JPS6020851B2 - 誘電体磁器物質 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は非酸化性雰囲気中で競結し、酸化性雰囲気中で
塊縞時より低い温度で熱処理して得ることが出釆る後合
べロプスカィト型誘導体磁器物質に関し、更に詳細には
、誘導体生シートにニッケルを主成分とする導体ペース
トを塗布して暁結した構造の積層磁器コンデンサを得る
ために最適な誘導体磁器物質に関する。

従来技術 従来の積層磁器コンデンサは、誘導体生シート（グリー
ンシート）に白金、パラジウム等の貴金属の導電ペース
トを印刷したものを複数枚積み重ねて圧着し、酸化性雰
囲気中で高温焼成を行い、しかる後外部引き出し電極を
設けることによって製作されている。

しかし、白金、パラジウム等の蟹極材料は高価であるた
め、民生用機器が要求する安価な積層磁器コンデンサを
提供することが不可能であった。この種の問題を解決す
るために、ニッケルを主成分とする導電ペーストを生シ
ートに塗布したものを非酸化性雰囲気で焼結させること
が考えられる。ところが、非酸化性雰囲気で焼結しても
、この焼給時の温度が例えば１３００℃以上のように高
いと、ニッケル導函ペーストのニッケル粒子の熔融凝集
が生じ、良質な電極を形成することが困難であった。こ
の種の問題を解決するために、本件出願人は特願昭５７
一２００１０３号によって非酸化性雰囲気中で低温凝結
することが可能な誘電体磁器組成物を提案した。しかし
、磁器コンデンサの小型化又は大容量化を図るために、
更に比誘電率が高く且つ絶縁抵抗が大きい磁器組成物が
要求されている。発明の目的そこで、本発明の目的は非
酸化性雰囲気中での低温焼給で得ることが可能であり、
且つ高い比謎電率、低い誘電体損失ｔａｎ６、高い抵抗
率、高い絶縁抵抗×容量値（ＣＲ値）を得ることが出来
る誘電体磁器物質を提供することにある。

発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、 ｛（舷ｘＣａｙＳｒｚ）○｝ｋ（ＴｉｎＺｒ，−ｎ）０
２（但しｘしｙ・Ｚ「ｋ、及びｎは０．６０ミ又＜１．
０２ ０．０２≦ｙ≦０．２７ ０＜ｚ≦０．３７ １．００ＳｋＳＩ．０４ ０．７４ミｎ＜１．００を満足する数値）からなる基本
成分と、１０の重量部の前記基本成分に対して０．２〜
１０．の重量部のガラス成分と、を含み「且つ前記ガラ
ス成分はＬｊ２０とＭ（但し前記ＭはＢａ○、Ｃａ○及
びＳ心の内の１種以上の金属酸化物）とＳｉ０２から成
り、且つ前記Ｌｉ２０と前記Ｍと前記Ｓｉ０２との組成
範囲は、これ等の組成をモル％で示す三角図に於ける前
記Ｌｉ２０が０モル％、前記Ｍが３５モル％、前記Ｓｉ
０２が６５モル％の組成を示す第１の点Ａと、前記Ｌｉ
２０が０モル％、前記Ｍが４０モル％、前記Ｓｉ０２が
６０モル％の組成を示す第２の」点Ｂと、前記Ｌ；２０
が５モル％、前記Ｍが４５モル％、前記Ｓｉ０２が５０
モル％の組成を示す第３の点Ｃと、前記Ｌｉ２０が４８
モル％、前記Ｍが２モル％、前記Ｓｉ０２が５０モル％
の組成を示す第４の点Ｄと、前記Ｌｉ２０が２３モル％
〜前記Ｍが２モル％、前記Ｓｉ０２が７５モル％の組成
を示す第５の点Ｅと、前記第１の点Ａと、を順次に結ぶ
５本の直線で囲まれた領域内であることを特徴とする誘
電体磁器物質に係わるものである。

発賜の効果 上記発明によれば「非酸化性雰囲気で暁結することが可
能であるばかりでなく、高い比護電率の磁器を提供する
ことが出来る。

即ち、非酸化性雰囲気中１２０ぴ○以下の温度で競結し
、酸化性雰囲気中で比較的低い温度（例えば８００ｑｏ
）で熱処理することにより、比誘電率が５０００以上の
磁器を得ることが出来る。また、抵抗率が２．５×１ぴ
ＭＱ以上、誘電正接（ｔａｎ６）が１．５％以下、絶縁
抵抗×容量値（ＣＲ値）が３３００以上の磁器を提供す
ることが出来る。実施例 次に本発明の実施例について述べる。

但し、本発明を明確にするために、本発明の範囲外の実
施例も含まれている。実施例 １〜８３（第１表及び第
２表） まず、純度９９．０％以上の斑ＣＱ、ＣａＣ０３ｔＳに
０３、ＴｉＱ及びＺの２を出発原料として用意しト磁器
の基本成分である｛（ＢａｘＣａｙＳｒｚ）○｝ｋ（Ｔ
ｉＺｒ，ｍ）０２のＸ、ｙ「 ｚＬ Ｘｔ ｎ「 １一
ｎが第１表に示す値になる割合に上誌出発原料を秤量し
た。

即ちｔ実施例１ではＢａＣ０３が０．７９モル部、Ｃａ
Ｃ０３が０．１０モル部、Ｓに０３が０．１２モル部、
Ｔｉ０２が０．８６モル部、Ｚｒｉ０２が０．１４モル
部の割合に原料を秤量し、他の実施例２〜８３に於いて
も同様な要領で原料を秤量した。尚各原料中の不純物に
無関係に第１表の割合になるように秤量した。次に、基
本成分を得るための上記原料を１虫時間湿式混合し、粉
砕した後に乾燥し、約１２００ｑｏ、２時間、大気中で
仮競した。

これにより、出発原料はほぼ基本成分となる。次に、｛
（ＢａｘＣａｙＳｒｚ）○｝ｋ（ＴｉｎＺｒ，‐ｎ）０
２からなる基本成分１０の重量部に対して第１表に示す
割合になるように平均粒蓬約５ム肌のＬｉ２０−Ｍ−Ｓ
ｉ０２ガラス粉末を秤量し「 このガラス粉末を仮暁で
得た基本成分に添加し、更にアクリル酸ェステルポリマ
ー、グリセリン「縮合リン酸塩の水溶液から成る有機ノ
ベィンダを仮燐で得た基本成分とガラス粉末との合計重
量に対して１５重量％添加し、更に５の重量％の水を加
えたものをポールミルに入れて粉砕及び混合して各磁器
原料のスラリーを作製した。

但し実施例１ではガラス粉末を添加しなかった。尚第１
表に於いて、基本成分の欄のｘ、ｙｔＺ、ｋ、ｎ、１−
ｎは、基本成分の組成式｛（舷ＸＣａｙＳら）０｝ｋ（
ＴｉＺｒ，−ｎ）０２に於ける元素の割合を示し、ガラ
ス成分の欄は、１０の重量部の基本成分に対するガラス
成分（ガラス粉末）の添加量を重量部で示し、ガラスの
鍵成の欄はＬｉ２０とＭとＳｉ０２との割合をモル％で
示し、Ｍの内容の欄はＭの成分であるＢａ○とＣａ○と
Ｓのとの割合をモル％で示し、擁縞温度は非酸化性雰囲
気中での凝結温度を示す。

次に、各スラリーを脱泡処理し、これを使用してドクタ
ーブレード法で長手の生シートを作製し、これを乾燥さ
せた後、プレスによる打ち抜きで第１図を示す３枚の生
シート１，２，３を作製した。

次に、生シート１，２の一方の主面に、ニッケルを主成
分とする導軍ペースト（Ｎｉ９１ｗｔ％、Ｍｈ０１Ｍ％
、Ｐｂ○一Ｂａ０一Ｓｉ０２ガラスがれ％にピヒクルを
加えたペースト）を約６ムｍの厚さに印刷することによ
って第２図に示す誘電ペースト層４，５を形成し、しか
る後、第２図に示す順序に３枚の生シート１，２，３を
重ね合せ、熱辻Ｅ着して一体化した。

次に、生シート１，２，３を一体化したものを加塩炉に
入れ１００ｑＣ′ｈの温度上息昇率で室温から６０ぴ０
まで空気中で加熱し、有機／ゞィンダを燃焼させた。

しかる後、加熱炉の雰囲気を空気から中性又は還元性の
非酸化性雰囲気に変えた。尚上記の中性又は還元性の非
酸化性雰囲気を実施例１〜７９では均２体積％＋Ｎ２９
８体積％雰囲気、実施例８０では日２球体穣％＋Ｎ２１
０の本燈％の雰囲気、、実施例８１では比劫本頚％＋Ｎ
２９３本積％雰囲気、実施例８２では比ＩＷ本積％＋Ｎ
２９の本積％雰囲気、実施例斑では払７５体積％＋Ｎ２
２５体積％雰囲気とした。そして加熱炉を上述の如き非
酸化性雰囲気とした状態で生シートの加熱温度を６００
ｑＣから第１表に示す暁給温度（１０５０こ○〜１３２
ぴ０）まで１００℃／ｈの比率で上昇させ「上記中性又
は還元性雰囲気中で第１表に示す競結温度を３時間保持
して生シートの鱗結をなした。次に、中性又は還元性の
雰囲気を保った状態で加熱炉の温度を競鯖温度（１０５
０ｏ○〜１３２０ｑｏ）から８００℃まで１０ぴＣ′ｈ
の割合で下げ「次に、加熱炉の雰囲気を中性又は還元性
雰囲気から酸化性雰囲気（空気）に変えて８０び０に３
晩ご間保持して酸化処理をなし、その後、室温（約２０
ｑｏ）まで空気雰囲気中で冷却した。

これにより、第３図に示す如く生シート１に対応した第
１の磁器層ｌａと生シート２に対応した第２の磁器層２
ａと生シート３に対応した第３の磁器層３ａとから成り
、これ等の間にべ−スト層４，５に対応した鰭極４ａ，
５ａを有する暁絹体６が縛られた。

尚暁結体６に於ける磁器層ｌａ，２ａ，３ａの厚さは約
０．０５側であり、競結体６の合計の厚さは電極４ａ，
５ａを入れて約０．１６側であり、その縦幅及び横幅は
６柵であり、電極４ａ，５ａの対向面積は５肌×５肋＝
２５めである。上記の非酸化性雰囲気中での暁結と、約
８００℃大気中での酸化処理とにより、｛（母ＸＣａｙ
Ｓら）０｝ｋ（Ｔｉ〆【，−ｎ）０２の組成式で示すこ
とが出来る複合プロブスカィト型磁器即ち（舷、Ｃａ、
Ｓｒ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｑ系磁器の中にガラス成分が混入
された誘電体磁器物質が得られる。

この複合プロブスカィト型磁器は、ＢａＴｉ０３、Ｂａ
Ｚ【〕３、ＣａＴｉ０３、ＣａＺｒ０３、ＳｒＴｉ０３
、ＳｒＺの３を複合構造で含み、且つ基本成分の組成式
に於けるｋが１よりも大きい場合にはＢａ○、Ｃａ○、
Ｓのがプロプスカィト型結晶に対して過剰に含み、更に
ガラス粉末を添加した場合にはガラス成分（Ｌｉ２０一
Ｍ−Ｓｉ０２）を含む。次に、電極４ａ，５ａが露出す
る鱗結体６の側面にＺｎ（亜鉛）とガラスフリツトとビ
ヒクルとから成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、こ
れを大気中で５５０ｑｏの温度で１５分間燈付け、第４
図に示す如くＺｎ電極層７を形成し、更にこの上に鋼（
Ｃｕ）を無電解〆ツキで被着させてＣｕ層８を形成し、
更にこの上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層９を設け
て、一対の外部電極１０，１１を形成した。次に、上述
の如く形成した各実施例の積層磁器コンデンサの電気的
特性則ち比議電率ご、誘電体損失（ｔａｎ８）、抵抗率
ｐ、静電容量的×抵抗（Ｑ）を測定したところ、第２表
に示す結果が得られた。

尚、比誘電率ごは、温度２０００、周波数ｌｋ世、電圧
（実効値）ｏ．５Ｖの条件で静電容量を測定し、この測
定値と電極４ａ，５ａの対向面積２５地と電極４ａ，５
ａ間の磁器層１２ａの厚さ０．０５柵から計算で求めた
。また、ｔａｎ６は比譲軍率と同一条件で測定し、第２
表には％で示した。即ち第２表には実際のねｎ６の値の
１０び音の値を示した。従って、実際のｔａｎ６の値は
第２表の値の１０‐２倍である。また、抵抗率ｐ（ＭＱ
・仇）は、温度２０℃に於いてＤＣ５０ｙを１分間印加
した後に電極１０，１１間の抵抗値を測定し、この測定
値と寸法とに基づいて計算で求めた。またＣＲ値は、測
定した静電容量値と抵抗値とを掛け合せることにより求
めた。また、第１表に各実施例の組成及び嫌結条件が示
され、第２表に各実施例の特性が示されている。また表
中に於ける〃の印は同上を示す。また第１表ではＬら○
、Ｍ、Ｓｉ０２の組成とＭの組成との組み合せによって
ガラスの組成を示したが、これ等を一体化して示すと例
えば実施例２に於いてはＬｉ２０３０モル％、母０８モ
ル％、Ｃａ０６モル％、Ｓｒ０６モル％、Ｓｉ０２５０
モル％となる。第１表 第 １ 表（続き） 第 １ 表（続き） 第２表 第 ２ 表腕声き） 第 ２表続き） 上記第１表及び第２表に於ける実施例１〜８に基づいて
、基本成分に対するガラス成分の添加量と暁給温度との
関係をグラフで示すと第５図になる。

この第５図から明らかな如く、ガラスを微撃添加するこ
とによって従来よりも約２００℃低い１２００ｑＣ以下
の温度で焼結が可能になる。また還元性雰囲気又は非酸
化性雰囲気で焼結し、大気中８００℃の酸化処理で目的
とする比譲露率どの高い誘電体磁器を得ることが出来る
。尚、実施例１はガラス無添加の場合には焼結温度が１
３２０℃と高く且つはｎ６が４．５％と大きくなり、ま
た実施例８のガラス添加量がｌａ重量％の場合にはｔａ
ｎ６が３．８％と大きくなり且つＩＲＸＣ（ＣＲ値）が
１．８６００Ｆと低くなる。従って、好ましいガラス成
分の添加量（含有量）は実施例２〜７に示す０．２〜１
０．の重量部である。実施例１、４及び５の磁器コンデ
ンサに関し、磁器の厚さ２５Ａの当りに１０〜８０Ｖの
直流バイアス電圧を印加した状態で、交流測定電圧０．
５Ｖ（美効値）、ｌｋＨｚ、２０ｑｏの条件で静電容量
を測定し、計算で比誘電率ごを求めたところ、第６図の
結果が得られた。

尚第６図に於いて、曲線Ｅ，は実施例４のコンデンサ、
曲線Ｅ２は実施例５のコンデンサ、曲線Ｅ３は本発明の
範囲外の実施例１のコンデンサの各ＤＣ電圧に於けるご
を示す。この第６図から明らかなように、ガラス添加に
よって直流バイアス特性艮０ち実効負荷特性を大幅に改
善することが出来る。本発明に従う実施例４のコソデン
サと、ガラスを含まない本発明の範囲外の実施例１のコ
ンデンサとを、陣溢槽に入れ、一４０ｑｏ、２０℃、８
５午０、１５０℃の各温度でＤＣ５０Ｖを１分間印放し
た後に抵抗を測定し、計算で抵抗率ｐを求めたところ、
本発明に従う実施例４のコンデンサでは第７図の曲線Ｒ
，で示す結果が得られ、本発明の範囲に属さない実施例
１のコンデンサでは第７図の曲線Ｒ２で示す結果となっ
た。

この結果から明らかなようにガラス無添加の場合には常
温（２０℃）でｐが１びＭ○・仇台であったものが１５
ぴ○で１びＭ０・奴台に低下するが、ガラスを添加した
場合には１びＭＱ・仇台に低下する。従って、ガラス競
続温度を下げる効果のみならず、抵抗率の温度に対する
安定性も大幅に改善できる。実施例９〜２９はガラスの
組成の変化とコンデンサの特性の変化との関係を求めた
ものである。

実施例９〜１４から明らかなように、本発明に係るガラ
ス中に含有するＭ成分の構成が舷○、Ｃａｏ及びＳ幻の
何れでも、又何れの組合せでも１１００℃で鯛Ｚ結され
、‘は約１斑００ｔａｎ６は１．２〜１．４％、ｐは約
２．８５×ＩＱＭＱ・仇とほぼ等しく、これと実施例３
とを併せると、これら３成分は単独、複合の如何にかか
わらず同等の効果を有することが明らかである。実施例
１５及び１６は、ガラス成分中のＬｉ２０がない場合で
あり、この時Ｍ成分が３５〜４０モル％、銭分がＳｉＱ
であれば、１１００ｑ○で暁結され、ごが約１泌００、
ｔａｎ６が１．１〜１．２％、ｐが約３２×１びＭ○・
仇と良好であるが、実施例１７の如くＭ成分が５０モル
％では燐結温度は１３００ｑ０と高く、ねｎ６が３．５
％と大きく、ｐが１．１９×１びＭＱ・仇と低くなり、
本発明の目的に達しない。

Ｌｉ夕が５モル％においては、実施例１９に示す如くＭ
成分が４５モル％、Ｓｉ０２が５０モル％で、ほぼ実施
例１５及び１６と同等の暁縞温度と電気的特性を有する
が、Ｍ成分が２０モル％、Ｓｉ０２が７５モル％では実
施例１８に示す如く暁結温度及び電気的特性共に本発明
の目的外である。実施例２１及び２４は共にＳｉ０２が
４０モル％であるが、両実施例共に鱗続温度が１３００
ｑｏと高く、ｔａｎ６が６％以上であり、且つｐが１ぴ
ＭＱ・伽台であるので、本発明の目的に達しないが、Ｓ
ｉＱが５０モル％になると、実施例２５の如くＭ成分が
２モル％、Ｌｉ２０が４８モル％でも競縞温度が１０９
び０となり、また電気特性はＳｊ０２が５０モル％の実
施例１９と同等の良好になる。

実施例２３に示す如くＭ成分が含まれない場合は、焼成
温度１２００℃未満で未鱗続状態であり、１２０ぴ○以
上になると、過鱗状態となり繊密な暁給体が得られなか
ったが、Ｍ成分を２モル％含有することにより実施例２
２に示す如く、Ｓｊ０２が７６モル％、Ｌｊ２０が２３
モル％において、Ｍ成分２モル％の実施例２５と同等の
電気的特性を有する。従って、本発明に於けるガラスの
好ましい組成範囲は、Ｌｉ２０−Ｍ−Ｓｉ０２ガラスの
組成を示す第８図の三角図の第１の点Ａ、第２の点Ｂ、
第３の点Ｃ、第４の点○、第５の点Ｅ、第１の点Ａを順
次に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内である。

尚、第８図の三角図の第１の点Ａは実施例１５のＬｉ２
０の琴モル％、Ｍ３５モル％、Ｓｉ０２６５モル％の練
成を示し、第２の点Ｂは実施例１６のＬｉ２０裏モル％
、Ｍ４０モル％、Ｓｉ０２６０モル％の組成を示し、第
３の点Ｃは実施例１９のＬｉ２０５モル％、Ｍ４５モル
％、ＳｉＱ５０モル％の組成を示し、第４の点Ｄは実施
例２５のＬｉ２０４８モル％、Ｍ２モル％、Ｓｊ０２５
０モル％の組成を示し、第５の点Ｂは実施例２２のＬｉ
２０２３モル％、Ｍ２モル％、Ｓｉ０２７５モル％の組
成を示す。従って、実施例９〜２９の内で１７、１８、
２い２１、２３２４は本発明の範囲外のものである。実
施例３０〜４０は基本成分中のｋの値の変化と特性変化
との関係を示す。この実施例３０〜３４から明らかなよ
うに、ｋを０．班〜０．１０５まで変化させるために、
母即ちｘが０．７９〜０．８６まで変化されている。即
ち、母の原料であるＢａＣ０３が０．７９モル部〜０．
８６モル部の範囲で変化されている。従って、基本成分
中のく舷、Ｃａ、Ｓｒ）０の（Ｔｉ、Ｚｒ）０２に対す
る割合即ちｋが０．９８〜１．０５に変化している。こ
の実施例３０〜秘中の最初の実施例３０の基本成分はｋ
が０．班であって（Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ）○が不足状態で
ある。このため実施例３０のねｎ６は１２．５％、ｐは
１．０２×１ぴＭ○・弧と電気特性が悪い。実施例３１
では（舷、Ｃａ、Ｓｒ）○と（Ｔｉ、Ｚｒ）０２とのモ
ル比が等しく凝結温度は１０８０つ○、ごは１２５８０
、ねｎ６は１．２％、ｐは２．斑×１ぴと良好になる。
実施例３２〜乳では（舷「Ｃａ、Ｓｒ）○即ちｋが過多
状態であるが、実施例３４を除いて、本発明の効果を有
する。実施例松では実施例２３と同様に繊密な競緒体が
得られなかった。これらの結果から（Ｔｉ、Ｚｒ）０２
に対する（欧、Ｃａ、Ｓｒ）○の比率則ちｋの好ましい
範囲は１．０〜１．４である。

従って、実施例３０及び３４は本発明の範囲外である。
実施例３５〜７９ではＢａ、Ｃａ、Ｓｒの割合が種々変
０化されている。実施例３５に示す如く基本成分にＣａ
及びＳｒを含有させない場合には、８００００の処理で
酸化され簸く、ｔａｎ６が４．６％、ｐが１．４×１ぴ
ＭＱ・仇と満足な電気特性が得られない。Ｃａを２モル
％以上含有させることにより実施例３６〜５４に示す如
くｔａｎ８が１．５％、ｐが２．５×１ぴＭＱ・雌以上
の良好な磁器化を示すが、実施例５４のＣａ２９モル％
では・が２斑０と「比誘電率が低い。Ｃａが２７モル％
の実施例６３ではどが１０５３０と良好である。従って
基本成分中のＣａの割合則ちｙの好ましい範囲は０．０
２〜０．２７である。実施例５５〜７１から明らかな如
く、基本成分のＳｒの割合瓢ちｚが０．００１〜０．３
７の範囲であると、（母、Ｃａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｑ系磁
器よりも・が５〜４０％増加し、ｔａｎ６を１．５％以
下「 ｐを２．５×１ぴＭ０１肌以上とすることが出来
る。

しかし、実施例７２に示す如くｚが０．３９になるとご
が１２３０と低くなる。従ってＳｒの割合艮０ちｚの好
ましい範囲は０．３？以下である。実施例３５〜７２か
ら明らかなように、ｙの好ましい範囲は０．０２〜０．
２７であり、ｚの好ましい範囲は０．３７以下であるか
ら、欧の割合則ちｘの好ましい範囲は「 ｋを１．００
〜１．０４にするために０．６０〜１．０２である。

基本組成中のＺｒの割合即ち１−ｎが０の場合は実施例
７３に示す如く、ごが１６３０と低く、ねｎ６が５．４
％と高い。

一方、実施例７４〜７８に示す如く、１一ｎ則ちＺｒの
割合が０．２６以下の範囲では「 ごが５０００以上、
ｔａｎ６が１．５以下、ｐが２．５×１ぴＭＱ・仇を満
足するものとなる。また実施例７９に示す如くＺｒの割
合則ち１−ｎが０．２８となるとごが低くなる。従って
、Ｚｒの割合別ち１−ｎの好ましい範囲は０．２６以下
である。またＴｉの割合則ちｎの好ましい範囲は必然的
に０．７４Ｓｎ＜１．００となる。ｘ、ｙ、ｚ、ｋ、ｎ
の好ましい範囲は上述の如３〈であるので、第１表及び
第２表の実施例３５〜７９のグループの中で３ふ５４７
２、７３７９は本発明の範囲外である。実施例８０〜斑
では凝結雰囲気の日２の体積％を、０．５％、１０％、
７５％に変化させている。

このように非酸化性雰囲気の比の割合を変化させても、
鰭気的特性に対する影響は殆んどない。以上の実施例１
〜斑から明らかなように、本発明で特定された誘電体磁
器組成によれば、非酸化性雰囲気中１２００℃以下の温
度で焼結し、酸化性雰囲気中約８００ｑｏの温度で酸化
処理することにより、比護蟹率５０００〜１３９００、
ｔａｎ６１．５％以下、抵０杭率２．５×１ぴＭＱ。伽
以上、絶縁抵抗（Ｑ）×容量（Ｆ）３３００〜３５００
ＱＦの誘電体磁器を得ることが出来る。実施例 ８４〜
９１（第３表） 第３表に示す実施例鱗〜８７については実施例４と同一
の磁器組成とし、実施例機〜９１については実施例１と
同一の磁器組成（ガラス無添加組成）としｔ生シートを
実施例１〜８３と同一方法で形成し、また生シート板の
厚さ、生シート板の寸法（横幅×縦幅）、塗布有効電極
寸法「層数を第３表に示す如く種々変化させ、次に実施
例８４〜８７については実施例４と同一条件で競結及び
酸化させ「実施例総〜９１については実施例１と同一条
件で擬結及び酸化させ、しかる後外部電極を形成して積
層磁器コンデンサを完成させた。

即ち、実施例８０８７、９０９１の如く層数が複数の場
合には、第９図に示すように複数の磁器層１２ａ，１２
ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ等を有し且つ複数の電極１
３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ等を有し、更に両端面に
外部電極を量０，１１を有するコンデンサを完成させた
。しかる後、これ等の静電容量、及び共振周波数に於け
るインピーダンスを等価直列抵抗（ＥＳＲ）として測定
したところ、第３表の結果が得られた。第３表 第１０図は第３表に於ける静電容量とＥＳＲとの関係を
示すものであり、実線が実施例８４〜８７を示し、点線
が実施例総〜９１を示す。

この結果から明らかな如く、ガラスを添加すれば、同一
容量であってもＥＳＲが低下する。尚、第３表には示さ
なかったが、実施例８５と同一寸法、同一層数のコンデ
ンサを実施例７、２１、２８ 筋、９５、３７、７８と
同一磁器組成で形成し、ＥＳＲを測定したところ、１５
５、１３０、１０５、１７０、９ふ ２の〆１９０であ
った。

変形例 以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、更に変形可能なものである。

例えば、基本成分を得るための出発原料を、、実施例１
〜７８で示したもの以外の＆、Ｃａ、Ｓｒ、Ｔｊ、Ｚｒ
を含む化合物、例えば、母０、Ｃａ０、Ｓの、Ｔｉ０２
、Ｚの２等の酸化物、又は水酸化物等としてもよい。ま
た、酸化温度を８００ｑｏ以外の７５０〜１０００ｏｏ
、好ましくは８００〜９０び０の範囲の温度としてもよ
い。

即ち、ニッケル等の電極と磁器の酸化とを考慮して変更
することが可能である。また、非酸化性雰囲気中の焼成
温度も、電極材料を考慮して考えることが出来る。

また、本発明の目的を阻害しない範囲で他の物質を更に
添加してもよい。

例えば、本発明の磁器に対してＭｍ０２を０．０５〜０
．１重量％の範囲で添加してもよい。図面の簡単な説明
第１図は実施例１〜８３に従う生シートを示す斜視図、
第２図は第１図の生シートにニッケルべ−ストを印刷し
た状態を示す斜視図、第３図は第２図の生シートを一体
化して燐結した物を示す断面図、第４図は第３図の競結
体に外部電極を設けた状態を示す断面図である。

第５図はガラス添加量と凝結温度との関係を示す図であ
る。第６図はＤＣバイアス電圧と比誘電率との関係を示
す図である。第７図はコンデンサの温度と抵抗率との関
係を示す図である。第８図はガラスの組成を示す三角図
である。第９図は実施例８０８７、９０、９１に於ける
磁器コンデンサの一部を示す断面図である。第１０図は
実施例８４〜９１の容量とＥＳＲとの関係を示す図であ
る。１，２，３……生シート、ｌａ，ｌｂ，ｌｃ…・・
・磁器層、４，５・・・…ペースト層、４ａ，５ａ・・
・…電極、６…・・・暁縞体、１０，１１…・・・外部
電極。

第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第９図 第７図 第１０図 第８図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ｛（Ｂａ＿ｘＣａ＿ｙＳｒ＿ｚ）Ｏ｝＿ｋ（Ｔｉ＿
   ｎＺｒ＿１＿−＿ｎ）Ｏ＿２（但しｘ、ｙ、ｚ、ｋ、及
   びｎは０．６０≦ｘ＜１．０２ ０．０２≦ｙ≦０．２７ ０＜ｚ≦０．３７ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．７４≦ｎ＜１．００を満足する数値）からなる基本
   成分と、 １００重量部の前記基本成分に対して０．２〜１０．０
   重量部のガラス成分と、を含み、且つ前記ガラス成分は
   Ｌｉ＿２ＯとＭ（但し前記ＭはＢａＯ、ＣａＯ及びＳｒ
   Ｏの内の１種以上の金属酸化物）とＳｉＯ＿２から成り
   、且つ前記Ｌｉ＿２Ｏと前記Ｍと前記ＳｉＯ＿２との組
   成範囲は、それ等の組成をモル％で示す三角図に於ける
   前記Ｌｉ＿２Ｏが０モル％、前記Ｍが３５モル％、前記
   ＳｉＯ＿２が６５モル％の組成を示す第１の点Ａと、前
   記Ｌｉ＿２Ｏが０モル％、前記Ｍが４０モル％、前記Ｓ
   ｉＯ＿２が６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、前記
   Ｌｉ＿２Ｏが５モル％、前記Ｍが４５モル％、前記Ｓｉ
   Ｏ＿２が５０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、前記Ｌ
   ｉ＿２Ｏが４８モル％、前記Ｍが２モル％、前記ＳｉＯ
   ＿２が５０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、前記Ｌｉ
   ＿２Ｏが２３モル％、前記Ｍが２モル％、前記ＳｉＯ＿
   ２が７５モル％の組成を示す第５の点Ｅと、前記第１の
   点Ａと、を順次に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内であ
   ることを特徴とする誘導体磁器物質。