JPH06333425A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06333425A JPH06333425A JP5261098A JP26109893A JPH06333425A JP H06333425 A JPH06333425 A JP H06333425A JP 5261098 A JP5261098 A JP 5261098A JP 26109893 A JP26109893 A JP 26109893A JP H06333425 A JPH06333425 A JP H06333425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- ceramic composition
- dielectric ceramic
- resonance frequency
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が大きく、かつ無負荷Qが大きく、
しかも共振周波数の温度係数が小さい誘電体共振器材料
等として好適な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。 【構成】 組成式、(Ba1-x Pbx )(Nd
1-a-b-c Sma Lab Bi c )2 Ti4 O12(式中、
0.01≦x≦0.3、0.01≦a≦0.6、0≦b
≦0.3、0.04≦c≦0.3、ただし0.05≦a
+b+c≦0.90)で表されるバリウム、鉛、ネオジ
ム、サマリウム、ランタン、ビスマス、チタンおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物。
しかも共振周波数の温度係数が小さい誘電体共振器材料
等として好適な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。 【構成】 組成式、(Ba1-x Pbx )(Nd
1-a-b-c Sma Lab Bi c )2 Ti4 O12(式中、
0.01≦x≦0.3、0.01≦a≦0.6、0≦b
≦0.3、0.04≦c≦0.3、ただし0.05≦a
+b+c≦0.90)で表されるバリウム、鉛、ネオジ
ム、サマリウム、ランタン、ビスマス、チタンおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器等の材料
として好適な誘電体磁器組成物に関する。本発明の誘電
体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えばマイ
クロ波IC用誘電体基板、高周波用キャパシタ、誘電体
調整棒などにも適用される。
として好適な誘電体磁器組成物に関する。本発明の誘電
体磁器組成物は、誘電体共振器材料の他に、例えばマイ
クロ波IC用誘電体基板、高周波用キャパシタ、誘電体
調整棒などにも適用される。
【0002】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Qが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ti
O2 、MgO−CaO−TiO2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf の安定度および共振周波数の温度特
性の直線性が優れ、無負荷Qが大きいことなどが要求さ
れている。このような誘電体磁器組成物として従来Ti
O2 、MgO−CaO−TiO2などを主成分とするも
のが知られているが、前者は温度係数が大きく、後者は
比誘電率が小さいという問題点がある。
【0003】この改良系としてBaO−TiO2 −Nd
2 O3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ;特開昭60−35406号公
報等〕、あるいは、BaO−TiO2 −Nd2 O3 −B
i2 O3 系(特開昭62−72558号公報)について
の提案がなされているが、さらに小型の誘電体共振器が
求められ、そのためさらに誘電率の大きい材料の開発が
望まれている。
2 O3 系の誘電体磁器組成物についての提案〔Ber.Dt.K
eram.Ges.55(1978)Nr.7 ;特開昭60−35406号公
報等〕、あるいは、BaO−TiO2 −Nd2 O3 −B
i2 O3 系(特開昭62−72558号公報)について
の提案がなされているが、さらに小型の誘電体共振器が
求められ、そのためさらに誘電率の大きい材料の開発が
望まれている。
【0004】
【発明の目的】本発明の目的は、誘電体共振器材料とし
てさらに優れた特性を有する誘電体磁器組成物、特に高
誘電率で、無負荷Qが大きく、共振周波数の温度変化の
小さい誘電体磁器組成物を提供することにある。
てさらに優れた特性を有する誘電体磁器組成物、特に高
誘電率で、無負荷Qが大きく、共振周波数の温度変化の
小さい誘電体磁器組成物を提供することにある。
【0005】
【問題点を解決するための手段】本発明は、組成式、
(Ba1-x Pbx )(Nd1-a-b-c Sma Lab B
ic ) 2 Ti4 O12(式中、0.01≦x≦0.3、
0.01≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.04≦c
≦0.3、ただし0.05≦a+b+c≦0.90)で
表されるバリウム、鉛、ネオジム、サマリウム、ランタ
ン、ビスマス、チタンおよび酸素からなる誘電体磁器組
成物に関する。
(Ba1-x Pbx )(Nd1-a-b-c Sma Lab B
ic ) 2 Ti4 O12(式中、0.01≦x≦0.3、
0.01≦a≦0.6、0≦b≦0.3、0.04≦c
≦0.3、ただし0.05≦a+b+c≦0.90)で
表されるバリウム、鉛、ネオジム、サマリウム、ランタ
ン、ビスマス、チタンおよび酸素からなる誘電体磁器組
成物に関する。
【0006】本発明によれば、BaNd2 Ti4 O12構
造においてBaの一部をPbで置換することによって、
誘電率を大きく、共振周波数の温度係数を小さくするこ
とができる。置換量が多くなりすぎると、Qが低下する
ので置換量xは上記の範囲に設定される。
造においてBaの一部をPbで置換することによって、
誘電率を大きく、共振周波数の温度係数を小さくするこ
とができる。置換量が多くなりすぎると、Qが低下する
ので置換量xは上記の範囲に設定される。
【0007】Ndの一部をSmで置換することによって
大きな誘電率を保持しながらQ値を大きく、また共振周
波数の温度変化を小さくできる。しかしながら置換量が
多くなりすぎると誘電率が低下するので置換量aは上記
の範囲に設定される。また、Ndの一部をLaで置換す
ることによって誘電率を大きくできるが、Laの置換量
が多くなりすぎると共振周波数の温度係数が大きくなる
ので、置換量bは上記の範囲に設定される。さらに、N
dの一部をBiで置換することによってさらに誘電率を
大きくできるが、置換量が多くなるとQが低下するので
置換量cは上記の範囲に設定される。
大きな誘電率を保持しながらQ値を大きく、また共振周
波数の温度変化を小さくできる。しかしながら置換量が
多くなりすぎると誘電率が低下するので置換量aは上記
の範囲に設定される。また、Ndの一部をLaで置換す
ることによって誘電率を大きくできるが、Laの置換量
が多くなりすぎると共振周波数の温度係数が大きくなる
ので、置換量bは上記の範囲に設定される。さらに、N
dの一部をBiで置換することによってさらに誘電率を
大きくできるが、置換量が多くなるとQが低下するので
置換量cは上記の範囲に設定される。
【0008】また、(Ba1-x Pbx )(Nd1-a-b-c
Sma Lab Bic )2 Ti4 O12において基本構造か
らずれると、すなわち、(Ba1-x Pbx )(Nd
1-a-b-cSma Lab Bic )2+A Ti4+B O
12+3A/2+2Bと表したとき、式中のAおよびBが0でない
ときには誘電率、共振周波数の温度係数、Qのうちのい
ずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下する。ま
た、化学量論比からずれるとPbやBiなどが焼成時に
離脱しやすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的
特性のばらつきを生じやすくなり好ましくない。
Sma Lab Bic )2 Ti4 O12において基本構造か
らずれると、すなわち、(Ba1-x Pbx )(Nd
1-a-b-cSma Lab Bic )2+A Ti4+B O
12+3A/2+2Bと表したとき、式中のAおよびBが0でない
ときには誘電率、共振周波数の温度係数、Qのうちのい
ずれか一つ、あるいは二つ以上の特性が低下する。ま
た、化学量論比からずれるとPbやBiなどが焼成時に
離脱しやすくなり、また、その離脱量も安定せず電気的
特性のばらつきを生じやすくなり好ましくない。
【0009】本発明による誘電体磁器組成物は、バリウ
ム、鉛、ネオジム、サマリウム、ランタン、ビスマスお
よびチタンの炭酸塩、酸化物などの仮焼・焼成により酸
化物となるような出発原料を混合して仮焼した後、成
形、焼成して焼結させる方法で製造することができる。
ム、鉛、ネオジム、サマリウム、ランタン、ビスマスお
よびチタンの炭酸塩、酸化物などの仮焼・焼成により酸
化物となるような出発原料を混合して仮焼した後、成
形、焼成して焼結させる方法で製造することができる。
【0010】まず、炭酸バリウム、酸化鉛、酸化ネオジ
ム、酸化サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマスおよ
び酸化チタンを各所定量ずつ水、アルコール等の溶媒と
共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等を除去し
た後、粉砕し、酸素含有ガス雰囲気(例えば空気雰囲
気)下に900〜1100℃で約1〜5時間程度仮焼す
る。これによって形成された仮焼物を湿式あるいは乾式
で粉砕した後、ポリビニルアルコールの如き有機バイン
ダを加え、乾燥後、加圧成形(圧力100〜1000k
g/cm2 程度)する。成形方法としては、一軸加圧成
形の他、HIP、ドクター成形、鋳込み成形などでもよ
い。得られた成形体を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下
に1300〜1450℃で焼成すれば、上記誘電体磁器
組成物が得られる。
ム、酸化サマリウム、酸化ランタン、酸化ビスマスおよ
び酸化チタンを各所定量ずつ水、アルコール等の溶媒と
共に湿式混合する。続いて、水、アルコール等を除去し
た後、粉砕し、酸素含有ガス雰囲気(例えば空気雰囲
気)下に900〜1100℃で約1〜5時間程度仮焼す
る。これによって形成された仮焼物を湿式あるいは乾式
で粉砕した後、ポリビニルアルコールの如き有機バイン
ダを加え、乾燥後、加圧成形(圧力100〜1000k
g/cm2 程度)する。成形方法としては、一軸加圧成
形の他、HIP、ドクター成形、鋳込み成形などでもよ
い。得られた成形体を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下
に1300〜1450℃で焼成すれば、上記誘電体磁器
組成物が得られる。
【0011】こうして得られた誘電体磁器組成物は、そ
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波IC用誘電
体基板、高周波用キャパシタ、誘電体調整棒などの材料
として利用することができ、特にMHz〜GHz帯で使
用される場合に優れた効果が奏される。
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加工
することにより、誘電体共振器、マイクロ波IC用誘電
体基板、高周波用キャパシタ、誘電体調整棒などの材料
として利用することができ、特にMHz〜GHz帯で使
用される場合に優れた効果が奏される。
【0012】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
更に具体的に説明する。 実施例1 炭酸バリウム粉末(BaCO3 )0.080モル、酸化
鉛粉末(PbO)0.020モル、酸化ネオジム粉末
(Nd2 O3 )0.070モル、酸化サマリウム粉末
(Sm2 O3 )0.005モル、酸化ランタン粉末(L
a2 O3 )0.005モル、酸化ビスマス粉末(Bi2
O3 )0.020モル、および酸化チタン粉末(TiO
2 )0.400モルをエタノールと共にボールミルに入
れ、10時間湿式混合した。溶媒のエタノールを蒸発さ
せ、らい潰機で1時間粉砕した。粉砕物は空気雰囲気下
に1100℃で仮焼した後、再びらい潰機で1時間粉砕
した。この粉砕物に適量のポリビニルアルコール溶液を
加えて乾燥後、直径約9mm、厚み4mmのペレットに成形
し、空気雰囲気下に1350℃で2時間焼成、焼結して
本実施例の誘電体磁器組成物(Ba0.8 Pb0.2 )(N
d0.70Sm0.05La0.05Bi0.20)2 Ti4 O12を得
た。こうして得られた実施例1の磁器組成物を直径約7
mm、厚み約2.5mmの大きさに加工した後、誘電共振法
によって測定し、共振周波数(4〜5GHz)における
無負荷Qおよび比誘電率εr を求めた。また、共振周波
数の温度依存性については、0℃から50℃の範囲で測
定し、温度係数τf を求めた。その結果を表1に示す。
更に具体的に説明する。 実施例1 炭酸バリウム粉末(BaCO3 )0.080モル、酸化
鉛粉末(PbO)0.020モル、酸化ネオジム粉末
(Nd2 O3 )0.070モル、酸化サマリウム粉末
(Sm2 O3 )0.005モル、酸化ランタン粉末(L
a2 O3 )0.005モル、酸化ビスマス粉末(Bi2
O3 )0.020モル、および酸化チタン粉末(TiO
2 )0.400モルをエタノールと共にボールミルに入
れ、10時間湿式混合した。溶媒のエタノールを蒸発さ
せ、らい潰機で1時間粉砕した。粉砕物は空気雰囲気下
に1100℃で仮焼した後、再びらい潰機で1時間粉砕
した。この粉砕物に適量のポリビニルアルコール溶液を
加えて乾燥後、直径約9mm、厚み4mmのペレットに成形
し、空気雰囲気下に1350℃で2時間焼成、焼結して
本実施例の誘電体磁器組成物(Ba0.8 Pb0.2 )(N
d0.70Sm0.05La0.05Bi0.20)2 Ti4 O12を得
た。こうして得られた実施例1の磁器組成物を直径約7
mm、厚み約2.5mmの大きさに加工した後、誘電共振法
によって測定し、共振周波数(4〜5GHz)における
無負荷Qおよび比誘電率εr を求めた。また、共振周波
数の温度依存性については、0℃から50℃の範囲で測
定し、温度係数τf を求めた。その結果を表1に示す。
【0013】実施例2〜8 実施例1の原料の仕込み比および焼成温度を1300〜
1400℃にかえた他は、実施例1と同様にして誘電体
磁器組成物を製造し、特性を測定した。その結果を表1
に示す。
1400℃にかえた他は、実施例1と同様にして誘電体
磁器組成物を製造し、特性を測定した。その結果を表1
に示す。
【0014】比較例1 炭酸バリウム(BaCO3 )、酸化ネオジム(Nd2 O
3 )、および酸化チタン(TiO2 )の各粉末を表1に
示すようなモル比になるようにし、焼成温度を1480
℃にかえた他は実施例1と同様にして誘電体磁器組成物
を製造し、物性を測定した。その結果を表1に示す。 比較例2〜3 炭酸バリウム(BaCO3 )、酸化鉛(PbO)、酸化
ネオジム(Nd2 O3)、酸化サマリウム(Sm
2 O3 )、酸化ランタン(La2 O3 )、酸化ビスマス
(Bi2 O3 )、および酸化チタン(TiO2 )の各粉
末を表1に示すようなモル比になるようにし、焼成温度
を1300〜1400℃にかえた他は実施例1と同様に
して誘電体磁器組成物を製造し、物性を測定した。その
結果を表1に示す。
3 )、および酸化チタン(TiO2 )の各粉末を表1に
示すようなモル比になるようにし、焼成温度を1480
℃にかえた他は実施例1と同様にして誘電体磁器組成物
を製造し、物性を測定した。その結果を表1に示す。 比較例2〜3 炭酸バリウム(BaCO3 )、酸化鉛(PbO)、酸化
ネオジム(Nd2 O3)、酸化サマリウム(Sm
2 O3 )、酸化ランタン(La2 O3 )、酸化ビスマス
(Bi2 O3 )、および酸化チタン(TiO2 )の各粉
末を表1に示すようなモル比になるようにし、焼成温度
を1300〜1400℃にかえた他は実施例1と同様に
して誘電体磁器組成物を製造し、物性を測定した。その
結果を表1に示す。
【0015】
【表1】
【0016】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、誘電率が
大きく、かつ無負荷Qが大きく、しかも共振周波数の温
度係数が小さく、誘電体共振器材料、特にMHzからG
Hz帯で使用される共振器材料として好適である。ま
た、本発明の誘電体磁器組成物は、誘電体共振器材料の
他に、例えばマイクロ波IC用誘電体基板、高周波用キ
ャパシタ、誘電体調整棒等にも適用できる。
大きく、かつ無負荷Qが大きく、しかも共振周波数の温
度係数が小さく、誘電体共振器材料、特にMHzからG
Hz帯で使用される共振器材料として好適である。ま
た、本発明の誘電体磁器組成物は、誘電体共振器材料の
他に、例えばマイクロ波IC用誘電体基板、高周波用キ
ャパシタ、誘電体調整棒等にも適用できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤永 昌孝 山口県宇部市大字小串1978番地の5 宇部 興産株式会社無機材料研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 組成式、(Ba1-x Pbx )(Nd
1-a-b-c Sma LabBic )2 Ti4 O12(式中、
0.01≦x≦0.3、0.01≦a≦0.6、0≦b
≦0.3、0.04≦c≦0.3、ただし0.05≦a
+b+c≦0.90)で表されるバリウム、鉛、ネオジ
ム、サマリウム、ランタン、ビスマス、チタンおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5261098A JPH06333425A (ja) | 1992-10-23 | 1993-10-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28607392 | 1992-10-23 | ||
JP6399693 | 1993-03-23 | ||
JP4-286073 | 1993-03-23 | ||
JP5-63996 | 1993-03-23 | ||
JP5261098A JPH06333425A (ja) | 1992-10-23 | 1993-10-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06333425A true JPH06333425A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=27298351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5261098A Pending JPH06333425A (ja) | 1992-10-23 | 1993-10-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06333425A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109320204A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-02-12 | 天元羲王控股有限公司 | 一种石墨烯改性陶瓷砖及其制备方法 |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP5261098A patent/JPH06333425A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109320204A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-02-12 | 天元羲王控股有限公司 | 一种石墨烯改性陶瓷砖及其制备方法 |
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