JP2003002692A - 金属電極付きガラス基板の製造方法 - Google Patents

金属電極付きガラス基板の製造方法

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哲 藤峰
Koichi Shibuya
幸一 渋谷
Tsuneo Manabe
恒夫 真鍋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】Ｂ2Ｏ3含有低融点ガラスを含有する誘電体層に
よって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプレイパ
ネルの信頼性が低下しない金属電極付きガラス基板の製
造方法の提供。 【解決手段】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
るガラス基板１上に２以上の金属電極２を形成し、金属
電極２の各一部を被覆するように、低融点ガラス粉末を
質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末層３
ａ、３ｂを積層し、焼成する方法であって、最上層の無
機物粉末層３ｂに含有されている低融点ガラス粉末のＢ
2Ｏ3含有量が４０モル％未満であり、無機物粉末層３ｂ
を焼成して得られる焼成体の厚さを３μｍ以上とするべ
く無機物粉末層３ｂの厚さが決められている方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）の前面基板等に使用される、銀電
極等の金属電極付きガラス基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの前面板（表示面）に使用される
ガラス基板の表面には通常、ＩＴＯ（スズがドープされ
た酸化インジウム）等の透明電極が線状に多数形成さ
れ、それらの上に線状銀電極が形成される。該線状銀電
極は、低融点ガラス粉末を主成分として含有する無機物
粉末層を焼成して得られる誘電体層によって被覆され
る。該被覆は線状銀電極間の電気絶縁のために、また、
ＰＤＰのプラズマ放電を安定化させるために行われるも
のであるが、線状銀電極の配線部分については前記被覆
は行われず、線状銀電極が露出している。
【０００３】前記低融点ガラスとして、従来、ＰｂＯ−
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ 3−ＺｎＯ系、Ｂｉ2
Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系等のＢ2Ｏ3含有低融点ガラスが使用され
ており、そのＢ2Ｏ3含有量は４０モル％未満であった。
これは、理由は不明であるが、Ｂ2Ｏ3含有量が約４０モ
ル％以上である低融点ガラスを使用すると前記誘電体層
による線状銀電極間の電気絶縁性が低下することがあ
り、その結果、ＰＤＰの信頼性が低下するおそれがあっ
たからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年ＰＤＰの消費電力
を少なくするために、前記誘電体層の比誘電率εを低下
させることが望まれており、該誘電体層の主成分である
低融点ガラスについては、そのεを１１以下とすること
が望まれている。なお、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％未満
である従来のＢ2Ｏ3含有低融点ガラスのεは典型的には
１２〜１５である。
【０００５】Ｂ2Ｏ3含有低融点ガラスのεを低下させる
ためにはＢ2Ｏ3含有量の増大が有効であることが知られ
ているが、一方、Ｂ2Ｏ3含有量を約４０モル％以上にす
ると前述のようにＰＤＰの信頼性が低下するおそれがあ
った。
【０００６】本発明は、εが１１以下である誘電体層に
よって線状銀電極を被覆しても、ＰＤＰの信頼性低下の
おそれが小さい金属電極付きガラス基板の製造方法の提
供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ金属
酸化物を１モル％以上含有するガラス基板上に２以上の
金属電極を形成し、該２以上の金属電極の各一部を被覆
するように、低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５０
％以上含有する無機物粉末層を２層以上積層し、焼成し
て金属電極付きガラス基板を製造する方法であって、金
属電極から最も離れている最上層の無機物粉末層に含有
されている低融点ガラス粉末のＢ2Ｏ3含有量が４０モル
％未満であり、該最上層の無機物粉末層を焼成して得ら
れる焼成体の厚さを３μｍ以上とするべく該最上層の無
機物粉末層の厚さが決められていることを特徴とする金
属電極付きガラス基板の製造方法を提供する。
【０００８】本発明者は、Ｂ2Ｏ3を４０モル％以上含有
する低融点ガラスの粉末を用いて線状銀電極を被覆した
場合に起るとされている前記線状銀電極間の電気絶縁性
低下が、次のようなメカニズムにより生じると考え、本
発明に至った。 （１）Ｂ2Ｏ3を４０モル％以上含有する低融点ガラス粉
末を主成分とする無機物粉末層を焼成して線状銀電極を
被覆する際に、低融点ガラスからホウ酸が揮散する。 （２）該揮散したホウ酸は線状銀電極間のガラス基板表
面に付着する。
【０００９】（３）一方、ガラス基板中のアルカリ金属
は空気中に存在する水分の影響でガラス基板から溶出
し、前記付着したホウ酸と反応してアルカリ金属ホウ酸
塩を生成する。 （４）隣合う線状銀電極間に直流電圧を印加すると、前
記アルカリ金属ホウ酸塩中に線状銀電極から銀が溶出し
枝状の銀溶出体（以下銀樹という。）が生成する。 （５）隣合う線状銀電極から生成した銀樹が接触するこ
とにより該隣合う線状銀電極間の電気絶縁性が低下す
る。
【００１０】次に、上記メカニズムを想到するに至った
経緯を説明する。表１のＢ2Ｏ3からＫ2Ｏまでの欄にモ
ル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、
該混合された原料を白金ルツボに入れて１２００℃で６
０分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを
流し出し、冷却後アルミナ製ボールミルを用いて粉砕し
ガラス粉末とした（例Ａ〜Ｇ）。
【００１１】例Ａ〜Ｇのガラス粉末の軟化点（単位：
℃）およびホウ酸揮散量（単位：μｇ／ｃｍ3）を以下
のようにして測定した。結果を表１に示す。 軟化点：昇温速度１０℃／分の条件で示差熱分析（ＤＴ
Ａ）を行って測定した。
【００１２】ホウ酸揮散量：ガラス粉末を、直径１２ｍ
ｍ、高さ５ｍｍの円柱状に成形し、これを内径３０ｍ
ｍ、高さ８ｍｍのアルミナ製円筒状容器内に入れた。次
に、該容器上部をアルミナ板で塞いで容器内部を密閉状
態として、表１の焼成温度の欄に示す温度（単位：℃）
に３０分間保持して焼成した。冷却後、前記アルミナ板
の容器内部側の面に付着したホウ酸の質量を誘導結合プ
ラズマ（ＩＣＰ）発光分光法によって測定した。結果
は、前記焼成によって得られたガラスの質量と、アルキ
メデス法によって別に測定したガラスの密度とから求め
た前記ガラスの体積によって前記付着したホウ酸のＢ2
Ｏ3換算質量を除したもので表示する。
【００１３】次に、各ガラス粉末１００ｇを、α−テル
ピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で１５
％溶解させたビヒクル２５ｇと混練しガラスペーストと
した。得られたガラスペーストを、図２に示すような銀
電極付きガラス基板に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥
後、前記焼成温度の欄に示す温度に３０分間保持して焼
成した。この焼成によって得られた焼成体（誘電体層）
の厚さは２２〜２５μｍであった。
【００１４】図２において、１はガラス基板、２は銀電
極であり、図２の点線で示す部分にガラスペーストを塗
布した。ガラス基板１は、厚さが２．８ｍｍ、大きさが
４ｃｍ×４ｃｍであるガラス板である。そのモル％表示
の組成は、ＳｉＯ2 ６６．５％、Ａｌ2Ｏ3 ４．７
％、Ｎａ2Ｏ ４．８％、Ｋ2Ｏ ４．４％、ＭｇＯ
３．４％、ＣａＯ ６．２％、ＳｒＯ ４．７％、Ｂａ
Ｏ ３．６％、ＺｒＯ2 １．７％、であり、また、ガ
ラス転移点ＴGは６２６℃、５０〜３５０℃における平
均線膨張係数αは８３×１０-7／℃である。
【００１５】銀電極２は、厚さが５μｍ、幅が０．５ｍ
ｍの線状電極からなる櫛形状のもの２個が対向するよう
に形成されている。隣合う線状電極の中心線間距離は２
ｍｍである。また、図２の点線で示す部分の大きさは１
ｃｍ×３ｃｍである。
【００１６】次に、焼成された各ガラス基板を、対向す
る櫛形状電極間に１４０Ｖの直流電圧を印加した状態
で、温度が８５℃、湿度が８０％に保持された恒温恒湿
槽内に２時間置いた後、取り出した。前記取り出したガ
ラス基板の誘電体層には、各線状電極から隣合う線状電
極に向って伸びる枝状のものが多数認められた。該枝状
のものを前記銀樹と考え、その長さ（単位：ｍｍ）を測
定した。結果を表１の銀樹の欄に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】以上のことから、次のように考えた。 （ａ）ホウ酸揮散量が６μｇ／ｃｍ3以下であれば銀樹
の長さが０．１ｍｍ未満であり前記線状銀電極間の絶縁
性低下は起りにくい。 （ｂ）例Ｇ、ＨのＢ2Ｏ3含有量とホウ酸揮散量のデータ
を用いてホウ酸揮散量が６μｇ／ｃｍ3となるＢ2Ｏ3含
有量を求めると３９モル％であった。すなわち、ガラス
粉末のＢ2Ｏ3含有量が３９モル％以下であれば前記線状
銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。逆に、該Ｂ2Ｏ3含
有量が４０モル％以上では前記線状銀電極間の絶縁性低
下が起るおそれがある。これは、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モ
ル％未満である低融点ガラスを使用すると誘電体層によ
る線状銀電極間の電気絶縁性低下が起りにくい、という
従来の経験に基づく知見を裏付けるものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明でいう低融点ガラス粉末と
は軟化点が６５０℃以下であるガラスの粉末である。そ
の軟化点は典型的には５２０〜６２０℃である。また、
該軟化点をガラス基板のＴGから減じた値は３０℃以下
であることが好ましい。低融点ガラス粉末のαからガラ
ス基板のαを減じた値は−１５×１０-7／℃〜＋５×１
０-7／℃であることが好ましい。
【００２０】低融点ガラス粉末、特に後述する最上層の
無機物粉末層以外の無機物粉末層が含有する低融点ガラ
ス粉末のεは、ＰＤＰの消費電力を低減させるために１
１以下であることが好ましく、より好ましくは１０以
下、特に好ましくは９以下である。低融点ガラス粉末
は、後述する焼成時等において金属電極、透明電極等と
反応しないものであることが好ましい。
【００２１】ＰＤＰの前面板に使用される金属電極付き
ガラス基板の製造に本発明を適用する場合について図１
を用いて説明する。なお、本発明はこれに限定されな
い。図１において、１はガラス基板であり、２はガラス
基板１に２以上形成されている線状の金属電極であり、
３ａ、３ｂはいずれも低融点ガラス粉末を質量百分率表
示で５０％以上含有する無機物粉末層である。（ａ）は
平面図であり、（ｂ）は（ａ）において金属電極２が無
機物粉末層３ａ、３ｂによって被覆されている部分の断
面図である。なお、図１では、ガラス基板１と金属電極
２の間に通常形成されるＩＴＯ等の透明電極は省略され
ている。
【００２２】ガラス基板１はアルカリ金属酸化物（以下
Ｒ2Ｏという）を１モル％以上含有するガラスからな
り、通常、ＴGは５５０〜６２０℃、αは８０×１０-7
〜９０×１０-7／℃、厚さは１〜３ｍｍである。前記ガ
ラスとして、通常、ＳｉＯ2系ガラス、たとえばソーダ
ライムシリカガラス等のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ−
Ｒ’Ｏ系ガラス（Ｒ’Ｏはアルカリ土類金属酸化物）が
用いられる。
【００２３】ガラス基板１上には、まずＩＴＯ等の透明
電極が、たとえば次のようにして形成される。すなわ
ち、スパッタリング法、真空蒸着法等によってガラス基
板１の表面全面に成膜後、感光性レジストを塗布し、マ
スクを通して露光し、現像してレジストパターンを形成
する。次に、レジストのない部分をエッチングして線状
にパターニング後レジストを除去して線状の透明電極が
ガラス基板１上に形成される。典型的には、該線状透明
電極の厚さは０．１〜０．３μｍ、幅は５０〜２００μ
ｍ、隣合う線状の透明電極の中心線間距離は１００〜４
００μｍである。
【００２４】ガラス基板１の上に形成された前記透明電
極の上に、線状の金属電極２が形成される。金属電極２
は通常、金属粉末と感光性樹脂等からなる感光性金属ペ
ーストを印刷し、フォトマスクを介して露光し、現像し
た後、焼成して形成される。典型的には、該線状の金属
電極２の厚さは４〜１０μｍ、幅は３０〜１５０μｍ、
隣合う線状の金属電極２の中心線間距離間隔は１００〜
４００μｍである。なお、金属電極２の形状は線状に限
定されない。
【００２５】金属電極２は、金、銀、銅、アルミニウム
等の金属またはこれらの合金からなる。通常は、金属電
極付きガラス基板またはＰＤＰの製造に際して行われる
各種焼成または熱処理において安定であり、また導電性
が高く比較的安価である銀が好んで使用される。金属電
極２は、質量百分率表示で５０％以上の銀を含有するこ
とが好ましく、典型的には銀のみからなる。
【００２６】次に、金属電極２の各一部（図１（ａ）に
おいて点線で示されている部分）の上に、それらを被覆
するように、低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５０
％以上含有する無機物粉末層３ａを形成する。無機物粉
末層３ａを焼成して得られる焼成体の厚さは典型的には
２０〜４０μｍである。
【００２７】なお、前記各一部以外の金属電極２の各部
分（図１（ｂ）において実線で示されている部分）は配
線のために露出されるべき部分、すなわち、無機物粉末
層３ａおよび後述する無機物粉末層３ｂのいずれによっ
ても被覆されない部分である。前記配線のために露出さ
れるべき部分の長さは典型的には２〜３ｃｍである。
【００２８】無機物粉末層３ａが含有する低融点ガラス
粉末のＢ2Ｏ3含有量は４０モル％以上であることが好ま
しい。４０モル％未満では前記焼成体のεが大きくなる
おそれがある。より好ましくは４５モル％以上である。
また、Ｂ2Ｏ3含有量は好ましくは７０モル％以下であ
る。７０モル％超では耐水性が低下するおそれがある。
より好ましくは６０モル％以下である。
【００２９】前記Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％以上である
低融点ガラス粉末として、下記酸化物基準のモル％表示
で本質的に、 Ｂ2Ｏ3 ４０〜７０％、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 からなることが好ましい。以下各成分についてモル％表
示を用いて説明する。
【００３０】Ｂ2Ｏ3はガラスの軟化点を下げ、ガラスを
安定化し、かつεを下げる成分であり、必須である。４
０％未満ではεが高くなる、または軟化点が高くなる。
７０％超では耐水性が低くなる。ＳｉＯ2は必須ではな
いがガラスを安定化させる成分であり６０％まで含有し
てもよい。６０％超では軟化点が高くなる。
【００３１】ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯはいずれも必須
ではないが、ガラスの軟化点を下げるためにそれぞれ５
０％、２５％、３０％まで含有してもよい。また、これ
らの含有量の合計ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯは１０〜５
０％であることが好ましい。１０％未満では軟化点が高
くなる。５０％超ではεが高くなる。
【００３２】Ａｌ2Ｏ3は必須ではないがガラスを安定化
させる成分であり２０％まで含有してもよい。２０％超
では軟化点が高くなる。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよび
ＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化させ
るために合計で３０％まで含有してよい。３０％超では
ガラス化が困難になる。
【００３３】Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2ＯおよびＫ2Ｏはいずれも
必須ではないが、ガラスの軟化点を下げるために合計で
３０％まで含有してよい。３０％超ではαが大きくなり
すぎる、または電気絶縁性が低下するおそれがある。前
記好ましい低融点ガラス粉末は本質的にこれら成分から
なるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含
有してもよい。
【００３４】無機物粉末層３ａは、低融点ガラス粉末を
必須成分として含有し、その質量百分率表示の含有量は
５０％以上である。無機物粉末層３ａは前記低融点ガラ
ス粉末以外の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含
有してもよい。たとえば、本発明をＰＤＰの背面板に使
用される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合
には、そのような成分として白色耐熱顔料、黒色耐熱顔
料、セラミックスフィラー等が挙げられる。また、後述
するガラスペースト、グリーンシート等にする場合は樹
脂、溶剤等が添加され混合される。
【００３５】前記金属電極２の各一部の上に、それらを
被覆するように無機物粉末層３ａを形成する方法として
は、たとえば次のようにガラスペーストとして塗布する
方法が挙げられる。すなわち、低融点ガラス粉末をエチ
ルセルロース等の樹脂、および、α−テルピネオール、
ブチルカルビトールアセテート等の溶剤と混練してガラ
スペーストとし、スクリーン印刷、ブレードコート等に
より塗布する。ガラスペーストの質量百分率表示組成
は、典型的には、低融点ガラス粉末６０〜８０％、樹脂
１〜１０％、溶剤１０〜３０％、である。
【００３６】無機物粉末層３ａの上に、低融点ガラス粉
末を質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末層
３ｂが積層される。無機物粉末層３ｂは金属電極２から
最も離れている最上層の無機物粉末層である。無機物粉
末層３ａの上に無機物粉末層３ｂを形成する方法として
は、たとえば前記ガラスペーストとして塗布する方法が
挙げられる。
【００３７】無機物粉末層３ｂの厚さは、無機物粉末層
３ｂを焼成して得られる焼成体の厚さが３μｍ以上とな
るように決められる。該厚さが３μｍ未満では前記ホウ
酸揮散量が多くなりすぎるおそれがある。好ましくは５
μｍ以上である。また、前記厚さは典型的には１５μｍ
以下である。
【００３８】無機物粉末層３ｂが含有する低融点ガラス
粉末においてＢ2Ｏ3は必須成分ではないが、ガラスを安
定化し、また軟化点を下げるために４０モル％未満の範
囲で含有してもよい。４０モル％以上では、後述する焼
成時において前記ホウ酸揮散量が多くなりすぎ、隣合う
金属電極２間の電気絶縁性が低下するおそれがある。
【００３９】無機物粉末層３ｂが含有し、Ｂ2Ｏ3含有量
が４０モル％未満である低融点ガラス粉末は、下記酸化
物基準のモル％表示で、 Ｂ2Ｏ3 ０〜４０％未満、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 から本質的になり、ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯが３０〜
７５％であることが好ましい。以下各成分についてモル
％表示を用いて説明する。
【００４０】Ｂ2Ｏ3は必須ではないが、ガラスの軟化点
を下げ、ガラスを安定化するために４０％未満の範囲で
含有してもよい。４０％以上では前記ホウ酸揮散量が多
くなる。好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％
以下である。ＳｉＯ2は必須ではないがガラスを安定化
させる成分であり６０％まで含有してもよい。６０％超
では軟化点が高くなる。
【００４１】ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3およびＺｎＯはいずれも
ガラスの軟化点を下げる成分でありいずれか１種以上を
含有しなければならない。ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯが
３０％未満では軟化点が高くなる。７５％超ではガラス
が不安定になる。なお、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｎＯの含
有量はそれぞれ５０％以下、２５％以下、３０％以下で
ある。
【００４２】Ａｌ2Ｏ3は必須ではないがガラスを安定化
させる成分であり２０％まで含有してもよい。２０％超
では軟化点が高くなる。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよび
ＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化する
ために合計で３０％まで含有してよい。３０％超ではガ
ラス化が困難になる。
【００４３】Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2ＯおよびＫ2Ｏはいずれも
必須ではないが、ガラスの軟化点を下げるために合計で
３０％まで含有してよい。３０％超ではαが大きくなり
すぎる、または電気絶縁性が低下するおそれがある。前
記好ましい低融点ガラス粉末は本質的にこれら成分から
なるが、本発明の目的を損なわない範囲で他の成分を含
有してもよい。
【００４４】次に、前記２以上の金属電極２の各一部を
被覆するように無機物粉末層３ａ、３ｂが積層されたガ
ラス基板１を加熱して、前記無機物粉末層３ａ、３ｂを
焼成する。該焼成を行う温度はガラス基板１のＴGより
低い温度とされ、典型的には５４０〜６２０℃であり、
その温度に保持される時間は典型的には３０〜６０分間
である。なお、無機物粉末層３ａ、３ｂには樹脂（バイ
ンダ）等が添加されてもよいが、該樹脂を充分分解させ
るために、前記焼成を行う温度に昇温する前に、典型的
には３５０〜４００℃に約３０分間保持することが好ま
しい。
【００４５】無機物粉末層３ａおよび無機物粉末層３ｂ
からなる積層無機物粉末層を焼成して得られる誘電体層
の厚さは典型的には２０〜５０μｍ、より典型的には２
０〜２５μｍである。また、該誘電体層のεは１１以下
であることが好ましい。１１超ではＰＤＰの消費電力が
大きくなるおそれがある。より好ましくは１０．５以下
である。
【００４６】図１においては金属電極の上に積層する無
機物粉末層は２層であったが、積層する無機物粉末層は
３層以上であってもよい。この場合、最上層の無機物粉
末層以外の無機物粉末層については前記無機物粉末層３
ａに関する説明が該当する。ただし、最上層の無機物粉
末層以外の無機物粉末層を焼成して得られる焼成体の厚
さの合計は、典型的には１５〜３０μｍである。
【００４７】また、無機物粉末層を積層する方法とし
て、先にガラスペーストとして塗布する方法を例示した
が、この他にたとえばグリーンシートとして貼り付ける
方法が挙げられる。
【００４８】たとえば２層の無機物粉末層Ａ、Ｂを、無
機物粉末層Ｂを最上層の無機物粉末層とするべく積層す
る場合、無機物粉末層Ｂを構成すべき低融点ガラス粉末
Ｂ等の無機物粉末を、アクリル等の樹脂、ジブチルフタ
レート、ジメチルフタレート等の可塑剤およびトルエ
ン、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の溶剤
と混合してスラリーＢを作製し、該スラリーＢをポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の支持フィルムにダ
イコート等の方法で塗布し、乾燥して溶剤を除去する。
【００４９】次に、無機物粉末層Ａを構成すべき低融点
ガラス粉末Ａ等の無機物粉末を用いて、スラリーＢを作
製したと同様にしてスラリーＡを作製し、前記支持フィ
ルム上に塗布、乾燥されたスラリーＢの上に塗布し、乾
燥し、溶剤を除去する。次に、スラリーＡ、Ｂが塗布さ
れた前記支持フィルムを、金属電極が形成されたガラス
基板の所望の部分に貼り付け、その後支持フィルムは剥
がされ積層無機物粉末層が前記ガラス基板上に形成され
る。
【００５０】グリーンシートの質量百分率表示組成は、
典型的には、低融点ガラス粉末６０〜８０％、樹脂１９
〜３９％、可塑剤１〜４％、であり、前記支持フィルム
としては通常は離型剤などで表面処理されたものが用い
られる。
【００５１】以上では、本発明をＰＤＰの前面板に使用
される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合を
例にして説明したが、隔壁、蛍光体等が形成されるＰＤ
Ｐ背面板用金属電極付きガラス基板の製造等にも本発明
を適用できる。
【００５２】
【実施例】表２および表３のＢ2Ｏ3からＣｕＯまでの欄
にモル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合
し、該混合された原料を白金ルツボに入れて１２００℃
で６０分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラ
スを流し出し、冷却して塊状のガラスとし、その一部を
アルミナ製ボールミルを用いて粉砕しガラス粉末とした
（例１−１〜例８）。得られたガラス粉末の軟化点（単
位：℃）およびα（単位：１０-7／℃）を表２および表
３に示す。なお、αは塊状のガラスを直径５ｍｍ、長さ
２０ｍｍの棒状に加工し、示差熱膨張計を用いて測定し
た。
【００５３】次に、これらガラス粉末を、エチルセルロ
ース（バインダ）、α−テルピネオール（溶剤Ａ）また
はジエチレングルコールモノブチルエーテルアセテート
（溶剤Ｂ）と、表２および表３に質量百分率表示で示す
割合で混合しガラスペーストとした。
【００５４】
【表２】
【００５５】
【表３】
【００５６】次に、先に例Ａ〜Ｇについてしたと同様の
方法により銀樹の長さを測定した。すなわち、図２の点
線で示す部分に各ガラスペーストを表４および表５の第
１層から第３層までの欄に示す順序で塗布した。例１〜
５においては積層される無機物粉末層は２層（第２層が
最上層）、例６においては積層される無機物粉末層は３
層（第３層が最上層）であり、いずれも実施例である。
例７および例８は無機物粉末層は１層（単層）でありい
ずれも比較例である。各無機物粉末層を焼成して得られ
る各焼成体の厚さ（単位：μｍ）を以下のようにして求
めた。結果を表４、５の、厚さ１、厚さ２、厚さ３の欄
に示す。
【００５７】積層された各焼成体の厚さ：下層の一部を
被覆しないように上層を積層した積層焼成体（階段状積
層焼成体）を用いて測定した。すなわち、積層焼成体が
階段状積層焼成体である以外は銀樹の長さの測定におけ
ると同様に積層焼成体（階段状積層焼成体）を作製し、
該積層焼成体の階段状の部分の各段差を測定することに
より各焼成体の厚さを求めた。
【００５８】次に、表に示す焼成温度（単位：℃）に３
０分間保持する焼成を行って積層無機物粉末層または単
層無機物粉末層を誘電体層とし、先に例Ａ〜Ｇについて
したと同様に、対向する櫛形状電極間に１４０Ｖの直流
電圧を印加した状態で、温度が８５℃、湿度が８０％に
保持された恒温恒湿槽内に２時間置いた後、取り出して
銀樹の長さを測定した（単位：ｍｍ）。
【００５９】なお、前記誘電体層のεを次にような測定
を行って求めた。すなわち、大きさが５ｃｍ×７．５ｃ
ｍであるガラス基板上の全面に銀ペーストを塗布し焼成
後、前記誘電体層を形成したのと同様にして誘電体層を
形成し、該誘電体層について２０℃、１ＭＨｚにおける
比誘電率を測定した。
【００６０】
【表４】
【００６１】
【表５】
【００６２】例１においてはガラスペーストを塗布する
方法を用いたが、例１と同じガラス粉末を用いてグリー
ンシートとして貼り付ける方法も実施した。すなわち、
第１層用、第２層用としてそれぞれ例１−１、例１−２
のガラス粉末を使用し、質量百分率表示組成が、ガラス
粉末６４．２％、ポリブチルメタクリレート１６．０
％、ジブチルフタレート０．６％、トルエン１９．２％
となるように調合してボールミルで混合し、第１層用ガ
ラススラリーおよび第２層用ガラススラリーを作製し
た。
【００６３】次に、ＰＥＴフィルム上に第２層用ガラス
スラリーを日本シーダースサービス社製バーコーター
（ＲＯＤ Ｎｏ．８）を用いて塗布し、１００℃で１時
間乾燥した。次に、該第２層用ガラススラリーの上に第
１層用ガラススラリーを同社製バーコーター（ＲＯＤ
Ｎｏ．３０）を用いて塗布し、１００℃で１時間乾燥し
ＰＥＴフィルム上にグリーンシートを作製した。
【００６４】該グリーンシートをＰＥＴフィルムから剥
離し、例１と同様に１ｃｍ×３ｃｍの部分に貼り付け、
５８０℃に３０分間保持する焼成を行なった。得られた
誘電体層の厚さは２８μｍであった。なお、第２層用ガ
ラススラリーを焼成して得られる焼成体の厚さは７μ
ｍ、第１層用ガラススラリーを焼成して得られる焼成体
の厚さは２１μｍであった。
【００６５】次に、先に例Ａ〜Ｇについてしたと同様
に、対向する櫛形状電極間に１４０Ｖの直流電圧を印加
した状態で、温度が８５℃、湿度が８０％に保持された
恒温恒湿槽内に２時間置いた後、取り出した。銀樹の長
さは０．１ｍｍ未満であった。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、消費電力が小さく、か
つ信頼性の高いＰＤＰを実現できるＰＤＰ前面板および
ＰＤＰ背面板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の金属電極付きガラス基板の製造方法を
説明する図。
【図２】銀樹の長さの測定方法を説明する図。
【符号の説明】
１ ：ガラス基板 ２ ：金属電極 ３ａ：無機物粉末層 ３ｂ：無機物粉末層（最上層）
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AC11 AC12 AC30 CA01 CB09 DA01 DA02 DA04 DA05 DB09 EA02 EA03 EB04 GA02 GA14 GA15 4G062 AA09 BB01 DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DA06 DA10 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DC05 DD01 DE01 DE02 DE03 DE04 DF01 DF02 DF03 DF04 DF05 EA01 EA02 EA03 EA04 EA10 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 EC04 ED01 ED02 ED03 ED04 EE01 EE02 EE03 EE04 EF01 EF02 EF03 EF04 EG01 EG02 EG03 EG04 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GA04 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 MM06 NN26 PP01 PP11 5C027 AA01 AA05 AA06 5C040 GD02 GD07 GD09

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
    るガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、該２以上
    の金属電極の各一部を被覆するように、低融点ガラス粉
    末を質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末層
    を２層以上積層し、焼成して金属電極付きガラス基板を
    製造する方法であって、金属電極から最も離れている最
    上層の無機物粉末層に含有されている低融点ガラス粉末
    のＢ2Ｏ3含有量が４０モル％未満であり、該最上層の無
    機物粉末層を焼成して得られる焼成体の厚さを３μｍ以
    上とするべく該最上層の無機物粉末層の厚さが決められ
    ていることを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造
    方法。
  2. 【請求項２】前記２層以上積層された無機物粉末層を焼
    成して得られ、前記２以上の金属電極の各一部を被覆す
    る誘電体層の比誘電率が１１以下である請求項１に記載
    の金属電極付きガラス基板の製造方法。
  3. 【請求項３】最上層の無機物粉末層に含有される低融点
    ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表示で、 Ｂ2Ｏ3 ０〜４０％未満、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 から本質的になり、ＰｂＯ＋Ｂｉ2Ｏ3＋ＺｎＯが３０〜
    ７５％である請求項１または２に記載の金属電極付きガ
    ラス基板の製造方法。
  4. 【請求項４】２層以上積層された無機物粉末層のうち、
    最上層の無機物粉末層を除く無機物粉末層に含有されて
    いる前記低融点ガラス粉末のＢ2Ｏ3含有量がいずれも４
    ０モル％以上である請求項１、２または３に記載の金属
    電極付きガラス基板の製造方法。
  5. 【請求項５】Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％以上である低融
    点ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表示で、 Ｂ2Ｏ3 ４０〜７０％、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 から本質的になる請求項４に記載の金属電極付きガラス
    基板の製造方法。
  6. 【請求項６】金属電極が質量百分率表示で５０％以上の
    銀を含有する請求項１〜５のいずれかに記載の金属電極
    付きガラス基板の製造方法。
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