JPH06333421A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06333421A JPH06333421A JP5119872A JP11987293A JPH06333421A JP H06333421 A JPH06333421 A JP H06333421A JP 5119872 A JP5119872 A JP 5119872A JP 11987293 A JP11987293 A JP 11987293A JP H06333421 A JPH06333421 A JP H06333421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic composition
- dielectric
- dielectric ceramic
- oxide powder
- resonance frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が大きく、かつ無負荷Ｑが大きく、
しかも共振周波数の温度変化が小さい誘電体磁器組成物
を提供するものである。 【構成】 組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）
2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3 A/2+2B（式中、０≦ｘ≦０．８、
０．１≦ｙ≦０．４、−０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．
５≦Ｂ≦＋０．５、ただし０．１≦ｘ＋ｙ≦１）で表さ
れる酸化物に、Ｍｇを酸化物換算で１．２重量％以下含
有させることを特徴とする誘電体磁器組成物。
しかも共振周波数の温度変化が小さい誘電体磁器組成物
を提供するものである。 【構成】 組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）
2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3 A/2+2B（式中、０≦ｘ≦０．８、
０．１≦ｙ≦０．４、−０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．
５≦Ｂ≦＋０．５、ただし０．１≦ｘ＋ｙ≦１）で表さ
れる酸化物に、Ｍｇを酸化物換算で１．２重量％以下含
有させることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器等の材料
として好適な誘電体磁器組成物に関する。本発明の誘電
体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えばマイ
クロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒などにも適用さ
れる。
として好適な誘電体磁器組成物に関する。本発明の誘電
体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えばマイ
クロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒などにも適用さ
れる。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Ｑが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Ｑが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ｔｉ
Ｏ2 、ＭｇＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
【０００３】この改良系としてＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ
2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０−３５４０６号公
報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公報）について
の提案がなされているが、さらに小型の誘電体共振器が
求められ、そのためさらに誘電率の大きい材料の開発が
望まれている。
2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０−３５４０６号公
報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂ
ｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公報）について
の提案がなされているが、さらに小型の誘電体共振器が
求められ、そのためさらに誘電率の大きい材料の開発が
望まれている。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、マイクロ波誘電体共振
器材料としてさらに優れた特性を有する誘電体磁器組成
物、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の
温度変化の小さい誘電体磁器組成物を提供することにあ
る。
器材料としてさらに優れた特性を有する誘電体磁器組成
物、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の
温度変化の小さい誘電体磁器組成物を提供することにあ
る。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明は、組成式、Ｂ
ａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+
2B（式中、０≦ｘ≦０．８、０．１≦ｙ≦０．４、−
０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５、ただ
し０．１≦ｘ＋ｙ≦１）で表される酸化物に、Ｍｇを酸
化物換算で１．２重量％以下含有させることを特徴とす
る誘電体磁器組成物に関する。
ａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+
2B（式中、０≦ｘ≦０．８、０．１≦ｙ≦０．４、−
０．５≦Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５、ただ
し０．１≦ｘ＋ｙ≦１）で表される酸化物に、Ｍｇを酸
化物換算で１．２重量％以下含有させることを特徴とす
る誘電体磁器組成物に関する。
【０００６】本発明によれば、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構
造においてＮｄの一部または全部をＳｍで置換すること
によって大きな誘電率を保持しながら、共振周波数の温
度変化を小さくできる。さらにＮｄの一部をＢｉで置換
することによってさらに誘電率を大きくでき、共振周波
数の温度変化を小さくできるが、Ｎｄの置換量が多くな
るとＱ値が低下するので置換量ｙは上記の範囲に設定さ
れる。
造においてＮｄの一部または全部をＳｍで置換すること
によって大きな誘電率を保持しながら、共振周波数の温
度変化を小さくできる。さらにＮｄの一部をＢｉで置換
することによってさらに誘電率を大きくでき、共振周波
数の温度変化を小さくできるが、Ｎｄの置換量が多くな
るとＱ値が低下するので置換量ｙは上記の範囲に設定さ
れる。
【０００７】また、組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂ
ｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+2Bにおいて、−０．５≦
Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５の範囲からはず
れると、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12基本構造以外の異相を形
成しやすくなり、誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑ値
のいずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下する。
またこの範囲からはずれるとＢｉなどが焼成時に離脱し
やすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的特性の
ばらつきを生じやすくなり好ましくない。なお、Ａ＝
０、Ｂ＝０のとき、すなわちＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構造
において良好な特性が得られる。
ｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+2Bにおいて、−０．５≦
Ａ≦＋０．５、−０．５≦Ｂ≦＋０．５の範囲からはず
れると、ＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12基本構造以外の異相を形
成しやすくなり、誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑ値
のいずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下する。
またこの範囲からはずれるとＢｉなどが焼成時に離脱し
やすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的特性の
ばらつきを生じやすくなり好ましくない。なお、Ａ＝
０、Ｂ＝０のとき、すなわちＢａＮｄ2 Ｔｉ4 Ｏ12構造
において良好な特性が得られる。
【０００８】さらに、組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx
Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+2Bで表される酸化物
に、Ｍｇを酸化物換算（ＭｇＯ）で１．２重量％以下含
有させることにより比誘電率εr を変化させることなく
Ｑ値を向上させることができる。過度に含有させると比
誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑ値のいずれか一つ、
あるいは二つ以上の特性が低下する。
Ｂｉy ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ12+3A/2+2Bで表される酸化物
に、Ｍｇを酸化物換算（ＭｇＯ）で１．２重量％以下含
有させることにより比誘電率εr を変化させることなく
Ｑ値を向上させることができる。過度に含有させると比
誘電率、共振周波数の温度係数、Ｑ値のいずれか一つ、
あるいは二つ以上の特性が低下する。
【０００９】本発明による誘電体磁器組成物は、バリウ
ム、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよびチタンの炭
酸塩、酸化物などの仮焼・焼成により酸化物となるよう
な出発原料を混合して仮焼した後、成形、焼成して焼結
させる方法で製造することができる。またＭｇはその酸
化物、硝酸塩または炭酸塩等が用いられる。
ム、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよびチタンの炭
酸塩、酸化物などの仮焼・焼成により酸化物となるよう
な出発原料を混合して仮焼した後、成形、焼成して焼結
させる方法で製造することができる。またＭｇはその酸
化物、硝酸塩または炭酸塩等が用いられる。
【００１０】まず、炭酸バリウム、酸化ネオジム、酸化
サマリウム、酸化ビスマスおよび酸化チタンを各所定量
ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有
ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に９００〜１１００
℃で約１〜５時間程度仮焼する。これによって形成され
た仮焼物に所定量のＭｇの酸化物、炭酸塩を添加して湿
式あるいは乾式で粉砕した後、ポリビニルアルコールの
如き有機バインダを加え、乾燥後、加圧成形（圧力１０
０〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。成形方法として
は、一軸加圧成形の他、ＨＩＰ、ドクター成形、鋳込み
成形などでもよい。得られた成形体を空気の如き酸素含
有ガス雰囲気下に１２００〜１４００℃で焼成すれば、
上記誘電体磁器組成物が得られる。
サマリウム、酸化ビスマスおよび酸化チタンを各所定量
ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有
ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に９００〜１１００
℃で約１〜５時間程度仮焼する。これによって形成され
た仮焼物に所定量のＭｇの酸化物、炭酸塩を添加して湿
式あるいは乾式で粉砕した後、ポリビニルアルコールの
如き有機バインダを加え、乾燥後、加圧成形（圧力１０
０〜１０００ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。成形方法として
は、一軸加圧成形の他、ＨＩＰ、ドクター成形、鋳込み
成形などでもよい。得られた成形体を空気の如き酸素含
有ガス雰囲気下に１２００〜１４００℃で焼成すれば、
上記誘電体磁器組成物が得られる。
【００１１】こうして得られた誘電体磁器組成物は、そ
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電
体基板、誘電体調整棒などの材料として利用することが
でき、特にＭＨｚ〜ＧＨｚ帯で使用される場合に優れた
効果が奏される。なお、Ｍｇの酸化物、炭酸塩等は、原
料仕込み時に添加してもよい。
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電
体基板、誘電体調整棒などの材料として利用することが
でき、特にＭＨｚ〜ＧＨｚ帯で使用される場合に優れた
効果が奏される。なお、Ｍｇの酸化物、炭酸塩等は、原
料仕込み時に添加してもよい。
【００１２】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
更に具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１００モル、酸化
ネオジム粉末（Ｎｄ2Ｏ3 ）０．０８１モル、酸化ビス
マス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）０．０１９モル、および酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．４００モルをエタノールと共
にボールミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶媒のエ
タノールを蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。粉砕
物は空気雰囲気下に１０００℃で仮焼した後、酸化マグ
ネシウム粉末（ＭｇＯ）を０．０５重量％添加しエタノ
ールと共に再度ボールミルに入れ、１２時間湿式混合し
た後、溶媒のエタノールを蒸発させ、再びらい潰機で１
時間粉砕した。この粉砕物に適量のポリビニルアルコー
ル溶液を加えて乾燥後、直径９mm、厚さ４mmのペレット
に成形し、空気雰囲気下に１３３０℃で２時間焼成、焼
結して本実施例の誘電体磁器組成物を得た。こうして得
られた磁器組成物を直径約７mm、厚さ約２mmのペレット
に加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数
（４〜５ＧＨｚ）における無負荷Ｑおよび比誘電率εr
を求めた。また、共振周波数の温度依存性については、
０℃から５０℃の範囲で測定し、温度係数τf を求め
た。その結果を表１および表２に示す。
更に具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１００モル、酸化
ネオジム粉末（Ｎｄ2Ｏ3 ）０．０８１モル、酸化ビス
マス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）０．０１９モル、および酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．４００モルをエタノールと共
にボールミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶媒のエ
タノールを蒸発させ、らい潰機で１時間粉砕した。粉砕
物は空気雰囲気下に１０００℃で仮焼した後、酸化マグ
ネシウム粉末（ＭｇＯ）を０．０５重量％添加しエタノ
ールと共に再度ボールミルに入れ、１２時間湿式混合し
た後、溶媒のエタノールを蒸発させ、再びらい潰機で１
時間粉砕した。この粉砕物に適量のポリビニルアルコー
ル溶液を加えて乾燥後、直径９mm、厚さ４mmのペレット
に成形し、空気雰囲気下に１３３０℃で２時間焼成、焼
結して本実施例の誘電体磁器組成物を得た。こうして得
られた磁器組成物を直径約７mm、厚さ約２mmのペレット
に加工した後、誘電共振法によって測定し、共振周波数
（４〜５ＧＨｚ）における無負荷Ｑおよび比誘電率εr
を求めた。また、共振周波数の温度依存性については、
０℃から５０℃の範囲で測定し、温度係数τf を求め
た。その結果を表１および表２に示す。
【００１３】実施例２〜１８ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、酸化マグネシウム粉末
（ＭｇＯ）の添加量、および焼成温度を１２５０〜１３
７０℃にかえた他は、実施例１と同様にして誘電体磁器
組成物を製造し、特性を測定した。その結果を表１〜表
４に示す。
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、酸化マグネシウム粉末
（ＭｇＯ）の添加量、および焼成温度を１２５０〜１３
７０℃にかえた他は、実施例１と同様にして誘電体磁器
組成物を製造し、特性を測定した。その結果を表１〜表
４に示す。
【００１４】比較例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、お
よび酸化チタン粉末（ＴｉＯ2 ）を表１に示すようなモ
ル比になるようにし、酸化マグネシウム粉末（ＭｇＯ）
を無添加で、焼成温度を１３５０℃にかえた他は実施例
１と同様にして誘電体磁器組成物を製造し、物性を測定
した。その結果を表１および表２に示す。
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、お
よび酸化チタン粉末（ＴｉＯ2 ）を表１に示すようなモ
ル比になるようにし、酸化マグネシウム粉末（ＭｇＯ）
を無添加で、焼成温度を１３５０℃にかえた他は実施例
１と同様にして誘電体磁器組成物を製造し、物性を測定
した。その結果を表１および表２に示す。
【００１５】比較例２〜８ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、酸化マグネシウム粉末
（ＭｇＯ）の添加量、および焼成温度を１２５０〜１３
７０℃にかえた他は実施例１と同様にして誘電体磁器組
成物を製造し、物性を測定した。その結果を表１〜表４
に示す。
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）、酸化サマリウム粉末（Ｓｍ2 Ｏ3 ）、
酸化ビスマス粉末（Ｂｉ2 Ｏ3 ）、および酸化チタン粉
末（ＴｉＯ2 ）の原料仕込比、酸化マグネシウム粉末
（ＭｇＯ）の添加量、および焼成温度を１２５０〜１３
７０℃にかえた他は実施例１と同様にして誘電体磁器組
成物を製造し、物性を測定した。その結果を表１〜表４
に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【表３】
【００１９】
【表４】
【００２０】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、特に高誘
電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小
さく、誘電体共振器材料、特にＭＨｚからＧＨｚ帯で使
用される共振器材料として好適である。また、本発明の
誘電体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えば
マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒等にも適用
できる。
電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小
さく、誘電体共振器材料、特にＭＨｚからＧＨｚ帯で使
用される共振器材料として好適である。また、本発明の
誘電体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えば
マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、誘電体調整棒等にも適用
できる。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式、Ｂａ（Ｎｄ1-x-y Ｓｍx Ｂｉ
y ）2+A Ｔｉ4+B Ｏ 12+3A/2+2B（式中、０≦ｘ≦０．
８、０．１≦ｙ≦０．４、−０．５≦Ａ≦＋０．５、−
０．５≦Ｂ≦＋０．５、ただし０．１≦ｘ＋ｙ≦１）で
表される酸化物に、Ｍｇを酸化物換算で１．２重量％以
下含有させることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5119872A JPH06333421A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5119872A JPH06333421A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333421A true JPH06333421A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14772349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5119872A Pending JPH06333421A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6844797B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic member, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| KR100514539B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2005-09-13 | 전자부품연구원 | 중간 유전율을 가지는 저온 동시소성 세라믹 조성물 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP5119872A patent/JPH06333421A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6844797B2 (en) | 2002-02-21 | 2005-01-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency dielectric ceramic member, dielectric resonator, dielectric filter, dielectric duplexer, and communication device |
| KR100514539B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2005-09-13 | 전자부품연구원 | 중간 유전율을 가지는 저온 동시소성 세라믹 조성물 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3243874B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06309926A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0255884B2 (ja) | ||
| JPH06325620A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333421A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0712971B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333422A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3243873B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3291780B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH07114824A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001302331A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06325621A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2872438B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3324244B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP4362938B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2002255640A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3257147B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3243890B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001302333A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06150719A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06309927A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06333425A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001302334A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3324263B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3324245B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |