JPH02226613A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents

誘電体磁器組成物

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JPH02226613A
JPH02226613A JP1044731A JP4473189A JPH02226613A JP H02226613 A JPH02226613 A JP H02226613A JP 1044731 A JP1044731 A JP 1044731A JP 4473189 A JP4473189 A JP 4473189A JP H02226613 A JPH02226613 A JP H02226613A
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森 嘉朗
Masaru Fujino
優 藤野
Hiroshi Takagi
洋 鷹木
Yukio Sakabe
行雄 坂部
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電率が2
500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が
小さく、比抵抗が1010Ω印以上と大きい誘電体磁器
組成物に関する。
(従来技術および発明が解決しようとする課題)従来、
高誘電率系磁器コンデンサ材料としてBaTio、を主
体とした誘電体磁器組成物がある。
しかし、これらの磁器組成物においては、温度に対する
静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃〜+
85℃においてΔC/ Ct。=±10%)を満足する
ものは室温での誘電率が2000と低い。
一方、鉛複合ペロブスカイト誘電体磁器組成物において
、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以
下という組成物はすでに知られている。しかし、これら
の組成物は、温度に対する静電容量の変化率が一25℃
〜+85℃の範囲で一50%〜+30%と大きい欠点を
有していた。
そこで、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ
高誘電率である組成物が望まれていた。
また、酸化鉛を含む誘電体磁器組成物を用いて積層コン
デンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間に
内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を還
元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわれ
るために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で焼
成しても酸化。
溶解せず、また誘電体と反応しない安定な銀−パラジウ
ム合金等の貴金属が一般的に用いられる。
しかしながら、銀−パラジウム合金の材料は高価であり
、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化したり
、導電率が小さいため等個直列抵抗が大きくなるなどの
欠点を有している。
つまり、積層コンデンサには、第1に誘電体磁器が高誘
電率であること、第2に誘電体磁器の温度に対する静電
容量の変化率が小さいこと、第3にマイグレーションの
心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられるこ
との3点が望まれている。また、上述の第3の要望に答
える電極として、安価な銅または銅系の合金材料がある
が、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成しても
比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、高誘電率を有し
、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還元
雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成物
を提供することである。
(課題を解決するための手段) この発明は、P b  (M g l/l Wl/□)
0.−PbTio、の組成物を構成する個々の化合物の
配合比(モル%)が、それぞれ、P b (Mg+7z
 WI/l )03  : 55.O〜70.0.Pb
Ti0a:30.0〜45.0の範囲にある主成分を1
゜0重量%とじたとき、副成分としてZnOを0゜1重
量%以上2.0重量%以下の範囲内で含有する誘電体成
分に、一般弐aL i2 o十b (RO)+c132
03 +(1a  b  c) Stowで表される成
分において、a、b、cの値が、それぞれ、0≦a<Q
、  2.0.1≦bo0.55、O≦c<9.4 (
ただし、ROは、Bad、Ca03rOおよびMgOの
中の1種以上)の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用
還元防止剤を0゜05重量%以上6重量%以下含有する
、誘電体磁器組成物である。
(発明の効果) この発明によれば、温度に対する静電容量の変化率が小
さくかつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が酸
化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電損
失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物が
得られる。
くわしり蓮べると、この発明に係る組成物の主成分であ
るP b CMg+y* Wlyz ) Os  P 
bTlo、系誘電体磁器組成物については、N、N。
Kraink and A、  I 、 Agraro
vskaya  (Fizik。
Tverdogo Te1a + Vo 2. No 
1. pp70〜72 Jarnary、  1960
)によって提案されているが、容量温度変化率が±50
%と大きく、かつ比抵抗に関することは述べられていな
い。
それに対して、この発明では、Pb(Mg+z□W!/
! ) Os  P b T i 03よりなる2成分
系にZnOを添加した誘電体成分と鉛複合ペロブスカイ
ト用還元防止剤とを混合することで、誘電率が2500
以上と高く、温度に対する静電容量の変化率がJIS規
格のB特性(−25℃〜+85℃においてΔC/C,。
=±10%)を満足し、かつ比抵抗が1010Ω口以上
であり、焼成温度が900〜1050℃と低く、銅電極
が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電体
磁器組成物が得られたのである。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
(実施例) 鉛複合ペロブスカイトの誘電体の原料として、P bz
 O4r M g O+ WO3+ T t 02 、
Z n O、Mn0tを、別表1および別表2に示す組
成となるように秤量し、それらをボールミルで16時時
間式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて680℃
で2時間焼成した後、200メツシ゛ユの篩を通過する
ように粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した
さらに、別表1および別表2に示した組成の鉛複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで16時時間式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で1時間放置してから急冷してガ
ラス化した後、200メツシユの篩を通過するように粗
粉砕して、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備し
た。
次に、準備した鉛複合ペロブスカイト粉末に鉛複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表1お
よび別表2に示す割合で添加し、これにポリビニルブチ
ラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミル
で16時時間式混合した。そして、これをドクタープレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥後
、そのグリーンシートを適当な大きさにカントした。そ
れから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷法
で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着し
積層した。
圧着したグリーンシートをきまった規格にカットした後
、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布して、
積層性ユニットを形成した。
このようにして形成した積層性ユニットを、Hz、Hz
OおよびN2の混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない
還元雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜105
0℃で2時間焼成して、積層コンデンサ(試料)を得た
得られた積層コンデンサ(試料)について、ふくしん液
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
また、各試料について、25℃の温度におけるIKHz
、lVrmsでの誘電率(ε)、誘電損失(tanδ)
、比抵抗および一25〜+85℃の温度範囲で+20℃
を基準にした誘電率の温度特性を測定した。この測定結
果を別表1および別表2に示した。
別表1および別表2において、温度特性について、B、
C,DおよびFの各特性はJIS規格による温度特性を
意味し、各特性について詳細に説明すれば次のとおりで
ある。
B特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一10〜+10%を超えない。
C特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一20〜+20%を超えない。
D特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一30〜+20%を超えない。
F特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一80〜+30%を超えない。
なお、別表1および別表2中、*印を付したものはこの
発明の範囲外のものである。
次に、この発明にかかる組成物の組成範囲を限定した理
由について説明する。
まず、主成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
pb((Mg+z□W+/2 ) z T i +−m
 ) C++  (ただし、0≦2≦1)と表した場合
に、2が0゜55より小さい場合または2が0.70よ
り大きい場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤
を混合した時、誘電率が2500より小さくなり、かつ
温度に対する静電容量の変化率がJIS規格のB特性(
−25℃から+85℃においてΔC/C2゜=±lO%
)を満足しないので好ましくない(試料番号1〜3およ
び10〜12参照)。
次に、副成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
ZnOの添加量が主成分100重量%に対して0.1重
量%より少ない場合には、比抵抗が1010Ω口より小
さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS
規格のB特性を満足しないので好ましくない(試料番号
13参照)。
一方、ZnOの添加量が2.0重量%より多い場合には
、鉛複合ペロプスカイト用還元防止剤を混合した時、誘
電率が2500未満になり、かつ温度に対する静電容量
の変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好まし
くない(試料番号16参照)。
さらに、M n Otの添加量が主成分100重量%に
対して1.5重量%より多い場合には、誘電損失が5%
を超え、かつ温度に対する静電容量の変化率がJIS規
格のB特性を満足しなく、比抵抗が19109口より小
さくなるので好ましくない(試料番号19参照)。
次に、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤の組成範囲を
限定した理由について説明する。
つまり、b (RO)が10モル%未満では、鉛系複合
ペロブスカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧(
たとえば1000℃、約I Q−’a tm以下)で焼
成することができない(試料番号36.37.38.3
9参照)。
また、b (RO)が10モル%未満では、誘電損失が
5%より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好ま
しくない(試料番号36,37,38.39参照)。
一方、b (RO)が55モル%以上では、焼成温度が
1050℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすた
めこの発明の目的を達成することができなくなってしま
う(試料番号2B、  29. 30.31参照)。
また、a(Li*o)が20モル%以上あるいはc (
B! 03 )が40モル%以上の場合には、誘電体特
性が著しく損なわれたり、焼成が完了する前に軟化変形
したりしてしまう(試料番号44および46参照)。
最後に、鉛複合ペロプスカイト用還元防止剤の添加量を
0.05重量%以上6重量%以下に限定した理由につい
て説明する。すなわち、その添加量を0.05重量%未
満にした場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣化す
る(試料番号22および23参照)。一方、その添加量
が6重量%を超える場合には、誘電率が2500より小
さくなって好ましくない(試料番号51参照)。
なお、約1(1’atmより高酸素分圧で焼成すれば、
銅電極が酸化してしまうので好ましくない(試料番号2
1参照)。
別表1および別表2に示す結果から明らかなように、こ
の発明によれば、誘電率が2500以上と高<JIS規
格のB特性を満足し、かつ比抵抗がIQl11ΩG以上
であり、最適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅
電極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘
電体磁器組成物が得られることがわかる。
特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3−
    PbTiOの組成物を構成する個々の化合物の配合比(
    モル%)が、それぞれ、 Pb(Mg_1_/_2W_1/_2)O_3:55.
    0〜70.0PbTiO_3:30.0〜45.0 の範囲にある主成分を100重量%としたとき、副成分
    としてZnOを0.1重量%以上2.0重量%以下の範
    囲内で含有する誘電体成分に、一般式aLi_2O+b
    (RO)+cB_2O_3+(1−a−b−c)SiO
    _2で表される成分において、 a,b,cの値が、それぞれ、 0≦a<0.2 0.1≦b<0.55 0≦c<0.4 (ただし、ROは、BaO,CaO,SrOおよびMg
    Oの中の1種以上) の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を0
    .05重量%以上6重量%以下含有する、誘電体磁器組
    成物。 2 さらに、前記主成分100重量%に対して、Mnを
    MnO_2に換算して1.5重量%以下含有する、特許
    請求の範囲第1項記載の誘電体磁器組成物。
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