JP2005272262A - 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｘ８Ｒ特性を満足し，焼結性に優れた誘電体組成物を提供する。
【解決手段】主成分のＢａＴｉＯ_３１００モルに対して次の７副成分を添加する。第１成分：Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒの酸化物の少なくとも１種を０〜７モル、第２成分：Ｖ，Ｍｏ，Ｗの酸化物の少なくとも１種を０．０１〜５モル、第３成分：Ｒ１_２Ｏ_３を０．２５〜３．５モル、第４成分：Ｒ２_２Ｏ_３を０．２５〜４．５モル、第５成分：Ｍｎ，Ｃｒの酸化物の少なくとも１種０〜０．５モル、第６成分：ＣａＺｒＯ_３又はＣａＯ＋ＺｒＯ_２の少なくとも１種を０〜５モル、第７成分：ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３系複合酸化物０．５〜１２モル、但し，Ｒ^１はＳＣ，Ｅｒ等を，Ｒ^２はＹ，Ｄｙ，ＨＯ等を示す。
【選択図】なし

Description

本発明は、誘電体磁器組成物、その原料、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、Ｘ８Ｒ特性を満足し、焼結性に優れた誘電体磁器組成物及び積層型セラミックコンデンサ等に関するものである。

電子部品としての積層型セラミックコンデンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されている。近年、機器の小型・高性能化に伴い、積層型セラミックコンデンサに対する更なる小型化、大容量化、低価格化、高信頼性化への要求がますます厳しくなっている。

積層型セラミックコンデンサは、通常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印刷法等により積層し、積層体中の内部電極層と誘電体層とを同時に焼成して製造される。

内部電極層の導電材としては、一般にＰｄやＰｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されるようになってきている。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時焼成を還元性雰囲気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体層が還元され、比抵抗が低くなってしまう。このため、非還元性の誘電体材料が開発されている。

しかし、非還元性の誘電体材料を用いた積層型セラミックコンデンサは、電界の印加による絶縁抵抗（Insulation Resistance）の劣化が著しく（すなわちＩＲ寿命が短く）、信頼性が低いという問題があり、その解決が要求されている。

さらに、コンデンサには、温度特性が良好であることも要求され、特に、用途によっては厳しい条件下で温度特性が平坦であることが求められる。近年、自動車のエンジンルーム内に搭載するエンジン電子制御ユニット（ＥＣＵ）、クランク角センサ、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）モジュール等の各種電子装置に積層型セラミックコンデンサが使用されるようになってきている。これらの電子装置は、エンジン制御、駆動制御及びブレーキ制御を安定して行うためのものなので、回路の温度安定性が良好であることが要求される。

これらの電子装置が使用される環境は、寒冷地の冬季には−２０℃程度以下まで温度が下がり、また、エンジン始動後には、夏季では＋１３０℃程度以上まで温度が上がることが予想される。最近では電子装置とその制御対象機器とをつなぐワイヤハーネスを削減する傾向にあり、電子装置が車外に設置されることもあるので、電子装置にとっての環境はますます厳しくなっている。したがって、これらの電子装置に用いられるコンデンサは、広い温度範囲において温度特性が平坦である必要がある。

誘電率が高く、平坦な容量温度特性を有する誘電体磁器組成物として、ＢａＴｉＯ_３を主成分とし、Ｎｂ_２Ｏ_５−Ｃｏ_３Ｏ_４、ＭｇＯ−Ｙ、希土類元素（Ｄｙ，Ｈｏ等）、Ｂｉ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２等を添加した組成が知られている。しかしながら、ＢａＴｉＯ_３系の高誘電率材料は、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足することしかできず、上記した厳しい環境で使用される自動車の電子装置には対応できない。上記電子装置には、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足する誘電体磁器組成物が必要とされる。

本出願人は、誘電率が高く、Ｘ８Ｒ特性を満足し、還元性雰囲気中での焼成を可能にすることを目的として、既に以下に示す誘電体磁器組成物を提案している（例えば、特許文献１、２を参照）。

特許文献１には、チタン酸バリウムからなる主成分と、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ及びＣｒ_２Ｏ_３から選択される少なくとも１種の第１副成分と、酸化シリコンを主成分として含有する第２副成分と、Ｖ_２Ｏ_５，ＭｏＯ_３及びＷＯ_３から選択される少なくとも１種の第３副成分と、Ｒ^１の酸化物（但し、Ｒ１はＳｃ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種）からなる第４副成分と、ＣａＺｒＯ_３又はＣａＯ＋ＺｒＯ_２からなる第５副成分とを少なくとも有し、主成分１００モルに対する各成分の比率が、第１副成分：０．１〜３モル、第２副成分：２〜１０モル、第３副成分：０．０１〜０．５モル、第４副成分：０．５〜７モル（但し、第４副成分のモル数は、Ｒ１単独での比率）、第５副成分：０＜第５副成分≦５モルからなる原料で作製した誘電体磁器組成物が開示されている。

特許文献２には、チタン酸バリウムからなる主成分と、ＡＥの酸化物（但し、ＡＥはＭｇ、Ｃａ、Ｂａ及びＳｒから選択される少なくとも１種）の第１副成分と、Ｒの酸化物（但し、ＲはＹ、Ｄｙ、Ｈｏ及びＥｒから選択される少なくとも１種）の第２副成分とを有し、主成分１００モルに対する各副成分の比率が、第１副成分：０モル＜第１副成分＜０．１モル、第２副成分：１モル＜第２副成分＜７モルからなる原料で作製した誘電体磁器組成物が開示されている。

上記特許文献１、２に記載の誘電体磁器組成物によれば、比誘電率が高く、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足し、また、Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ等を含有していないために還元性雰囲気中での焼成が可能である。また、特許文献２に記載の誘電体磁器組成物では、Ｙ_２Ｏ_３の含有量の増加と共にＸ８Ｒ特性を満たす容量温度特性の改善（平坦化）が確認されている。
特許第３３４８０８１号 特許第３３４１００３号

しかしながら、例えば上記特許文献２に記載の積層型セラミックコンデンサにおいては、Ｘ８Ｒ特性を満たす容量温度特性を改善するためにＹ_２Ｏ_３の含有量を増加させると焼結性が急激に悪化してしまうという問題がある。こうした問題に対しては、焼成温度を上昇させて焼結性を高めているが、焼成温度が例えば１３６０℃を超える場合、積層型セラミックコンデンサを構成する内部電極層に途切れが発生し易くなったり、誘電体層を形成する誘電体磁器組成物の還元が起こり易くなるという問題が生じてしまう。

また、焼結助剤として酸化物ガラスであるＢａ_０．６Ｃａ_０．４ＳｉＯ_３の添加量を増やして焼成温度を過度に上昇させることなく焼結性を高める方法も行われているが、上記の焼結助剤の添加量の増加は比誘電率の低下やＩＲ寿命の低下をもたらすという問題がある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その第１の目的は、小型化大容量化を目的として誘電体層をさらに薄層化した場合等において、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足すると共に、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができた誘電体磁器組成物及びその誘電体磁器組成物を備えた積層型セラミックコンデンサを提供することにある。また、本発明の第２の目的は、そうした積層型セラミックコンデンサの製造方法を提供することにある。また、本発明の第３の目的は、焼成温度を過度に上昇させることなく焼結性を高めることができる誘電体磁器組成物用原料を提供することにある。

上記第１の目的を達成するための本発明の誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、(a)チタン酸バリウムと、(b)Ｍｇ酸化物、Ｃａ酸化物、Ｂａ酸化物及びＳｒ酸化物から選択される少なくとも１種であり、それぞれＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ及びＳｒＯに換算したときのモル数で０を超え７モル以下の第１副成分と、(c)Ｖ酸化物、Ｍｏ酸化物及びＷ酸化物から選択される少なくとも１種であり、それぞれＶ_２Ｏ_５，ＭｏＯ_３及びＷＯ_３に換算したモル数で０．０１〜０．５モルの第２副成分と、(d)Ｒ^１酸化物（Ｒ^１は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種）を少なくとも１種含むものであり、それぞれＲ^１ _２Ｏ_３に換算したモル数で０．２５〜３．５モルの第３副成分と、(e)Ｒ^２酸化物（Ｒ^２は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される少なくとも一種）を少なくとも１種含むものであり、それぞれＲ^２ _２Ｏ_３に換算したモル数で０．２５〜４．５モルの第４副成分と、(f)Ｍｎ酸化物及びＣｒ酸化物から選択される少なくとも１種であり、それぞれＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３に換算したモル数で０を超え０．５モル以下の第５副成分と、(g)ジルコニウム酸カルシウム及びＣａ酸化物とＺｒ酸化物との混合物の少なくとも１種であり、それぞれＣａＺｒＯ_３及びＣａＯ＋ＺｒＯ_２に換算したモル数で０を超え５モル以下の第６副成分と、(h)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなり、当該Ａｌ原子とＳｉ原子との合計のモル数が０．５〜１２モルの第７副成分とを含有し、前記第７副成分中のＡｌ原子のモル数Ａと、Ｓｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満であることを特徴とする。

この発明によれば、チタン酸バリウム系の上記誘電体磁器組成物において、Ａ１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなり、そのＡｌ原子とＳｉ原子との合計のモル数が０．５〜１２モルであり、そのＡｌ原子のモル数ＡとＳｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満の第７副成分を含有するように構成したことにより、小型化大容量化を目的として誘電体層をさらに薄層化及び多層化した場合等においても、Ｘ８Ｒ特性を満足すると共に、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができた。

本発明の誘電体磁器組成物は、上記本発明の誘電体磁器組成物において、前記複合酸化物が、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}の一般式（但し、αは０≦α≦１の範囲内、γは０．８≦γ≦１．２の範囲内、βは０＜β＜０．４の範囲内である。）で表されることを特徴とする。

この発明によれば、上記一般式で表される複合酸化物を焼結助剤として含有させることにより、Ｘ８Ｒ特性を満足すると共に、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができる。

本発明の積層型セラミックコンデンサは、上述した本発明に係る誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された積層体を有することを特徴とする。

この発明によれば、誘電体磁器組成物からなる誘電体層と内部電極層とを交互に積層された積層体を有するので、そうした積層型セラミックコンデンサは、Ｘ８Ｒ特性を満足すると共に、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができる。

上記第２の目的を達成するための本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法は、(1)チタン酸バリウム及び／又は焼成によりチタン酸バリウムになる化合物若しくは混合物と、(2)ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯから選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第１副成分と、(3)Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３及びＷＯ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第２副成分と、(4)式Ｒ^１ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^１ は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される元素）からなる第３副成分と、(5)式Ｒ^２ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^２ は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される元素）からなる第４副成分と、(6)ＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第５副成分と、(7)ＣａＺｒＯ_３、ＣａＯとＺｒＯ_２との混合物、焼成によりＣａＺｒＯ_３になる化合物、及び焼成によりＣａＯになる化合物と焼成によりＺｒＯ_２になる化合物との混合物から選択される少なくとも１種からなる第６副成分と、(8)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなる第７副成分とを含有し、前記チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、前記各副成分のモル数が、前記各酸化物に換算したときの換算量で、第１副成分：０を超え７モル以下、第２副成分：０．０１〜０．５モル、第３副成分：０．２５〜３．５モル、第４副成分：０．２５〜４．５モル、第５副成分：０を超え０．５モル以下、第６副成分：０を超え５モル以下、第７副成分：０．５〜１２モルであると共に、当該第７副成分中のＡｌ原子のモル数ＡとＳｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満である誘電体磁器組成物用原料を用意する準備工程と、前記誘電体磁器組成物用原料で作製した誘電体層形成用のグリーンシートと、内部電極層形成用のペースト層とが交互に積層された状態で焼成されて、前記グリーンシートが誘電体層になると共に前記ペースト層が内部電極層になったセラミックスチップを形成する焼成工程と、前記セラミックスチップ中の誘電体層を再酸化する再酸化工程とを含むことを特徴とする。

この発明によれば、こうした原料で製造される積層型セラミックコンデンサは、Ｘ８Ｒ特性を満足すると共に、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができる。

本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法は、上記本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法において、前記第７副成分である複合酸化物が、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}の一般式（但し、αは０≦α≦１の範囲内、γは０．８≦γ≦１．２の範囲内、βは０＜β＜０．４の範囲内である。）で表されることを特徴とする。

上記第３の目的を達成するための本発明の誘電体磁器組成物用原料は、(1)チタン酸バリウム及び／又は焼成によりチタン酸バリウムになる化合物若しくは混合物と、(2)ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯから選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第１副成分と、(3)Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３及びＷＯ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第２副成分と、(4)式Ｒ^１ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^１ は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される元素）からなる第３副成分と、(5)式Ｒ^２ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^２ は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される元素）からなる第４副成分と、(6)ＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第５副成分と、(7)ＣａＺｒＯ_３、ＣａＯとＺｒＯ_２との混合物、焼成によりＣａＺｒＯ_３になる化合物、及び焼成によりＣａＯになる化合物と焼成によりＺｒＯ_２になる化合物との混合物から選択される少なくとも１種からなる第６副成分と、(8)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなる第７副成分とを含有し、前記チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、前記各副成分のモル数が、前記各酸化物に換算したときの換算量で、第１副成分：０を超え７モル以下、第２副成分：０．０１〜０．５モル、第３副成分：０．２５〜３．５モル、第４副成分：０．２５〜４．５モル、第５副成分：０を超え０．５モル以下、第６副成分：０を超え５モル以下、第７副成分：０．５〜１２モルであると共に、当該第７副成分中のＡｌ原子のモル数ＡとＳｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満であることを特徴とする。

以上説明したように、本発明の誘電体磁器組成物及び積層型セラミックコンデンサによれば、焼結助剤として作用する第７副成分を上記のように構成することにより、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）を満足すると共に、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができた。そのため、小型化・大容量化を目的として誘電体層をさらに薄層化及び多層化した場合等において、その有用性は顕著となり、特に厳しい使用環境下で使用される自動車用途において、信頼性の高い誘電体磁器組成物及び積層型セラミックコンデンサを提供できた。

また、本発明の誘電体磁器組成物用原料や誘電体磁器組成物は、Ｐｂ，Ｂｉ，Ｚｎ等を含有していないので、還元性雰囲気中での焼成が可能であり、直流電界下での容量の経時変化が小さいという効果もある。

また、本発明の積層型セラミックコンデンサの製造方法によれば、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性の高い積層型セラミックコンデンサを製造できる。

以下、本発明の誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、積層型セラミックコンデンサ及び誘電体磁器組成物用原料について説明する。なお、以下に説明する実施形態により本発明の範囲は制限されない。

（積層型セラミックコンデンサ及び誘電体磁器組成物）
図１は、本発明の積層型セラミックコンデンサの一例を模式的に示す断面図である。本発明の積層型セラミックコンデンサは、図１に示されるように、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された積層体（以下、積層誘電体素子本体１０又は素子本体１０という。）を有している。積層誘電体素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成されている。積層誘電体素子本体１０の形状は、通常、直方体状であるが特に制限されない。また、その寸法も特に制限はないが、通常、長辺：０．６〜５．６ｍｍ程度×短辺：０．３〜５．０ｍｍ程度×高さ：０．３〜１．９ｍｍ程度である。

誘電体層２は、誘電体磁器組成物で構成されている。この誘電体磁器組成物は、(a)チタン酸バリウムと、(b)Ｍｇ酸化物、Ｃａ酸化物、Ｂａ酸化物及びＳｒ酸化物から選択される少なくとも１種の第１副成分と、(c)Ｖ酸化物、Ｍｏ酸化物及びＷ酸化物から選択される少なくとも１種の第２副成分と、(d)Ｒ^１酸化物（Ｒ^１は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種）を少なくとも１種含む第３副成分と、(e)Ｒ^２酸化物（Ｒ^２は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される少なくとも一種）を少なくとも１種含む第４副成分と、(f)Ｍｎ酸化物及びＣｒ酸化物から選択される少なくとも１種の第５副成分と、(g)ジルコニウム酸カルシウム及びＣａ酸化物とＺｒ酸化物との混合物の少なくとも１種の第６副成分と、(h)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物の第７副成分とを含有している。

誘電体磁器組成物の各成分比率は、チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表すことができる。

例えば、誘電体磁器組成物において、チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したとき、第１副成分は、Ｍｇ酸化物、Ｃａ酸化物、Ｂａ酸化物及びＳｒ酸化物のそれぞれについて、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ及びＳｒＯに換算したときのモル数で０を超え７モル以下含有し、第２副成分は、Ｖ酸化物、Ｍｏ酸化物及びＷ酸化物のそれぞれについて、Ｖ_２Ｏ_５，ＭｏＯ_３及びＷＯ_３に換算したモル数で０．０１〜０．５モル含有し、第３副成分は、Ｒ^１酸化物（Ｒ^１は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種）のそれぞれについて、Ｒ^１ _２Ｏ_３に換算したモル数で０．２５〜３．５モル含有し、第４副成分は、Ｒ^２酸化物（Ｒ^２は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される少なくとも一種）のそれぞれについて、Ｒ^２ _２Ｏ_３に換算したモル数で０．２５〜４．５モル含有し、第５副成分は、Ｍｎ酸化物及びＣｒ酸化物のそれぞれについて、ＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３に換算したモル数で０を超え０．５モル以下含有し、第６副成分は、ジルコニウム酸カルシウム及びＣａ酸化物とＺｒ酸化物との混合物のそれぞれについて、ＣａＺｒＯ_３及びＣａＯ＋ＺｒＯ_２に換算したモル数で０を超え５モル以下含有し、第７副成分については、Ａｌ原子とＳｉ原子との合計のモル数で０．５〜１２モル含有する。

なお、本発明において、チタン酸バリウムは化学量論組成から外れるものであってもよいが、その場合であっても、化学量論組成から外れたチタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数が相対的に表される。また、誘電体磁器組成物中の各副成分の酸化物も化学量論組成から外れるものであってもよいが、その場合であっても、化学量論組成から外れた各酸化物のモル数を上記の化学量論組成に換算した時のモル数とし、チタン酸バリウムのモル数を１００モルとした場合の相対値として表される。また、各成分のモル数は、各成分原子の定量データに基づいて決定される。この定量データは、従来公知の各種の方法で得ることができ、例えば蛍光Ｘ線分析やＩＣＰ（高周波誘導結合プラズマ分光分析）等の分析等により比較的容易に定量データを得ることができる。

上記各副成分の含有量の限定理由は以下のとおりである。

第１副成分の含有量が０モル（含有されていない：未含有）では、容量温度変化率が大きくなってしまう。一方、第１副成分の含有量が７モルを超えると、焼結性が悪化する。なお、第１副成分中における各酸化物の構成比率は任意であり、また、第１副成分の含有量の下限値としては、例えば０．１モルとすることができる。第１副成分の含有量が０．１モル未満では、容量温度変化率が大きくなってしまう。

第２副成分は、得られる誘電体磁器組成物のキュリー温度以上での容量温度特性を平坦化する効果と、Ｈｏｔ−ＩＲ特性を向上させる効果とを有する。第２副成分の含有量が０．０１モル未満では、このような効果が不十分となる。一方、第２副成分の含有量が０．５モルを超えると、ＩＲが著しく低下する。なお、第２副成分中における各酸化物の構成比率は任意である。

第３副成分は、電界印加時の酸素欠陥の移動による誘電体の絶縁破壊を防止するためのドナー（酸素欠陥の移動を妨げるためにドナー）として作用する。この第３副成分の添加により、絶縁破壊までの時間を長くすることができる。また、この第３副成分は、得られる誘電体磁器組成物のキュリー温度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦化する効果とを有する。第３副成分の含有量が０．２５モル未満では、絶縁破壊までの時間を長くすることができないことがあると共に、キュリー温度を高温側に十分にシフトさせることができなかったり、容量温度特性を十分に平坦化させることができないことがある。一方、第３副成分の含有量が３．５モルを超えると、生焼けになりかえって寿命が低下する恐れがある。第３副成分のうちでは、特性改善効果が高く、しかも安価であることから、Ｙｂ酸化物が好ましい。

第４副成分は、上記の第３副成分と同様に、電界印加時の酸素欠陥の移動による誘電体の絶縁破壊を防止するためのドナー（酸素欠陥の移動を妨げるためにドナー）として作用する。この第４副成分の添加により、絶縁破壊までの時間を長くすることができる。また、この第４副成分は、ＩＲ及びＩＲ寿命を改善する効果を示し、容量温度特性への悪影響も少ない。第４副成分の含有量が０．２５モル未満では、絶縁破壊までの時間を長くすることができないことがあると共に、容量温度特性を十分に平坦化させることができなくなってしまうことがある。一方、第４副成分の含有量が４．５モルを超えると、生焼けになりかえって寿命が低下する恐れがある。第４副成分のうちでは、特性改善効果が高く、しかも安価であることから、Ｙ酸化物が好ましい。

第５副成分は、焼結を促進する効果と、ＩＲを高くする効果と、Ｈｏｔ−ＩＲ特性を向上させる効果とを有する。このような効果を十分に得るためには、ＢａＴｉＯ_３１００モルに対する第５副成分の比率が０を超え（好ましい下限値は０．０１モルである。）、０．５モル以下であることが好ましい。第５副成分の含有量が０．５モルを超えると、容量温度特性に悪影響を与えることがある。

第６副成分は、得られる誘電体磁器組成物のキュリー温度を高温側へシフトさせる効果と、容量温度特性を平坦化する効果とを有する。また、ＣＲ積及び直流絶縁破壊強度を改善する効果もある。第６副成分の含有量が５モルを超えると、ＩＲ加速寿命が著しく悪化し、容量温度特性（Ｘ８Ｒ特性）が悪くなってしまう。第６副成分であるジルコニウム酸カルシウム（例えばＣａＺｒＯ_３等で表される。）の含有形態は特に限定されないが、例えばＣａＺｒＯ_３等の複合酸化物として含有される。なお、こうした第６副成分は、ＣａＯ等のＣａから構成される酸化物、ＣａＣＯ_３等の炭酸塩、有機化合物、ＣａＺｒＯ_３等を原料として配合される。ＣａＺｒＯ_３及びＣａＯ＋ＺｒＯ_２に換算されるＣａとＺｒとの比率は特に限定されず、主成分であるＢａＴｉＯ_３に固溶させない程度に決定すればよいが、Ｚｒに対するＣａのモル比（Ｃａ／Ｚｒ）については、好ましくは０．５〜１．５、より好ましくは０．８〜１．５、さらに好ましくは０．９〜１．１である。なお、ＩＲ加速寿命とは、得られたコンデンサに対し、２００℃にて１５Ｖ／μｍの電界下で加速試験を行い、絶縁抵抗が測定開始時の値に対して一桁落ちるまでの時間のことである。

なお、誘電体磁器組成物においては、第３副成分（Ｒ^１酸化物の希土類酸化物）及び第６副成分（ＣａＺｒＯ_３又は、ＣａＯ＋ＺｒＯ_２を含むもの）の含有量を調整することで、容量温度特性（Ｘ８Ｒ特性）を平坦化し、高加速寿命等を改善することができる。特に、上述した数値範囲内では、異相の析出が抑制され、組織の均一化を図ることができる。

第７副成分は、生焼けを防止するための焼結助剤として、焼成温度を過度に上昇させることなく焼結性を高めるように作用する。本発明においては、こうした第７副成分として、ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３系の複合酸化物が用いられる。ＳｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３系の複合酸化物としては、１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物が挙げられ、より具体的には、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}の一般式（但し、αは０≦α≦１の範囲内、γは０．８≦γ≦１．２の範囲内、βは０＜β＜０．４の範囲内である。）で表される複合酸化物が挙げられる。

この第７副成分は、その複合酸化物に含まれるＡｌ原子とＳｉ原子との合計のモル数（すなわち、第７副成分である複合酸化物のモル数と同じ。）が０．５〜１２モルとなるように誘電体磁器組成物中に含有されるが、その含有量が０．５モル未満では、焼結性が低下するので過度に焼成温度を上げなければならなくなると共に、焼成温度の上昇に伴う問題（内部電極層の途切れや、誘電体磁器組成物の還元）が起こり易くなる。一方、第７副成分の含有量が１２モルを超えると、誘電率の急激な低下が生じてしまうことがある。

（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}中のＢａ原子及びＣａ原子は第１副成分にも含まれるが、この複合酸化物は融点が低いため主成分に対する反応性が良好な焼結助剤として好ましく作用する。（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}におけるγの範囲は０．８〜１．２であるが、γが０．８未満、すなわち（Ｂａ，Ｃａ）成分に対する（Ｓｉ，Ａｌ）成分が多すぎると、主成分のＢａＴｉＯ_３と反応して誘電体特性を悪化させてしまうことがある。一方、γが１．２を超えると、融点が高くなって主成分に対する反応性が低下し、焼結性を悪化させることがある。ＢａとＣａとの比率は任意であり、αは０〜１の範囲で変化させることができ、その一方だけを含有するものであってもよい。なお、本願において、ＩＲとは、絶縁抵抗のことであり、Ｈｏｔ−ＩＲ特性とは、その絶縁抵抗が２５℃における絶縁抵抗値を１５０℃における絶縁抵抗値で除した後に常用対数をとったものであり、ｌｏｇ（ＩＲ_２５／ＩＲ_１５０）で表される。

本発明においては、第７副成分中のＡｌ原子のモル数Ａと、Ｓｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満となるように、誘電体磁器組成物が構成される。すなわち、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}においては、βの範囲が０を超え０．４未満となるように構成される。Ａ／Ｂが０．６７以上（すなわちβが０．４以上）の場合には、焼結性が悪化してＩＲが低くなることがある。一方、Ａ／Ｂが０（すなわちβが０でＡｌが含まれていない）の場合には、比誘電率の低下やＨｏｔ−ＩＲ特性の劣化が起こる。

本発明の誘電体磁器組成物のキュリー温度（強誘電体から常誘電体への相転移温度）は、誘電体磁器組成物の組成を選択することにより変更することができるが、Ｘ８Ｒ特性を満足するためには、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１２３℃以上とする。キュリー温度は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）等によって測定することができる。なお、Ｓｒ，Ｚｒ及びＳｎの少なくとも１種が、ペロブスカイト構造を構成する主成分中のＢａ又はＴｉを置換している場合、キュリー温度が低温側にシフトするため、１２５℃以上での容量温度特性が悪くなる。このため、これらの元素を含むＢａＴｉＯ_３［例えば（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３］を主成分として用いないことが好ましい。但し、Ｓｒ，Ｚｒ及びＳｎの少なくとも１種が不純物として含有されるレベル（例えば誘電体磁器組成物全体の０．１モル％程度以下）であれば、特に問題はない。また、寿命バラツキは、ワイブル分布で表した際の回帰直線の傾きであるｍ値として表され、このｍ値が大きいほど平均故障寿命（ＭＴＴＦ）のバラツキが小さく、信頼性に優れたものとなる。

誘電体層を構成する誘電体粒子は、上述した誘電体磁器組成物を焼成して得られた誘電体層を構成するものであるが、本発明においては、その誘電体粒子の平均粒径は特に限定されず、誘電体層の厚さ等に応じて例えば０．１〜３μｍの範囲から適宜決定すればよい。具体的には、平均粒径が０．１〜０．５μｍである場合に特に有効であり、ＩＲ寿命が長くなり、また、直流電界下での容量の経時変化を少なくすることができる。なお、本発明において、誘電体粒子の平均粒径は、コード法により求めたコード長を１．５倍したものを粒径と定義し、測定された相当数の粒径データの平均値で表した。

また、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足するとは、製造された積層型セラミックコンデンサが、８０℃以上、特に１２５〜１５０℃の環境下で使用される機器用電子部品として好ましく用いることができることを示すものである。そして、このような温度範囲において、容量の温度特性がＥＩＡ規格のＲ特性を満足し、さらにＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ／Ｃ＝±１５％以内）も満足することを意味している。また、ＥＩＡＪ規格のＢ特性［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度２０℃）］、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、ΔＣ＝±１５％以内）も同時に満足することが可能である。また、容量の経時変化に優れるとは、製造された積層型セラミックコンデンサを例えば８５℃の温度環境下で例えば７Ｖ／μｍの直流電圧を印加した場合等において、１０００時間後における容量の変化率が１０％以内であることを意味している。

誘電体層２の積層数や厚さ等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、誘電体層２の厚さとしては、通常３０μｍ以下であり、小型大容量化の観点からは、誘電体層２の厚さを１０μｍ以下とすることが好ましい。このように薄層化した誘電体層を有する積層型セラミックコンデンサは、小型化大容量化を実現できると共に、その誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒径等が特定されることにより、容量温度特性等の改善に有効である。なお、誘電体層の厚さの下限は特に制限されないが、強いて挙げれば０．５μｍ程度である。また、誘電体層の積層数は、通常、１０００程度である。

内部電極層３は、以上説明した誘電体層２と交互に設けられ、各端面が積層誘電体素子本体１０の対向する２つの端部の表面に交互に露出するように積層されている。また、一対の外部電極４は、積層誘電体素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置されたニッケル内部電極層３の露出端面に接続されて、積層型セラミックコンデンサを構成している。

内部電極層３は、実質的に電極として作用する非金属の導電材から構成される。具体的には、Ｎｉ又はＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ａｌ，Ｗ等の１種又は２種以上と、Ｎｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量が９５重量％以上であることが好ましい。また、Ｎｉ又はＮｉ合金中には、Ｐ，Ｃ，Ｎｂ，Ｆｅ，Ｃｌ，Ｂ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆ，Ｓ等の各種微量成分が０．１重量％以下含有されていてもよい。内部電極層３の積層数や厚さ等の諸条件は、目的や用途に応じ適宜決定すればよいが、厚さとしては、通常０．１μｍ〜３μｍ程度が好ましく、０．２μｍ〜２．０μｍがより好ましい。

外部電極４は、積層誘電体素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する電極であり、積層誘電体素子本体１０の両端部に一対形成されている。外部電極４としては、通常、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ等の少なくとも１種又はそれらの合金を用いることができる。通常は、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｎｉ又はＮｉ合金等や、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｉｎ−Ｇａ合金等が使用される。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。

（積層型セラミックコンデンサの製造方法）
本発明の積層型セラミックコンデンサは、従来の積層型セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷又は転写して焼成することにより製造される。

より詳しくは、上述した誘電体磁器組成物用原料を用意する準備工程と、その誘電体磁器組成物用原料を含む誘電体層用ペーストで作製した誘電体層形成用のグリーンシートと内部電極用ペーストで作製した内部電極層形成用のペースト層とが交互に積層された状態で焼成されて前記グリーンシートが誘電体層になると共に前記ペースト層が内部電極層になったセラミックスチップを形成する焼成工程と、そのセラミックスチップ中の誘電体層を再酸化する再酸化工程とを含む方法で製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。

誘電体層用ペーストは、誘電体磁器組成物用原料と有機ビヒクルとを混練した塗料であり、有機系の塗料であっても水系の塗料であってもよい。

誘電体磁器組成物用原料には、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることができる。誘電体磁器組成物用原料中の各酸化物及び／又は焼成により酸化物になる化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。

より詳しくは、(1)チタン酸バリウム及び／又は焼成によりチタン酸バリウムになる化合物若しくは混合物と、(2)ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯから選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成によりその酸化物になる化合物からなる第１副成分と、(3)Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３及びＷＯ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成によりその酸化物になる化合物からなる第２副成分と、(4)式Ｒ^１ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成によりその酸化物になる化合物（但し、Ｒ^１ は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される元素）からなる第３副成分と、(5)式Ｒ^２ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成によりその酸化物になる化合物（但し、Ｒ^２ は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される元素）からなる第４副成分と、(6)ＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成によりその酸化物になる化合物からなる第５副成分と、(7)ＣａＺｒＯ_３、ＣａＯとＺｒＯ_２との混合物、焼成によりＣａＺｒＯ_３になる化合物、及び焼成によりＣａＯになる化合物と焼成によりＺｒＯ_２になる化合物との混合物から選択される少なくとも１種からなる第６副成分と、(8)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなる第７副成分とを含有し、前記のチタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、各副成分のモル数が、前記の各酸化物に換算したときの換算量で、第１副成分：０を超え７モル以下、第２副成分：０．０１〜０．５モル、第３副成分：０．２５〜３．５モル、第４副成分：０．２５〜４．５モル、第５副成分：０を超え０．５モル以下、第６副成分：０を超え５モル以下、第７副成分：０．５〜１２モルであると共に、第７副成分中のＡｌ原子のモル数ＡとＳｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満である誘電体磁器組成物用原料が用いられる。

有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法等、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。

また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤等を水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体磁器組成物用原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えばポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂等を用いればよい。

内部電極層用ペーストは、上記した各種誘電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。

上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。

印刷法を用いる場合、誘電体層用ペースト及び内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。

焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合には、空気雰囲気において、昇温速度を好ましくは５〜３００℃／時間、より好ましくは１０〜１００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０〜４００℃、より好ましくは２００〜３００℃、温度保持時間を好ましくは０．５〜２４時間、より好ましくは５〜２０時間とする。

グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０^−８〜１０^−１２気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。

本発明においては、焼結助剤としての上記第７副成分を誘電体磁器組成物用原料中に含有させているので、焼成温度を過度に上昇させなくても焼結性を高めることができる。こうした特徴を有する本発明において、焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１２００〜１３６０℃、さらに好ましくは１２００〜１３４０℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。

これ以外の焼成条件としては、昇温速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間、温度保持時間を好ましくは０．５〜８時間、より好ましくは１〜３時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは２００〜３００℃／時間とする。また、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしては、例えばＮ_２とＨ_２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。

還元性雰囲気中で焼成した場合、積層誘電体素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。

アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０^−６気圧以上、特に１０^−５〜１０^−４気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。

アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、Ｈｏｔ−ＩＲ特性の桁落ちが大きくなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、Ｈｏｔ−ＩＲ特性の劣化が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程及び降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。

これ以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは０〜２０時間、より好ましくは６〜１０時間、冷却速度を好ましくは５０〜５００℃／時間、より好ましくは１００〜３００℃／時間とする。また、アニールの雰囲気ガスとしては、例えば、加湿したＮ_２ガス等を用いることが好ましい。

上記した脱バインダ処理、焼成及びアニールにおいて、Ｎ_２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。

脱バインダ処理、焼成及びアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ_２ガスあるいは加湿したＮ_２ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ_２ガスあるいは加湿したＮ_２ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ_２ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ_２ガス雰囲気としてもよい。

上記のようにして得られた積層誘電体素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラスト等により端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷又は転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ_２とＨ_２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。このようにして製造された本発明の積層型セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上等に実装され、各種電子機器等に使用される。

以上、本発明の積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。

以下の実験例と比較例により本発明を詳細に説明する。但し、本発明は、以下の記載内容に限定されるものではない。

（サンプル１の作製）
先ず、誘電体材料を作製するための出発原料として、それぞれの平均粒径が０．１〜１μｍに含まれる主成分原料（ＢａＴｉＯ_３）及び第１〜第７副成分原料を用意した。なお、主成分であるＢａＴｉＯ_３については、ＢａＣＯ_３及びＴｉＯ_２をそれぞれ秤量し、ボールミルを用いて約１６時間湿式混合し、これを乾燥したのち、１１００℃の温度で空気中にて焼成したものをさらにボールミルにより約１６時間湿式粉砕して作製したものを用いても同様のものが得られた。また、主成分であるＢａＴｉＯ_３は、水熱合成粉、蓚酸塩法等によって作製されたものを用いても同様のものが得られた。

ＭｇＯ及びＭｎＯの原料には炭酸塩（第１副成分：ＭｇＣＯ_３、第５副成分：ＭｎＣＯ_３）を用い、他の原料には酸化物（第２副成分：Ｖ_２Ｏ_５、第４副成分：Ｙ_２Ｏ_３、第６副成分：ＣａＺｒＯ_３）を用いた。また、焼結助剤として作用する第７副成分は、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}の一般式で表される複合酸化物を用い、α＝０．４、β＝０．２、γ＝１の組成のものを使用した。それぞれの副成分は、ＢａＴｉＯ_３のモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、各副成分のモル数が上記各酸化物に換算したときの換算量で表１に示したモル数となるように調整して、ボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥させて誘電体磁器組成物用原料とした。

なお、焼結助剤である第７副成分は次のようにして作製した。先ず、所定のモル比になるようにＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２の各原料粉末を秤量した後、これらの原料粉末を水及びジルコニアボールと共にボールミル内に入れ、湿式で１６時間混合した。得られたスラリー（混合物）を乾燥機に入れ、１２０℃で乾燥させて混合粉体とした。次いで、得られた混合粉体に水を１０ｗｔ％添加した後に金型に投入して加圧成型することにより、ペレット状物（成型物）を得た。次いで、ペレット状物の仮焼きを大気中で所定の温度と時間で行なった。温度と時間は、仮焼き後の粉末ＸＲＤ測定により、原料粉末であるＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２の各ピークがみられなくなる温度と時間とした。こうして得られた仮焼き温度と時間で仮焼きして得られたペレット状物は、乳鉢にて３００ミクロンメッシュを通るまで解砕した。得られた粉末を水及びジルコニアボールと共にボールミル内に入れ、湿式で４８時間混合し、得られたスラリー（混合物）を乾燥機に入れ、１２０℃で乾燥させて、各成分組成の異なる焼結助剤を作製した。

また、第６副成分であるＣａＺｒＯ_３は、ＣａＣＯ_３及びＺｒＯ_２をボールミルにより１６時間湿式混合し、乾燥後、１１５０℃で空気中で焼成し、さらに、ボールミルにより２４時間湿式粉砕することにより製造した。

このようにして得られた乾燥後の誘電体磁器組成物用原料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部と、塩化メチレン４０重量部と、酢酸エチル２０重量部と、ミネラルスピリット６重量部と、アセトン４重量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。

次いで、平均粒径０．４μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部と、ブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練してペースト化し、内部電極層用ペーストを得た。なお、外部電極については、ペースト状のＩｎ−Ｇａ合金を準備した。

次いで、上記誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に、厚さ４．５μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷したのち、ＰＥＴフィルムからグリーンシートを剥離した。次いで、これらのグリーンシートと保護用グリーンシート（内部電極層用ペーストを印刷しないもの）とを積層、圧着して、グリーンチップを得た。内部電極を有するシートの積層数は４層とした。

次いで、グリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成及びアニールを行って、積層セラミックチップである焼成体を得た。脱バインダ処理は、昇温時間３２．５℃／時間、保持温度２６０℃、保持時間８時間、空気雰囲気の条件で行った。また、焼成は、昇温速度２００℃／時間、保持温度１３００℃、保持時間２時間、冷却速度２００℃／時間、加湿したＮ_２＋Ｈ_２混合ガス雰囲気（酸素分圧は１０^−１２気圧）の条件で行った。アニールは、保持温度１０５０℃、温度保持時間２時間、冷却速度２００℃／時間、加湿したＮ_２ガス雰囲気（酸素分圧は１０^−５気圧）の条件で行った。なお、焼成の際の雰囲気ガスの加湿には、水温を２０℃としたウェッターを用い、アニールの際の雰囲気ガスの加湿には、水温を３０℃としたウエッターを用いた。

次いで、積層セラミックチップの端面をサンドブラストにて研磨したのち、ペースト状のＩｎ−Ｇａ合金を端面に塗布して外部電極を形成することにより、積層型セラミックコンデンサのサンプルを得た。得られた各サンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、内部電極層に挟まれた誘電体層の数は５、誘電体層の１層当たりの厚さは３．５μｍであり、内部電極層の１層当たりの厚さは１．０μｍであった。

なお、焼結密度測定用及び比誘電率測定用のサンプルとして、直径１２ｍｍの寸法からなるディスク状の単層サンプルを作製した。なお、この単層サンプルの作製条件は、上記の積層サンプルと同様の条件とした。

得られた積層型セラミックコンデンサのサンプルは、還元雰囲気での焼成においても還元されることがなく、また内部電極として使用したニッケルもＩＲ不良が生じる程度の酸化はみられなかった。

（サンプル２〜１６の作製）
上記のサンプル１の作製において、誘電体磁器組成物用原料の成分組成を表１に示したものに変更し、さらに焼成温度を表１に示した温度で行った以外は上記サンプル１と同様にして、サンプル２〜１６の積層型セラミックコンデンサを作製した。なお、サンプル１３〜１６は、焼結助剤である第７成分として（Ｂa_０．６Ｃａ_０．４）ＳｉＯ_３の複合酸化物を使用した。

得られた積層型セラミックコンデンサのサンプルは、そのいずれにおいても還元雰囲気での焼成においても還元されることがなく、また内部電極として使用したニッケルもＩＲ不良が生じる程度の酸化はみられなかった。

（各特性の評価方法と結果）
作製されたサンプル１〜１６について、焼結密度の測定結果を表１に示した。また、第７副成分である焼結助剤を用いることにより焼結密度が向上したサンプル１〜８及び１４について、容量温度特性としてＸ８Ｒ特性を評価すると共に、ＭＴＴＦ（平均故障寿命）、寿命バラツキ（ｍ値）、誘電損失（％）、Ｔｃ−ｂｉａｓ（％）、Ｈｏｔ−ＩＲ特性、ＣＲ積のそれぞれについて測定・評価し、表２に示した。各特性の測定方法・評価方法は以下の通りである。

焼結密度は、ディスク状の単層サンプルを使用し、その直径、厚さ、重量から求めた。

容量温度特性は、得られた積層型のサンプルに対し、−５５〜１５０℃の温度範囲で最も容量温度特性が悪くなる温度環境下での静電容量の変化率（％）を測定することにより評価した。静電容量の測定にはＬＣＲメータを用い、周波数１ｋＨｚ・入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。測定結果に対しては、Ｘ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足するか否かで評価した。

ＭＴＴＦ（平均故障寿命）は、雰囲気温度１６０℃、直流電界１５Ｖ／ｍの条件の下に高加速寿命試験（ＨＡＬＴ；High Accelerator Life Test）を行って、その結果をもとにワイブル関数から算出した平均寿命時間（時間：ｈｒ）で表される。また、ｍ値は、ワイブル分布で表した際の回帰直線の傾きで表される。なお、この加速試験の結果は、得られた平均寿命時間が１．５時間以上であれば、積層型セラミックコンデンサとして十分な信頼性を有するものとして評価される。

誘電損失は、得られた積層型のサンプルに対し、室温にてＬＣＲメータを用い、周波数１ｋＨｚ・入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定し、サンプル１４に対する良否で評価した。

Ｔｃ−ｂｉａｓ特性は、得られた積層型のサンプルに対し、７．０Ｖ／μｍの直流電圧を印加した際の静電容量の変化率（％）を測定することにより評価した。静電容量の測定にはＬＣＲメータを用い、周波数１ｋＨｚ・入力信号レベル１Ｖｒｍｓの条件下で測定した。測定結果に対しては、静電容量の変化率が４０％以内となるか否か、及び、サンプル１４に対する良否で評価した。

Ｈｏｔ−ＩＲ特性は、得られた積層型のサンプルの絶縁抵抗が２５℃における絶縁抵抗値を１５０℃における絶縁抵抗値で除した後に常用対数をとったものであり、ｌｏｇ（ＩＲ_２５／ＩＲ_１５０）で表されるものである。

表１に示した焼結密度の結果から明らかなように、サンプル１〜４の焼結密度は、Ａｌを含有していない焼結助剤を用いたサンプル１３〜１６の焼結密度に比べて高くなる傾向を示しており、焼結性の向上がみられた。一方、Ａｌ含有量が多いサンプル９〜１２の焼結密度はやや低下していた。

表２に示した各特性結果から明らかなように、サンプル１〜８は、Ａｌを含有していない焼結助剤を用いたサンプル１４に比べて、各特性が向上する傾向を示していた。特に、Ｘ８Ｒ特性、寿命バラツキ（ｍ値）、誘電損失（％）、Ｔｃ−ｂｉａｓ（％）については特性値の向上がみられた。

本発明の積層型セラミックコンデンサの一例を示す模式断面図である。

符号の説明

１… 積層型セラミックコンデンサ
２… 誘電体層
３… 内部電極層
４… 外部電極
１０… 積層誘電体素子本体

Claims (6)

1. チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、
   (a)チタン酸バリウムと、(b)Ｍｇ酸化物、Ｃａ酸化物、Ｂａ酸化物及びＳｒ酸化物から選択される少なくとも１種であり、それぞれＭｇＯ，ＣａＯ，ＢａＯ及びＳｒＯに換算したときのモル数で０を超え７モル以下の第１副成分と、(c)Ｖ酸化物、Ｍｏ酸化物及びＷ酸化物から選択される少なくとも１種であり、それぞれＶ_２Ｏ_５，ＭｏＯ_３及びＷＯ_３に換算したモル数で０．０１〜０．５モルの第２副成分と、(d)Ｒ^１酸化物（Ｒ^１は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種）を少なくとも１種含むものであり、それぞれＲ^１ _２Ｏ_３に換算したモル数で０．２５〜３．５モルの第３副成分と、(e)Ｒ^２酸化物（Ｒ^２は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される少なくとも一種）を少なくとも１種含むものであり、それぞれＲ^２ _２Ｏ_３に換算したモル数で０．２５〜４．５モルの第４副成分と、(f)Ｍｎ酸化物及びＣｒ酸化物から選択される少なくとも１種であり、それぞれＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３に換算したモル数で０を超え０．５モル以下の第５副成分と、(g)ジルコニウム酸カルシウム及びＣａ酸化物とＺｒ酸化物との混合物の少なくとも１種であり、それぞれＣａＺｒＯ_３及びＣａＯ＋ＺｒＯ_２に換算したモル数で０を超え５モル以下の第６副成分と、(h)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなり、当該Ａｌ原子とＳｉ原子との合計のモル数が０．５〜１２モルの第７副成分とを含有し、
   前記第７副成分中のＡｌ原子のモル数Ａと、Ｓｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
2. 前記第７副成分である複合酸化物が、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}の一般式（但し、αは０≦α≦１の範囲内、γは０．８≦γ≦１．２の範囲内、βは０＜β＜０．４の範囲内である。）で表されることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
3. 請求項１又は２に記載の誘電体磁器組成物からなる誘電体層と、内部電極層とが交互に積層された積層体を有することを特徴とする積層型セラミックコンデンサ。
4. (1)チタン酸バリウム及び／又は焼成によりチタン酸バリウムになる化合物若しくは混合物と、(2)ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯから選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第１副成分と、(3)Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３及びＷＯ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第２副成分と、(4)式Ｒ^１ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^１ は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される元素）からなる第３副成分と、(5)式Ｒ^２ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^２ は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される元素）からなる第４副成分と、(6)ＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第５副成分と、(7)ＣａＺｒＯ_３、ＣａＯとＺｒＯ_２との混合物、焼成によりＣａＺｒＯ_３になる化合物、及び焼成によりＣａＯになる化合物と焼成によりＺｒＯ_２になる化合物との混合物から選択される少なくとも１種からなる第６副成分と、(8)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなる第７副成分とを含有し、前記チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、前記各副成分のモル数が、前記各酸化物に換算したときの換算量で、第１副成分：０を超え７モル以下、第２副成分：０．０１〜０．５モル、第３副成分：０．２５〜３．５モル、第４副成分：０．２５〜４．５モル、第５副成分：０を超え０．５モル以下、第６副成分：０を超え５モル以下、第７副成分：０．５〜１２モルであると共に、当該第７副成分中のＡｌ原子のモル数ＡとＳｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満である誘電体磁器組成物用原料を用意する準備工程と、
   前記誘電体磁器組成物用原料で作製した誘電体層形成用のグリーンシートと、内部電極層形成用のペースト層とが交互に積層された状態で焼成されて、前記グリーンシートが誘電体層になると共に前記ペースト層が内部電極層になったセラミックスチップを形成する焼成工程と、
   前記セラミックスチップ中の誘電体層を再酸化する再酸化工程とを含むことを特徴とする積層型セラミックコンデンサの製造方法。
5. 前記第７副成分である複合酸化物が、（Ｂａ_１−αＣａ_α）_γ（Ｓｉ_１−βＡｌ_β）Ｏ_{γ＋２−β／２}の一般式（但し、αは０≦α≦１の範囲内、γは０．８≦γ≦１．２の範囲内、βは０＜β＜０．４の範囲内である。）で表されることを特徴とする請求項４に記載の積層型セラミックコンデンサの製造方法。
6. (1)チタン酸バリウム及び／又は焼成によりチタン酸バリウムになる化合物若しくは混合物と、(2)ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯから選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第１副成分と、(3)Ｖ_２Ｏ_５、ＭｏＯ_３及びＷＯ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第２副成分と、(4)式Ｒ^１ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^１ は、Ｓｃ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選択される元素）からなる第３副成分と、(5)式Ｒ^２ _２Ｏ_３ で表される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物（但し、Ｒ^２ は、Ｙ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂ、Ｇｄ及びＥｕから選択される元素）からなる第４副成分と、(6)ＭｎＯ及びＣｒ_２Ｏ_３から選択される少なくとも１種の酸化物及び／又は焼成により当該酸化物になる化合物からなる第５副成分と、(7)ＣａＺｒＯ_３、ＣａＯとＺｒＯ_２との混合物、焼成によりＣａＺｒＯ_３になる化合物、及び焼成によりＣａＯになる化合物と焼成によりＺｒＯ_２になる化合物との混合物から選択される少なくとも１種からなる第６副成分と、(8)１モル中にＡｌ原子とＳｉ原子とを合計１モル含有する複合酸化物からなる第７副成分とを含有し、
   前記チタン酸バリウムのモル数を１００モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、前記各副成分のモル数が、前記各酸化物に換算したときの換算量で、第１副成分：０を超え７モル以下、第２副成分：０．０１〜０．５モル、第３副成分：０．２５〜３．５モル、第４副成分：０．２５〜４．５モル、第５副成分：０を超え０．５モル以下、第６副成分：０を超え５モル以下、第７副成分：０．５〜１２モルであると共に、当該第７副成分中のＡｌ原子のモル数ＡとＳｉ原子のモル数Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が０を超え０．６７未満であることを特徴とする誘電体磁器組成物用原料。

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