JP2978580B2 - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
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- JP2978580B2 JP2978580B2 JP3083301A JP8330191A JP2978580B2 JP 2978580 B2 JP2978580 B2 JP 2978580B2 JP 3083301 A JP3083301 A JP 3083301A JP 8330191 A JP8330191 A JP 8330191A JP 2978580 B2 JP2978580 B2 JP 2978580B2
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- dielectric
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- dielectric constant
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高誘電率誘電体磁器組
成物に係り、特に広い温度範囲（−５５℃〜＋１５０
℃）にわたって静電容量の変化が小さく、かつ誘電体損
失の小さい優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成
物に関する。
成物に係り、特に広い温度範囲（−５５℃〜＋１５０
℃）にわたって静電容量の変化が小さく、かつ誘電体損
失の小さい優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電率が高く、その温度変化が小
さい誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3 ）にビスマス化合物、例えばＢｉ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｎＯ2 やＢｉ2 Ｏ3 ・２ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 やＮｂ2
Ｏ5 等を添加してその温度変化率を小さくしたものが使
われていた。
さい誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3 ）にビスマス化合物、例えばＢｉ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｎＯ2 やＢｉ2 Ｏ3 ・２ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ5 やＮｂ2
Ｏ5 等を添加してその温度変化率を小さくしたものが使
われていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの成
分を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の温
度変化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのず
と限界があった。このため、これらの組成物をコンデン
サに使用した場合、小型で大容量を得ることは困難であ
った。
分を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の温
度変化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのず
と限界があった。このため、これらの組成物をコンデン
サに使用した場合、小型で大容量を得ることは困難であ
った。
【０００４】また組成物の成分にビスマス化合物を含む
ものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組成物素
体に屈曲を生じたりする問題があった。
ものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組成物素
体に屈曲を生じたりする問題があった。
【０００５】さらにビスマスを含有するチタン酸バリウ
ム系積層型磁器コンデンサを作成した場合、内部電極で
あるパラジウム、、または銀−パラジウム合金と誘電体
の成分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機
能を失うため、内部電極として高価な白金を使用しなけ
ればならず、積層型磁器のコンデンサのコストアップの
要因になっていた。
ム系積層型磁器コンデンサを作成した場合、内部電極で
あるパラジウム、、または銀−パラジウム合金と誘電体
の成分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機
能を失うため、内部電極として高価な白金を使用しなけ
ればならず、積層型磁器のコンデンサのコストアップの
要因になっていた。
【０００６】従って、本発明の目的は、広い温度範囲に
わたって静電容量の変化が少なく、誘電体損失の小さい
優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
わたって静電容量の変化が少なく、誘電体損失の小さい
優れた特性を有する高誘電率誘電体磁器組成物を提供す
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として、 ＢａＴｉＯ3 ：94.0〜99.0モル％ Ｎｂ2 Ｏ5 ：0.5 〜3.0 モル％ ＣｏＯ ：0.5 〜3.0 モル％ に対して、添加物としてＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、
ＢａＺｒＯ3 のうち一種類以上を0.2 〜7.0 重量％含有
することにより、キュリー点を高温側へシフトすること
を見出した。これにより、静電容量の温度変化が少ない
領域を拡げることができる。
め、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として、 ＢａＴｉＯ3 ：94.0〜99.0モル％ Ｎｂ2 Ｏ5 ：0.5 〜3.0 モル％ ＣｏＯ ：0.5 〜3.0 モル％ に対して、添加物としてＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、
ＢａＺｒＯ3 のうち一種類以上を0.2 〜7.0 重量％含有
することにより、キュリー点を高温側へシフトすること
を見出した。これにより、静電容量の温度変化が少ない
領域を拡げることができる。
【０００８】また必要に応じてＬａ2 Ｏ3 、Ｎｄ
2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11のうち一種類以上を0.5 重量％以下
含有することにより、特性が優れることを見出した。
2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11のうち一種類以上を0.5 重量％以下
含有することにより、特性が優れることを見出した。
【０００９】さらに、これらにＭｎＯを０〜0.3 重量
％、ＳｉＯ2を０〜0.3 重量％含有することにより焼結
性がよくなり、特性が一層向上するものとなる。
％、ＳｉＯ2を０〜0.3 重量％含有することにより焼結
性がよくなり、特性が一層向上するものとなる。
【００１０】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率が２０００〜４７００という
高誘電率を有し、誘電体損失（ｔａｎδ）は1.2 ％以下
という小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩＡＪ
（日本電子機械工業会規約）に規定する×７Ｒ特性（−
５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で静電容量の変化が２５
℃を基準にして±１５％以内）を満足し、さらに×８Ｒ
特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で静電容量の変
化が２５℃を基準にして±１５％以内）を満足するすぐ
れた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
により、常温での比誘電率が２０００〜４７００という
高誘電率を有し、誘電体損失（ｔａｎδ）は1.2 ％以下
という小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩＡＪ
（日本電子機械工業会規約）に規定する×７Ｒ特性（−
５５℃〜＋１２５℃の温度範囲で静電容量の変化が２５
℃を基準にして±１５％以内）を満足し、さらに×８Ｒ
特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で静電容量の変
化が２５℃を基準にして±１５％以内）を満足するすぐ
れた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることができ
る。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図３を用いて説明
する。図１は本発明の誘電体磁器組成物の主成分の三元
組成図、図２は本発明の誘電体磁器組成物の製造工程
図、図３は各試料の静電容量の温度特性カーブを示す。
する。図１は本発明の誘電体磁器組成物の主成分の三元
組成図、図２は本発明の誘電体磁器組成物の製造工程
図、図３は各試料の静電容量の温度特性カーブを示す。
【００１２】ＢａＴｉＯ3 を形成するための出発原料と
して、高純度のＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 を１：１のモル比
で調合し、調合した出発原料に脱水・乾燥処理を行う
（図２の参照）。
して、高純度のＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 を１：１のモル比
で調合し、調合した出発原料に脱水・乾燥処理を行う
（図２の参照）。
【００１３】次にこれらの原料を仮成形し、１０００℃
〜１２００℃で２時間安定にして化学反応を行わしめ、
ＢａＴｉＯ3 を形成する仮焼成を行い、得られたＢａＴ
ｉＯ3 を例えば、アトマイザー等で微粉砕する（図２の
参照）。
〜１２００℃で２時間安定にして化学反応を行わしめ、
ＢａＴｉＯ3 を形成する仮焼成を行い、得られたＢａＴ
ｉＯ3 を例えば、アトマイザー等で微粉砕する（図２の
参照）。
【００１４】得られたＢａＴｉＯ3 粉末または溶液法に
て調整して得られたＢａＴｉＯ3 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｃ
ｏＯ、ＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＢａＺｒＯ3 、Ｎ
ｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、ＭｎＣＯ3 、Ｓｉ
Ｏ2 等を焼成後の組成が表１、表２の如くになるように
秤量し、湿式混合し、脱水・乾燥する（図２の参
照）。
て調整して得られたＢａＴｉＯ3 粉末、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｃ
ｏＯ、ＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＢａＺｒＯ3 、Ｎ
ｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、ＭｎＣＯ3 、Ｓｉ
Ｏ2 等を焼成後の組成が表１、表２の如くになるように
秤量し、湿式混合し、脱水・乾燥する（図２の参
照）。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】なお、表１、表２において各試料Noは共通
である。これらの原料に有機バインダーを適当量加え、
約３ｔｏｎ／cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm、厚
さ約0.6 mmの円板状成形物を作成する。この成形物を１
２４０℃〜１３８０℃で２時間安定にして、本焼成を行
う（図２の参照）。
である。これらの原料に有機バインダーを適当量加え、
約３ｔｏｎ／cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm、厚
さ約0.6 mmの円板状成形物を作成する。この成形物を１
２４０℃〜１３８０℃で２時間安定にして、本焼成を行
う（図２の参照）。
【００１８】得られた磁器組成物素体の両端面に銀電極
を焼付けて、コンデンサとする（図２の参照）。
を焼付けて、コンデンサとする（図２の参照）。
【００１９】これらのコンデンサの各電気的特性を測定
した。即ち比誘電率、誘電体損失を周波数１ＫＨｚ、１
Ｖ、室温２０℃の条件で、絶縁抵抗はＤ．Ｃ．５００
Ｖ、室温２０℃１分後の条件での測定値を求め、静電容
量の温度変化率（表３では表示簡略のため静電容量変化
率ΔＣ／Ｃ２５℃と示す）は２５℃における値に対する
−５５℃、＋１２５℃、＋１５０℃における値の変化率
を求めた（図２の参照）。
した。即ち比誘電率、誘電体損失を周波数１ＫＨｚ、１
Ｖ、室温２０℃の条件で、絶縁抵抗はＤ．Ｃ．５００
Ｖ、室温２０℃１分後の条件での測定値を求め、静電容
量の温度変化率（表３では表示簡略のため静電容量変化
率ΔＣ／Ｃ２５℃と示す）は２５℃における値に対する
−５５℃、＋１２５℃、＋１５０℃における値の変化率
を求めた（図２の参照）。
【００２０】各測定結果を表３に示す。
【００２１】
【表３】
【００２２】なお、表３中、×印を付した試料No１、
３、３−４、３−９、３−１４、３−１７、３−１８、
３−１９、３−２０、３−２１、，３−２２、３−２
３、６、８、１０は本発明の範囲に含まれず、本発明の
実施例との比較のために示す。
３、３−４、３−９、３−１４、３−１７、３−１８、
３−１９、３−２０、３−２１、，３−２２、３−２
３、６、８、１０は本発明の範囲に含まれず、本発明の
実施例との比較のために示す。
【００２３】また、表３の試料Noは表１、表２の試料No
と共通である。表１〜表３から明らかな如く、本発明の
組成の誘電体磁器組成物は、比誘電率が２０００〜４７
００という高い値であり、誘電体損失は1.2 ％以下とい
う小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩＡＪに規
定する×７Ｒ特性のみならず、×８Ｒ特性をも満足する
安定した誘電体磁器組成物である。
と共通である。表１〜表３から明らかな如く、本発明の
組成の誘電体磁器組成物は、比誘電率が２０００〜４７
００という高い値であり、誘電体損失は1.2 ％以下とい
う小さい値であり、静電容量の温度変化はＥＩＡＪに規
定する×７Ｒ特性のみならず、×８Ｒ特性をも満足する
安定した誘電体磁器組成物である。
【００２４】図１は本発明の誘電体組成物の主成分の三
元組成図である。図１における各点の番号は表１〜表３
における試料Noと一致する。
元組成図である。図１における各点の番号は表１〜表３
における試料Noと一致する。
【００２５】図１から本発明の主成分は点２、７、５、
９を結ぶ線によりできる四辺形の内側の組成になること
が明らかである。
９を結ぶ線によりできる四辺形の内側の組成になること
が明らかである。
【００２６】図３は、表１〜表３の各試料のうち３試料
の静電容量の温度特性カーブを示す。図３において、点
Δを結ぶ曲線Ａは表１〜表３の試料No１の静電容量の温
度特性カブを示し、同様に点・を結ぶ曲線Ｂは試料No３
−１、点×を結ぶ曲線Ｃは試料No３−４の各カーブを示
す。
の静電容量の温度特性カーブを示す。図３において、点
Δを結ぶ曲線Ａは表１〜表３の試料No１の静電容量の温
度特性カブを示し、同様に点・を結ぶ曲線Ｂは試料No３
−１、点×を結ぶ曲線Ｃは試料No３−４の各カーブを示
す。
【００２７】図３から明らかな如く、試料No３−１の曲
線Ｂは−５５℃〜＋１２５℃、−５５℃〜＋１５０℃に
おける静電容量の温度変化率が±１５％以内であって、
ＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性を満足し、
広い温度範囲において誘電率の温度変化が少ない。
線Ｂは−５５℃〜＋１２５℃、−５５℃〜＋１５０℃に
おける静電容量の温度変化率が±１５％以内であって、
ＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性を満足し、
広い温度範囲において誘電率の温度変化が少ない。
【００２８】次に本発明の誘電体組成物の組成範囲の限
定理由を表１〜表３、図１、図３を参照しつつ説明す
る。
定理由を表１〜表３、図１、図３を参照しつつ説明す
る。
【００２９】ＢａＴｉＯ3 が94.0モル％未満であれば、
比誘電率が低くなる（例えば表１〜表３の試料No６参
照）。
比誘電率が低くなる（例えば表１〜表３の試料No６参
照）。
【００３０】ＢａＴｉＯ3 が99.0モル％を越えると、誘
電体損失（ｔａｎδ）と静電容量の温度特性変化率が大
きくなり、焼結性も悪化する（例えば表１〜表３、図３
の試料No１参照）。
電体損失（ｔａｎδ）と静電容量の温度特性変化率が大
きくなり、焼結性も悪化する（例えば表１〜表３、図３
の試料No１参照）。
【００３１】Ｎｂ2 Ｏ5 が0.5 モル％未満であると、誘
電体損失と静電容量の温度化率が大きくなり、焼結性も
悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料No１参照）。
電体損失と静電容量の温度化率が大きくなり、焼結性も
悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料No１参照）。
【００３２】Ｎｂ2 Ｏ5 が3.0 モル％を越えると、比誘
電率が低くなったり（例えば表１〜表３の試料No６参
照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例えば表１
〜表３の試料No８参照）。
電率が低くなったり（例えば表１〜表３の試料No６参
照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例えば表１
〜表３の試料No８参照）。
【００３３】またＣｏＯが0.5 モル％未満であると、誘
電体損失と静電容量の温度変化率が大きくなり、焼結性
も悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料No１参
照）。
電体損失と静電容量の温度変化率が大きくなり、焼結性
も悪化する（例えば表１〜表３、図３の試料No１参
照）。
【００３４】ＣｏＯが3.0 モル％を越えると、比誘電率
が低くなったり（例えば表１〜表３の試料No６、１０参
照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例えば表１
〜表３の試料No１０参照）。
が低くなったり（例えば表１〜表３の試料No６、１０参
照）、静電容量の温度変化率が大きくなる（例えば表１
〜表３の試料No１０参照）。
【００３５】添加物として、ＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ
3 、ＢａＺｒＯ3 のうちいずれか一種類以上が0.2 重量
％未満では、静電容量の温度変化率が大きくなり、×７
Ｒ特性や×８Ｒ特性を満足しなくなる（例えば表１〜表
３の試料No３、３−１８、３−２０参照）。
3 、ＢａＺｒＯ3 のうちいずれか一種類以上が0.2 重量
％未満では、静電容量の温度変化率が大きくなり、×７
Ｒ特性や×８Ｒ特性を満足しなくなる（例えば表１〜表
３の試料No３、３−１８、３−２０参照）。
【００３６】また、ＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、Ｂａ
ＺｒＯ3 のうちいずれか一種類以上が7.0 重量％を越え
ると、やはり静電容量の温度変化率が大きくなり、×８
Ｒ特性を満足しなくなる（例えば表１〜表３、図３の試
料No３−４、３−１９、３−２１参照）。
ＺｒＯ3 のうちいずれか一種類以上が7.0 重量％を越え
ると、やはり静電容量の温度変化率が大きくなり、×８
Ｒ特性を満足しなくなる（例えば表１〜表３、図３の試
料No３−４、３−１９、３−２１参照）。
【００３７】さらにＮｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ
11が上記の組成に対して無添加でも使用上問題はない
（例えば、表１〜表３の試料No３−７、３−１２、３−
２４、３−２５、３−２６参照）。
11が上記の組成に対して無添加でも使用上問題はない
（例えば、表１〜表３の試料No３−７、３−１２、３−
２４、３−２５、３−２６参照）。
【００３８】しかし、これらＮｄ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、
Ｐｒ6 Ｏ11のうちいずれか一種類以上を0.5 重量％まで
の添加で焼結性がよくなり（例えば、表１〜表３の３−
８、３−１０、３−１１参照）、0.5 重量％を越える
と、静電容量の温度変化率が大きくなり、×８Ｒ特性を
はずれる（例えば、表１〜表３の試料No３−９、３−２
２、３−２３参照）。
Ｐｒ6 Ｏ11のうちいずれか一種類以上を0.5 重量％まで
の添加で焼結性がよくなり（例えば、表１〜表３の３−
８、３−１０、３−１１参照）、0.5 重量％を越える
と、静電容量の温度変化率が大きくなり、×８Ｒ特性を
はずれる（例えば、表１〜表３の試料No３−９、３−２
２、３−２３参照）。
【００３９】ＭｎＯの添加については、無添加でも使用
上問題ないが（例えば表１〜表３の試料No３−１２参
照）、0.3 重量％までの添加で還元防止になり、誘電体
損失が改善され、焼結性も向上する（例えば、表１〜表
３の試料No３−１３参照）。
上問題ないが（例えば表１〜表３の試料No３−１２参
照）、0.3 重量％までの添加で還元防止になり、誘電体
損失が改善され、焼結性も向上する（例えば、表１〜表
３の試料No３−１３参照）。
【００４０】ＭｎＯが0.3 重量％を越えると、静電容量
の温度変化率が大きくなり、焼結性は悪化し、緻密な磁
器が得られなくなる（例えば、表１〜表３の試料No３−
１４参照）。
の温度変化率が大きくなり、焼結性は悪化し、緻密な磁
器が得られなくなる（例えば、表１〜表３の試料No３−
１４参照）。
【００４１】ＳｉＯ2 の添加については、無添加でも使
用上問題はないが（例えば、表１〜表３の試料No３−１
５参照）、0.3 重量％までの添加で、焼結性がよくな
り、特性も改善される。
用上問題はないが（例えば、表１〜表３の試料No３−１
５参照）、0.3 重量％までの添加で、焼結性がよくな
り、特性も改善される。
【００４２】ＳｉＯ2 が0.3 重量％を越えると、静電容
量の温度変化率が大きくなるばかりでなく、誘電体損失
等の特性も悪化し、焼結性も悪化する（例えば、表１〜
表３の試料No３−１７参照）。
量の温度変化率が大きくなるばかりでなく、誘電体損失
等の特性も悪化し、焼結性も悪化する（例えば、表１〜
表３の試料No３−１７参照）。
【００４３】また原料中に含まれるアルカリ金属酸化物
または製造工程中に混入する微量の不純物としてのＳｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 は特性を著しく悪化させることはな
い。
または製造工程中に混入する微量の不純物としてのＳｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 は特性を著しく悪化させることはな
い。
【００４４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は比誘電率が
約２０００〜４７００という高い値を有し、誘電体損失
は1.2 ％以下という小さい値であり、静電容量の温度変
化率はＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性を満
足し、広い温度範囲にわたって誘電率の変化が小さい。
このように優れた特性の誘電体磁器組成物は例えば自動
車のエンジンルーム等に使用可能である。
約２０００〜４７００という高い値を有し、誘電体損失
は1.2 ％以下という小さい値であり、静電容量の温度変
化率はＥＩＡＪに規定する×７Ｒ特性、×８Ｒ特性を満
足し、広い温度範囲にわたって誘電率の変化が小さい。
このように優れた特性の誘電体磁器組成物は例えば自動
車のエンジンルーム等に使用可能である。
【００４５】また、本発明の誘電体磁器組成物にはパラ
ジウムまたは銀−パラジウム合金と反応し易いビスマス
を含まないため、この組成物を誘電体層として積層コン
デンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独
または銀−パラジウム合金の使用が可能となる。
ジウムまたは銀−パラジウム合金と反応し易いビスマス
を含まないため、この組成物を誘電体層として積層コン
デンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独
または銀−パラジウム合金の使用が可能となる。
【００４６】従って、高価な白金または白金−パラジウ
ム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウン
が実現出来、工業上の利益は計りしれないものがある。
ム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウン
が実現出来、工業上の利益は計りしれないものがある。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分の三元組成
図である。
図である。
【図２】本発明の誘電体磁器組成物の製造工程説明図で
ある。
ある。
【図３】試料の静電容量の温度特性カーブである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−357607（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−258671（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−146466（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C04B 35/46
Claims (4)
- 【請求項１】 主成分として、 ＢａＴｉＯ3 ：94.0〜99.0モル％ Ｎｂ2 Ｏ5 ：0.5 〜3.0 モル％ ＣｏＯ ：0.5 〜3.0 モル％ に対して、添加物としてＣａＺｒＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、
ＢａＺｒＯ3 のうちいずれか一種類以上を0.2 〜7.0 重
量％含有してなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器
組成物。 - 【請求項２】 上記組成物にＬａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、
Ｐｒ6 Ｏ11のうちいずれか一種類以上を0.5 重量％以下
含有することを特徴とする請求項１記載の高誘電率誘電
体磁器組成物。 - 【請求項３】 上記組成物にＭｎＯを0.3 重量％以下含
有することを特徴とする請求項１、又は請求項２記載の
高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 上記組成物にＳｉＯ2 を0.3 重量％以下
含有することを特徴とする請求項１、請求項２又は請求
項３記載の高誘電率誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3083301A JP2978580B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3083301A JP2978580B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
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