り大きい場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤
を混合した時、誘電率が2500より小さくなり、かつ
温度に対する静電容量の変化率がJIS規格のB特性(
−25℃から+85℃においてΔC/C2゜=±lO%
)を満足しないので好ましくない(試料番号1〜3およ
び10〜12参照)。
次に、副成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
ZnOの添加量が主成分100重量%に対して0.1重
量%より少ない場合には、比抵抗が1010Ω口より小
さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS
規格のB特性を満足しないので好ましくない(試料番号
13参照)。
量%より少ない場合には、比抵抗が1010Ω口より小
さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS
規格のB特性を満足しないので好ましくない(試料番号
13参照)。
一方、ZnOの添加量が2.0重量%より多い場合には
、鉛複合ペロプスカイト用還元防止剤を混合した時、誘
電率が2500未満になり、かつ温度に対する静電容量
の変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好まし
くない(試料番号16参照)。
、鉛複合ペロプスカイト用還元防止剤を混合した時、誘
電率が2500未満になり、かつ温度に対する静電容量
の変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好まし
くない(試料番号16参照)。
さらに、M n Otの添加量が主成分100重量%に
対して1.5重量%より多い場合には、誘電損失が5%
を超え、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS規
格のB特性を満足しなく、比抵抗が19109口より小
さくなるので好ましくない(試料番号19参照)。
対して1.5重量%より多い場合には、誘電損失が5%
を超え、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS規
格のB特性を満足しなく、比抵抗が19109口より小
さくなるので好ましくない(試料番号19参照)。
次に、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤の組成範囲を
限定した理由について説明する。
限定した理由について説明する。
つまり、b (RO)が10モル%未満では、鉛系複合
ペロブスカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧(
たとえば1000℃、約I Q−’a tm以下)で焼
成することができない(試料番号36.37.38.3
9参照)。
ペロブスカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧(
たとえば1000℃、約I Q−’a tm以下)で焼
成することができない(試料番号36.37.38.3
9参照)。
また、b (RO)が10モル%未満では、誘電損失が
5%より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好ま
しくない(試料番号36,37,38.39参照)。
5%より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好ま
しくない(試料番号36,37,38.39参照)。
一方、b (RO)が55モル%以上では、焼成温度が
1050℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすた
めこの発明の目的を達成することができなくなってしま
う(試料番号2B、 29. 30.31参照)。
1050℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすた
めこの発明の目的を達成することができなくなってしま
う(試料番号2B、 29. 30.31参照)。
また、a(Li*o)が20モル%以上あるいはc (
B! 03 )が40モル%以上の場合には、誘電体特
性が著しく損なわれたり、焼成が完了する前に軟化変形
したりしてしまう(試料番号44および46参照)。
B! 03 )が40モル%以上の場合には、誘電体特
性が著しく損なわれたり、焼成が完了する前に軟化変形
したりしてしまう(試料番号44および46参照)。
最後に、鉛複合ペロプスカイト用還元防止剤の添加量を
0.05重量%以上6重量%以下に限定した理由につい
て説明する。すなわち、その添加量を0.05重量%未
満にした場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣化す
る(試料番号22および23参照)。一方、その添加量
が6重量%を超える場合には、誘電率が2500より小
さくなって好ましくない(試料番号51参照)。
0.05重量%以上6重量%以下に限定した理由につい
て説明する。すなわち、その添加量を0.05重量%未
満にした場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣化す
る(試料番号22および23参照)。一方、その添加量
が6重量%を超える場合には、誘電率が2500より小
さくなって好ましくない(試料番号51参照)。
なお、約1(1’atmより高酸素分圧で焼成すれば、
銅電極が酸化してしまうので好ましくない(試料番号2
1参照)。
銅電極が酸化してしまうので好ましくない(試料番号2
1参照)。
別表1および別表2に示す結果から明らかなように、こ
の発明によれば、誘電率が2500以上と高<JIS規
格のB特性を満足し、かつ比抵抗がIQl11ΩG以上
であり、最適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅
電極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘
電体磁器組成物が得られることがわかる。
の発明によれば、誘電率が2500以上と高<JIS規
格のB特性を満足し、かつ比抵抗がIQl11ΩG以上
であり、最適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅
電極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘
電体磁器組成物が得られることがわかる。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3−
PbTiOの組成物を構成する個々の化合物の配合比(
モル%)が、それぞれ、 Pb(Mg_1_/_2W_1/_2)O_3:55.
0〜70.0PbTiO_3:30.0〜45.0 の範囲にある主成分を100重量%としたとき、副成分
としてZnOを0.1重量%以上2.0重量%以下の範
囲内で含有する誘電体成分に、一般式aLi_2O+b
(RO)+cB_2O_3+(1−a−b−c)SiO
_2で表される成分において、 a,b,cの値が、それぞれ、 0≦a<0.2 0.1≦b<0.55 0≦c<0.4 (ただし、ROは、BaO,CaO,SrOおよびMg
Oの中の1種以上) の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を0
.05重量%以上6重量%以下含有する、誘電体磁器組
成物。 2 さらに、前記主成分100重量%に対して、Mnを
MnO_2に換算して1.5重量%以下含有する、特許
請求の範囲第1項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044731A JPH0817058B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044731A JPH0817058B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02226613A true JPH02226613A (ja) | 1990-09-10 |
JPH0817058B2 JPH0817058B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=12699592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1044731A Expired - Fee Related JPH0817058B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0817058B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044731A patent/JPH0817058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0817058B2 (ja) | 1996-02-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |