JP2000335966A - 誘電体磁器およびその製法 - Google Patents
誘電体磁器およびその製法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】１２００℃以下の低温で焼成ができ、厚みが１
０μｍ以下と薄い場合においても、ＣＲ積が１５００Ｆ
・Ω以上と大きい誘電体磁器およびその製法を提供す
る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍ
ｎ、Ｙ、Ｍｇ、ＳｉおよびＣａを含有する誘電体磁器で
あって、少なくともＢａおよびＴｉを含有するペロブス
カイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、少なくとも
Ｙ、Ｍｇ、ＳｉおよびＣａを含有する粒界相とからなる
とともに、Ｍｎが実質的に主結晶粒子内のみに存在する
ものである。
０μｍ以下と薄い場合においても、ＣＲ積が１５００Ｆ
・Ω以上と大きい誘電体磁器およびその製法を提供す
る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍ
ｎ、Ｙ、Ｍｇ、ＳｉおよびＣａを含有する誘電体磁器で
あって、少なくともＢａおよびＴｉを含有するペロブス
カイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、少なくとも
Ｙ、Ｍｇ、ＳｉおよびＣａを含有する粒界相とからなる
とともに、Ｍｎが実質的に主結晶粒子内のみに存在する
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器に関し、
特に、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積
層セラミックコンデンサに好適に使用される誘電体磁器
およびその製法に関するものである。
特に、誘電体層と内部電極層とを交互に積層してなる積
層セラミックコンデンサに好適に使用される誘電体磁器
およびその製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、一般に積層セラミックコンデンサ
は、表面に内部電極ペーストが塗布された誘電体シート
を複数枚積層するとともに、各シートの内部電極パター
ンを交互に並列に一対の端子電極に接続し、これを一体
焼成することにより形成されている。内部電極層の導電
材には、ＰｄやＰｄ合金が使われてきたが、Ｐｄは高価
であるため、高容量化を図るために内部電極層を増加さ
せた場合、コストが高くなる。
は、表面に内部電極ペーストが塗布された誘電体シート
を複数枚積層するとともに、各シートの内部電極パター
ンを交互に並列に一対の端子電極に接続し、これを一体
焼成することにより形成されている。内部電極層の導電
材には、ＰｄやＰｄ合金が使われてきたが、Ｐｄは高価
であるため、高容量化を図るために内部電極層を増加さ
せた場合、コストが高くなる。
【０００３】そこで、比較的安価であるＮｉやＮｉ合金
等の卑金属が使用されてきている。内部電極層の導電材
として卑金属を用いる場合には、大気中で焼成を行うと
内部電極層が酸化してしまうため、還元雰囲気下で焼成
を行う必要がある。このため、非還元性誘電体材料が提
案されている。
等の卑金属が使用されてきている。内部電極層の導電材
として卑金属を用いる場合には、大気中で焼成を行うと
内部電極層が酸化してしまうため、還元雰囲気下で焼成
を行う必要がある。このため、非還元性誘電体材料が提
案されている。
【０００４】非還元性誘電体材料としては、例えば、特
開平８−１２４７８４号公報に、主成分としてＢａＴｉ
Ｏ3 を含有し、副成分としてＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＯ
およびＣａＯから選択される少なくとも一種と、ＳｉＯ
2 とＭｎＯを含有する誘電体磁器組成物が開示されてい
る。この公報には、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 と副成分原料
との混合物を仮焼して固相反応させる乾式合成法を用い
ても良いことが記載されているが、粒界相については記
載がない。
開平８−１２４７８４号公報に、主成分としてＢａＴｉ
Ｏ3 を含有し、副成分としてＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＯ
およびＣａＯから選択される少なくとも一種と、ＳｉＯ
2 とＭｎＯを含有する誘電体磁器組成物が開示されてい
る。この公報には、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 と副成分原料
との混合物を仮焼して固相反応させる乾式合成法を用い
ても良いことが記載されているが、粒界相については記
載がない。
【０００５】また、特開平６−８４６９２号公報には、
主成分としてＢａＴｉＯ3 を含有し、副成分としてＭｇ
Ｏ、ＭｎＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＯおよびＣａＯから選択さ
れる少なくとも一種と、ＳｉＯ2 とを含有する誘電体磁
器組成物が開示されている。この公報には、結晶粒子が
いわゆるコアシェル構造となり、コアにはＢａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｎＯ、ＣａＯなどが含まれ、シェルには、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、ＭｎＯ、ＭｇＯ、Ｙ
2 Ｏ3 などが含まれると記載されているが、粒界相につ
いては記載がない。
主成分としてＢａＴｉＯ3 を含有し、副成分としてＭｇ
Ｏ、ＭｎＯ、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＯおよびＣａＯから選択さ
れる少なくとも一種と、ＳｉＯ2 とを含有する誘電体磁
器組成物が開示されている。この公報には、結晶粒子が
いわゆるコアシェル構造となり、コアにはＢａＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｎＯ、ＣａＯなどが含まれ、シェルには、Ｃａ
Ｏ、ＴｉＯ2 、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、ＭｎＯ、ＭｇＯ、Ｙ
2 Ｏ3 などが含まれると記載されているが、粒界相につ
いては記載がない。
【０００６】また、この公報には、ＢａＴｉＯ3 に、Ｍ
ｎＣＯ3 、（Ｂａ0.5 Ｃａ0.5 ）ＳｉＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 を
添加し、湿式混合し、焼成する方法が開示されている。
ｎＣＯ3 、（Ｂａ0.5 Ｃａ0.5 ）ＳｉＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 を
添加し、湿式混合し、焼成する方法が開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記非
還元性誘電体材料では、ＭｎがＢａＴｉＯ3 結晶粒子内
だけでなく粒界相にも存在するため、粒界に存在するＭ
ｎＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3により焼結性が低下し、緻密化
が不十分となり、このため、１３００℃以上の焼成温度
で焼成する必要があり、焼成コストが増大するという問
題があった。
還元性誘電体材料では、ＭｎがＢａＴｉＯ3 結晶粒子内
だけでなく粒界相にも存在するため、粒界に存在するＭ
ｎＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3により焼結性が低下し、緻密化
が不十分となり、このため、１３００℃以上の焼成温度
で焼成する必要があり、焼成コストが増大するという問
題があった。
【０００８】また、積層セラミックコンデンサを作製す
る際には、高容量化のために誘電体層を薄層化する傾向
にあるが、誘電体磁器が薄くなることにより、誘電体厚
み当たりにかかる電圧すなわち電界強度が増大するた
め、絶縁抵抗値が低くなり、静電容量値と絶縁抵抗値の
積であるＣＲ積が小さくなるという問題があった。これ
は粒界相中にＭｎが存在する程粒界相中の絶縁抵抗が低
下するためであった。
る際には、高容量化のために誘電体層を薄層化する傾向
にあるが、誘電体磁器が薄くなることにより、誘電体厚
み当たりにかかる電圧すなわち電界強度が増大するた
め、絶縁抵抗値が低くなり、静電容量値と絶縁抵抗値の
積であるＣＲ積が小さくなるという問題があった。これ
は粒界相中にＭｎが存在する程粒界相中の絶縁抵抗が低
下するためであった。
【０００９】即ち、上記特開平８−１２４７８４号公報
では、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 と副成分原料との混合物を
仮焼して固相反応させる乾式合成法を用いても良いこと
が記載されているものの、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 に、副
成分としてＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ
2 、ＭｎＯを添加し、仮焼すると、ＢａＴｉＯ3 中に、
ＭｎＯだけでなく、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 も固溶し、ＭｎＯ
2 の一部はＢａＴｉＯ3 中に固溶できず、粒界に存在す
る。このため、絶縁抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さくな
るという問題があった。
では、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 と副成分原料との混合物を
仮焼して固相反応させる乾式合成法を用いても良いこと
が記載されているものの、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 に、副
成分としてＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｉＯ
2 、ＭｎＯを添加し、仮焼すると、ＢａＴｉＯ3 中に、
ＭｎＯだけでなく、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 も固溶し、ＭｎＯ
2 の一部はＢａＴｉＯ3 中に固溶できず、粒界に存在す
る。このため、絶縁抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さくな
るという問題があった。
【００１０】また、特開平６−８４６９２号公報では、
ＢａＴｉＯ3 に、ＭｎＣＯ3 、（Ｂａ0.5 Ｃａ0.5 ）Ｓ
ｉＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 を添加し、湿式混合し、焼成している
ため、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが固溶しきれず、粒界に一
部残存するため、絶縁抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さく
なるという問題があった。
ＢａＴｉＯ3 に、ＭｎＣＯ3 、（Ｂａ0.5 Ｃａ0.5 ）Ｓ
ｉＯ3 、Ｙ2 Ｏ3 を添加し、湿式混合し、焼成している
ため、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが固溶しきれず、粒界に一
部残存するため、絶縁抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さく
なるという問題があった。
【００１１】本発明は、１２００℃以下の低温で焼成が
でき、厚みが１０μｍ以下と薄い場合においても、ＣＲ
積が１５００Ｆ・Ω以上と大きい誘電体磁器およびその
製法を提供することを目的とする。
でき、厚みが１０μｍ以下と薄い場合においても、ＣＲ
積が１５００Ｆ・Ω以上と大きい誘電体磁器およびその
製法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器は、
金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｙおよび
Ｍｇを含有する誘電体磁器であって、少なくともＢａお
よびＴｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からな
る主結晶粒子と、少なくともＹおよびＭｇを含有する粒
界相とからなるとともに、前記Ｍｎが実質的に前記主結
晶粒子内のみに存在するものである。ここで、粒界相中
に、さらにＳｉおよびＣａを含有しても良い。
金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｙおよび
Ｍｇを含有する誘電体磁器であって、少なくともＢａお
よびＴｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からな
る主結晶粒子と、少なくともＹおよびＭｇを含有する粒
界相とからなるとともに、前記Ｍｎが実質的に前記主結
晶粒子内のみに存在するものである。ここで、粒界相中
に、さらにＳｉおよびＣａを含有しても良い。
【００１３】誘電体磁器は、ＢａＴｉＯ3 １００モル部
に対して、ＹをＹ2 Ｏ3 換算で０．４〜３．０モル部、
ＭｇをＭｇＯ換算で０．５〜８．０モル部、ＭｎをＭｎ
Ｏ換算で０．０４〜０．５モル部含有するとともに、Ｓ
ｉ、Ｂａ、ＣａおよびＬｉのモル比による組成式を、ａ
ＳｉＯ2 ＋ｂＢａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2 Ｏと表したと
き、前記ａ、ｂ、ｃおよびｄが、０．３０≦ａ≦０．７
０、０．１０≦ｂ≦０．４０、０．１０≦ｃ≦０．４
０、０．０５≦ｄ≦０．３０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満
足する副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して１
〜４重量部含有することが望ましい。
に対して、ＹをＹ2 Ｏ3 換算で０．４〜３．０モル部、
ＭｇをＭｇＯ換算で０．５〜８．０モル部、ＭｎをＭｎ
Ｏ換算で０．０４〜０．５モル部含有するとともに、Ｓ
ｉ、Ｂａ、ＣａおよびＬｉのモル比による組成式を、ａ
ＳｉＯ2 ＋ｂＢａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2 Ｏと表したと
き、前記ａ、ｂ、ｃおよびｄが、０．３０≦ａ≦０．７
０、０．１０≦ｂ≦０．４０、０．１０≦ｃ≦０．４
０、０．０５≦ｄ≦０．３０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満
足する副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して１
〜４重量部含有することが望ましい。
【００１４】また、本発明の誘電体磁器の製法は、Ｂａ
ＣＯ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末およびＭｎＣＯ3 粉末を混合
して仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが固溶した仮焼粉末
を作製し、該仮焼粉末に、少なくともＹ2 Ｏ3 粉末およ
びＭｇＯ粉末を添加し、この混合粉末を成形した後、焼
成する方法である。
ＣＯ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末およびＭｎＣＯ3 粉末を混合
して仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが固溶した仮焼粉末
を作製し、該仮焼粉末に、少なくともＹ2 Ｏ3 粉末およ
びＭｇＯ粉末を添加し、この混合粉末を成形した後、焼
成する方法である。
【００１５】
【作用】本発明の誘電体磁器では、実質的にＢａおよび
Ｔｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主
結晶粒子内のみにＭｎが存在するので、１２００℃以下
の低温で焼成ができ、厚みが１０μｍ以下と薄い場合に
おいても、ＣＲ積が１５００Ｆ・Ω以上と大きくなる。
Ｔｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主
結晶粒子内のみにＭｎが存在するので、１２００℃以下
の低温で焼成ができ、厚みが１０μｍ以下と薄い場合に
おいても、ＣＲ積が１５００Ｆ・Ω以上と大きくなる。
【００１６】即ち、主結晶粒子内のみにＭｎが存在する
ため、焼成時において、主結晶粒子内へのＭｇ及びＹの
固溶が抑制され、粒界相の融点が低下するため、焼結性
が向上し、１２００℃以下の低い焼成温度で焼結するこ
とが可能となるのである。
ため、焼成時において、主結晶粒子内へのＭｇ及びＹの
固溶が抑制され、粒界相の融点が低下するため、焼結性
が向上し、１２００℃以下の低い焼成温度で焼結するこ
とが可能となるのである。
【００１７】また、主結晶粒子内のみにＭｎが存在する
ため、粒界相の絶縁抵抗が高く、誘電体磁器が高い絶縁
抵抗を示し、ＣＲ積は１５００Ｆ・Ω以上と大きくなる
のである。
ため、粒界相の絶縁抵抗が高く、誘電体磁器が高い絶縁
抵抗を示し、ＣＲ積は１５００Ｆ・Ω以上と大きくなる
のである。
【００１８】また、本発明の誘電体磁器では、ＢａＴｉ
Ｏ3 １００モル部に対して、所定比率でＹ、Ｍｇ、Ｍｎ
を含有するとともに、Ｓｉ、Ｂａ、ＣａおよびＬｉを含
有する副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所
定比率で含有することにより、誘電体磁器がより高い絶
縁抵抗とＣＲ積となる。
Ｏ3 １００モル部に対して、所定比率でＹ、Ｍｇ、Ｍｎ
を含有するとともに、Ｓｉ、Ｂａ、ＣａおよびＬｉを含
有する副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所
定比率で含有することにより、誘電体磁器がより高い絶
縁抵抗とＣＲ積となる。
【００１９】さらに、本発明の誘電体磁器の製法は、Ｂ
ａＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末とＭｎＣＯ3 粉末を混合し
て仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが固溶した仮焼粉末を
用いることにより、焼成時には、ＭｎがＢａＴｉＯ3 中
のみに固溶しているため、Ｙ、ＭｇのＢａＴｉＯ3 中へ
の固溶が抑制され、Ｍｎが、ＢａおよびＴｉを含有する
ペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子内のみ
に存在し、Ｙ、Ｍｇが主として粒界相に存在した誘電体
磁器を容易に得ることができる。
ａＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末とＭｎＣＯ3 粉末を混合し
て仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが固溶した仮焼粉末を
用いることにより、焼成時には、ＭｎがＢａＴｉＯ3 中
のみに固溶しているため、Ｙ、ＭｇのＢａＴｉＯ3 中へ
の固溶が抑制され、Ｍｎが、ＢａおよびＴｉを含有する
ペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子内のみ
に存在し、Ｙ、Ｍｇが主として粒界相に存在した誘電体
磁器を容易に得ることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、金属元素
として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍｎ、ＹおよびＭｇを含
有するもので、少なくともＢａおよびＴｉを含有するペ
ロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、少な
くともＹおよびＭｇを含有する粒界相とから構成されて
いる。そして、本発明の誘電体磁器は、Ｍｎが実質的に
主結晶粒子内のみに存在することを特徴とする。ここ
で、Ｍｎが実質的に主結晶粒子内のみに存在するとは、
Ｍｎは粒界相に存在しないか、或いは、粒界相にＭｎが
存在するとしても現在の測定装置では粒界相におけるＭ
ｎを確認できない程度であることを意味する。
として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍｎ、ＹおよびＭｇを含
有するもので、少なくともＢａおよびＴｉを含有するペ
ロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、少な
くともＹおよびＭｇを含有する粒界相とから構成されて
いる。そして、本発明の誘電体磁器は、Ｍｎが実質的に
主結晶粒子内のみに存在することを特徴とする。ここ
で、Ｍｎが実質的に主結晶粒子内のみに存在するとは、
Ｍｎは粒界相に存在しないか、或いは、粒界相にＭｎが
存在するとしても現在の測定装置では粒界相におけるＭ
ｎを確認できない程度であることを意味する。
【００２１】尚、粒界相中には、さらにＳｉおよびＣａ
を含有しても良い。また、粒界相は結晶質であっても非
晶質であっても良いが、低温焼成という観点からは非晶
質であることが望ましい。さらに、本発明の誘電体磁器
には、Ｆｅ、Ａｌ等の原料中の不可避不純物が混入した
り、例えば粉砕ボールのボール成分、例えばＺｒＯ2等
が製造工程中に混入する場合がある。
を含有しても良い。また、粒界相は結晶質であっても非
晶質であっても良いが、低温焼成という観点からは非晶
質であることが望ましい。さらに、本発明の誘電体磁器
には、Ｆｅ、Ａｌ等の原料中の不可避不純物が混入した
り、例えば粉砕ボールのボール成分、例えばＺｒＯ2等
が製造工程中に混入する場合がある。
【００２２】特に、本発明の誘電体磁器は、以下のよう
な組成であることが望ましい。即ち、ＢａＴｉＯ3 １０
０モル部に対して、ＹをＹ2 Ｏ3 換算で０．４〜３．０
モル部、ＭｇをＭｇＯ換算で０．５〜８．０モル部、Ｍ
ｎをＭｎＯ換算で０．０４〜０．５モル部含有するとと
もに、Ｓｉ、Ｂａ、ＣａおよびＬｉのモル比による組成
式を、ａＳｉＯ2 ＋ｂＢａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2 Ｏと
表したとき、ａ、ｂ、ｃおよびｄが、０．３０≦ａ≦
０．７０、０．１０≦ｂ≦０．４０、０．１０≦ｃ≦
０．４０、０．０５≦ｄ≦０．３０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝
１を満足する副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対
して１〜４重量部含有するものである。
な組成であることが望ましい。即ち、ＢａＴｉＯ3 １０
０モル部に対して、ＹをＹ2 Ｏ3 換算で０．４〜３．０
モル部、ＭｇをＭｇＯ換算で０．５〜８．０モル部、Ｍ
ｎをＭｎＯ換算で０．０４〜０．５モル部含有するとと
もに、Ｓｉ、Ｂａ、ＣａおよびＬｉのモル比による組成
式を、ａＳｉＯ2 ＋ｂＢａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2 Ｏと
表したとき、ａ、ｂ、ｃおよびｄが、０．３０≦ａ≦
０．７０、０．１０≦ｂ≦０．４０、０．１０≦ｃ≦
０．４０、０．０５≦ｄ≦０．３０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝
１を満足する副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対
して１〜４重量部含有するものである。
【００２３】ここで、Ｙ2 Ｏ3 を０．４〜３．０モル部
含有したのは、０．４モル部未満では絶縁抵抗が低くな
り、ＣＲ積が小さくなる傾向があり、３．０モル部を越
える場合には比誘電率が低下する傾向があるからであ
る。比誘電率の観点から、Ｙ2O3 は、ＢａＴｉＯ3 １０
０モル部に対して０．５〜２．０モル部含有することが
好ましい。
含有したのは、０．４モル部未満では絶縁抵抗が低くな
り、ＣＲ積が小さくなる傾向があり、３．０モル部を越
える場合には比誘電率が低下する傾向があるからであ
る。比誘電率の観点から、Ｙ2O3 は、ＢａＴｉＯ3 １０
０モル部に対して０．５〜２．０モル部含有することが
好ましい。
【００２４】ＭｇＯを０．５〜８．０モル部含有したの
は、０．５モル部未満の場合には絶縁抵抗が低くなり、
ＣＲ積が小さくなる傾向があり、８．０モル部を越える
場合には比誘電率が低下する傾向があるからである。と
りわけ、ＭｇＯは、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して
０．５〜２．０モル部以下が好ましい。
は、０．５モル部未満の場合には絶縁抵抗が低くなり、
ＣＲ積が小さくなる傾向があり、８．０モル部を越える
場合には比誘電率が低下する傾向があるからである。と
りわけ、ＭｇＯは、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して
０．５〜２．０モル部以下が好ましい。
【００２５】ＭｎＯを０．０４〜０．５モル部含有した
のは、０．０４モル部未満の場合には絶縁抵抗が低くな
り、ＣＲ積が小さくなる傾向があり、０．５モル部を越
える場合には容量の経時変化が大きくなる傾向があるか
らである。とりわけ、ＭｎＯはＢａＴｉＯ3 １００モル
部に対して０．１〜０．４モル部含有することが好まし
い。
のは、０．０４モル部未満の場合には絶縁抵抗が低くな
り、ＣＲ積が小さくなる傾向があり、０．５モル部を越
える場合には容量の経時変化が大きくなる傾向があるか
らである。とりわけ、ＭｎＯはＢａＴｉＯ3 １００モル
部に対して０．１〜０．４モル部含有することが好まし
い。
【００２６】さらに、モル比による組成式が、ａＳｉＯ
2 ＋ｂＢａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2Ｏで表わされる副成
分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して１〜４重量部
含有したのは、副成分が１重量部未満の場合には焼結性
が低下し、絶縁抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さくなる傾
向があり、４重量部を越える場合には、比誘電率、絶縁
抵抗が低くなる傾向があるからである。副成分は、Ｂａ
ＴｉＯ3 １００重量部に対して１〜２．５重量部である
ことが望ましい。
2 ＋ｂＢａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2Ｏで表わされる副成
分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して１〜４重量部
含有したのは、副成分が１重量部未満の場合には焼結性
が低下し、絶縁抵抗が低くなり、ＣＲ積が小さくなる傾
向があり、４重量部を越える場合には、比誘電率、絶縁
抵抗が低くなる傾向があるからである。副成分は、Ｂａ
ＴｉＯ3 １００重量部に対して１〜２．５重量部である
ことが望ましい。
【００２７】副成分のうち、ＳｉＯ2 のモル比を示すａ
を、０．３０≦ａ≦０．７０としたのは、モル比ａが
０．３０未満の場合には焼結性が低下する傾向があり、
０．７０を越える場合には比誘電率が低下する傾向があ
るからである。ＳｉＯ2 のモル比ａは、より効果を得る
ためには０．４０≦ａ≦０．６０が好ましい。
を、０．３０≦ａ≦０．７０としたのは、モル比ａが
０．３０未満の場合には焼結性が低下する傾向があり、
０．７０を越える場合には比誘電率が低下する傾向があ
るからである。ＳｉＯ2 のモル比ａは、より効果を得る
ためには０．４０≦ａ≦０．６０が好ましい。
【００２８】また、ＢａＯのモル比を示すｂを０．１０
≦ｂ≦０．４０としたのは、モル比ｂが０．１０未満の
場合には焼結性が低下する傾向があり、０．４０を越え
る場合には焼結性が低下し、比誘電率が低下する傾向が
あるからである。とりわけ、ＢａＯのモル比を示すｂは
０．１０≦ｂ≦０．２５が好ましい。
≦ｂ≦０．４０としたのは、モル比ｂが０．１０未満の
場合には焼結性が低下する傾向があり、０．４０を越え
る場合には焼結性が低下し、比誘電率が低下する傾向が
あるからである。とりわけ、ＢａＯのモル比を示すｂは
０．１０≦ｂ≦０．２５が好ましい。
【００２９】ＣａＯのモル比を示すｃを０．１０≦ｃ≦
０．４０としたのは、モル比ｃが０．１０未満の場合に
は焼結性が低下する傾向があり、０．４０を越える場合
には焼結性が低下し、比誘電率が低下する傾向があるか
らである。とりわけ、ＣａＯのモル比を示すｃは、０．
１０≦ｃ≦０．２５が好ましい。
０．４０としたのは、モル比ｃが０．１０未満の場合に
は焼結性が低下する傾向があり、０．４０を越える場合
には焼結性が低下し、比誘電率が低下する傾向があるか
らである。とりわけ、ＣａＯのモル比を示すｃは、０．
１０≦ｃ≦０．２５が好ましい。
【００３０】Ｌｉ2 Ｏのモル比を示すｄを０．０５≦ｄ
≦０．３０としたのは、モル比ｄが０．０５未満の場合
には焼結性が低下する傾向があり、０．５０を越える場
合には絶縁抵抗が低下する傾向があるからである。
≦０．３０としたのは、モル比ｄが０．０５未満の場合
には焼結性が低下する傾向があり、０．５０を越える場
合には絶縁抵抗が低下する傾向があるからである。
【００３１】本発明の誘電体磁器は、ＢａＣＯ3 粉末と
ＴｉＯ2 粉末とＭｎＣＯ3 粉末を混合して仮焼し、Ｂａ
ＴｉＯ3 中にＭｎが固溶した仮焼粉末を作製し、該仮焼
粉末に、少なくともＹ2 Ｏ3 粉末およびＭｇＯ粉末を添
加し、この混合粉末を成形した後、焼成することにより
得られる。
ＴｉＯ2 粉末とＭｎＣＯ3 粉末を混合して仮焼し、Ｂａ
ＴｉＯ3 中にＭｎが固溶した仮焼粉末を作製し、該仮焼
粉末に、少なくともＹ2 Ｏ3 粉末およびＭｇＯ粉末を添
加し、この混合粉末を成形した後、焼成することにより
得られる。
【００３２】このように、ＢａＴｉＯ3 を合成する前
に、ＢａＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末とＭｎＣＯ3 粉末を
混合して仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎを全て固溶せし
めた仮焼粉末を用い、この仮焼粉末にＹ2 Ｏ3 粉末およ
びＭｇＯ粉末等を添加し、焼成しているため、ＢａＴｉ
Ｏ3 中に固溶したＭｎにより、ＢａＴｉＯ3 中へのＹや
Ｍｇの固溶が抑制され、ＢａＴｉＯ3 中にはＭｎのみ、
あるいはわずかにＹやＭｇが存在し、ＹやＭｇは主とし
てＢａＴｉＯ3 からなる主結晶粒子の粒界に粒界相とし
て存在することになる。
に、ＢａＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末とＭｎＣＯ3 粉末を
混合して仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎを全て固溶せし
めた仮焼粉末を用い、この仮焼粉末にＹ2 Ｏ3 粉末およ
びＭｇＯ粉末等を添加し、焼成しているため、ＢａＴｉ
Ｏ3 中に固溶したＭｎにより、ＢａＴｉＯ3 中へのＹや
Ｍｇの固溶が抑制され、ＢａＴｉＯ3 中にはＭｎのみ、
あるいはわずかにＹやＭｇが存在し、ＹやＭｇは主とし
てＢａＴｉＯ3 からなる主結晶粒子の粒界に粒界相とし
て存在することになる。
【００３３】本発明の誘電体磁器は、具体的には、Ｂａ
ＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末にＭｎＣＯ3 粉末を添加し
て、混合粉砕した後、仮焼した粉末に対して、副成分で
あるＹ2 Ｏ3 、およびＭｇＯ粉末、ガラス成分（ＳｉＯ
2 、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｌｉ2 Ｏ）を加えた粉末に、水お
よび分散剤を加え、ボールミルにて混合粉砕した後、有
機バインダーを混合し、所定厚みのシート状に成形した
後、例えば、酸素分圧３×１０-8〜３×１０-3Ｐａ、温
度１１００〜１２００℃で０．５〜３時間焼成し、この
後、酸素分圧１×１０-2〜２×１０4 Ｐａ、温度８００
〜１１００℃で３０分〜７時間熱処理を行うことにより
得られる。尚、ＭｎＣＯ3 粉末の代わりにＭｎＯ2 粉
末、ＭｇＯ粉末の代わりにＭｇＣＯ3 粉末、ＢａＯ、Ｃ
ａＯ、Ｌｉ2Ｏとして炭酸塩粉末を用いても良いことは
勿論である。
ＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末にＭｎＣＯ3 粉末を添加し
て、混合粉砕した後、仮焼した粉末に対して、副成分で
あるＹ2 Ｏ3 、およびＭｇＯ粉末、ガラス成分（ＳｉＯ
2 、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｌｉ2 Ｏ）を加えた粉末に、水お
よび分散剤を加え、ボールミルにて混合粉砕した後、有
機バインダーを混合し、所定厚みのシート状に成形した
後、例えば、酸素分圧３×１０-8〜３×１０-3Ｐａ、温
度１１００〜１２００℃で０．５〜３時間焼成し、この
後、酸素分圧１×１０-2〜２×１０4 Ｐａ、温度８００
〜１１００℃で３０分〜７時間熱処理を行うことにより
得られる。尚、ＭｎＣＯ3 粉末の代わりにＭｎＯ2 粉
末、ＭｇＯ粉末の代わりにＭｇＣＯ3 粉末、ＢａＯ、Ｃ
ａＯ、Ｌｉ2Ｏとして炭酸塩粉末を用いても良いことは
勿論である。
【００３４】特に、ＢａＴｉＯ3 からなる仮焼粉末にＭ
ｎを完全固溶させるためには、ＢａＣＯ3 粉末とＴｉＯ
2 粉末にＭｎＣＯ3 粉末を添加した混合粉末を、９００
〜１０００℃で、０．５〜３時間仮焼することが望まし
い。
ｎを完全固溶させるためには、ＢａＣＯ3 粉末とＴｉＯ
2 粉末にＭｎＣＯ3 粉末を添加した混合粉末を、９００
〜１０００℃で、０．５〜３時間仮焼することが望まし
い。
【００３５】本発明の誘電体磁器は、該誘電体磁器と、
例えば、卑金属、特にＮｉを主成分とする内部電極層と
を交互に積層した積層体に、一対の外部電極を形成した
積層セラミックコンデンサに好適に用いられる。
例えば、卑金属、特にＮｉを主成分とする内部電極層と
を交互に積層した積層体に、一対の外部電極を形成した
積層セラミックコンデンサに好適に用いられる。
【００３６】
【実施例】先ず、ＢａＣＯ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末、およ
びＭｎＣＯ3 粉末を、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対し
て、ＭｎＯ換算で表１の割合になるように秤量して、該
原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、ＺｒＯ2
を用いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥
し、次いで、該乾燥物を９５０℃の温度で大気中１時間
仮焼した。
びＭｎＣＯ3 粉末を、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対し
て、ＭｎＯ換算で表１の割合になるように秤量して、該
原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、ＺｒＯ2
を用いたボールミルにて混合した後、該混合物を乾燥
し、次いで、該乾燥物を９５０℃の温度で大気中１時間
仮焼した。
【００３７】得られた粉末に対してＹ2 Ｏ3 粉末と、Ｍ
ｇＯ粉末を、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して、それ
ぞれＹ2 Ｏ3 換算、ＭｇＯ換算で表１の割合になるよう
に秤量して、さらに、ＳｉＯ2 粉末、ＢａＣＯ3 粉末、
ＣａＯ粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末が、表１で示したモル比
となる副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、
表１に示す割合だけ添加し、これに、水および分散剤を
加え、ボールミルにて混合粉砕した後、ＺｒＯ2 を用い
たボールミルにて混合粉砕し、有機バインダーを混合
し、得られたスラリーをフィルム状シートに成形した。
ｇＯ粉末を、ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して、それ
ぞれＹ2 Ｏ3 換算、ＭｇＯ換算で表１の割合になるよう
に秤量して、さらに、ＳｉＯ2 粉末、ＢａＣＯ3 粉末、
ＣａＯ粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末が、表１で示したモル比
となる副成分を、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、
表１に示す割合だけ添加し、これに、水および分散剤を
加え、ボールミルにて混合粉砕した後、ＺｒＯ2 を用い
たボールミルにて混合粉砕し、有機バインダーを混合
し、得られたスラリーをフィルム状シートに成形した。
【００３８】このフィルム状シートに内部電極用に調整
したＮｉペーストをスクリーン印刷法により印刷した
後、これを１０層積層し、最上層にＮｉペーストを印刷
していないフィルム状シートを積層し、熱圧着後、切断
した。
したＮｉペーストをスクリーン印刷法により印刷した
後、これを１０層積層し、最上層にＮｉペーストを印刷
していないフィルム状シートを積層し、熱圧着後、切断
した。
【００３９】これを大気中、３００℃の温度で４時間加
熱して脱バインダー処理し、引き続いて、表１に示した
温度で、酸素分圧３×１０-8〜３×１０-3Ｐａで２時間
焼成した。この後、酸素分圧１×１０-2〜２×１０4 Ｐ
ａ、温度１０００℃で２時間熱処理を行った。その後、
外部電極用に調整したＣｕペーストを焼き付け、磁器の
寸法３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、誘電体層厚み８μｍ×１
０層の評価用のコンデンサを作製した。
熱して脱バインダー処理し、引き続いて、表１に示した
温度で、酸素分圧３×１０-8〜３×１０-3Ｐａで２時間
焼成した。この後、酸素分圧１×１０-2〜２×１０4 Ｐ
ａ、温度１０００℃で２時間熱処理を行った。その後、
外部電極用に調整したＣｕペーストを焼き付け、磁器の
寸法３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、誘電体層厚み８μｍ×１
０層の評価用のコンデンサを作製した。
【００４０】次にこれらの評価試料を、ＬＣＲメーター
４２８４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定し、比誘電率を
算出した。しかる後、絶縁抵抗計ＤＳＭ８１０３を用い
て、ＤＣ５０Ｖを６０秒間印加した後に、電極間の抵抗
値を測定し、前記静電容量と抵抗値を乗じてＣＲ積を求
めた。更に、前記評価試料を１５０℃で１時間熱処理し
た後、２５℃で放置し、１時間後の静電容量に対する１
０時間後の静電容量の変化率（容量の経時変化率）を求
めた。これらの結果を表１にまとめた。
４２８４Ａを用いて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レ
ベル１．０Ｖｒｍｓにて静電容量を測定し、比誘電率を
算出した。しかる後、絶縁抵抗計ＤＳＭ８１０３を用い
て、ＤＣ５０Ｖを６０秒間印加した後に、電極間の抵抗
値を測定し、前記静電容量と抵抗値を乗じてＣＲ積を求
めた。更に、前記評価試料を１５０℃で１時間熱処理し
た後、２５℃で放置し、１時間後の静電容量に対する１
０時間後の静電容量の変化率（容量の経時変化率）を求
めた。これらの結果を表１にまとめた。
【００４１】
【表１】
【００４２】表１によれば、本発明の誘電体磁器は１１
８０℃以下で低温焼成でき、比誘電率εｒが２５００以
上を達成でき、容量の経時変化が１．５％以内であり、
絶縁抵抗ＣＲ積が１５００Ｆ・Ω以上を満足している。
本発明で得られた誘電体磁器について、ＥＰＭＡにより
組成分析を行ったところ、Ｍｎは、主結晶粒子のみに存
在し、粒界には存在しておらず、しかもＹ、Ｍｇは、主
として粒界に存在しており、主結晶粒子内には殆ど存在
していなかった。
８０℃以下で低温焼成でき、比誘電率εｒが２５００以
上を達成でき、容量の経時変化が１．５％以内であり、
絶縁抵抗ＣＲ積が１５００Ｆ・Ω以上を満足している。
本発明で得られた誘電体磁器について、ＥＰＭＡにより
組成分析を行ったところ、Ｍｎは、主結晶粒子のみに存
在し、粒界には存在しておらず、しかもＹ、Ｍｇは、主
として粒界に存在しており、主結晶粒子内には殆ど存在
していなかった。
【００４３】これに対して、ＢａＴｉＯ3 を合成した後
に、このＢａＴｉＯ3 粉末に、ＭｎＣＯ3 粉末、Ｙ2 Ｏ
3 粉末と、ＭｇＯ粉末、ＳｉＯ2 粉末、ＢａＣＯ3 粉
末、ＣａＣＯ3 粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末を添加した試料
Ｎo.２１の場合では、１２００℃では焼結せず、磁器の
緻密化は不十分であった。また、１２５０℃の焼成では
磁器は緻密化したものの、ＣＲ積は９７０Ｆ・Ωであっ
た。また、誘電体磁器について、ＥＰＭＡにより組成分
析を行ったところ、Ｍｎは、主結晶粒子とその粒界にほ
ぼ均等に存在しており、しかも、Ｙ、Ｍｇについても、
主結晶粒子とその粒界にほぼ均等に存在していた。そし
て、本発明の試料Ｎｏ．２と比較すると、絶縁抵抗ＣＲ
積が著しく低いことが判る。
に、このＢａＴｉＯ3 粉末に、ＭｎＣＯ3 粉末、Ｙ2 Ｏ
3 粉末と、ＭｇＯ粉末、ＳｉＯ2 粉末、ＢａＣＯ3 粉
末、ＣａＣＯ3 粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末を添加した試料
Ｎo.２１の場合では、１２００℃では焼結せず、磁器の
緻密化は不十分であった。また、１２５０℃の焼成では
磁器は緻密化したものの、ＣＲ積は９７０Ｆ・Ωであっ
た。また、誘電体磁器について、ＥＰＭＡにより組成分
析を行ったところ、Ｍｎは、主結晶粒子とその粒界にほ
ぼ均等に存在しており、しかも、Ｙ、Ｍｇについても、
主結晶粒子とその粒界にほぼ均等に存在していた。そし
て、本発明の試料Ｎｏ．２と比較すると、絶縁抵抗ＣＲ
積が著しく低いことが判る。
【００４４】さらに、ＢａＣＯ3 粉末とＴｉＯ2 粉末
と、ＭｇＯ粉末、Ｙ2 Ｏ3 粉末、ＢａＣＯ3 粉末、Ｃａ
ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、ＭｎＣＯ3 粉末を添加した
試料Ｎo.２２では、１２００℃では焼結せず、磁器の緻
密化は不十分であった。また、１２５０℃の焼成では磁
器は緻密化したものの、ＣＲ積は９１０Ｆ・Ωであっ
た。また、Ｍｎ、Ｙ、Ｍｇは主結晶粒子とその粒界にほ
ぼ均等に存在していた。
と、ＭｇＯ粉末、Ｙ2 Ｏ3 粉末、ＢａＣＯ3 粉末、Ｃａ
ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、ＭｎＣＯ3 粉末を添加した
試料Ｎo.２２では、１２００℃では焼結せず、磁器の緻
密化は不十分であった。また、１２５０℃の焼成では磁
器は緻密化したものの、ＣＲ積は９１０Ｆ・Ωであっ
た。また、Ｍｎ、Ｙ、Ｍｇは主結晶粒子とその粒界にほ
ぼ均等に存在していた。
【００４５】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器では、ＢａおよびＴ
ｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結
晶粒子内のみにＭｎが存在するので、主結晶粒子内への
Ｍｇ及びＹの固溶が抑制され、焼結性が向上し、１２０
０℃以下の低温で焼成ができるとともに、主結晶粒子内
のみにＭｎが存在するため、誘電体磁器が高い絶縁抵抗
を示し、厚みが１０μｍ以下と薄い場合においても、Ｃ
Ｒ積が１５００Ｆ・Ω以上と大きくすることができる。
ｉを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結
晶粒子内のみにＭｎが存在するので、主結晶粒子内への
Ｍｇ及びＹの固溶が抑制され、焼結性が向上し、１２０
０℃以下の低温で焼成ができるとともに、主結晶粒子内
のみにＭｎが存在するため、誘電体磁器が高い絶縁抵抗
を示し、厚みが１０μｍ以下と薄い場合においても、Ｃ
Ｒ積が１５００Ｆ・Ω以上と大きくすることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA03 AA04 AA06 AA08 AA11 AA19 AA30 BA09 CA01 CA05 GA05 5E001 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AF06 AH05 AH06 AH09 AJ02 5G303 AA01 AB01 AB15 AB20 BA12 CA01 CB03 CB06 CB16 CB17 CB18 CB30 CB35 CB40 DA06
Claims (4)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ、Ｔｉ、Ｍ
ｎ、ＹおよびＭｇを含有する誘電体磁器であって、少な
くともＢａおよびＴｉを含有するペロブスカイト型複合
酸化物からなる主結晶粒子と、少なくともＹおよびＭｇ
を含有する粒界相とからなるとともに、前記Ｍｎが実質
的に前記主結晶粒子内のみに存在することを特徴とする
誘電体磁器。 - 【請求項２】粒界相中に、さらにＳｉおよびＣａを含有
することを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器。 - 【請求項３】ＢａＴｉＯ3 １００モル部に対して、Ｙを
Ｙ2 Ｏ3 換算で０．４〜３．０モル部、ＭｇをＭｇＯ換
算で０．５〜８．０モル部、ＭｎをＭｎＯ換算で０．０
４〜０．５モル部含有するとともに、Ｓｉ、Ｂａ、Ｃａ
およびＬｉのモル比による組成式を、ａＳｉＯ2 ＋ｂＢ
ａＯ＋ｃＣａＯ＋ｄＬｉ2 Ｏと表したとき、前記ａ、
ｂ、ｃおよびｄが下記条件式を満足する副成分を、Ｂａ
ＴｉＯ3 １００重量部に対して１〜４重量部含有するこ
とを特徴とする請求項１または２記載の誘電体磁器。 ０．３０≦ａ≦０．７０ ０．１０≦ｂ≦０．４０ ０．１０≦ｃ≦０．４０ ０．０５≦ｄ≦０．３０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１ - 【請求項４】ＢａＣＯ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末およびＭｎ
ＣＯ3 粉末を混合して仮焼し、ＢａＴｉＯ3 中にＭｎが
固溶した仮焼粉末を作製し、該仮焼粉末に、少なくとも
Ｙ2 Ｏ3 粉末およびＭｇＯ粉末を添加し、この混合粉末
を成形した後、焼成することを特徴とする誘電体磁器の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14868999A JP3856984B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 誘電体磁器およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14868999A JP3856984B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 誘電体磁器およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000335966A true JP2000335966A (ja) | 2000-12-05 |
| JP3856984B2 JP3856984B2 (ja) | 2006-12-13 |
Family
ID=15458409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14868999A Expired - Fee Related JP3856984B2 (ja) | 1999-05-27 | 1999-05-27 | 誘電体磁器およびその製法 |
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| JP (1) | JP3856984B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231560A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2002265260A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| CN101935211A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 株式会社村田制作所 | 电介质陶瓷及其制造方法以及层叠陶瓷电容器 |
| CN101962286A (zh) * | 2009-07-22 | 2011-02-02 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷和层叠陶瓷电容器 |
| CN101962285A (zh) * | 2009-07-22 | 2011-02-02 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷和层叠陶瓷电容器 |
| JP2011162401A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| KR101318855B1 (ko) | 2010-10-26 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 복합 산화물 분말의 제조방법 |
-
1999
- 1999-05-27 JP JP14868999A patent/JP3856984B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002231560A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP4691790B2 (ja) * | 2001-01-31 | 2011-06-01 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2002265260A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-18 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| JP4663141B2 (ja) * | 2001-03-07 | 2011-03-30 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| CN101935211A (zh) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | 株式会社村田制作所 | 电介质陶瓷及其制造方法以及层叠陶瓷电容器 |
| US8358494B2 (en) | 2009-06-30 | 2013-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and manufacturing method therefor and laminated ceramic capacitor |
| JP2011026149A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2011026148A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN101962285A (zh) * | 2009-07-22 | 2011-02-02 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷和层叠陶瓷电容器 |
| US8320103B2 (en) | 2009-07-22 | 2012-11-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| CN101962286A (zh) * | 2009-07-22 | 2011-02-02 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷和层叠陶瓷电容器 |
| JP2011162401A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| KR101318855B1 (ko) | 2010-10-26 | 2013-10-17 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 복합 산화물 분말의 제조방법 |
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|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051021 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051101 |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051227 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060913 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090922 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100922 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120922 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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