JPH04292458A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
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- JPH04292458A JPH04292458A JP3078460A JP7846091A JPH04292458A JP H04292458 A JPH04292458 A JP H04292458A JP 3078460 A JP3078460 A JP 3078460A JP 7846091 A JP7846091 A JP 7846091A JP H04292458 A JPH04292458 A JP H04292458A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率誘電体磁器組成
物に係り、特に広い温度範囲(−55℃〜+150℃)
にわたって、静電容量の変化が小さく、かつ誘電体損失
が小さい高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
物に係り、特に広い温度範囲(−55℃〜+150℃)
にわたって、静電容量の変化が小さく、かつ誘電体損失
が小さい高誘電率誘電体磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、誘電率が高く、その温度変化の小
さな誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3
・2SnO2 やBi2 O3 ・2ZrO2 とTa
2 O5 やSm2 O3 等を添加して、その温度変
化率を小さくしたものが使用されている。
さな誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(Ba
TiO3 )にビスマス化合物、例えばBi2 O3
・2SnO2 やBi2 O3 ・2ZrO2 とTa
2 O5 やSm2 O3 等を添加して、その温度変
化率を小さくしたものが使用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの成
分を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするには、おのずと
限界があった。このためこれらの組成物をコンデンサに
使用した場合、小型で大容量を得ることは困難であった
。
分を含む組成物では誘電率を高くすると、静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするには、おのずと
限界があった。このためこれらの組成物をコンデンサに
使用した場合、小型で大容量を得ることは困難であった
。
【0004】また前記の組成物のうち、ビスマス化合物
を含むものは焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組成
物素体に屈曲を生じたりする問題点があった。
を含むものは焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組成
物素体に屈曲を生じたりする問題点があった。
【0005】さらにビスマスを含有するチタン酸バリウ
ム系積層型磁器コンデンサを作成した場合、内部電極で
あるパラジウムまたは銀−パラジウム合金と誘電体の成
分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機能を
失う。このため内部電極として高価な白金等の貴金属を
使用しなければならず、積層型磁器コンデンサのコスト
アップの要因になっていた。
ム系積層型磁器コンデンサを作成した場合、内部電極で
あるパラジウムまたは銀−パラジウム合金と誘電体の成
分であるビスマスが反応を起こし、電極としての機能を
失う。このため内部電極として高価な白金等の貴金属を
使用しなければならず、積層型磁器コンデンサのコスト
アップの要因になっていた。
【0006】従って本発明の目的は広い温度範囲にわた
って静電容量変化が少なく、誘電体損失の小さい優れた
高誘電率磁器組成物を提供するものである。
って静電容量変化が少なく、誘電体損失の小さい優れた
高誘電率磁器組成物を提供するものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】前期目的を達成するため
、本発明者は鋭意研究の結果、主成分として、BaTi
O3 :94.0〜99.0モル%Nb2 O5
: 0.5〜 3.0モル%CoO : 0
.5〜 3.0モル%に対して、添加物としてBaZr
O3 を0.2 〜7.0 重量%含有することにより
キュリー点が高温側へシフトすることを見出した。これ
により、静電容量の温度変化が少ない領域が拡がる。
、本発明者は鋭意研究の結果、主成分として、BaTi
O3 :94.0〜99.0モル%Nb2 O5
: 0.5〜 3.0モル%CoO : 0
.5〜 3.0モル%に対して、添加物としてBaZr
O3 を0.2 〜7.0 重量%含有することにより
キュリー点が高温側へシフトすることを見出した。これ
により、静電容量の温度変化が少ない領域が拡がる。
【0008】また必要に応じてNd2 O3 を0.5
重量%以下含有することにより特性が優れることを見
出した。
重量%以下含有することにより特性が優れることを見
出した。
【0009】さらに、これらにMnOを0〜0.3 重
量%添加することにより焼結性が良くなり、特性が一層
向上することも見出した。
量%添加することにより焼結性が良くなり、特性が一層
向上することも見出した。
【0010】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率が2000〜4700という
高い値を有し、誘電体損失(tanδ)は1.2 %以
下という小さい値であり、静電容量の温度変化はEIA
J(日本電子機械工業会規約)に規定する×7R特性(
−55℃〜+125℃の温度範囲で静電容量の変化が2
5℃を基準にして±15%以内)を満足し、さらに×8
R特性(−55℃〜+150℃の温度範囲で静電容量の
変化が25℃を基準にして±15%以内)を満足するす
ぐれた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることがで
きた。
により、常温での比誘電率が2000〜4700という
高い値を有し、誘電体損失(tanδ)は1.2 %以
下という小さい値であり、静電容量の温度変化はEIA
J(日本電子機械工業会規約)に規定する×7R特性(
−55℃〜+125℃の温度範囲で静電容量の変化が2
5℃を基準にして±15%以内)を満足し、さらに×8
R特性(−55℃〜+150℃の温度範囲で静電容量の
変化が25℃を基準にして±15%以内)を満足するす
ぐれた特性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることがで
きた。
【0011】
【実施例】本発明の一実施例を図1〜図3を参照しつつ
説明する。図1は本発明の誘電体磁器組成物の主成分の
三元組成図、図2は誘電体磁器組成物の製造工程図、図
3は静電容量の温度特性カーブを示す。
説明する。図1は本発明の誘電体磁器組成物の主成分の
三元組成図、図2は誘電体磁器組成物の製造工程図、図
3は静電容量の温度特性カーブを示す。
【0012】チタン酸バリウムの出発原料として高純度
のBaCO3 とTiO2 を1:1のモル比で調合し
、調合した出発原料を脱水・乾燥する(図2■参照)。
のBaCO3 とTiO2 を1:1のモル比で調合し
、調合した出発原料を脱水・乾燥する(図2■参照)。
【0013】次にこれらの原料を仮成形し、1000〜
1200℃で2時間安定にして化学反応を行わしめ、B
aTiO3 を形成する仮焼成を行う。得られたBaT
iO3 を例えばアトマイザー等で微粉砕する(図2■
参照)。
1200℃で2時間安定にして化学反応を行わしめ、B
aTiO3 を形成する仮焼成を行う。得られたBaT
iO3 を例えばアトマイザー等で微粉砕する(図2■
参照)。
【0014】このようにして得られたBaTiO3 粉
末、または溶液法にて調整して得られたBaTiO3
粉末、Nb2 O5 ,CoO,BaZrO3 ,Nd
2 O3 , MnOを、焼成後の組成が表1の如くに
なるように秤量する(図2■参照)。
末、または溶液法にて調整して得られたBaTiO3
粉末、Nb2 O5 ,CoO,BaZrO3 ,Nd
2 O3 , MnOを、焼成後の組成が表1の如くに
なるように秤量する(図2■参照)。
【0015】
【表1】
【0016】秤量した原料粉末を湿式混合した後、脱水
・乾燥する(図2■参照)。
・乾燥する(図2■参照)。
【0017】これに有機バインダを適当量加え、約3t
on/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm
, 厚さ約0.6mm の円板状成形物を作成する。次
にこの成形物を1280℃〜1380℃で2時間安定に
して本焼成を行う(図2■参照)。
on/cm2 の成形圧力で成形し、直径16.5mm
, 厚さ約0.6mm の円板状成形物を作成する。次
にこの成形物を1280℃〜1380℃で2時間安定に
して本焼成を行う(図2■参照)。
【0018】得られた磁器組成物素体の両端面に銀電極
を焼きつけてコンデンサとする(図2■参照)。
を焼きつけてコンデンサとする(図2■参照)。
【0019】これらのコンデンサの各電気的特性、即ち
比誘電率(εs )、誘電体損失(tanδ)、絶縁抵
抗、静電容量の温度変化率をそれぞれ測定した。なお、
比誘電率、誘電体損失は、周波数1KHZ ,1V、室
温20℃1分後の条件、絶縁抵抗は、DC,500V、
室温20℃の条件での測定値を求め、静電容量の温度変
化率は、25℃における値に対する−55℃、+125
℃、+150℃における値の変化率を求めている(図2
■参照)。
比誘電率(εs )、誘電体損失(tanδ)、絶縁抵
抗、静電容量の温度変化率をそれぞれ測定した。なお、
比誘電率、誘電体損失は、周波数1KHZ ,1V、室
温20℃1分後の条件、絶縁抵抗は、DC,500V、
室温20℃の条件での測定値を求め、静電容量の温度変
化率は、25℃における値に対する−55℃、+125
℃、+150℃における値の変化率を求めている(図2
■参照)。
【0020】各測定結果を表1,表2に示す。
【0021】
【表2】
【0022】ここで表1と表2の試料Noは共通であり
、同一の番号は同一の試料を示し、表1は各試料の組成
、表2は対応する試料の電気的特性等を示す。
、同一の番号は同一の試料を示し、表1は各試料の組成
、表2は対応する試料の電気的特性等を示す。
【0023】また、表1、表2において、×印を付した
試料No1,3−3,3−4,3−8,3−12,6,
8,10は本発明の範囲外であり、本発明の実施例との
比較のために示している。
試料No1,3−3,3−4,3−8,3−12,6,
8,10は本発明の範囲外であり、本発明の実施例との
比較のために示している。
【0024】表1、表2から明らかな如く、本発明の誘
電体磁器組成物は常温での比誘電率が2000〜470
0と高い値を示し、誘電体損失は1.2 %以下という
小さい値であり、その静電容量の温度変化率はEIAJ
に規定する×7R特性、×8R特性を満足する。
電体磁器組成物は常温での比誘電率が2000〜470
0と高い値を示し、誘電体損失は1.2 %以下という
小さい値であり、その静電容量の温度変化率はEIAJ
に規定する×7R特性、×8R特性を満足する。
【0025】図1は、本発明の誘電体磁器組成物の主成
分の組成を示す三元組成図であって、図1中の各点の番
号は表1、表2の試料Noと共通である。
分の組成を示す三元組成図であって、図1中の各点の番
号は表1、表2の試料Noと共通である。
【0026】図1から、本発明の主成分は、点2,7,
5,9を結ぶ四辺形の内側の組成になることが明らかで
ある。
5,9を結ぶ四辺形の内側の組成になることが明らかで
ある。
【0027】図3は表1、表2の各試料のうちの3つに
ついて、その静電容量の温度特性カーブを示す。
ついて、その静電容量の温度特性カーブを示す。
【0028】図3において、曲線Aは表1、表2の試料
No1に対応し、曲線A上の各点(Δ)は表1、表2に
おける静電容量の各温度における変化率に対応する。同
様に、点(・)を含む曲線Bは表1、表2における試料
No3−1、点(×)を含む曲線Cは表1、表2におけ
る試料No3−3に対応する。
No1に対応し、曲線A上の各点(Δ)は表1、表2に
おける静電容量の各温度における変化率に対応する。同
様に、点(・)を含む曲線Bは表1、表2における試料
No3−1、点(×)を含む曲線Cは表1、表2におけ
る試料No3−3に対応する。
【0029】図3から明らかな如く、本発明の範囲の組
成の磁器組成物(曲線B、即ち試料No3−1)は静電
容量の温度変化率が広い温度範囲(−55℃〜+150
℃)で±15%以下と小さく、安定している。
成の磁器組成物(曲線B、即ち試料No3−1)は静電
容量の温度変化率が広い温度範囲(−55℃〜+150
℃)で±15%以下と小さく、安定している。
【0030】次に、本発明の誘電体磁器組成物の組成範
囲の限定理由を説明する。BaTiO3 が94.00
モル%未満であると、比誘電率は2000以下と低く
なる(例えば、表1、表2の試料No6参照)。
囲の限定理由を説明する。BaTiO3 が94.00
モル%未満であると、比誘電率は2000以下と低く
なる(例えば、表1、表2の試料No6参照)。
【0031】BaTiO3 が99.00 モル%を越
えると、誘電体損失が1.2 %を越えて大きくなり、
静電容量の温度変化率も大きくなる上、焼結性も悪化す
る(例えば、表1、表2と図3の試料No1参照)。
えると、誘電体損失が1.2 %を越えて大きくなり、
静電容量の温度変化率も大きくなる上、焼結性も悪化す
る(例えば、表1、表2と図3の試料No1参照)。
【0032】またNb2 O5 が0.50モル%未満
であると、誘電体損失が、1.2 %を越えて大きくな
り、静電容量の温度変化率も大きくなる上、焼結性も悪
化する(例えば、表1、表2と図3の試料No1参照)
。
であると、誘電体損失が、1.2 %を越えて大きくな
り、静電容量の温度変化率も大きくなる上、焼結性も悪
化する(例えば、表1、表2と図3の試料No1参照)
。
【0033】Nb2 O5 が3.0 モル%を越える
と、比誘電率が低くなったり(例えば表1、表2の試料
No6参照)、静電容量の温度変化率が大きくなる(例
えば、表1、表2の試料No8参照)。
と、比誘電率が低くなったり(例えば表1、表2の試料
No6参照)、静電容量の温度変化率が大きくなる(例
えば、表1、表2の試料No8参照)。
【0034】さらにCoOが0.5 モル%未満である
と、誘電体損失が1.2 %を越えて大きくなり、静電
容量の温度変化率も大きくなる上、焼結性も悪化する(
例えば、表1、表2と図3の試料No1参照)。
と、誘電体損失が1.2 %を越えて大きくなり、静電
容量の温度変化率も大きくなる上、焼結性も悪化する(
例えば、表1、表2と図3の試料No1参照)。
【0035】CoOが3.0 モル%を越えると、比誘
電率が2000以下と低くなったり(例えば、表1、表
2の試料No6参照)、静電容量の温度変化率が大きく
なったりする(例えば、表1、表2の試料No10参照
)。
電率が2000以下と低くなったり(例えば、表1、表
2の試料No6参照)、静電容量の温度変化率が大きく
なったりする(例えば、表1、表2の試料No10参照
)。
【0036】また、添加物のBaZrO3 が0.2
重量%未満では、静電容量の温度変化率が大きくなり、
×8R特性を満足しなくなる(例えば、表1、表2の試
料No3−4参照)。
重量%未満では、静電容量の温度変化率が大きくなり、
×8R特性を満足しなくなる(例えば、表1、表2の試
料No3−4参照)。
【0037】BaZrO3 が7.0 重量%を越える
と、静電容量の温度変化率が大きくなり、×8R特性を
はずれてしまう(例えば、表1、表2の試料No3−8
参照)。
と、静電容量の温度変化率が大きくなり、×8R特性を
はずれてしまう(例えば、表1、表2の試料No3−8
参照)。
【0038】またNd2 O3 が上記組成に対して、
無添加でも使用上問題はないが(例えば、表1、表2の
試料No3参照)、0.5 重量%までの添加で焼結性
が良くなる(例えば表1、表2の試料No3−1,3−
2参照)。
無添加でも使用上問題はないが(例えば、表1、表2の
試料No3参照)、0.5 重量%までの添加で焼結性
が良くなる(例えば表1、表2の試料No3−1,3−
2参照)。
【0039】しかし、Nd2 O3 が0.5 重量%
を越えると、静電容量の温度変化率が大きくなり、×8
R特性を満足しなくなる(例えば、表1、表2と図3の
試料No3−3参照)。
を越えると、静電容量の温度変化率が大きくなり、×8
R特性を満足しなくなる(例えば、表1、表2と図3の
試料No3−3参照)。
【0040】MnOの添加は、無添加でも、使用上問題
はないが(例えば、表1、表2の試料No3−9参照)
、0.3 重量%までの添加で還元防止になり、誘電体
損失が改善され、焼結性も向上する(例えば、表1、表
2の3−10,3−11参照)。
はないが(例えば、表1、表2の試料No3−9参照)
、0.3 重量%までの添加で還元防止になり、誘電体
損失が改善され、焼結性も向上する(例えば、表1、表
2の3−10,3−11参照)。
【0041】MnOの添加量が0.3 重量%を越える
と、静電容量の温度変化率が大きくなり、焼結性は悪化
し、緻密な磁器が得られなくなる(例えば、表1、表2
の試料No3−12参照)。
と、静電容量の温度変化率が大きくなり、焼結性は悪化
し、緻密な磁器が得られなくなる(例えば、表1、表2
の試料No3−12参照)。
【0042】なお原料中に含まれるアルカリ金属酸化物
、または製造工程より混入する微量の不純物としてのS
iO2 ,Al2 O3 は特性を著しく悪化させるこ
とはない。
、または製造工程より混入する微量の不純物としてのS
iO2 ,Al2 O3 は特性を著しく悪化させるこ
とはない。
【0043】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、比誘電率
が約2000〜4700という高い値を有し、誘電体損
失は1.2 %以下であり、静電容量の温度変化率はE
IAJで規定する×7R特性を満足するばかりでなく、
×8R特性をも満足するすぐれた特性を有し、例えば自
動車のエンジンルーム等に使用可能な優れた高誘電率誘
電体磁器組成物を得ることができる。
が約2000〜4700という高い値を有し、誘電体損
失は1.2 %以下であり、静電容量の温度変化率はE
IAJで規定する×7R特性を満足するばかりでなく、
×8R特性をも満足するすぐれた特性を有し、例えば自
動車のエンジンルーム等に使用可能な優れた高誘電率誘
電体磁器組成物を得ることができる。
【0044】さらに、この誘電体磁器組成物中にパラジ
ウムまたは銀−パラジウム合金と反応し易いビスマスを
含有しないため、この組成物を誘電体層として積層コン
デンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独
、または銀−パラジウム合金の使用が可能となる。
ウムまたは銀−パラジウム合金と反応し易いビスマスを
含有しないため、この組成物を誘電体層として積層コン
デンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム単独
、または銀−パラジウム合金の使用が可能となる。
【0045】従って、高価な白金または白金パラジウム
を用いる必要がなくなり、製品の大幅なコストダウンが
実現でき、工業上の利益ははかりしれないものがある。
を用いる必要がなくなり、製品の大幅なコストダウンが
実現でき、工業上の利益ははかりしれないものがある。
【図1】本発明の誘電体磁器組成物の主成分三元組成図
である。
である。
【図2】本発明の実施例の製造工程説明図である。
【図3】各試料の静電容量の温度特性カーブである。
Claims (3)
- 【請求項1】 主成分として BaTiO3 :94.0〜99.0モル%Nb2 O
5 : 0.5〜 3.0モル%CoO
: 0.5〜 3.0モル%に対して、添加物として
、BaZrO3 を0.2 〜7.0 重量%含有して
なることを特徴とする高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項2】 前記組成物にNd2 O3 を0.5
重量%以下含有してなることを特徴とする請求項1記
載の高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項3】 前記組成物にMnOを0.3 重量%
以下含有してなることを特徴とする請求項1または請求
項2記載の高誘電率誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3078460A JPH04292458A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3078460A JPH04292458A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04292458A true JPH04292458A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13662640
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3078460A Withdrawn JPH04292458A (ja) | 1991-03-18 | 1991-03-18 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04292458A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US6764976B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-07-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
-
1991
- 1991-03-18 JP JP3078460A patent/JPH04292458A/ja not_active Withdrawn
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