JP3385136B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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Description
物、具体的には積層コンデンサ、積層LCフィルタ、誘
電体共振器等に好適に用いられる誘電体磁器組成物に関
する。 【0002】 【従来の技術】従来、誘電体共振器等に用いられている
誘電体磁器組成物としては、例えば、特開昭57−69
607号公報に示されるように、BaO−xTiO2 に
おいて3.9≦x≦4.1である組成物100wt%に
対して、1〜26wt%のZnOを添加し混合焼成して
得られる誘電体磁器組成物が知られている。 【0003】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の誘電体磁器組成物は、焼成温度が1200℃のよう
に高くないと緻密な磁器が得られにくいうえ、電気特性
もばらつきが生じ易かった。そこで、本発明は、低い焼
成温度で緻密化できると共に良好な電気特性を有する誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。 【0004】 【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、上記目的を達成すべく、一般式(Ba1-x 、Zn
x )O・n(Ti1-y 、Siy )O2 (但し、0.05
≦x≦0.25、0.01≦y≦0.15、3≦n≦
6)で表される基本組成物1モルに対し、BiをBi2
O3換算で0.003〜0.035モル部、MnをMn
O2 換算で0.0005〜0.0050モル部、Agを
Ag2 O換算で0.002〜0.040モル部、BをB
2O3換算で0.005〜0.040モル部含有すること
を特徴とする。 【0005】前記基本組成物の組成範囲を前記のように
限定した理由は次のとおりである。nが3より小さいか
または6より大きいと、950℃以下の焼成で緻密化し
ない。また、xが0.05より小さいと、950℃以下
の焼成で緻密化せず、また、0.25を越えると、Q値
が低く、共振点が見いだせないと共に抵抗率が悪化す
る。また、yが0.01より小さいと、950℃以下の
焼成で緻密化せず、また、0.15を越えると、Q値が
低く、共振点が見いだせないと共に抵抗率が悪化するか
らである。 【0006】また、前記Bi、Mn、Ag、B成分の組
成範囲を前記のように限定した理由は次のとおりであ
る。BiがBi2O3換算で0.003モル部より小さい
と、950℃以下の焼成で緻密化せず、また、0.03
5モル部を越えると、Q値が低く、共振点が見いだせな
いと共に抵抗率が悪化する。また、MnがMnO2 換算
で0.0005モル部より小さいと、950℃以下の焼
成で緻密化せず、また、0.0050モル部を越える
と、Q値が低く、共振点が見いだせないと共に抵抗率が
悪化する。また、AgがAg2 O換算で0.002モル
部より小さいと、950℃以下の焼成で緻密化せず、ま
た、0.040モル部を越えると、Q値が低く、共振点
が見いだせないと共に抵抗率が悪化する。また、BがB
2O3換算で0.005モル部より小さいと、950℃以
下の焼成で緻密化せず、また、0.040モル部を越え
ると、Q値が低く、共振点が見いだせないからである。 【0007】 【実施例】以下、本発明について、実施例および比較例
に基づいて説明する。まず、BaCO3 およびTiO2
をそれぞれBaおよびTiで計算して等モル量秤量し、
これらをZrO2 ビーズおよび水を分散媒としてボール
ミル内で分散せしめ湿式混合した。次いで、この混合物
を脱水、乾燥した後、空気中で、800〜1200℃、
4時間仮焼した。この仮焼物を先の分散時と同じ条件で
分散せしめ湿式粉砕し、かくして得られた粉砕粒子が
0.3μm以下の均一な粒子であることをSEM観察お
よび粒度分布計により確認した後、脱水、乾燥し、粉体
を得た。 【0008】次いで、上記粉体とTiO2 、ZnO、S
iO2 、MnO2 、Bi2O3、Ag2 OおよびB2O
3を、以下の表1に示すような所定の比率になるように
秤量し、これらをボールミル内で先と同様にして湿式混
合せしめた後、脱水、乾燥し、空気中で、600℃〜9
00℃、4時間仮焼せしめた。この仮焼物を先と同様に
して湿式粉砕し、脱水、乾燥した。次に、この乾燥物に
ポリビニルアルコールを添加し、60メッシュフルイで
造粒した。造粒物を金型に詰め、油圧プレスにより、1
5mmφ×高さ1mmおよび15mmφ×高さ6mmの
2種類の大きさに成型し(成型圧力:1〜3t/cm
2 )、組成に応じて900〜1200℃の範囲の温度で
空気中で焼成し、下記表1に示す各配合組成の燒結体を
得た。このようにして得られた焼結体についてインクテ
ストにより緻密化の度合を評価した。次に、15mmφ
×高さ1mmの大きさに成型した成型体の焼結体(円板
状)の両平面にAg電極材料ペーストを塗布し、焼付け
て、銀電極を形成した。これを、比誘電率εr 、静電容
量の温度係数τε、抵抗率測定のための試料とした。 【0009】 【表1】【0010】前記表1中、*を付していない試料は本発
明の範囲内の組成を有する実施例を示すものであり、ま
た、*を付した試料は本発明の範囲外の組成を有する比
較例を示すものである。上記のようにして得られた電極
付き試料について電気特性を測定した。比誘電率ε
r は、25℃、1MHzの条件でLCZメータを用いて
測定した。また、静電容量の温度係数τε(ppm/
℃)は、これらの電極付き試料を恒温槽に入れ、温度を
20℃から85℃まで変化させ、20℃での静電容量
(C20)を基準とし、これと85℃での静電容量
(C85)とから、以下の式に基づいて計算した。また、
抵抗率(Ω・cm)は、150℃で測定した試料の絶縁
抵抗値と試料寸法から算出した。 【0011】 【数1】 【0012】また、15mmφ×高さ6mmの大きさに
成型した成型体の焼結体については、誘電体円柱共振器
として、誘電体円柱共振器法(25℃で測定)によりそ
の共振点における波形からQf積を算出した。なお、共
振周波数は3.5〜4.5GHzであった。以上の評価
結果および測定結果を前記表1に示した。これらの結果
から明らかなように、本発明の誘電体磁器組成物は、9
50℃以下の焼成温度で緻密化可能であり、また、得ら
れた焼結体から作製された電極付き試料は、比誘電率ε
r 、Qf積および抵抗率が高かった。 【0013】なお、上記実施例および比較例において、
焼結体の組成は、焼成後の燒結体のICP分析の結果、
配合時の組成とほぼ同等であることがわかった。また、
上記実施例では、BaCO3 とTiO2 とを混合、仮
焼、粉砕して原料粉体を得ているが、この原料粉体の代
わりに、出発原料として、0.3μm以下の粒径を有す
る市販のBaTiO3 を使用しても同様の結果が得られ
た。また、BaCO3 、TiO2 、ZnO、SiO2 、
MnO2 、Bi2O3、Ag2 OおよびB2O3を全て一括
混合し、仮焼してもよい。また、MnO2 の代わりに、
MnO、Mn3 O4 、MnCO3 、Mn(OH)2 等を
使用することも可能である。また、Ag2 Oの代わり
に,Ag、等を使用することも可能である。また、B2
O3の代わりに、ホウ素を含むガラス(例えば、B2O3
とPbO、SiO2 、Na2 O、ZnO等から選ばれた
ものとを含むガラス)等を使用することも可能である。 【0014】 【発明の効果】以上説明したように、本発明の誘電体磁
器組成物によれば、基本組成物にBi、Mn、Agおよ
びBを一定量含有せしめたものは、950℃以下の低い
焼成温度で緻密化可能であるので、電力費、炉材、サ
ヤ、セッタ等のコスト低減が可能となり、また、安価な
Cu、Ag等を電極として用いることも可能となる。特
に高周波領域(GHz帯)での利用を考えると、Agは
周知の通り抵抗率の低い導体材料であるので、Ag導体
との一体焼成が可能であることは非常に有意義である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 一般式:(Ba1-x 、Znx )O・n
(Ti1-y 、Siy )O2 (但し、0.05≦x≦0.
25、0.01≦y≦0.15、3≦n≦6)で表され
る基本組成物1モルに対し、BiをBi2O3換算で0.
003〜0.035モル部、MnをMnO2 換算で0.
0005〜0.0050モル部、AgをAg2 O換算で
0.002〜0.040モル部、BをB2O3換算で0.
005〜0.040モル部含有することを特徴とする誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP21280595A JP3385136B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21280595A JP3385136B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0940459A JPH0940459A (ja) | 1997-02-10 |
| JP3385136B2 true JP3385136B2 (ja) | 2003-03-10 |
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| JP21280595A Expired - Fee Related JP3385136B2 (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 誘電体磁器組成物 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007043162A (ja) * | 2006-07-31 | 2007-02-15 | Ngk Insulators Ltd | 電子部品 |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP21280595A patent/JP3385136B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0940459A (ja) | 1997-02-10 |
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