JP2003002693A - 金属電極付きガラス基板の製造方法 - Google Patents
金属電極付きガラス基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2003002693A JP2003002693A JP2001181866A JP2001181866A JP2003002693A JP 2003002693 A JP2003002693 A JP 2003002693A JP 2001181866 A JP2001181866 A JP 2001181866A JP 2001181866 A JP2001181866 A JP 2001181866A JP 2003002693 A JP2003002693 A JP 2003002693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- glass
- metal electrode
- metal
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
- C03C17/007—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
- C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
- C03C2217/44—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the composition of the continuous phase
- C03C2217/45—Inorganic continuous phases
- C03C2217/452—Glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/40—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer
- C03C2217/43—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase
- C03C2217/46—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase
- C03C2217/47—Coatings comprising at least one inhomogeneous layer consisting of a dispersed phase in a continuous phase characterized by the dispersed phase consisting of a specific material
- C03C2217/475—Inorganic materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｂ2Ｏ3を含有する低融点ガラスを含有する誘電
体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプ
レイパネルの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付き
ガラス基板の製造方法の提供。 【解決手段】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
るガラス基板１上に金属電極２を形成し、Ｂ2Ｏ3を含有
する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５０％以上含
有する無機物粉末層を金属電極２の一部２ｂを被覆する
ように形成し、焼成して誘電体層３とし、誘電体層３に
よって被覆されていない金属電極２間のガラス基板表面
１ａをｐＨが５未満である液体に浸漬する金属電極付き
ガラス基板の製造方法。
体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプ
レイパネルの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付き
ガラス基板の製造方法の提供。 【解決手段】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
るガラス基板１上に金属電極２を形成し、Ｂ2Ｏ3を含有
する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５０％以上含
有する無機物粉末層を金属電極２の一部２ｂを被覆する
ように形成し、焼成して誘電体層３とし、誘電体層３に
よって被覆されていない金属電極２間のガラス基板表面
１ａをｐＨが５未満である液体に浸漬する金属電極付き
ガラス基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）の前面基板等に使用される、銀電
極等の金属電極付きガラス基板の製造方法に関する。
レイパネル（ＰＤＰ）の前面基板等に使用される、銀電
極等の金属電極付きガラス基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの前面板（表示面）に使用される
ガラス基板の表面には通常、ＩＴＯ（スズがドープされ
た酸化インジウム）等の透明電極が線状に多数形成さ
れ、それらの上に線状銀電極が形成される。該線状銀電
極は、低融点ガラス粉末を主成分として含有する無機物
粉末層を焼成して得られる誘電体層によって被覆され
る。該被覆は線状銀電極間の電気絶縁のために、また、
ＰＤＰのプラズマ放電を安定化させるために行われるも
のであるが、線状銀電極の配線部分については前記被覆
は行われず、線状銀電極が露出している。
ガラス基板の表面には通常、ＩＴＯ（スズがドープされ
た酸化インジウム）等の透明電極が線状に多数形成さ
れ、それらの上に線状銀電極が形成される。該線状銀電
極は、低融点ガラス粉末を主成分として含有する無機物
粉末層を焼成して得られる誘電体層によって被覆され
る。該被覆は線状銀電極間の電気絶縁のために、また、
ＰＤＰのプラズマ放電を安定化させるために行われるも
のであるが、線状銀電極の配線部分については前記被覆
は行われず、線状銀電極が露出している。
【０００３】前記低融点ガラスとして、従来、ＰｂＯ−
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ 3−ＺｎＯ系、Ｂｉ2
Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系等のＢ2Ｏ3含有低融点ガラスが使用され
ており、そのＢ2Ｏ3含有量は４０モル％未満であった。
これは、理由は不明であるが、Ｂ2Ｏ3含有量が約４０モ
ル％以上である低融点ガラスを使用すると前記誘電体層
による線状銀電極間の電気絶縁性が低下することがあ
り、その結果、ＰＤＰの信頼性が低下するおそれがあっ
たからである。
Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ 3−ＺｎＯ系、Ｂｉ2
Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系等のＢ2Ｏ3含有低融点ガラスが使用され
ており、そのＢ2Ｏ3含有量は４０モル％未満であった。
これは、理由は不明であるが、Ｂ2Ｏ3含有量が約４０モ
ル％以上である低融点ガラスを使用すると前記誘電体層
による線状銀電極間の電気絶縁性が低下することがあ
り、その結果、ＰＤＰの信頼性が低下するおそれがあっ
たからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年ＰＤＰの消費電力
を少なくするために、前記誘電体層の比誘電率εを低下
させることが望まれており、該誘電体層の主成分である
低融点ガラスについては、そのεを１１以下とすること
が望まれている。なお、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％未満
である従来のＢ2Ｏ3含有低融点ガラスのεは典型的には
１２〜１５である。
を少なくするために、前記誘電体層の比誘電率εを低下
させることが望まれており、該誘電体層の主成分である
低融点ガラスについては、そのεを１１以下とすること
が望まれている。なお、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％未満
である従来のＢ2Ｏ3含有低融点ガラスのεは典型的には
１２〜１５である。
【０００５】Ｂ2Ｏ3含有低融点ガラスのεを低下させる
ためにはＢ2Ｏ3含有量の増大が有効であることが知られ
ているが、一方、Ｂ2Ｏ3含有量を約４０モル％以上にす
ると前述のようにＰＤＰの信頼性が低下するおそれがあ
った。
ためにはＢ2Ｏ3含有量の増大が有効であることが知られ
ているが、一方、Ｂ2Ｏ3含有量を約４０モル％以上にす
ると前述のようにＰＤＰの信頼性が低下するおそれがあ
った。
【０００６】本発明は、Ｂ2Ｏ3を含有する低融点ガラ
ス、特に、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％以上である低融点
ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆し
ても、ＰＤＰの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付
きガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
ス、特に、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モル％以上である低融点
ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆し
ても、ＰＤＰの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付
きガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ金属
酸化物を１モル％以上含有するガラス基板上に２以上の
金属電極を形成し、Ｂ2Ｏ3を含有する低融点ガラス粉末
を質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末層を
前記２以上の金属電極の各一部を被覆するように形成
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、該誘電体
層によって被覆されていない前記２以上の金属電極間の
ガラス基板表面をｐＨが５未満である液体に浸漬するこ
とを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方法を提
供する（第１発明）。
酸化物を１モル％以上含有するガラス基板上に２以上の
金属電極を形成し、Ｂ2Ｏ3を含有する低融点ガラス粉末
を質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末層を
前記２以上の金属電極の各一部を被覆するように形成
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、該誘電体
層によって被覆されていない前記２以上の金属電極間の
ガラス基板表面をｐＨが５未満である液体に浸漬するこ
とを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方法を提
供する（第１発明）。
【０００８】また、アルカリ金属酸化物を１モル％以上
含有するガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ
2Ｏ3を含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５
０％以上含有する無機物粉末層を前記２以上の金属電極
の各一部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼
成して誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されてい
ない前記２以上の金属電極間のガラス基板表面を、ｐＨ
が４．５〜７．５であり、温度が４０℃以上である液体
に浸漬することを特徴とする金属電極付きガラス基板の
製造方法を提供する（第２発明）。
含有するガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ
2Ｏ3を含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５
０％以上含有する無機物粉末層を前記２以上の金属電極
の各一部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼
成して誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されてい
ない前記２以上の金属電極間のガラス基板表面を、ｐＨ
が４．５〜７．５であり、温度が４０℃以上である液体
に浸漬することを特徴とする金属電極付きガラス基板の
製造方法を提供する（第２発明）。
【０００９】また、アルカリ金属酸化物を１モル％以上
含有するガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ
2Ｏ3を含有する低融点ガラスの粉末を質量百分率表示で
５０％以上含有する無機物粉末層を、前記２以上の金属
電極の各一部を被覆するように形成し、前記無機物粉末
層で被覆されていない前記２以上の金属電極の前記２以
上の金属電極間のガラス基板表面を耐熱材で被覆後、前
記無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、次に前記耐熱
材を除去する金属電極付きガラス基板の製造方法であっ
て、前記耐熱材の融点またはガラス転移点が前記焼成す
る温度より１０℃以上高いことを特徴とする金属電極付
きガラス基板の製造方法を提供する（第３発明）。
含有するガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ
2Ｏ3を含有する低融点ガラスの粉末を質量百分率表示で
５０％以上含有する無機物粉末層を、前記２以上の金属
電極の各一部を被覆するように形成し、前記無機物粉末
層で被覆されていない前記２以上の金属電極の前記２以
上の金属電極間のガラス基板表面を耐熱材で被覆後、前
記無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、次に前記耐熱
材を除去する金属電極付きガラス基板の製造方法であっ
て、前記耐熱材の融点またはガラス転移点が前記焼成す
る温度より１０℃以上高いことを特徴とする金属電極付
きガラス基板の製造方法を提供する（第３発明）。
【００１０】本発明者は、Ｂ2Ｏ3を約４０モル％以上含
有する低融点ガラスの粉末を用いて線状銀電極を被覆し
た場合に起るとされている前記線状銀電極間の電気絶縁
性低下が、次のようなメカニズムにより生じると考え、
本発明に至った。 （１）Ｂ2Ｏ3を４０モル％以上含有する低融点ガラス粉
末を主成分とする無機物粉末層を焼成して線状銀電極を
被覆する際に、低融点ガラスからホウ酸が揮散する。 （２）該揮散したホウ酸は線状銀電極間のガラス基板表
面に付着する。
有する低融点ガラスの粉末を用いて線状銀電極を被覆し
た場合に起るとされている前記線状銀電極間の電気絶縁
性低下が、次のようなメカニズムにより生じると考え、
本発明に至った。 （１）Ｂ2Ｏ3を４０モル％以上含有する低融点ガラス粉
末を主成分とする無機物粉末層を焼成して線状銀電極を
被覆する際に、低融点ガラスからホウ酸が揮散する。 （２）該揮散したホウ酸は線状銀電極間のガラス基板表
面に付着する。
【００１１】（３）一方、ガラス基板中のアルカリ金属
は空気中に存在する水分の影響でガラス基板から溶出
し、前記付着したホウ酸と反応してアルカリ金属ホウ酸
塩を生成する。 （４）隣合う線状銀電極間に直流電圧を印加すると、前
記アルカリ金属ホウ酸塩中に線状銀電極から銀が溶出し
枝状の銀溶出体（以下銀樹という。）が生成する。 （５）隣合う線状銀電極から生成した銀樹が接触するこ
とにより該隣合う線状銀電極間の電気絶縁性が低下す
る。
は空気中に存在する水分の影響でガラス基板から溶出
し、前記付着したホウ酸と反応してアルカリ金属ホウ酸
塩を生成する。 （４）隣合う線状銀電極間に直流電圧を印加すると、前
記アルカリ金属ホウ酸塩中に線状銀電極から銀が溶出し
枝状の銀溶出体（以下銀樹という。）が生成する。 （５）隣合う線状銀電極から生成した銀樹が接触するこ
とにより該隣合う線状銀電極間の電気絶縁性が低下す
る。
【００１２】次に、上記メカニズムを想到するに至った
経緯を説明する。表１のＢ2Ｏ3からＫ2Ｏまでの欄にモ
ル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、
該混合された原料を白金ルツボに入れて１２００℃で６
０分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを
流し出し、冷却後アルミナ製ボールミルを用いて粉砕し
ガラス粉末とした（例Ａ〜Ｇ）。
経緯を説明する。表１のＢ2Ｏ3からＫ2Ｏまでの欄にモ
ル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、
該混合された原料を白金ルツボに入れて１２００℃で６
０分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを
流し出し、冷却後アルミナ製ボールミルを用いて粉砕し
ガラス粉末とした（例Ａ〜Ｇ）。
【００１３】例Ａ〜Ｇのガラス粉末の軟化点（単位：
℃）およびホウ酸揮散量（単位：μｇ／ｃｍ3）を以下
のようにして測定した。結果を表１に示す。軟化点：昇
温速度１０℃／分の条件で示差熱分析（ＤＴＡ）を行っ
て測定した。
℃）およびホウ酸揮散量（単位：μｇ／ｃｍ3）を以下
のようにして測定した。結果を表１に示す。軟化点：昇
温速度１０℃／分の条件で示差熱分析（ＤＴＡ）を行っ
て測定した。
【００１４】ホウ酸揮散量：ガラス粉末を、直径１２ｍ
ｍ、高さ５ｍｍの円柱状に成形し、これを内径３０ｍ
ｍ、高さ８ｍｍのアルミナ製円筒状容器内に入れた。次
に、該容器上部をアルミナ板で塞いで容器内部を密閉状
態として、表１の焼成温度の欄に示す温度（単位：℃）
に３０分間保持して焼成した。冷却後、前記アルミナ板
の容器内部側の面に付着したホウ酸の質量を誘導結合プ
ラズマ（ＩＣＰ）発光分光法によって測定した。結果
は、前記焼成によって得られたガラスの質量と、アルキ
メデス法によって別に測定したガラスの密度とから求め
た前記ガラスの体積によって前記付着したホウ酸のＢ2
Ｏ3換算質量を除したもので表示する。
ｍ、高さ５ｍｍの円柱状に成形し、これを内径３０ｍ
ｍ、高さ８ｍｍのアルミナ製円筒状容器内に入れた。次
に、該容器上部をアルミナ板で塞いで容器内部を密閉状
態として、表１の焼成温度の欄に示す温度（単位：℃）
に３０分間保持して焼成した。冷却後、前記アルミナ板
の容器内部側の面に付着したホウ酸の質量を誘導結合プ
ラズマ（ＩＣＰ）発光分光法によって測定した。結果
は、前記焼成によって得られたガラスの質量と、アルキ
メデス法によって別に測定したガラスの密度とから求め
た前記ガラスの体積によって前記付着したホウ酸のＢ2
Ｏ3換算質量を除したもので表示する。
【００１５】次に、各ガラス粉末１００ｇを、α−テル
ピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で１５
％溶解させたビヒクル２５ｇと混練しガラスペーストと
した。得られたガラスペーストを、図２に示すような銀
電極付きガラス基板に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥
後、前記焼成温度の欄に示す温度に３０分間保持して焼
成した。この焼成によって得られた焼成体（誘電体層）
の厚さは２２〜２５μｍであった。
ピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で１５
％溶解させたビヒクル２５ｇと混練しガラスペーストと
した。得られたガラスペーストを、図２に示すような銀
電極付きガラス基板に塗布し、１２０℃で１０分間乾燥
後、前記焼成温度の欄に示す温度に３０分間保持して焼
成した。この焼成によって得られた焼成体（誘電体層）
の厚さは２２〜２５μｍであった。
【００１６】図２において、１はガラス基板、２は銀電
極であり、図２の点線で示す部分にガラスペーストを塗
布した。ガラス基板１は、厚さが２．８ｍｍ、大きさが
４ｃｍ×４ｃｍであるガラス板である。そのモル％表示
の組成は、ＳｉＯ2 ６６．５％、Ａｌ2Ｏ3 ４．７
％、Ｎａ2Ｏ ４．８％、Ｋ2Ｏ ４．４％、ＭｇＯ
３．４％、ＣａＯ ６．２％、ＳｒＯ ４．７％、Ｂａ
Ｏ ３．６％、ＺｒＯ2 １．７％、であり、また、ガ
ラス転移点ＴGは６２６℃、５０〜３５０℃における平
均線膨張係数αは８３×１０-7／℃である。
極であり、図２の点線で示す部分にガラスペーストを塗
布した。ガラス基板１は、厚さが２．８ｍｍ、大きさが
４ｃｍ×４ｃｍであるガラス板である。そのモル％表示
の組成は、ＳｉＯ2 ６６．５％、Ａｌ2Ｏ3 ４．７
％、Ｎａ2Ｏ ４．８％、Ｋ2Ｏ ４．４％、ＭｇＯ
３．４％、ＣａＯ ６．２％、ＳｒＯ ４．７％、Ｂａ
Ｏ ３．６％、ＺｒＯ2 １．７％、であり、また、ガ
ラス転移点ＴGは６２６℃、５０〜３５０℃における平
均線膨張係数αは８３×１０-7／℃である。
【００１７】銀電極２は、厚さが５μｍ、幅が０．５ｍ
ｍの線状電極からなる櫛形状のもの２個が対向するよう
に形成されている。隣合う線状電極の中心線間距離は２
ｍｍである。また、図２の点線で示す部分の大きさは１
ｃｍ×３ｃｍである。
ｍの線状電極からなる櫛形状のもの２個が対向するよう
に形成されている。隣合う線状電極の中心線間距離は２
ｍｍである。また、図２の点線で示す部分の大きさは１
ｃｍ×３ｃｍである。
【００１８】次に、焼成された各ガラス基板を、対向す
る櫛形状電極間に１４０Ｖの直流電圧を印加した状態
で、温度が８５℃、湿度が８０％に保持された恒温恒湿
槽内に２時間置いた後、取り出した。前記取り出したガ
ラス基板の誘電体層には、各線状電極から隣合う線状電
極に向って伸びる枝状のものが多数認められた。該枝状
のものを前記銀樹と考え、その長さ（単位：ｍｍ）を測
定した。結果を表１の銀樹の欄に示す。
る櫛形状電極間に１４０Ｖの直流電圧を印加した状態
で、温度が８５℃、湿度が８０％に保持された恒温恒湿
槽内に２時間置いた後、取り出した。前記取り出したガ
ラス基板の誘電体層には、各線状電極から隣合う線状電
極に向って伸びる枝状のものが多数認められた。該枝状
のものを前記銀樹と考え、その長さ（単位：ｍｍ）を測
定した。結果を表１の銀樹の欄に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】以上のことから、次のように考えた。
（ａ）ホウ酸揮散量が６μｇ／ｃｍ3以下であれば銀樹
の長さが０．１ｍｍ未満であり前記線状銀電極間の絶縁
性低下は起りにくい。 （ｂ）例Ｇ、ＨのＢ2Ｏ3含有量とホウ酸揮散量のデータ
を用いてホウ酸揮散量が６μｇ／ｃｍ3となるＢ2Ｏ3含
有量を求めると３９モル％であった。すなわち、ガラス
粉末のＢ2Ｏ3含有量が３９モル％以下であれば前記線状
銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。逆に、該Ｂ2Ｏ3含
有量が４０モル％以上では前記線状銀電極間の絶縁性低
下が起るおそれがある。これは、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モ
ル％未満である低融点ガラスを使用すると誘電体層によ
る線状銀電極間の電気絶縁性低下が起りにくい、という
従来の経験に基づく知見を裏付けるものである。
の長さが０．１ｍｍ未満であり前記線状銀電極間の絶縁
性低下は起りにくい。 （ｂ）例Ｇ、ＨのＢ2Ｏ3含有量とホウ酸揮散量のデータ
を用いてホウ酸揮散量が６μｇ／ｃｍ3となるＢ2Ｏ3含
有量を求めると３９モル％であった。すなわち、ガラス
粉末のＢ2Ｏ3含有量が３９モル％以下であれば前記線状
銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。逆に、該Ｂ2Ｏ3含
有量が４０モル％以上では前記線状銀電極間の絶縁性低
下が起るおそれがある。これは、Ｂ2Ｏ3含有量が４０モ
ル％未満である低融点ガラスを使用すると誘電体層によ
る線状銀電極間の電気絶縁性低下が起りにくい、という
従来の経験に基づく知見を裏付けるものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明でいう低融点ガラス粉末と
は軟化点が６５０℃以下であるガラスの粉末である。そ
の軟化点は、典型的には６２０℃以下である。ＰＤＰの
前面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に本
発明を適用する場合について以下に説明する。なお、本
発明はこれに限定されない。
は軟化点が６５０℃以下であるガラスの粉末である。そ
の軟化点は、典型的には６２０℃以下である。ＰＤＰの
前面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に本
発明を適用する場合について以下に説明する。なお、本
発明はこれに限定されない。
【００２２】図１はＰＤＰの前面板に使用される金属電
極付きガラス基板のコーナー部分の概念図である。１は
ガラス基板、２はガラス基板１に２以上形成されている
線状の金属電極、３は誘電体層である。２ａは金属電極
２の、誘電体層３によって被覆されていない部分であ
り、２ｂは金属電極２の、誘電体層３によって被覆され
ている部分である。なお、図１では、ガラス基板１と金
属電極２の間に通常形成されるＩＴＯ等の透明電極は省
略されている。
極付きガラス基板のコーナー部分の概念図である。１は
ガラス基板、２はガラス基板１に２以上形成されている
線状の金属電極、３は誘電体層である。２ａは金属電極
２の、誘電体層３によって被覆されていない部分であ
り、２ｂは金属電極２の、誘電体層３によって被覆され
ている部分である。なお、図１では、ガラス基板１と金
属電極２の間に通常形成されるＩＴＯ等の透明電極は省
略されている。
【００２３】ガラス基板１はアルカリ金属酸化物（以下
Ｒ2Ｏという）を１モル％以上含有するガラスからな
り、通常、ＴGは５５０〜６２０℃、αは８０×１０-7
〜９０×１０-7／℃、厚さは１〜３ｍｍである。前記ガ
ラスとして、通常、ＳｉＯ2系ガラス、たとえばソーダ
ライムシリカガラス等のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ−
Ｒ’Ｏ系ガラス（Ｒ’Ｏはアルカリ土類金属酸化物）が
用いられる。
Ｒ2Ｏという）を１モル％以上含有するガラスからな
り、通常、ＴGは５５０〜６２０℃、αは８０×１０-7
〜９０×１０-7／℃、厚さは１〜３ｍｍである。前記ガ
ラスとして、通常、ＳｉＯ2系ガラス、たとえばソーダ
ライムシリカガラス等のＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｒ2Ｏ−
Ｒ’Ｏ系ガラス（Ｒ’Ｏはアルカリ土類金属酸化物）が
用いられる。
【００２４】ガラス基板１上には、まずＩＴＯ等の透明
電極が、たとえば次のようにして形成される。すなわ
ち、スパッタリング法、真空蒸着法等によってガラス基
板１の表面全面に成膜後、感光性レジストを塗布し、マ
スクを通して露光し、現像してレジストパターンを形成
する。次に、レジストのない部分をエッチングして線状
にパターニング後レジストを除去して線状の透明電極が
ガラス基板１上に形成される。典型的には、該線状透明
電極の厚さは０．１〜０．３μｍ、幅は１００〜４００
μｍ、隣合う線状の透明電極の中心線間距離は５０〜２
００μｍである。
電極が、たとえば次のようにして形成される。すなわ
ち、スパッタリング法、真空蒸着法等によってガラス基
板１の表面全面に成膜後、感光性レジストを塗布し、マ
スクを通して露光し、現像してレジストパターンを形成
する。次に、レジストのない部分をエッチングして線状
にパターニング後レジストを除去して線状の透明電極が
ガラス基板１上に形成される。典型的には、該線状透明
電極の厚さは０．１〜０．３μｍ、幅は１００〜４００
μｍ、隣合う線状の透明電極の中心線間距離は５０〜２
００μｍである。
【００２５】ガラス基板１の上に形成された前記透明電
極の上に、線状の金属電極２が形成される。金属電極２
は通常、金属粉末と感光性樹脂等からなる感光性金属ペ
ーストを印刷し、フォトマスクを介して露光し、現像し
た後、焼成して形成される。典型的には、該線状の金属
電極２の厚さは４〜１０μｍ、幅は５０〜１５０μｍ、
隣合う線状の金属電極２の中心線間距離間隔は１００〜
４００μｍである。なお、金属電極２の形状は線状に限
定されない。
極の上に、線状の金属電極２が形成される。金属電極２
は通常、金属粉末と感光性樹脂等からなる感光性金属ペ
ーストを印刷し、フォトマスクを介して露光し、現像し
た後、焼成して形成される。典型的には、該線状の金属
電極２の厚さは４〜１０μｍ、幅は５０〜１５０μｍ、
隣合う線状の金属電極２の中心線間距離間隔は１００〜
４００μｍである。なお、金属電極２の形状は線状に限
定されない。
【００２６】金属電極２は、金、銀、銅、アルミニウム
等の金属またはこれらの合金からなる。通常は、金属電
極付きガラス基板またはＰＤＰの製造に際して行われる
各種焼成または熱処理において安定であり、また導電性
が高く比較的安価である銀が好んで使用される。金属電
極２は、質量百分率表示で５０％以上の銀を含有するこ
とが好ましく、典型的には銀のみからなる。
等の金属またはこれらの合金からなる。通常は、金属電
極付きガラス基板またはＰＤＰの製造に際して行われる
各種焼成または熱処理において安定であり、また導電性
が高く比較的安価である銀が好んで使用される。金属電
極２は、質量百分率表示で５０％以上の銀を含有するこ
とが好ましく、典型的には銀のみからなる。
【００２７】次に、金属電極２の各一部２ｂの上に、そ
れらを被覆するように、Ｂ2Ｏ3を含有する低融点ガラス
粉末を質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末
層を形成する。前記２ｂ以外の金属電極２の各部分は配
線のために露出されるべき部分、すなわち誘電体層３に
よって被覆されない部分２ａである。前記部分２ａの長
さは典型的には２〜３ｃｍである。
れらを被覆するように、Ｂ2Ｏ3を含有する低融点ガラス
粉末を質量百分率表示で５０％以上含有する無機物粉末
層を形成する。前記２ｂ以外の金属電極２の各部分は配
線のために露出されるべき部分、すなわち誘電体層３に
よって被覆されない部分２ａである。前記部分２ａの長
さは典型的には２〜３ｃｍである。
【００２８】前記低融点ガラス粉末の軟化点をガラス基
板のＴGから減じた値は３０℃以下であることが好まし
い。該軟化点は典型的には５２０〜６２０℃である。低
融点ガラス粉末のαからガラス基板のαを減じた値は−
１５×１０-7〜＋５×１０-7／℃であることが好まし
い。
板のＴGから減じた値は３０℃以下であることが好まし
い。該軟化点は典型的には５２０〜６２０℃である。低
融点ガラス粉末のαからガラス基板のαを減じた値は−
１５×１０-7〜＋５×１０-7／℃であることが好まし
い。
【００２９】低融点ガラス粉末のεは、ＰＤＰの消費電
力を低減させるために１１以下であることが好ましく、
より好ましくは１０以下、特に好ましくは９以下であ
る。低融点ガラス粉末は、後述する焼成時等において金
属電極、透明電極等と反応しないものであることが好ま
しい。
力を低減させるために１１以下であることが好ましく、
より好ましくは１０以下、特に好ましくは９以下であ
る。低融点ガラス粉末は、後述する焼成時等において金
属電極、透明電極等と反応しないものであることが好ま
しい。
【００３０】低融点ガラス粉末のＢ2Ｏ3含有量は好まし
くは４０モル％以上である。４０モル％未満では、εが
大きくなるおそれがある。より好ましくは４５モル％以
上である。また、Ｂ2Ｏ3含有量は好ましくは７０モル％
以下である。７０モル％超では耐水性が低下するおそれ
がある。より好ましくは６０モル％以下である。
くは４０モル％以上である。４０モル％未満では、εが
大きくなるおそれがある。より好ましくは４５モル％以
上である。また、Ｂ2Ｏ3含有量は好ましくは７０モル％
以下である。７０モル％超では耐水性が低下するおそれ
がある。より好ましくは６０モル％以下である。
【００３１】好ましい低融点ガラス粉末として、モル％
表示で本質的に、 Ｂ2Ｏ3 ４０〜７０％、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 からなるものが挙げられる。該好ましい低融点ガラス粉
末は本質的にこれら成分からなるが、目的を損なわない
範囲で他の成分を含有してもよい。
表示で本質的に、 Ｂ2Ｏ3 ４０〜７０％、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 からなるものが挙げられる。該好ましい低融点ガラス粉
末は本質的にこれら成分からなるが、目的を損なわない
範囲で他の成分を含有してもよい。
【００３２】前記無機物粉末層は、前記Ｂ2Ｏ3を含有す
る低融点ガラス粉末を必須成分として含有し、該低融点
ガラス粉末の含有量は質量百分率表示で５０％以上であ
る。無機物粉末層は前記低融点ガラス粉末以外の成分を
本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。本発
明をＰＤＰの背面板に使用される金属電極付きガラス基
板の製造に適用する場合には、そのような成分として白
色耐熱顔料、黒色耐熱顔料、セラミックスフィラー等が
例示される。また、後述するガラスペースト、グリーン
シート等にする場合は樹脂、溶剤等が添加され混合され
る。
る低融点ガラス粉末を必須成分として含有し、該低融点
ガラス粉末の含有量は質量百分率表示で５０％以上であ
る。無機物粉末層は前記低融点ガラス粉末以外の成分を
本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。本発
明をＰＤＰの背面板に使用される金属電極付きガラス基
板の製造に適用する場合には、そのような成分として白
色耐熱顔料、黒色耐熱顔料、セラミックスフィラー等が
例示される。また、後述するガラスペースト、グリーン
シート等にする場合は樹脂、溶剤等が添加され混合され
る。
【００３３】金属電極２の各一部２ｂの上に、それらを
被覆するように無機物粉末層を形成する方法としては、
ガラスペーストとして塗布する方法、グリーンシートと
して貼り付ける方法等が挙げられる。
被覆するように無機物粉末層を形成する方法としては、
ガラスペーストとして塗布する方法、グリーンシートと
して貼り付ける方法等が挙げられる。
【００３４】ガラスペーストとして塗布する方法とはた
とえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラス
粉末をエチルセルロース等の樹脂、および、α−テルピ
ネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤と混
練してガラスペーストとし、スクリーン印刷、ブレード
コート等により塗布する。ガラスペーストの質量百分率
表示組成は、典型的には、低融点ガラス粉末 ６０〜８
０％、樹脂 １〜１０％、溶剤 １０〜３０％、であ
る。
とえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラス
粉末をエチルセルロース等の樹脂、および、α−テルピ
ネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤と混
練してガラスペーストとし、スクリーン印刷、ブレード
コート等により塗布する。ガラスペーストの質量百分率
表示組成は、典型的には、低融点ガラス粉末 ６０〜８
０％、樹脂 １〜１０％、溶剤 １０〜３０％、であ
る。
【００３５】グリーンシートとして貼り付ける方法とは
たとえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラ
ス粉末をアクリル等の樹脂、ジブチルフタレート、ジメ
チルフタレート等の可塑剤およびトルエン、プロピレン
グリコールモノブチルエーテル等の溶剤と混合してスラ
リーを形成し、該スラリーをポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）等の支持フィルムにダイコート等の方法で
塗布し、乾燥して溶剤を除去した後、前記支持フィルム
を剥がしてグリーンシートとされ、金属電極を形成した
基板上に貼り付けられる。
たとえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラ
ス粉末をアクリル等の樹脂、ジブチルフタレート、ジメ
チルフタレート等の可塑剤およびトルエン、プロピレン
グリコールモノブチルエーテル等の溶剤と混合してスラ
リーを形成し、該スラリーをポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）等の支持フィルムにダイコート等の方法で
塗布し、乾燥して溶剤を除去した後、前記支持フィルム
を剥がしてグリーンシートとされ、金属電極を形成した
基板上に貼り付けられる。
【００３６】グリーンシートの質量百分率表示組成は、
典型的には、低融点ガラス粉末 ６０〜８０％、樹脂
１９〜３９％、可塑剤 １〜４％、であり、前記支持フ
ィルムとしては通常は離型剤などで表面処理されたもの
が用いられる。
典型的には、低融点ガラス粉末 ６０〜８０％、樹脂
１９〜３９％、可塑剤 １〜４％、であり、前記支持フ
ィルムとしては通常は離型剤などで表面処理されたもの
が用いられる。
【００３７】第１発明および第２発明においては、次
に、前記無機物粉末層の焼成が行われるが、第３発明に
おいては該焼成を行う前に、金属電極２の誘電体層３に
よって被覆されない部分２ａ間のガラス基板１の表面１
ａは耐熱材で被覆される。このとき通常は前記部分２ａ
も前記耐熱材によって被覆される。なお、１ｂは前記部
分２ａ間以外のガラス基板１の表面である。まず、第３
発明について説明する。
に、前記無機物粉末層の焼成が行われるが、第３発明に
おいては該焼成を行う前に、金属電極２の誘電体層３に
よって被覆されない部分２ａ間のガラス基板１の表面１
ａは耐熱材で被覆される。このとき通常は前記部分２ａ
も前記耐熱材によって被覆される。なお、１ｂは前記部
分２ａ間以外のガラス基板１の表面である。まず、第３
発明について説明する。
【００３８】前記耐熱材は、融点またはＴGが後述する
焼成を行う温度より１０℃以上高く、かつ、ガラス基板
１、金属電極２等と該焼成時等において反応しないもの
であればよく、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセ
ラミックスでこれら条件を満たすものであればよい。そ
の形状は前記被覆に適するものであれば限定されず、た
とえば板状のものが挙げられる。
焼成を行う温度より１０℃以上高く、かつ、ガラス基板
１、金属電極２等と該焼成時等において反応しないもの
であればよく、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセ
ラミックスでこれら条件を満たすものであればよい。そ
の形状は前記被覆に適するものであれば限定されず、た
とえば板状のものが挙げられる。
【００３９】次に、一部が無機物粉末層によって、一部
が耐熱材によって被覆された前記ガラス基板１を加熱
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層３とする。該焼
成を行う温度はガラス基板１のＴGより低い温度とさ
れ、典型的には５４０〜６２０℃であり、その温度に保
持される時間は典型的には３０〜６０分間である。ま
た、誘電体層３の厚さは典型的には２０〜２５μｍであ
る。焼成後冷却され前記耐熱材は除去される。
が耐熱材によって被覆された前記ガラス基板１を加熱
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層３とする。該焼
成を行う温度はガラス基板１のＴGより低い温度とさ
れ、典型的には５４０〜６２０℃であり、その温度に保
持される時間は典型的には３０〜６０分間である。ま
た、誘電体層３の厚さは典型的には２０〜２５μｍであ
る。焼成後冷却され前記耐熱材は除去される。
【００４０】次に、第１発明および第２発明について説
明する。一部が無機物粉末層によって被覆されたガラス
基板１を、前記第３発明におけると同様にして加熱する
焼成を行って、無機物粉末層を誘電体層３とする。該焼
成により、先に述べたように、金属電極２の誘電体層３
によって被覆されない部分２ａ間の、ガラス基板１の表
面１ａにホウ酸が付着しているおそれがある。
明する。一部が無機物粉末層によって被覆されたガラス
基板１を、前記第３発明におけると同様にして加熱する
焼成を行って、無機物粉末層を誘電体層３とする。該焼
成により、先に述べたように、金属電極２の誘電体層３
によって被覆されない部分２ａ間の、ガラス基板１の表
面１ａにホウ酸が付着しているおそれがある。
【００４１】前記表面１ａにホウ酸が付着していると先
に述べたように金属電極２間の電気絶縁性が低下するお
それがあるので、このホウ酸の除去を目的として次のよ
うなホウ酸除去処理を行う。
に述べたように金属電極２間の電気絶縁性が低下するお
それがあるので、このホウ酸の除去を目的として次のよ
うなホウ酸除去処理を行う。
【００４２】第１発明においては、ｐＨが５未満である
液体に、少なくとも前記表面１ａを浸漬する。このよう
な液体として、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体等
が例示される。該液体のｐＨは１以上であることが好ま
しい。なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基
板１がＳｉＯ2系ガラスからなる場合等にガラス基板１
を侵食するおそれがあるので好ましくない。
液体に、少なくとも前記表面１ａを浸漬する。このよう
な液体として、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体等
が例示される。該液体のｐＨは１以上であることが好ま
しい。なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基
板１がＳｉＯ2系ガラスからなる場合等にガラス基板１
を侵食するおそれがあるので好ましくない。
【００４３】また、前記液体の温度は１０〜４０℃であ
ることが好ましい。前記浸漬を行う時間は好ましくは１
秒以上であり、典型的には３０秒以上５分以下である。
前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸漬した部分を流
水等により洗浄することが好ましい。
ることが好ましい。前記浸漬を行う時間は好ましくは１
秒以上であり、典型的には３０秒以上５分以下である。
前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸漬した部分を流
水等により洗浄することが好ましい。
【００４４】第２発明においては、ｐＨが４．５〜７．
５であり、温度が４０℃以上である液体に、少なくとも
前記表面１ａを浸漬する。このような液体として、塩
酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体、水が例示される。
なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基板１が
ＳｉＯ2系ガラスからなる場合等にガラス基板１を侵食
するおそれがあるので好ましくない。
５であり、温度が４０℃以上である液体に、少なくとも
前記表面１ａを浸漬する。このような液体として、塩
酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体、水が例示される。
なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基板１が
ＳｉＯ2系ガラスからなる場合等にガラス基板１を侵食
するおそれがあるので好ましくない。
【００４５】前記液体の温度は好ましくは５０℃以上、
より好ましくは６０℃以上である。前記浸漬を行う時間
は好ましくは１秒以上であり、典型的には３０秒以上５
分以下である。前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸
漬した部分を流水等により洗浄することが好ましい。
より好ましくは６０℃以上である。前記浸漬を行う時間
は好ましくは１秒以上であり、典型的には３０秒以上５
分以下である。前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸
漬した部分を流水等により洗浄することが好ましい。
【００４６】以上では、本発明をＰＤＰの前面板に使用
される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合を
例にして説明したが、隔壁、蛍光体等が形成されるＰＤ
Ｐ背面板用金属電極付きガラス基板の製造等にも本発明
を適用できる。
される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合を
例にして説明したが、隔壁、蛍光体等が形成されるＰＤ
Ｐ背面板用金属電極付きガラス基板の製造等にも本発明
を適用できる。
【００４７】
【実施例】表２のＢ2Ｏ3からＢａＯまでの欄にモル％表
示で示す組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて１２００℃で６０分間
溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを流し出
し、冷却して塊状のガラスとし、その一部をアルミナ製
ボールミルを用いて粉砕しガラス粉末とした（例１〜
６）。
示で示す組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて１２００℃で６０分間
溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを流し出
し、冷却して塊状のガラスとし、その一部をアルミナ製
ボールミルを用いて粉砕しガラス粉末とした（例１〜
６）。
【００４８】ガラス粉末の軟化点（単位：℃）、α（単
位：１０-7／℃）、ε、ホウ酸揮散量（単位：μｇ／ｃ
ｍ3）を測定した。結果を表２に、αおよびεの測定法
を以下に示す。なお、ホウ酸揮散量は５８０℃に３０分
間保持して測定した。 α：塊状のガラスを直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの棒状に
加工し、示差熱膨張計を用いて測定した。 ε：塊状のガラスを５０ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍの板状
に加工し、ＬＣＲメータを用いて、２０℃、１ＭＨｚに
おける比誘電率を測定した。１１以下であることが好ま
しい。
位：１０-7／℃）、ε、ホウ酸揮散量（単位：μｇ／ｃ
ｍ3）を測定した。結果を表２に、αおよびεの測定法
を以下に示す。なお、ホウ酸揮散量は５８０℃に３０分
間保持して測定した。 α：塊状のガラスを直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍの棒状に
加工し、示差熱膨張計を用いて測定した。 ε：塊状のガラスを５０ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍの板状
に加工し、ＬＣＲメータを用いて、２０℃、１ＭＨｚに
おける比誘電率を測定した。１１以下であることが好ま
しい。
【００４９】次に、先に例Ａ〜Ｇについてしたと同様
に、各ガラス粉末をガラスペーストとし、図２の点線で
示す部分に塗布し、５８０℃に３０分間保持する焼成を
行って銀電極の当該部分を誘電体層により被覆した。
に、各ガラス粉末をガラスペーストとし、図２の点線で
示す部分に塗布し、５８０℃に３０分間保持する焼成を
行って銀電極の当該部分を誘電体層により被覆した。
【００５０】このようにして得られたガラス基板を、例
１についてはｐＨが１、温度が２０℃であり質量百分率
表示の濃度が５％である硝酸に、例２についてはｐＨが
３、温度が２０℃であり質量百分率表示の濃度が５％で
ある酢酸に、例３についてはｐＨが４、温度が２０℃で
あり質量百分率表示の濃度が１％である酢酸に、例４に
ついてはｐＨが７、温度が７０℃である水に、例５につ
いてはｐＨが７で、温度が７０℃である水に、それぞれ
２分間浸漬後取り出し流水で洗浄し、乾燥した。
１についてはｐＨが１、温度が２０℃であり質量百分率
表示の濃度が５％である硝酸に、例２についてはｐＨが
３、温度が２０℃であり質量百分率表示の濃度が５％で
ある酢酸に、例３についてはｐＨが４、温度が２０℃で
あり質量百分率表示の濃度が１％である酢酸に、例４に
ついてはｐＨが７、温度が７０℃である水に、例５につ
いてはｐＨが７で、温度が７０℃である水に、それぞれ
２分間浸漬後取り出し流水で洗浄し、乾燥した。
【００５１】例１〜３は第１発明の実施例、例４は第２
発明の実施例、例５は比較例である。また、例６につい
てはこのような液体への浸漬は行わず、比較例である。
次に、例１〜６について、例Ａ〜Ｇについてしたと同様
に、１４０Ｖの直流電圧を印加した状態で、温度が８５
℃、湿度が８０％に保持された恒温恒湿槽内に２時間置
いた後、取り出し、銀樹の長さ（単位：ｍｍ）を測定し
た。銀樹の長さは０．１ｍｍ未満であることが好まし
い。
発明の実施例、例５は比較例である。また、例６につい
てはこのような液体への浸漬は行わず、比較例である。
次に、例１〜６について、例Ａ〜Ｇについてしたと同様
に、１４０Ｖの直流電圧を印加した状態で、温度が８５
℃、湿度が８０％に保持された恒温恒湿槽内に２時間置
いた後、取り出し、銀樹の長さ（単位：ｍｍ）を測定し
た。銀樹の長さは０．１ｍｍ未満であることが好まし
い。
【００５２】
【表２】
【００５３】また、例１で使用したガラス粉末を用いて
第３発明を実施した。すなわち、先に例Ａ〜Ｇについて
したと同様に、ガラス粉末をガラスペーストとし、図２
の点線で示す部分に塗布した。次に、当該点線で示す部
分を除く部分を耐熱材を用いて被覆した。耐熱材として
２種のもの、すなわち、ガラス基板と同じ組成の厚さが
２．８ｍｍのガラス板、および厚さ１ｍｍのアルミナ板
を使用した。
第３発明を実施した。すなわち、先に例Ａ〜Ｇについて
したと同様に、ガラス粉末をガラスペーストとし、図２
の点線で示す部分に塗布した。次に、当該点線で示す部
分を除く部分を耐熱材を用いて被覆した。耐熱材として
２種のもの、すなわち、ガラス基板と同じ組成の厚さが
２．８ｍｍのガラス板、および厚さ１ｍｍのアルミナ板
を使用した。
【００５４】次に、例１と同様にして、焼成し、冷却後
１４０Ｖの直流電圧を印加した状態で温度が８５℃、湿
度が８０％に保持された恒温恒湿槽内に２時間置いた
後、取り出し、銀樹の長さを測定した。耐熱材としてガ
ラス板、アルミナ板いずれを使用しても、銀樹の長さは
０．１ｍｍ未満であった。
１４０Ｖの直流電圧を印加した状態で温度が８５℃、湿
度が８０％に保持された恒温恒湿槽内に２時間置いた
後、取り出し、銀樹の長さを測定した。耐熱材としてガ
ラス板、アルミナ板いずれを使用しても、銀樹の長さは
０．１ｍｍ未満であった。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、消費電力が小さく、か
つ信頼性の高いＰＤＰを実現できるＰＤＰ前面板、ＰＤ
Ｐ背面板を提供できる。
つ信頼性の高いＰＤＰを実現できるＰＤＰ前面板、ＰＤ
Ｐ背面板を提供できる。
【図１】ＰＤＰの前面板に使用される金属電極付きガラ
ス基板のコーナー部分の概念図。
ス基板のコーナー部分の概念図。
【図２】銀樹の長さの測定方法を説明する図。
１：ガラス基板
２：金属電極
３：誘電体層
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ
11/02 11/02 Ｂ
Ｆターム(参考） 4G059 AA08 AC11 AC12 AC30 CA01
CB09 DA01 DA02 DA04 DA05
DB09 EA03 EB03 EB04 GA02
GA14
4G062 AA09 BB05 CC10 DA01 DA02
DA03 DA04 DA05 DA06 DB01
DB02 DB03 DB04 DC05 DC06
DD01 DE01 DE02 DE03 DE04
DF01 DF02 DF03 DF04 DF05
EA01 EA02 EA03 EA04 EA10
EB01 EB02 EB03 EB04 EC01
EC02 EC03 EC04 ED01 ED02
ED03 ED04 EE01 EE02 EE03
EE04 EF01 EF02 EF03 EF04
EG01 EG02 EG03 EG04 FA01
FA10 FB01 FC01 FD01 FE01
FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01
FL01 GA01 GA02 GA03 GA04
GA10 GB01 GC01 GD01 GE01
HH01 HH03 HH05 HH07 HH09
HH11 HH13 HH15 HH17 HH20
JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10
KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
MM06 NN26 PP01 PP11
5C027 AA05 AA06
5C040 GD07 GD09
Claims (7)
- 【請求項１】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
るガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ2Ｏ3を
含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５０％以
上含有する無機物粉末層を前記２以上の金属電極の各一
部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼成して
誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されていない前
記２以上の金属電極間のガラス基板表面をｐＨが５未満
である液体に浸漬することを特徴とする金属電極付きガ
ラス基板の製造方法。 - 【請求項２】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
るガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ2Ｏ3を
含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で５０％以
上含有する無機物粉末層を前記２以上の金属電極の各一
部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼成して
誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されていない前
記２以上の金属電極間のガラス基板表面を、ｐＨが４．
５〜７．５であり、温度が４０℃以上である液体に浸漬
することを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方
法。 - 【請求項３】液体に浸漬する時間が１秒以上である請求
項１または２に記載の金属電極付きガラス基板の製造方
法。 - 【請求項４】アルカリ金属酸化物を１モル％以上含有す
るガラス基板上に２以上の金属電極を形成し、Ｂ2Ｏ3を
含有する低融点ガラスの粉末を質量百分率表示で５０％
以上含有する無機物粉末層を、前記２以上の金属電極の
各一部を被覆するように形成し、前記無機物粉末層で被
覆されていない前記２以上の金属電極の前記２以上の金
属電極間のガラス基板表面を耐熱材で被覆後、前記無機
物粉末層を焼成して誘電体層とし、次に前記耐熱材を除
去する金属電極付きガラス基板の製造方法であって、前
記耐熱材の融点またはガラス転移点が前記焼成する温度
より１０℃以上高いことを特徴とする金属電極付きガラ
ス基板の製造方法。 - 【請求項５】金属電極が質量百分率表示で５０％以上の
銀を含有する請求項１、２、３または４に記載の金属電
極付きガラス基板の製造方法。 - 【請求項６】低融点ガラス粉末がＢ2Ｏ3を４０モル％以
上含有する請求項１〜５のいずれかに記載の金属電極付
きガラス基板の製造方法。 - 【請求項７】低融点ガラス粉末がモル％表示で、本質的
に、 Ｂ2Ｏ3 ４０〜７０％、 ＳｉＯ2 ０〜６０％、 ＰｂＯ ０〜５０％、 Ｂｉ2Ｏ3 ０〜２５％、 Ａｌ2Ｏ3 ０〜２０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３０％、 ＺｎＯ ０〜３０％、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ ０〜３０％、 からなる請求項１〜５のいずれかに記載の金属電極付き
ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001181866A JP2003002693A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001181866A JP2003002693A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003002693A true JP2003002693A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19022068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001181866A Pending JP2003002693A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003002693A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004053914A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
| WO2004053915A1 (en) * | 2002-12-07 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
| WO2010041693A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | 旭硝子株式会社 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001181866A patent/JP2003002693A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004053914A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
| WO2004053915A1 (en) * | 2002-12-07 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
| US7247987B2 (en) | 2002-12-07 | 2007-07-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
| WO2010041693A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | 旭硝子株式会社 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5018032B2 (ja) | 電極被覆用無鉛ガラス | |
| TWI625317B (zh) | 鉍系玻璃組成物、粉末材料及粉末材料糊 | |
| KR20100121685A (ko) | 내산성을 갖는 무연 저융점 유리조성물 | |
| JP2002053342A (ja) | 電極被覆用低融点ガラス | |
| KR20050043711A (ko) | 격벽 형성용 유리 및 플라즈마 디스플레이 패널 | |
| JP4154790B2 (ja) | 低融点ガラスの用途 | |
| JP2007126350A (ja) | プラズマディスプレイパネル用隔壁形成材料及び隔壁形成材料用ガラス組成物 | |
| JP2001199737A (ja) | ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びｆｐｄ | |
| JP4100591B2 (ja) | 無鉛ガラス粉末およびプラズマディスプレイパネル隔壁形成用組成物 | |
| JP2003002693A (ja) | 金属電極付きガラス基板の製造方法 | |
| JP2007246382A (ja) | プラズマディスプレイパネル用誘電体材料 | |
| JP2008150272A (ja) | プラズマディスプレイパネル用隔壁形成材料及び隔壁形成材料用ガラス組成物 | |
| US6376400B1 (en) | Low melting point glass for covering electrodes, and glass ceramic composition for covering electrodes | |
| JP2002362942A (ja) | ガラスフリットおよびアルミニウム電極の被覆方法 | |
| JP2003002692A (ja) | 金属電極付きガラス基板の製造方法 | |
| JP2001151532A (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
| JP2000264676A (ja) | 低融点ガラス | |
| JP4016560B2 (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよび電極被覆用ガラスセラミック組成物 | |
| JP2003020251A (ja) | 隔壁形成用ガラスフリット、プラズマディスプレイパネル用背面ガラス基板およびプラズマディスプレイパネル | |
| JP2005022962A (ja) | ガラス組成物、混合体、ペースト、グリーンシートおよびｐｄｐ | |
| JP2003054992A (ja) | 隔壁形成用ペースト | |
| JP2002128541A (ja) | ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びｆｐｄ | |
| JP2008050252A (ja) | 隔壁付きガラス基板の製造方法 | |
| JP2006143479A (ja) | 隔壁形成用ガラスおよびプラズマディスプレイパネル | |
| JP2005289804A (ja) | 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |