DE4005507C2

DE4005507C2 - Dielektrische keramische Zusammensetzung

Info

Publication number: DE4005507C2
Application number: DE4005507A
Authority: DE
Inventors: Yoshiaki Mori; Masaru Fujino; Hiroshi Takagi; Yukio Sakabe
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1989-02-23
Filing date: 1990-02-21
Publication date: 1998-07-02
Anticipated expiration: 2010-02-22
Also published as: DE4005507A1; US4985381A; JPH02226612A; JPH0817054B2

Description

Dielektrische keramische Zusammensetzung Die vorliegende Erfindung betrifft, eine dielektrische keramische Zusammensetzung und insbesondere eine dielek trische keramische Zusammensetzung mit einer hohen Dielektrizitätskonstante von 2500 und einer geringen Änderungsrate der Kapazität mit der Temperatur sowie einem hohen spezifischen Widerstand von nicht weniger als 10¹⁰Ωcm.

Als Material mit hoher Dielektrizitäts konstante für Kondensatoren wurden verschiedene dielek trische keramische Zusammensetzungen vorgeschlagen, die hauptsächtlich Bariumtitanat enthalten. Beispielsweise offenbart die JP-OS 58-60671 eine dielektrische Zusammen setzung eines ternären Systems Pb (Mg_1/2W_1/2)O₃-PbTiO₃-PbZrO₃. Eine derartige keramische Zusammensetzung macht es möglich, keramische Kondensato ren mit einer kleinen Änderungsrate der Kapazität mit der Temperatur herzustellen, die die B-Kennzeichnungs bedingungen erfüllt, die durch die Japanische Industrie- Norm (JIS) aufgestellt worden sind, jedoch ist ihre Dielektrizitätskonstante bei Raumtemperatur klein und liegt in der Größenordnung von etwa 2000, wodurch es schwierig wird, keramische Kondensatoren mit einem hohen Verhältnis der Kapazität zum Volumen herzustellen.

Auf der anderen Seite sind dielektrische keramische Zusammensetzungen auf der Basis komplexer Perowskit- Blei-Verbindungen mit einer Dielektrizitätskonstante, die nicht kleiner ist als 10000, und einer niedrigen Sintertemperatur von nicht mehr als 1050°C bekannt. Wenn jedoch eine solche Zusammensetzung auf monolithi sche keramische Kondensatoren aufgebracht wird, haben diese eine hohe Änderungsrate der Kapazität mit der Temperatur von -50% bis +30% im Bereich der Arbeits temperaturen von -25°C bis +85°C.

Somit besteht ein zunehmendes Bedürfnis nach der Ent wicklung einer dielektrischen keramischen Zusammenset zung mit einer kleinen Temperatur-Änderungsrate der Kapazität und einer hohen Dielektrizitätskonstante.

Die keramischen Kondensatoren werden im allgemeinen her gestellt durch die Schritte des Herstellens keramischer grüner Flächengebilde, des Bildens einer Schicht einer Metall-Paste für eine innere Elektrode auf einer ebenen Oberfläche jedes keramischen grünen Flächengebildes, des Stapelns und Pressens der grünen Flächengebilde zur Bildung eines mehrschichtigen grünen Keramik-Körpers und des Brennens des letzteren zur Bildung eines monolithi schen Sinterkeramik-Körpers mit inneren Elektroden. Die Blei-Verbindungen enthaltende dielektrische keramische Zusammensetzung wird in allgemeinen in einer oxidieren den Atmosphäre gebrannt, da ihre Isolier-Charakteristik beim Brennen in einer reduzierenden Atmosphäre gemindert wird. Da die inneren Elektroden zusammen mit der dielek trischen keramischen Zusammensetzung gebrannt werden, muß ein Material für die inneren Elektroden eine hohe Oxidationsbeständigkeit und einen hohen Schmelzpunkt besitzen und darf während des Brennens nicht mit den dielektrischen keramischen Material reagieren. Zu diesen Zweck werden Edelmetalle wie Platin oder Edelmetall- Legierungen wie Silber-Palladium-Legierungen als Mate rial für innere Elektroden eingesetzt.

Der Einsatz von Edelmetallen bedingt jedoch eine Steige rung der Produktionskosten der monolithischen kerami schen Kondensatoren. Wenn eine Silber-Palladium-Legie rung als Material für die inneren Elektroden eingesetzt wird, verursacht sie eine Wanderung des Silbers in die keramischen Schichten hinein, was zu einer Minderung der elektrischen Eigenschaften der Kondensatoren führt. Außerdem verursacht die Silber-Palladium-Legierung in folge ihrer niedrigen Leitfähigkeit eine Erhöhung des äquivalenten Reihen-Widerstands der Kondensatoren.

Zur Lösung dieser Probleme wird die Verwendung von Kupfer oder einer Kupfer-Legierung als Material für innere Elektroden in Erwägung gezogen, da diese Stoffe eine hohe Leitfähigkeit, jedoch einen niedrigen Preis, haben. Es ist jedoch erforderlich, das dielektrische Material in einer reduzierenden Atmosphäre bei niedriger Temperatur zu brennen, da Kupfer und seine Legierungen einen niedrigen Schmelzpunkt haben und in einer oxidie renden Atmosphäre leicht oxidiert werden. Aus diesem Grunde ist es notwendig, eine dielektrische keramische Zusammensetzung zu entwickeln, die eine hohe Dielektri zitätskonstante und einen hohen spezifischen Widerstand auch dann besitzt, wenn sie in einer reduzierenden Atmo sphäre gebrannt wird.

Demgemäß ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine dielektrische keramische Zusammensetzung verfügbar zu machen, die eine hohe Dielektrizitätskonstante, eine kleine Änderungsrate der Kapazität mit der Temperatur und einen hohen spezifischen Widerstand auch dann be sitzt, wenn sie in einer reduzierenden Atmosphäre ge brannt wird.

Diese und andere Ziele der vorliegenden Erfindung werden dadurch erreicht, daß eine dielektrische keramische Zusammensetzung bereitgestellt wird, die im wesentlichen aus einer Basis-Zusammensetzung aus einem ternären System Pb(Mg_1/2W_1/2)O₃-PbTiO₃-PbZrO₃ und 0,05 bis 6,5 Gew.-% eines in diese eingearbeiteten Antireduk tionsmittels besteht, wobei diese Basis-Zusammensetzung einen durch die allgemeine Formel

{x Pb(Mg_1/2W_1/2)O₃ + y PbTiO₃ + z PbZrO₃},

in der x, y und z prozentuale Stoffmengen-Anteile ("Mol- Prozente") der entsprechenden Komponenten bezeichnen, dargestellten Hauptbestandteil und 0,3 bis 2,0 Gew.-% ZnO, darin als Additiv enthalten, umfaßt, wobei der Hauptbestandteil eine Zusammensetzung hat, die in der beigefügten Figur in die Fläche eines Polygons ABCD fällt, das durch die Punkte

A (52,0, 44,0, 4,0), B (47,0, 38,0, 15,0),
C (44,0, 40,0, 16,0), D (49,0, 46,0, 5,0)

definiert wird, und wobei das Antireduktionsmittel eine durch die allgemeine Formel

α Li₂O + β RO + γ B₂O₃ + (1 - α - β - γ) SiO₂

dargestellte Zusammensetzung hat, worin RO wenigstens ein Oxid ist, das aus der aus BaO, CaO, SrO und MgO bestehenden Gruppe ausgewählt ist, α, β und γ Molenbrüche der betreffenden Komponenten sind, und jeweils einen Wert innerhalb der nachstehenden Bereiche annehmen: 0 < α < 0,2, 0,1 ≦ β < 0,55, 0 < γ < 0,4, worin
der Hauptbestandteil Manganoxid als Teil des Additivs in einer Menge von nicht mehr als 2,0 Gew.-%, angegeben als MnO₂, enthält.

Die dielektrische keramische Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung hat eine hohe Dielektrizitäts konstante von nicht weniger als 2500 und eine kleine Änderungsrate der Kapazität mit der Temperatur, die die Kennzeichnung B erfüllt, die durch JIS (Japanische Industrie-Norm) festgelegt ist. Außerdem besitzt die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung einen hohen spezifischen Widerstand von 10¹⁰Ωcm und einen kleinen dielektrischen Verlust von nicht mehr als 5%, da die Zusammensetzung auch beim Brennen in einer solchen redu zierenden Atmosphäre, in der Kupfer nicht oxidiert wird, kaum reduziert wird.

Das Antireduktionsmittel erniedrigt die Sintertemperatur der dielektrischen keramischen Basis-Zusammensetzung auf 900°C bis 1050°C und verhindert eine Reduktion dersel ben während des Brennens in einer reduzierenden Atmo sphäre. Somit macht es die Einarbeitung des Antireduk tionsmittels möglich, Kupfer oder eine Kupferlegierung als Material für innere Elektroden einzusetzen, was wiederum ermöglicht, eine Wanderung des Materials der inneren Elektroden in die dielektrische keramische Schicht zu verhindern sowie monolithische keramische Kondensatoren zu niedrigen Kosten zu produzieren.

Der Zusatz von ZnO mit oder ohne Manganoxiden zu dem Hauptbestandteil gestattet es, den dielektrischen Verlust zu erniedrigen sowie den spezifischen widerstand zu verbessern.

Die vorgenannten und weitere Ziele, Merkmale und Vor teile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgen den Beschreibung in Verbindung mit den Beispielen und der beigefügten Zeichnung deutlich.

Die Figur zeigt ein ternäres Phasendiagramm, in das der Bereich der Zusammensetzung für den Hauptbestandteil der dielektrischen keramischen Zusammensetzung gemäß der vorliegenden Erfindung eingezeichnet ist.

Beispiel 1

Unter Einsatz von Pb₃O₄, MgO, WO₃, TiO₂, ZrO₂, ZnO und MnO₂ als Rohstoffen wurden Mischungen der Rohstoffe hergestellt, um keramische Dielektrika zu erzeugen, die jeweils die in Tabelle 1A angegebenen Zusammensetzungen hatten. Jede erhaltene Mischung wurde 16 h mittels einer Kugelmühle nach dem Naßverfahren vermahlen und dann durch Eindampfen getrocknet. Das resultierende gemischte Pulver wurde in eine Zirconiumdioxid-Brennkapsel ge bracht, 2 h bei 680°C kalziniert, zerstoßen und dann vermahlen, wonach ein kalziniertes Pulver des kerami schen Dielektrikums auf der Basis komplexer Perowskit- Blei-Verbindungen mit einer Teilchengröße des Siebdurch gangs durch ein Sieb der Siebweite 0,074 mm hergestellt wurde.

Getrennt von der obigen Mischung wurde unter Einsatz von Li₂, CO₃, BaCO₃, CaCO₃, SrCO₃, MgO, B₂O₃, SiO₂ als Roh stoffen eine Mischung von Rohstoffen hergestellt, um ein Pulver eines Antireduktionsmittels zu erzeugen, das aus 5 Mol-% Li₂O, 15 Mol-% BaO, 15 Mol-% CaO, 10 Mol-% SrO, 5 Mol-% MgO, 20 Mol-% B₂O₃ und 30 Mol-% SiO₂ bestand. Die resultierende Mischung wurde 16 h mittels einer Kugelmühle nach dem Naßverfahren vermahlen und dann durch Eindampfen getrocknet. Das resultierende Pulver gemisch wurde in einen Aluminiumoxid-Tiegel gefüllt, 1 h bei 1300°C gehalten, durch rasches Abkühlen glasig er starren gelassen und dann vermahlen, wodurch ein Pulver eines Antireduktionsmittels mit einer Teilchengröße des Siebdurchgangs durch ein Sieb der Siebweite 0,074 mm hergestellt wurde.

Das obige Pulver des keramischen Dielektrikums und das Antireduktionsmittel wurden in den Mengenverhältnissen miteinander vermischt, die in Tabelle 1A angegeben sind. Jede erhaltene Mischung wurde 16 h in einer Kugelmühle zusammen mit einer geeigneten Menge eines Polyvinyl butyral-Bindemittels und eines organischen Lösungsmit tels naß vermahlen, mit Hilfe des Rakel-Verfahrens zu einem Flächengebilde geformt, getrocknet und dann zer schnitten, um keramische grüne Blätter herzustellen.

Jedes keramische grüne Blatt wurde auf seiner einen ebenen Oberfläche durch Siebdruck mittels einer Kupfer- Paste, die Kupfer-Pulver von 1 bis 2 µm enthielt, mit einer Schicht einer Kupfer-Paste für eine innere Elektrode versehen. Anschließend wurden 20 Blätter der resultierenden bedruckten grünen Blätter gestapelt, gepreßt und dann in grüne Einheiten für monolithische keramische Kondensatoren zerschnitten. Die grünen Ein heiten wurden auf ihren gegenüberliegenden Seiten durch Auftragen der Kupfer-Paste mit Kupfer-Schichten für äußere Elektroden versehen und dann in einem elektri schen Ofen 2 h bei verschiedenen Temperaturen im Bereich von 900°C bis 1050°C in einer reduzierenden Atmosphäre gebrannt, wodurch Einheiten monolithischer Sinterkeramik-Kondensatoren erzeugt wurden. Der Ofen wurde evakuiert und dann mit einem Gasgemisch aus N₂, H₂ und H₂O gefüllt. Während des Brennens wurden 3000 l/h N₂, 0,1 l/h H₂ und 1350 l/h H₂O in den Ofen eingespeist, um seine Atmosphäre konstant zu halten.

Einige der resultierenden monolithischen keramischen Kondensatoren wurden in eine Fuchsin-Lösung getaucht, um die optimale Brenntemperatur für jede Zusammensetzung zu ermitteln. Die Ergebnisse sind Tabelle 1B dargestellt.

Mit jedem durch Brennen bei der optimalen Brenntempera tur hergestellten Kondensator wurden Messungen der elek trischen Kennwerte durchgeführt, darunter der Dielektri zitätskonstante (ε) bei 25°C, 1 kHz und 1 Vrms, des dielektrischen Verlusts (tan δ), des spezifischen Wider standes (ρ) und der Temperatur-Charakteristik der Kapazität über den Temperatur-Bereich von -25°C bis 85°C relativ zu der Kapazität bei 20°C (T.C.). Die Ergebnisse sind in Tabelle 1B aufgeführt.

In der Tabelle 1B ist die Temperatur-Charakteristik der Kapazität durch eine Temperatur-Änderungsrate der Kapazität auf der Basis der Kennzeichnungen B, C und D klassifiziert, die durch JIS (Japanische Industrie-Norm) festgelegt sind und die wie folgt definiert sind:

B-Kennzeichnung: Die Temperatur-Änderungsrate der Kapazität über den Temperatur-Bereich von -25°C bis 85°C relativ zu der Kapazität bei 20°C liegt innerhalb des Bereichs von -10% bis + 10%;

C-Kennzeichnung: Die Temperatur-Änderungsrate der Kapazität über den Temperatur-Bereich von -25°C bis 85°C relativ zu der Kapazität bei 20°C liegt innerhalb des Bereichs von -20% bis + 20%;

D-Kennzeichnung: Die Temperatur-Änderungsrate der Kapazität über den Temperatur-Bereich von -25°C bis 85°C relativ zu der Kapazität bei 20°C liegt innerhalb des Bereichs von -30% bis + 20%.

In den Tabellen 1A und 1B sind mit einem Sternchen (*) bezeichnete Proben solche, die außerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung liegen, während die anderen Proben solche sind, die unter den Umfang der vorliegen den Erfindung fallen.

Tabelle 1A

Tabelle 1B

Aus den in Tabelle 1B aufgeführten Ergebnissen ist zu entnehmen, daß die dielektrische keramische Zusammenset zung gemäß der vorliegenden Erfindung eine Dielektrizi tätskonstante von 2500 und einen hohen spezifischen widerstand von nicht weniger als 10¹⁰Ωcm haben. Weiterhin kann die Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung bei einer niedrigen Temperatur von 900°C bis 1050°C in einer nicht-reduzierenden Atmosphäre gesin tert werden, ohne daß eine Oxidation des für die inneren Elektroden verwendeten Kupfers bewirkt wird. Außerdem macht es die vorliegende Erfindung möglich, monolithi sche keramische Kondensatoren herzustellen, die die Kennzeichnung B erfüllen, die durch JIS (Japanische Industrie-Norm) festgelegt ist.

Beispiel 2

Unter Einsatz der gleichen Rohstoffe wie in Beispiel 1 wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 ein Pulver einer dielektrischen Keramik mit einer Zusammensetzung hergestellt, die im wesentlichen aus 48 Mol-% Pb (Mg_1/2W_1/2)O₃, 42 Mol-% PbTiO₃ und 10 Mol-% PbZrO₃ bestand und 0,8 Gew.-% ZnO enthielt.

Getrennt davon wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 1 Antireduktionsmittel hergestellt, die jeweils eine in Tabelle 2A angegebene Zusammensetzung hatten.

Unter Verwendung der dielektrischen keramischen Zusam mensetzung und der Antireduktionsmittel, die auf diese Weise hergestellt worden waren, wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 1 monolithische keramische Konden satoren hergestellt.

Für jeden monolithischen keramischen Kondensator wurden die elektrischen Kennwerte in der gleichen Weise ge messen, wie sie in Beispiel 1 offenbart ist. Die Ergeb nisse sind in Tabelle 2B aufgeführt.

Tabelle 2A

Tabelle 2B

Wie aus den in Tabelle 2B aufgeführten Ergebnissen her vorgeht, haben die monolithischen keramischen Kondensa toren gemäß der vorliegenden Erfindung eine hohe Dielek trizitätskonstante von nicht weniger als 2500, einen hohen spezifischen Widerstand von nicht weniger als 10¹⁰Ωcm und eine niedrige Sintertemperatur von nicht mehr als 1050°C. Weiterhin macht es die vorliegende Erfindung möglich, monolithische keramische Kondensato ren herzustellen, die die Kennzeichnung B erfüllen, die durch JIS (Japanische Industrie-Norm) festgelegt ist.

In der vorliegenden Erfindung ist die Zusammensetzung des Hauptbestandteils aus den folgenden Gründen auf solche Zusammensetzungen eines Satzes von x, y und z, d. h. eines Satzes der prozentualen Stoffmengen-Anteile der drei Komponenten Pb(Mg_1/2W_1/2)O₃, PbTiO₃ und PbZrO₃, begrenzt, die in das im Vorstehenden definierte Polygon fallen. Wenn der Hauptbestandteil eine Zusammensetzung hat, die auf irgendeinen Punkt außerhalb der Seite AB des Polygons ABCD in der Figur fällt, wird die Dielek trizitätskonstante aufgrund der Einarbeitung des Anti reduktionsmittels kleiner als 2500, und die Temperatur änderungsrate der Kapazität erfüllt nicht die durch JIS festgelegte Kennzeichnung B (Probe Nr. 2).

Wenn der Hauptbestandteil eine Zusammensetzung hat, die auf irgendeinen Punkt außerhalb der Seite BC des Poly gons ABCD fällt, oder wenn der Hauptbestandteil eine Zusammensetzung hat, die auf irgendeinen Punkt außerhalb der Seite CD des Polygons ABCD fällt, erfüllt die Tempe raturänderungsrate der Kapazität nicht die durch JIS festgelegte Kennzeichnung B (Proben Nr. 9 und 11).

Wenn der Hauptbestandteil eine Zusammensetzung hat, die auf irgendeinen Punkt außerhalb der Seite DA des Poly gons ABCD fällt, wie bei der Probe Nr. 3, wird der dielektrische Verlust (tan δ) größer als 5%, und der spezifische Widerstand wird aufgrund der Einarbeitung des Antireduktionsmittels kleiner als 10¹⁰Ωcm. Weiter hin erfüllt die Temperaturänderungsrate der Kapazität nicht die durch JIS festgelegte Kennzeichnung B.

Die zugesetzte, in den Hauptbestandteil einzuarbeitende Menge ZnO ist aus folgenden Gründen auf den Bereich von 0,3 bis 2,0% begrenzt. Wenn die zugesetzte Menge ZnO kleiner als 0,3 Gew. -% ist, wie in der Probe Nr. 12, wird der dielektrische Verlust (tan δ) größer als 5%, und der spezifische Widerstand wird selbst dann kleiner als 10¹⁰Ωcm, wenn das Antireduktionsmittel in die Basis-Zusammensetzung eingearbeitet wird. Außerdem ist es unmöglich, Kondensatoren mit einer Temperaturände rungsrate der Kapazität zu erzeugen, die die durch JIS festgelegte Kennzeichnung B erfüllt.

Wenn die zugesetzte Menge ZnO 2,0 Gew.-% überschreitet, wie in Probe Nr. 14, wird die Dielektrizitätskonstante aufgrund der Einarbeitung des Antireduktionsmittels kleiner als 2500.

Wenn die zugesetzte Menge MnO₂ 2,0 Gew.-% überschreitet, wird der dielektrische Verlust (tan δ) auch dann größer als 5%, wenn das Antireduktionsmittel in die Basis- Zusammensetzung eingearbeitet wird (Probe Nr. 17).

Das Antireduktionsmittel ist aus folgenden Gründen auf die im Vorstehenden genannten Zusammensetzungen be grenzt.

Wenn der Stoffmengen-Anteil ("Molenbruch") von RO, d. h. β, kleiner als 0,10 ist, wie in den Proben Nr. 33, 34, 35 und 36, ist es unmöglich, die dielektrischen Kerami ken bei einer Temperatur von nicht mehr als 1050° in einer reduzierenden Atmosphäre mit einem niedrigen Sauerstoff-Partialdruck von beispielsweise etwa 0,1 ppm mit einem zufriedenstellenden Ergebnis zu sintern. Außerdem wird der dielektrische Verlust (tan δ) größer als 5%, und der spezifische Widerstand wird erniedrigt. Wenn β den Wert 0,55 überschreitet, wie in den Proben Nr. 25, 26, 27 und 28, wird die Sinter temperatur höher als 1050°C, so daß Kupfer für die inneren Elektroden schmilzt und herausfließt.

Wenn der Stoffmengen-Anteil des Li₂O, d. h. α 0,20 und größer ist, wie in der Probe Nr. 41, oder wenn der Stoffmengen-Anteil des B₂O₃, d. h. γ, 0,40 und größer ist, wie in der Probe Nr. 43, werden die dielektrischen Kennwerte beträchtlich erniedrigt, und die dielektrische Keramik verformt sich vor dem Sintern.

Der Gehalt des Antireduktionsmittels in der dielektri schen keramischen Zusammensetzung ist aus folgenden Gründen auf den Bereich von 0,05 bis 6,5 Gew.-% beschränkt. Wenn der Gehalt an Antireduktionsmittel kleiner ist als 0,05 Gew.-%, wie in den Proben Nr. 19 und 20, wird der spezifische Widerstand erniedrigt, da eine Reduktion des Dielektrikums während des Sinterns stattfindet. Wenn der Gehalt an Antireduktionsmittel 6,5 Gew.-% überschreitet, wie in der Probe Nr. 49, wird die Dielektrizitätskonstante kleiner als 2500.

Vorzugsweise wird das Brennen bei einem Sauerstoff- Partialdruck von etwa 0,1 ppm und darunter durchgeführt. Wenn der Sauerstoff-Partialdruck höher als 0,1 ppm ist, findet eine Oxidation des Kupfers statt, wodurch es un möglich gemacht wird, monolithische keramische Kondensa toren zu erzeugen, die innere Elektroden aus Kupfer oder einer Kupferlegierung umfassen.

Die dielektrische keramische Zusammensetzung der vor liegenden Erfindung hat ausgezeichnete elektrische und physikalische charakteristische Eigenschaften. Hierzu zählen

1. eine hohe Dielektrizitätskonstante von nicht weniger als 2500,
2. eine kleine Temperaturänderungsrate der Kapazität, die die durch JIS festgelegte Kennzeichnung B er füllt,
3. ein hoher spezifischer widerstand von nicht weniger als 10¹⁰Ωcm,
4. eine niedrige Sintertemperatur von 900°C bis 1050°C,
5. eine hohe Beständigkeit gegen Reduktion, d. h. die Zusammensetzung kann in einer Atmosphäre mit einem niedrigen Sauerstoff-Partialdruck von etwa 0,1 ppm und weniger gebrannt werden, so daß als Material für die Elektroden verwendetes Kupfer in keinem Fall oxidiert wird.

Dementsprechend macht es die dielektrische keramische Zusammensetzung der vorliegenden Erfindung möglich, monolithische keramische Kondensatoren mit inneren Elektroden aus Kupfer oder einer Kupferlegierung her zustellen.

Claims

1. Dielektrische keramische Zusammensetzung, bestehend im wesentlichen aus einer Basis-Zusammensetzung aus einem ternären System Pb(Mg_1/2W_1/2)O₃-PbTiO₃-PbZrO₃ und 0,05 bis 6,5 Gew.-% eines in diese eingearbeiteten Antireduk tionsmittels, wobei diese Basis-Zusammensetzung einen durch die allgemeine Formel
(x Pb(Mg_1/2W_1/2)O₃ + y PbTiO₃ + z PbZrO₃),
in der x, y und z prozentuale Stoffmengen-Anteile ("Mol- Prozente") bezeichnen, dargestellten Hauptbestandteil und 0,3 bis 2,0 Gew.-% ZnO, darin als Additiv enthalten, umfaßt, wobei der Hauptbestandteil eine Zusammensetzung hat, die in der beigefügten Figur in die Fläche eines Polygons ABCD fällt, das durch die Punkte
A (52,0, 44,0, 4,0), B (47,0, 38,0, 15,0),
C (44,0, 40, 0, 16,0), D (49,0, 46,0, 5,0)
definiert wird, und wobei das Antireduktionsmittel eine durch die allgemeine Formel
αLi₂O + β RO + γ B₂O₃ + (1 - α - β - γ) SiO₂
dargestellte Zusammensetzung hat, worin
RO wenigstens ein Oxid ist, das aus der aus BaO, CaO, SrO und MgO bestehenden Gruppe ausgewählt ist, α, β und γ Molenbrüche der betreffenden Komponenten sind und je weils einen Wert innerhalb der nachstehenden Bereiche annehmen: 0 < α < 0,2, 0,1 ≦ ß < 0,55, 0 < γ < 0,4, worin der Hauptbestandteil Manganoxid in einer Menge von nicht mehr als 2,0 Gew.-%, angegeben als MnO₂, ent hält.