JP2000169221A - 誘電体磁器およびその製法 - Google Patents
誘電体磁器およびその製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１１５０℃以下の温度で焼成でき、Ａｇを主成
分とする内部電極と同時焼成可能であり、２０００より
高い比誘電率を有するとともに、温度特性を向上でき、
ＩＲ加速寿命を向上できる誘電体磁器およびその製法を
提供する。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａとＴｉを含
有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子
と、金属元素として少なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｉ
およびＬｉとを含有する粒界相からなり、粒界相のＢｉ
が、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物からなる結晶粒子
として存在するとともに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉがガラ
スとして存在するものである。
分とする内部電極と同時焼成可能であり、２０００より
高い比誘電率を有するとともに、温度特性を向上でき、
ＩＲ加速寿命を向上できる誘電体磁器およびその製法を
提供する。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａとＴｉを含
有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子
と、金属元素として少なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｉ
およびＬｉとを含有する粒界相からなり、粒界相のＢｉ
が、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物からなる結晶粒子
として存在するとともに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉがガラ
スとして存在するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器およびそ
の製法に関し、特に車載用で好適に使用される積層セラ
ミックコンデンサの誘電体磁器およびその製法に関する
ものである。
の製法に関し、特に車載用で好適に使用される積層セラ
ミックコンデンサの誘電体磁器およびその製法に関する
ものである。
【０００２】
【従来技術】従来、積層セラミックコンデンサは、表面
に内部電極用ペーストが塗布されたグリーンシートを複
数枚積層するとともに、各シートの内部電極を交互に並
列に一対の端子電極に接続し、これを焼結一体化するこ
とにより形成されている。このような積層セラミックコ
ンデンサは近年のエレクトロニクスの発展に伴い電子部
品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使用され
るようになってきている。
に内部電極用ペーストが塗布されたグリーンシートを複
数枚積層するとともに、各シートの内部電極を交互に並
列に一対の端子電極に接続し、これを焼結一体化するこ
とにより形成されている。このような積層セラミックコ
ンデンサは近年のエレクトロニクスの発展に伴い電子部
品の小型化が急速に進行し、広範な電子回路に使用され
るようになってきている。
【０００３】特にＸ７Ｒ特性と呼ばれるコンデンサは、
−５５〜１２５℃まで容量変化率が±１５％以内と平坦
な特性を有している。この特性を有する誘電体材料はＢ
ａＴｉＯ3 を主成分とし、内部電極材料としては、パラ
ジウムと銀の合金または、Ｎｉが用いられ、１２００〜
１３５０℃で同時焼成されていた。
−５５〜１２５℃まで容量変化率が±１５％以内と平坦
な特性を有している。この特性を有する誘電体材料はＢ
ａＴｉＯ3 を主成分とし、内部電極材料としては、パラ
ジウムと銀の合金または、Ｎｉが用いられ、１２００〜
１３５０℃で同時焼成されていた。
【０００４】近年、自動車の各種制御のコンピュータ化
に伴い、ＥＣＵ（エンジンコントロールユニット）等が
使用され、制御の高度化、小型軽量化のため、ＥＣＵ
は、エンジンルーム内の設置が有効である。エンジンル
ーム内は、寒冷地における冬期の始動時には−２０℃以
下、エンジン始動後は、夏期では＋１３０℃と非常に高
温になる。しかしながら、従来のＸ７Ｒ特性の積層セラ
ミックコンデンサでは、１２５℃を越えると容量が急激
に低下し、１５０℃では容量変化率は−４０％と低くな
り、高温側に対応できない。
に伴い、ＥＣＵ（エンジンコントロールユニット）等が
使用され、制御の高度化、小型軽量化のため、ＥＣＵ
は、エンジンルーム内の設置が有効である。エンジンル
ーム内は、寒冷地における冬期の始動時には−２０℃以
下、エンジン始動後は、夏期では＋１３０℃と非常に高
温になる。しかしながら、従来のＸ７Ｒ特性の積層セラ
ミックコンデンサでは、１２５℃を越えると容量が急激
に低下し、１５０℃では容量変化率は−４０％と低くな
り、高温側に対応できない。
【０００５】また、１５０℃まで温度特性が平坦な誘電
体磁器組成物として、特開平７−３７４２８号公報、特
開平８−２９５５５９号公報に開示されるようなものが
知られている。例えば、特開平７−３７４２８号公報に
開示された誘電体磁器組成物では、Ｐｂで一部置換した
ＢａＴｉＯ3 と、ＺｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｅＯ2 （Ｍｅ
はＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ）、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＲＥ2 Ｏ3 （ＲＥ
は希土類元素）からなる主成分と、ＳｉＯ2 を主成分と
するガラスから構成されている。
体磁器組成物として、特開平７−３７４２８号公報、特
開平８−２９５５５９号公報に開示されるようなものが
知られている。例えば、特開平７−３７４２８号公報に
開示された誘電体磁器組成物では、Ｐｂで一部置換した
ＢａＴｉＯ3 と、ＺｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＭｅＯ2 （Ｍｅ
はＴｉ、Ｚｒ、Ｓｎ）、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＲＥ2 Ｏ3 （ＲＥ
は希土類元素）からなる主成分と、ＳｉＯ2 を主成分と
するガラスから構成されている。
【０００６】このような誘電体磁器組成物では、１１６
０℃以下の低温で焼成でき、−５５℃〜１５０℃までの
広い温度範囲で平坦な温度特性を有するものである。
０℃以下の低温で焼成でき、−５５℃〜１５０℃までの
広い温度範囲で平坦な温度特性を有するものである。
【０００７】この公報に開示された磁器は、例えば、Ｂ
ａＴｉＯ3 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ
5 、Ｒｅ2 Ｏ3 粉末を所定の組成比となるように混合し
た後、仮焼粉砕し、該仮焼物に対して、ＢａＯ−ＳｒＯ
−ＣａＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系からなるガラス成分を
添加し、これを焼成して作製していた。
ａＴｉＯ3 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｎｂ2 Ｏ
5 、Ｒｅ2 Ｏ3 粉末を所定の組成比となるように混合し
た後、仮焼粉砕し、該仮焼物に対して、ＢａＯ−ＳｒＯ
−ＣａＯ−Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 系からなるガラス成分を
添加し、これを焼成して作製していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に開示された誘電体磁器では、比誘電率が最大でも２
０００程度であり、いずれも、比誘電率が小さいという
問題があった。
報に開示された誘電体磁器では、比誘電率が最大でも２
０００程度であり、いずれも、比誘電率が小さいという
問題があった。
【０００９】本発明は、１１５０℃以下の低温で、Ａｇ
を主成分とする内部電極と同時に焼成でき、比誘電率ε
ｒが２０００よりも高く、温度特性が良好で、ＩＲ加速
寿命が長い積層セラミックコンデンサ用として適した誘
電体磁器およびその製法を提供することを目的とする。
を主成分とする内部電極と同時に焼成でき、比誘電率ε
ｒが２０００よりも高く、温度特性が良好で、ＩＲ加速
寿命が長い積層セラミックコンデンサ用として適した誘
電体磁器およびその製法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器は、
金属元素として少なくともＢａとＴｉを含有するペロブ
スカイト型複合酸化物からな主結晶粒子と、金属元素と
して少なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＴｉおよびＬｉを含
有する粒界相とからなる誘電体磁器であって、粒界相の
Ｂｉが、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物からなる結晶
粒子として存在するとともに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉが
ガラスとして存在するものである。
金属元素として少なくともＢａとＴｉを含有するペロブ
スカイト型複合酸化物からな主結晶粒子と、金属元素と
して少なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＴｉおよびＬｉを含
有する粒界相とからなる誘電体磁器であって、粒界相の
Ｂｉが、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物からなる結晶
粒子として存在するとともに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉが
ガラスとして存在するものである。
【００１１】ここで、粒界相のＢｉは、ＢｉとＴｉを含
有する複合酸化物からなる結晶粒子としてのみ存在する
ことが望ましい。
有する複合酸化物からなる結晶粒子としてのみ存在する
ことが望ましい。
【００１２】また、金属元素としてＢａ、ＴｉおよびＢ
ｉを含有し、これらの金属元素酸化物のモル比による組
成式を（１００−ａ）ＢａＴｉＯ3 ・ａＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 と表した時、前記ａが１．５≦ａ≦５．０を満足する
主成分と、該主成分１００モル部に対して、モル比によ
る組成式ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ
（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２で表わされる組
成物を１〜１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７
〜１．９モル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（ＲＥは
希土類元素）で０．１〜０．６モル部、アルカリ土類金
属をアルカリ土類金属酸化物換算で４．０モル部以下含
有するものである。
ｉを含有し、これらの金属元素酸化物のモル比による組
成式を（１００−ａ）ＢａＴｉＯ3 ・ａＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 と表した時、前記ａが１．５≦ａ≦５．０を満足する
主成分と、該主成分１００モル部に対して、モル比によ
る組成式ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ
（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２で表わされる組
成物を１〜１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７
〜１．９モル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（ＲＥは
希土類元素）で０．１〜０．６モル部、アルカリ土類金
属をアルカリ土類金属酸化物換算で４．０モル部以下含
有するものである。
【００１３】また、本発明の誘電体磁器の製法は、Ｂａ
ＴｉＯ3 粉末と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7粉末と、モル比によ
る組成式、ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ
（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で表わされる
ガラス粉末とを混合し、焼成する方法である。
ＴｉＯ3 粉末と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7粉末と、モル比によ
る組成式、ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ
（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で表わされる
ガラス粉末とを混合し、焼成する方法である。
【００１４】
【作用】本発明の誘電体磁器は、１１５０℃以下の比較
的低温で、Ａｇ、Ｐｄを含有する内部電極と同時焼成で
きるとともに、比誘電率が２０００よりも高く、かつ高
温側における静電容量の温度変化を小さくでき、ＩＲ加
速寿命が長く、特に車載用のコンデンサの誘電体磁器と
して好適な特性を示す。
的低温で、Ａｇ、Ｐｄを含有する内部電極と同時焼成で
きるとともに、比誘電率が２０００よりも高く、かつ高
温側における静電容量の温度変化を小さくでき、ＩＲ加
速寿命が長く、特に車載用のコンデンサの誘電体磁器と
して好適な特性を示す。
【００１５】即ち、上記公報に開示された誘電体磁器組
成物では、ＢｉをＢｉ2 Ｏ3 粉末として添加しているた
め、作製した誘電体磁器では、ＢａＴｉＯ3 結晶粒子の
粒界にＢｉ2 Ｏ3 粒子として存在しており、このため、
比誘電率が最大でも２０００程度と小さかったが、本発
明では、主結晶粒子間のＢｉが、Ｂｉ2 Ｏ3 よりも高誘
電率を示し、キュリー温度が高いＢｉとＴｉを含有する
複合酸化物からなる結晶粒子として存在するため、比誘
電率を２０００よりも高くできるのである。
成物では、ＢｉをＢｉ2 Ｏ3 粉末として添加しているた
め、作製した誘電体磁器では、ＢａＴｉＯ3 結晶粒子の
粒界にＢｉ2 Ｏ3 粒子として存在しており、このため、
比誘電率が最大でも２０００程度と小さかったが、本発
明では、主結晶粒子間のＢｉが、Ｂｉ2 Ｏ3 よりも高誘
電率を示し、キュリー温度が高いＢｉとＴｉを含有する
複合酸化物からなる結晶粒子として存在するため、比誘
電率を２０００よりも高くできるのである。
【００１６】また、誘電体層の主結晶粒子間の粒界相に
Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌｉを含有し、これら成分の分散性が向上
するため、焼結性が良く、１１５０℃以下の比較的低温
で焼成でき、Ａｇ、Ｐｄを含有する内部電極と同時焼成
できる。特に、Ｌｉが粒界相に存在することにより焼結
性が向上し、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌｉをガラス状態で添加する
ことで、誘電体磁器に均一に前記ガラスが存在すること
になり、ＩＲ加速寿命が向上する。
Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌｉを含有し、これら成分の分散性が向上
するため、焼結性が良く、１１５０℃以下の比較的低温
で焼成でき、Ａｇ、Ｐｄを含有する内部電極と同時焼成
できる。特に、Ｌｉが粒界相に存在することにより焼結
性が向上し、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌｉをガラス状態で添加する
ことで、誘電体磁器に均一に前記ガラスが存在すること
になり、ＩＲ加速寿命が向上する。
【００１７】本発明の誘電体磁器では、粒界相のＢｉ
は、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物、特にＢｉ2 Ｔｉ
2 Ｏ7 からなる結晶粒子としてのみ存在することによ
り、さらに比誘電率および温度特性を向上できる。
は、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物、特にＢｉ2 Ｔｉ
2 Ｏ7 からなる結晶粒子としてのみ存在することによ
り、さらに比誘電率および温度特性を向上できる。
【００１８】そして、本発明の誘電体磁器は、モル比に
よる組成式を（１００−ａ）・ＢａＴｉＯ3 ・ａＢｉ2
Ｔｉ2 Ｏ7 と表した時、前記ａが１．５≦ａ≦５．０を
満足する主成分と、該主成分１００モル部に対して、ｂ
ＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ
≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で表わされる組成物を１〜
１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７〜１．９モ
ル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（ＲＥは希土類元
素）で０．１〜０．６モル部、アルカリ土類金属をアル
カリ土類金属酸化物換算で４．０モル部以下含有するこ
とにより、１１５０℃以下の低温で焼成できるととも
に、比誘電率を２０００よりも高くでき、ＩＲ加速寿命
が長くなり、高温側における静電容量の温度変化を小さ
くでき、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ（＋２５℃における静電容
量を基準としたとき、−５５℃〜＋１５０℃の広い範囲
にわたり静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満足
できる。
よる組成式を（１００−ａ）・ＢａＴｉＯ3 ・ａＢｉ2
Ｔｉ2 Ｏ7 と表した時、前記ａが１．５≦ａ≦５．０を
満足する主成分と、該主成分１００モル部に対して、ｂ
ＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ
≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で表わされる組成物を１〜
１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７〜１．９モ
ル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（ＲＥは希土類元
素）で０．１〜０．６モル部、アルカリ土類金属をアル
カリ土類金属酸化物換算で４．０モル部以下含有するこ
とにより、１１５０℃以下の低温で焼成できるととも
に、比誘電率を２０００よりも高くでき、ＩＲ加速寿命
が長くなり、高温側における静電容量の温度変化を小さ
くでき、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ（＋２５℃における静電容
量を基準としたとき、−５５℃〜＋１５０℃の広い範囲
にわたり静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満足
できる。
【００１９】また、ＢａＴｉＯ3 粉末と、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 粉末と、モル比による組成式、ｂＳｉＯ2 ・（１−
ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ
≦０．２）で表わされるガラス粉末とを混合し、焼成す
るので、粒界相中にＢｉがＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 としてのみ
存在する磁器が容易に得られる。
Ｏ7 粉末と、モル比による組成式、ｂＳｉＯ2 ・（１−
ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ
≦０．２）で表わされるガラス粉末とを混合し、焼成す
るので、粒界相中にＢｉがＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 としてのみ
存在する磁器が容易に得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、金属元素
として少なくともＢａとＴｉを含有するペロブスカイト
型複合酸化物からなる主結晶粒子と、金属元素として少
なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＴｉおよびＬｉを含有する
粒界相からなる誘電体磁器であって、粒界相のＢｉが、
ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物となる結晶粒子として
存在するとともに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉがガラスとし
て存在するものである。
として少なくともＢａとＴｉを含有するペロブスカイト
型複合酸化物からなる主結晶粒子と、金属元素として少
なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、ＴｉおよびＬｉを含有する
粒界相からなる誘電体磁器であって、粒界相のＢｉが、
ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物となる結晶粒子として
存在するとともに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉがガラスとし
て存在するものである。
【００２１】ここで、結晶粒子間の粒界相のＢｉが、室
温での比誘電率が４０００以上であり、キュリー温度が
３００℃以上の、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物から
なる結晶粒子として存在することにより、誘電体層の比
誘電率を２０００よりも高くできるとともに、高温側の
温度特性を向上できるのである。
温での比誘電率が４０００以上であり、キュリー温度が
３００℃以上の、ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物から
なる結晶粒子として存在することにより、誘電体層の比
誘電率を２０００よりも高くできるとともに、高温側の
温度特性を向上できるのである。
【００２２】粒界相のＢｉは、ＢｉとＴｉを含有する複
合酸化物、特にＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 からなる結晶粒子とし
てのみ存在することにより、言い換えれば、粒界相のＢ
ｉがＢｉ2 Ｏ3 からなる結晶粒子として存在しないこと
により、さらに比誘電率および温度特性を向上できる。
ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物からなる結晶粒子とし
てのみ存在するとは、Ｘ線回折測定において、ＢｉとＴ
ｉを含有する複合酸化物のピークのみが存在し、Ｂｉ2
Ｏ3 のピークが存在しないことをいう。
合酸化物、特にＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 からなる結晶粒子とし
てのみ存在することにより、言い換えれば、粒界相のＢ
ｉがＢｉ2 Ｏ3 からなる結晶粒子として存在しないこと
により、さらに比誘電率および温度特性を向上できる。
ＢｉとＴｉを含有する複合酸化物からなる結晶粒子とし
てのみ存在するとは、Ｘ線回折測定において、ＢｉとＴ
ｉを含有する複合酸化物のピークのみが存在し、Ｂｉ2
Ｏ3 のピークが存在しないことをいう。
【００２３】さらに、Ｓｉ、ＺｎおよびＬｉがガラスと
して存在することにより、１１５０℃以下の低温で焼成
できるとともに、ＩＲ加速寿命を向上することができ
る。
して存在することにより、１１５０℃以下の低温で焼成
できるとともに、ＩＲ加速寿命を向上することができ
る。
【００２４】本発明の誘電体磁器は金属元素酸化物のモ
ル比による組成式を（１００−ａ）ＢａＴｉＯ3 ・ａＢ
ｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 と表した時、前記ａが１．５≦ａ≦５．
０を満足するものを主成分とする。
ル比による組成式を（１００−ａ）ＢａＴｉＯ3 ・ａＢ
ｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 と表した時、前記ａが１．５≦ａ≦５．
０を満足するものを主成分とする。
【００２５】上記組成式において、Ｂｉのチタン酸塩の
モル比ａを１．５≦ａ≦５．０としたのは、モル比ａが
１．５未満の場合は焼結性が低下したり、温度特性、す
なわち、−５５〜１５０℃における容量変化率の最小値
が−１５％より低くなり、モル比ａが５．０を越える場
合には比誘電率が低下したり、誘電損失が３．０％以上
となるからである。とりわけ誘電体磁器の比誘電率と温
度特性の観点からは２．３≦ａ≦４．５、特には３．１
〜４．５が望ましい。本発明では、Ｌｉが粒界相に存在
することにより４＜ａ≦５の範囲においても優れた特性
を示す。
モル比ａを１．５≦ａ≦５．０としたのは、モル比ａが
１．５未満の場合は焼結性が低下したり、温度特性、す
なわち、−５５〜１５０℃における容量変化率の最小値
が−１５％より低くなり、モル比ａが５．０を越える場
合には比誘電率が低下したり、誘電損失が３．０％以上
となるからである。とりわけ誘電体磁器の比誘電率と温
度特性の観点からは２．３≦ａ≦４．５、特には３．１
〜４．５が望ましい。本発明では、Ｌｉが粒界相に存在
することにより４＜ａ≦５の範囲においても優れた特性
を示す。
【００２６】そして、上記主成分１００モル部に対し
て、ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．
３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で表わされる組成物
を１〜１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７〜
１．９モル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（ＲＥは希
土類元素）で０．１〜０．６モル部、アルカリ土類金属
をアルカリ土類金属酸化物換算で４．０モル部以下含有
してなるものである。
て、ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．
３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で表わされる組成物
を１〜１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７〜
１．９モル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（ＲＥは希
土類元素）で０．１〜０．６モル部、アルカリ土類金属
をアルカリ土類金属酸化物換算で４．０モル部以下含有
してなるものである。
【００２７】ここで、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5 換算で０．７〜
１．９モル部含有したのは、０．７モル部未満では誘電
損失が３．０％以上、温度特性、すなわち、−５５〜１
５０℃における容量変化率の最小値が−１５％より低く
なり、１．９モル部を越える場合には比誘電率が小さく
なり、焼結性が悪くなるからである。とりわけ誘電体磁
器の比誘電率と誘電損失の観点から０．９〜１．４モル
部が好ましい。
１．９モル部含有したのは、０．７モル部未満では誘電
損失が３．０％以上、温度特性、すなわち、−５５〜１
５０℃における容量変化率の最小値が−１５％より低く
なり、１．９モル部を越える場合には比誘電率が小さく
なり、焼結性が悪くなるからである。とりわけ誘電体磁
器の比誘電率と誘電損失の観点から０．９〜１．４モル
部が好ましい。
【００２８】さらに、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3 換算（Ｒ
Ｅは希土類元素）で０．１〜０．６モル部含有したの
は、０．１モル部未満では焼結性が悪くなり、０．６モ
ル部を越える場合には比誘電率が小さくなり、焼結性が
悪くなるからである。比誘電率の観点から０．２５〜
０．４モル部が好ましい。希土類元素としては、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等があるが、
このうち、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｅｒ、Ｔｂが望ましく、さらにはＴｂが望ましい。
Ｅは希土類元素）で０．１〜０．６モル部含有したの
は、０．１モル部未満では焼結性が悪くなり、０．６モ
ル部を越える場合には比誘電率が小さくなり、焼結性が
悪くなるからである。比誘電率の観点から０．２５〜
０．４モル部が好ましい。希土類元素としては、Ｓｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等があるが、
このうち、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｅｒ、Ｔｂが望ましく、さらにはＴｂが望ましい。
【００２９】さらに、アルカリ土類金属をアルカリ土類
金属酸化物換算で４．０モル部以下含有したのは、アル
カリ土類金属を含有しない場合でも、比誘電率が２００
０以上の特性を得られるが、アルカリ土類金属を含有す
ることによりさらに高い比誘電率が得られるからであ
る。一方、４．０モル部を越えると、−５５〜１５０℃
において容量変化率の最小値が−１５％より低くなり、
好ましくない。とりわけ比誘電率と温度特性の観点から
１．２〜２．８モル部が好ましい。アルカリ土類金属と
しては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒがある。
金属酸化物換算で４．０モル部以下含有したのは、アル
カリ土類金属を含有しない場合でも、比誘電率が２００
０以上の特性を得られるが、アルカリ土類金属を含有す
ることによりさらに高い比誘電率が得られるからであ
る。一方、４．０モル部を越えると、−５５〜１５０℃
において容量変化率の最小値が−１５％より低くなり、
好ましくない。とりわけ比誘電率と温度特性の観点から
１．２〜２．８モル部が好ましい。アルカリ土類金属と
しては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒがある。
【００３０】また、組成式にして、ｂＳｉＯ2 ・（１−
ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ
≦０．２）で表わされる組成物を１〜１２モル部含有し
たのは、１モル部未満では焼結性が悪くなり、１２モル
部を越える場合では比誘電率が低くなるからである。と
りわけ比誘電率の観点から３．２〜７モル部が好まし
い。また、ガラス状態で添加したのは、分散性が良くな
り、ＩＲ加速寿命が向上するためである。特に粒界相に
Ｌｉを含有することにより焼結性が向上し、さらにＩＲ
加速寿命が向上する。
ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ
≦０．２）で表わされる組成物を１〜１２モル部含有し
たのは、１モル部未満では焼結性が悪くなり、１２モル
部を越える場合では比誘電率が低くなるからである。と
りわけ比誘電率の観点から３．２〜７モル部が好まし
い。また、ガラス状態で添加したのは、分散性が良くな
り、ＩＲ加速寿命が向上するためである。特に粒界相に
Ｌｉを含有することにより焼結性が向上し、さらにＩＲ
加速寿命が向上する。
【００３１】ここで、ｂを０．３≦ｂ≦０．７としたの
は、ｂが０．３より小さい場合、０．７より大きい場合
には比誘電率が低下するからである。ｂは０．４≦ｂ≦
０．６であることが望ましい。
は、ｂが０．３より小さい場合、０．７より大きい場合
には比誘電率が低下するからである。ｂは０．４≦ｂ≦
０．６であることが望ましい。
【００３２】さらに、Ｌｉ2 Ｏ量を示すｃを０＜ｃ≦
０．２としたのは、Ｌｉ2 Ｏを含有しない場合には焼結
性が低下し、その結果比誘電率が低下したり、誘電損失
が低下するからであり、０．２より大きくなると容量変
化率が悪化するからである。ｃは０．０２≦ｃ≦０．２
であることが望ましい。
０．２としたのは、Ｌｉ2 Ｏを含有しない場合には焼結
性が低下し、その結果比誘電率が低下したり、誘電損失
が低下するからであり、０．２より大きくなると容量変
化率が悪化するからである。ｃは０．０２≦ｃ≦０．２
であることが望ましい。
【００３３】本発明の誘電体磁器は、積層セラミックコ
ンデンサの誘電体層として好適に用いられ、内部電極と
して、Ａｇを含む合金が使用され、電極の形成状態、導
通抵抗がより低いという点からＡｇを７０重量％以上含
有する組成の内部電極を用いることが好ましい。
ンデンサの誘電体層として好適に用いられ、内部電極と
して、Ａｇを含む合金が使用され、電極の形成状態、導
通抵抗がより低いという点からＡｇを７０重量％以上含
有する組成の内部電極を用いることが好ましい。
【００３４】本発明の誘電体磁器は、Ａｇを７０重量％
以上含有する内部電極層を用いることで、電極の形成状
態が良好で、導通抵抗をより低くできる。内部電極層と
誘電体層の同時焼成において焼成温度は、１１５０℃以
下、特に１０００〜１１５０℃が望ましい。
以上含有する内部電極層を用いることで、電極の形成状
態が良好で、導通抵抗をより低くできる。内部電極層と
誘電体層の同時焼成において焼成温度は、１１５０℃以
下、特に１０００〜１１５０℃が望ましい。
【００３５】本発明の誘電体磁器は、例えば、ＢａＴｉ
Ｏ3 からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子間に形成され
た粒界相とから構成され、粒界相には、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌ
ｉと、所望によりアルカリ土類金属とからなるガラス相
と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 からなる結晶粒子が存在する。
尚、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌｉは、ガラス粉末として添加した場
合はガラス相となるが、僅かではあるが結晶質となる場
合もある。
Ｏ3 からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子間に形成され
た粒界相とから構成され、粒界相には、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌ
ｉと、所望によりアルカリ土類金属とからなるガラス相
と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 からなる結晶粒子が存在する。
尚、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌｉは、ガラス粉末として添加した場
合はガラス相となるが、僅かではあるが結晶質となる場
合もある。
【００３６】このように粒界相中にＢｉのチタン酸塩を
析出せしめるためには、例えば、予めＢｉ2 Ｏ3 粉末
と、ＴｉＯ2 粉末を用いてＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 結晶質粉末
を生成し、このＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末をＢａＴｉＯ3 粉
末に添加し、焼成することにより可能となる。ＢｉをＢ
ｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 結晶粉末として添加することにより、Ｘ
線回折測定において、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 のピークが現
れ、Ｂｉ2 Ｏ3 のピークが現れない。
析出せしめるためには、例えば、予めＢｉ2 Ｏ3 粉末
と、ＴｉＯ2 粉末を用いてＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 結晶質粉末
を生成し、このＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末をＢａＴｉＯ3 粉
末に添加し、焼成することにより可能となる。ＢｉをＢ
ｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 結晶粉末として添加することにより、Ｘ
線回折測定において、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 のピークが現
れ、Ｂｉ2 Ｏ3 のピークが現れない。
【００３７】本発明の誘電体磁器を用いた積層セラミッ
クコンデンサの製法は、具体的には、ＢａＴｉＯ3 粉末
に、上記したＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末と、ガラス粉末、所
望により希土類元素酸化物粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 粉末、アル
カリ土類金属酸化物粉末を添加し、ドクターブレード法
によりフィルム状シートを作製する。このフィルム状シ
ートの上面に、Ｐｄ含有率が４０重量％以下、特に３０
重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなる内部電極ペースト
をスクリーン印刷等により印刷した後、内部電極ペース
トが塗布されたフィルム状シートを複数積層、熱圧着、
プレス、カットし、脱バインダー処理後、大気中１００
０〜１１５０℃で０．５〜２時間程度焼成を行い、端子
電極の焼き付け、メッキ後、積層セラミックコンデンサ
が得られる。
クコンデンサの製法は、具体的には、ＢａＴｉＯ3 粉末
に、上記したＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末と、ガラス粉末、所
望により希土類元素酸化物粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 粉末、アル
カリ土類金属酸化物粉末を添加し、ドクターブレード法
によりフィルム状シートを作製する。このフィルム状シ
ートの上面に、Ｐｄ含有率が４０重量％以下、特に３０
重量％以下のＡｇ−Ｐｄ合金からなる内部電極ペースト
をスクリーン印刷等により印刷した後、内部電極ペース
トが塗布されたフィルム状シートを複数積層、熱圧着、
プレス、カットし、脱バインダー処理後、大気中１００
０〜１１５０℃で０．５〜２時間程度焼成を行い、端子
電極の焼き付け、メッキ後、積層セラミックコンデンサ
が得られる。
【００３８】また、本発明の誘電体磁器には、Ｆｅ、Ａ
ｌ等の原料中の不可避不純物が混入したり、粉砕ボール
のボール成分、例えばＺｒＯ2 等が混入する場合があ
る。また、本発明の誘電体磁器にはＭｎを含有しても良
い。本発明の誘電体磁器の平均結晶粒径は、薄層化、高
容量の点から、０．３〜１．０μｍである。
ｌ等の原料中の不可避不純物が混入したり、粉砕ボール
のボール成分、例えばＺｒＯ2 等が混入する場合があ
る。また、本発明の誘電体磁器にはＭｎを含有しても良
い。本発明の誘電体磁器の平均結晶粒径は、薄層化、高
容量の点から、０．３〜１．０μｍである。
【００３９】
【実施例】先ず、純度９９％以上のＢｉ2 Ｏ3 、ＴｉＯ
2 の各原料粉末を秤量し、該原料粉末に媒体として純水
を加えて２４時間、ＺｒＯ2 ボールを用いたボールミル
にて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該乾燥物
を９００℃の温度で大気中１時間仮焼し、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 結晶粉末を作製した。
2 の各原料粉末を秤量し、該原料粉末に媒体として純水
を加えて２４時間、ＺｒＯ2 ボールを用いたボールミル
にて混合した後、該混合物を乾燥し、次いで、該乾燥物
を９００℃の温度で大気中１時間仮焼し、Ｂｉ2 Ｔｉ2
Ｏ7 結晶粉末を作製した。
【００４０】出発材料としてＳｉＯ2 、ＺｎＯ、Ｌｉ2
Ｏを用い、モル比による組成式をｂＳｉＯ2 ・（１−
ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏとした時、ｂ、ｃが表１となる
ように秤量し、らいかい器で１時間混合後、アルミナる
つぼ中で、１４００℃で溶解する。できた融液を水中に
投入して急冷したものを粉砕してガラス粉末を得る。
Ｏを用い、モル比による組成式をｂＳｉＯ2 ・（１−
ｂ）ＺｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏとした時、ｂ、ｃが表１となる
ように秤量し、らいかい器で１時間混合後、アルミナる
つぼ中で、１４００℃で溶解する。できた融液を水中に
投入して急冷したものを粉砕してガラス粉末を得る。
【００４１】得られたＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉末、ガラス粉
末、ＢａＴｉＯ3 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5粉末、希土類元素酸
化物粉末、アルカリ土類金属酸化物粉末を表１に示す割
合となるように秤量し、分散剤、分散媒とともに２４時
間ボールミルにて混合し、原料スラリーを調整した。
末、ＢａＴｉＯ3 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5粉末、希土類元素酸
化物粉末、アルカリ土類金属酸化物粉末を表１に示す割
合となるように秤量し、分散剤、分散媒とともに２４時
間ボールミルにて混合し、原料スラリーを調整した。
【００４２】このスラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分攪拌後、ドクターブレード法により４５μｍ
のフィルム状シートに成形した。このフィルム状シート
を３３層積層し、熱圧着後切断して試料を得た。この試
料を大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バイン
ダー処理し、引き続いて表２に示す温度で大気中、２時
間焼成し、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの試料を得た。こ
の試料の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価試料を作
製した。
加え、十分攪拌後、ドクターブレード法により４５μｍ
のフィルム状シートに成形した。このフィルム状シート
を３３層積層し、熱圧着後切断して試料を得た。この試
料を大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バイン
ダー処理し、引き続いて表２に示す温度で大気中、２時
間焼成し、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの試料を得た。こ
の試料の両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗布し、評価試料を作
製した。
【００４３】上記スラリーに有機バインダー、可塑剤を
加え、十分攪拌後ドクターブレード法によりフィルム状
シートに成形した。このフィルム状シートに、内部電極
用に調整したＡｇ−Ｐｄペースト（Ａｇ７０重量％、Ｐ
ｄ３０重量％）をスクリーン印刷法等により印刷した
後、ダミー層を加えて積層し、熱圧着後、切断した。こ
れを大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バイン
ダー処理し、引き続いて表２に示す温度で大気中で２時
間焼成した。
加え、十分攪拌後ドクターブレード法によりフィルム状
シートに成形した。このフィルム状シートに、内部電極
用に調整したＡｇ−Ｐｄペースト（Ａｇ７０重量％、Ｐ
ｄ３０重量％）をスクリーン印刷法等により印刷した
後、ダミー層を加えて積層し、熱圧着後、切断した。こ
れを大気中、３００℃の温度で４時間加熱して脱バイン
ダー処理し、引き続いて表２に示す温度で大気中で２時
間焼成した。
【００４４】この磁器のタンブリング後、端子電極用に
調整したＡｇペーストを端面に塗布、７００℃、大気中
で焼き付け、メッキを行い、端子電極とし、磁器の寸法
３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、有効電極面積２．２ｍｍ×
１．１ｍｍ、誘電体厚み２５μｍ×１０層の積層コンデ
ンサを作製した。
調整したＡｇペーストを端面に塗布、７００℃、大気中
で焼き付け、メッキを行い、端子電極とし、磁器の寸法
３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、有効電極面積２．２ｍｍ×
１．１ｍｍ、誘電体厚み２５μｍ×１０層の積層コンデ
ンサを作製した。
【００４５】次にこれらの評価試料を、ＬＣＲメーター
４２８４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量、誘電損失を測定し
た。静電容量から比誘電率を算出した。
４２８４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量、誘電損失を測定し
た。静電容量から比誘電率を算出した。
【００４６】さらに、２５℃の時の静電容量（Ｃ）を基
準として、−５５〜１５０℃の範囲において容量変化率
の最小値を示した。尚、本願の組成系では、１５０℃で
容量変化率が最小値となるので、１５０℃における容量
変化率を示した。さらに、１５０℃、１６Ｖ／μｍの電
界下でＩＲ加速寿命試験を行った。
準として、−５５〜１５０℃の範囲において容量変化率
の最小値を示した。尚、本願の組成系では、１５０℃で
容量変化率が最小値となるので、１５０℃における容量
変化率を示した。さらに、１５０℃、１６Ｖ／μｍの電
界下でＩＲ加速寿命試験を行った。
【００４７】また、本発明者等は、得られた誘電体磁器
についてＸ線回折測定を行い、Ｂｉがどのような結晶と
して存在しているかを確認した。これらの結果を表２に
記載した。
についてＸ線回折測定を行い、Ｂｉがどのような結晶と
して存在しているかを確認した。これらの結果を表２に
記載した。
【００４８】
【表１】
【００４９】
【表２】
【００５０】表１、表２によれば、ＢａＴｉＯ3 主結晶
相と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 結晶相と、Ｓｉ、ＺｎおよびＬ
ｉのガラスを有する本発明の試料では、１１５０℃以下
の低温で焼成できるとともに、比誘電率εｒを２０２０
以上であることが判る。
相と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 結晶相と、Ｓｉ、ＺｎおよびＬ
ｉのガラスを有する本発明の試料では、１１５０℃以下
の低温で焼成できるとともに、比誘電率εｒを２０２０
以上であることが判る。
【００５１】また、本発明の組成式を満足する試料で
は、１１５０℃以下の低温で焼成できるとともに、比誘
電率εｒが２０２０以上、測定周波数１ｋＨｚでの誘電
損失が３．０％以下、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ（＋２５℃に
おける静電容量を基準としたとき、−５５℃〜＋１５０
℃の広い温度範囲にわたって静電容量の温度変化率が±
１５％以内）、ＩＲ加速寿命が１７０時間以上を満足し
ていた。図１に、試料Ｎｏ．６の静電容量の容量変化率
を記載した。
は、１１５０℃以下の低温で焼成できるとともに、比誘
電率εｒが２０２０以上、測定周波数１ｋＨｚでの誘電
損失が３．０％以下、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ（＋２５℃に
おける静電容量を基準としたとき、−５５℃〜＋１５０
℃の広い温度範囲にわたって静電容量の温度変化率が±
１５％以内）、ＩＲ加速寿命が１７０時間以上を満足し
ていた。図１に、試料Ｎｏ．６の静電容量の容量変化率
を記載した。
【００５２】一方、比較例の試料Ｎo.１は、Ｂｉ2 Ｔｉ
2 Ｏ7 粉末を添加しない場合であり、この場合には、焼
成温度が１２７０℃であり、Ａｇを主成分とする導体を
使用できないことが判る。
2 Ｏ7 粉末を添加しない場合であり、この場合には、焼
成温度が１２７０℃であり、Ａｇを主成分とする導体を
使用できないことが判る。
【００５３】また、試料Ｎｏ．４７は、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｌ
ｉを１０００℃で仮焼して形成した結晶質粉末を用い
た。この試料はＸ８Ｒ特性を満たす等改善の効果が見ら
れるが、ＩＲ加速寿命は１０１時間であり、ガラス状態
にて添加した試料Ｎｏ．６と比較して、ＩＲ加速寿命が
短いことが判る。
ｉを１０００℃で仮焼して形成した結晶質粉末を用い
た。この試料はＸ８Ｒ特性を満たす等改善の効果が見ら
れるが、ＩＲ加速寿命は１０１時間であり、ガラス状態
にて添加した試料Ｎｏ．６と比較して、ＩＲ加速寿命が
短いことが判る。
【００５４】また、ＢｉをＢｉ2 Ｏ3 粉末として添加し
た従来の誘電体磁器（試料Ｎｏ．４８）では、Ｂｉの結
晶としてＢｉ2 Ｏ3 結晶のみ析出しており、比誘電率が
１７２０、誘電損失も２．４２％であり、本発明の試料
Ｎｏ．６と比較すると特性が低いことが判る。
た従来の誘電体磁器（試料Ｎｏ．４８）では、Ｂｉの結
晶としてＢｉ2 Ｏ3 結晶のみ析出しており、比誘電率が
１７２０、誘電損失も２．４２％であり、本発明の試料
Ｎｏ．６と比較すると特性が低いことが判る。
【００５５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器
およびその製法は、１１５０℃以下の温度で焼成できる
とともに、Ａｇを主成分とする内部電極と同時焼成可能
であり、２０００よりも高い比誘電率を有するととも
に、温度特性を向上でき、ＩＲ加速寿命を向上でき、特
に本発明の組成式を満足する場合にはＸ８Ｒ特性を満足
することが可能になり、特に車載用途において、小型か
つ高性能なコンデンサを提供できる。
およびその製法は、１１５０℃以下の温度で焼成できる
とともに、Ａｇを主成分とする内部電極と同時焼成可能
であり、２０００よりも高い比誘電率を有するととも
に、温度特性を向上でき、ＩＲ加速寿命を向上でき、特
に本発明の組成式を満足する場合にはＸ８Ｒ特性を満足
することが可能になり、特に車載用途において、小型か
つ高性能なコンデンサを提供できる。
【図１】試料Ｎｏ．６の容量変化率を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA06 AA11 AA26 AA30 AA35 BA09 CA03 CA05 5E001 AA02 AE02 AE03 AE04 AE05 AJ02 5G303 AA01 AB06 AB20 CA01 CB03 CB05 CB35 DA05
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａとＴｉを含
有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子
と、金属元素として少なくともＳｉ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｔｉ
およびＬｉとを含有する粒界相とからなる誘電体磁器で
あって、粒界相のＢｉが、ＢｉとＴｉを含有する複合酸
化物からなる結晶粒子として存在するとともに、Ｓｉ、
ＺｎおよびＬｉがガラスとして存在することを特徴とす
る誘電体磁器。 - 【請求項２】粒界相のＢｉは、ＢｉとＴｉを含有する複
合酸化物からなる結晶粒子としてのみ存在することを特
徴とする請求項１記載の誘電体磁器。 - 【請求項３】金属元素としてＢａ、ＴｉおよびＢｉを含
有し、これらの金属元素酸化物のモル比による組成式を （１００−ａ）ＢａＴｉＯ3 ・ａＢｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 と表した時、前記ａが １．５≦ａ≦５．０ を満足する主成分と、該主成分１００モル部に対して、 モル比による組成式：ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）ＺｎＯ・
ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．２）で
表わされる組成物を１〜１２モル部、ＮｂをＮｂ2 Ｏ5
換算で０．７〜１．９モル部、希土類元素をＲＥ2 Ｏ3
換算（ＲＥは希土類元素）で０．１〜０．６モル部、ア
ルカリ土類金属をアルカリ土類金属酸化物換算で４．０
モル部以下含有することを特徴とする請求項１または２
記載の誘電体磁器。 - 【請求項４】ＢａＴｉＯ3 粉末と、Ｂｉ2 Ｔｉ2 Ｏ7 粉
末と、モル比による組成式、ｂＳｉＯ2 ・（１−ｂ）Ｚ
ｎＯ・ｃＬｉ2 Ｏ（０．３≦ｂ≦０．７、０＜ｃ≦０．
２）で表わされるガラス粉末とを混合し、焼成すること
を特徴とする誘電体磁器の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33935798A JP3706489B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 誘電体磁器およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33935798A JP3706489B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 誘電体磁器およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000169221A true JP2000169221A (ja) | 2000-06-20 |
| JP3706489B2 JP3706489B2 (ja) | 2005-10-12 |
Family
ID=18326709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33935798A Expired - Fee Related JP3706489B2 (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 誘電体磁器およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3706489B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008239366A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体セラミックス及び積層セラミックコンデンサ |
| EP2000445A2 (en) * | 2006-03-30 | 2008-12-10 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric porcelain composition and electronic component |
| JP2010150060A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Nihon Ceratec Co Ltd | 非鉛系圧電セラミックス、積層型圧電デバイスおよび非鉛系圧電セラミックスの製造方法 |
| CN103011802A (zh) * | 2012-12-21 | 2013-04-03 | 武汉理工大学 | 一种微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN106478090A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-03-08 | 西安交通大学 | 钛酸铋‑铌酸钙固溶体高频电介质陶瓷的制备方法 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP33935798A patent/JP3706489B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| EP2000445A4 (en) * | 2006-03-30 | 2010-04-28 | Ngk Insulators Ltd | METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE DIELECTRIC PORCELAIN |
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