JP2003002693A - 金属電極付きガラス基板の製造方法 - Google Patents
金属電極付きガラス基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】B2O3を含有する低融点ガラスを含有する誘電
体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプ
レイパネルの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付き
ガラス基板の製造方法の提供。 【解決手段】アルカリ金属酸化物を1モル%以上含有す
るガラス基板1上に金属電極2を形成し、B2O3を含有
する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で50%以上含
有する無機物粉末層を金属電極2の一部2bを被覆する
ように形成し、焼成して誘電体層3とし、誘電体層3に
よって被覆されていない金属電極2間のガラス基板表面
1aをpHが5未満である液体に浸漬する金属電極付き
ガラス基板の製造方法。
体層によって線状銀電極を被覆してもプラズマディスプ
レイパネルの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付き
ガラス基板の製造方法の提供。 【解決手段】アルカリ金属酸化物を1モル%以上含有す
るガラス基板1上に金属電極2を形成し、B2O3を含有
する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で50%以上含
有する無機物粉末層を金属電極2の一部2bを被覆する
ように形成し、焼成して誘電体層3とし、誘電体層3に
よって被覆されていない金属電極2間のガラス基板表面
1aをpHが5未満である液体に浸漬する金属電極付き
ガラス基板の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)の前面基板等に使用される、銀電
極等の金属電極付きガラス基板の製造方法に関する。
レイパネル(PDP)の前面基板等に使用される、銀電
極等の金属電極付きガラス基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】PDPの前面板(表示面)に使用される
ガラス基板の表面には通常、ITO(スズがドープされ
た酸化インジウム)等の透明電極が線状に多数形成さ
れ、それらの上に線状銀電極が形成される。該線状銀電
極は、低融点ガラス粉末を主成分として含有する無機物
粉末層を焼成して得られる誘電体層によって被覆され
る。該被覆は線状銀電極間の電気絶縁のために、また、
PDPのプラズマ放電を安定化させるために行われるも
のであるが、線状銀電極の配線部分については前記被覆
は行われず、線状銀電極が露出している。
ガラス基板の表面には通常、ITO(スズがドープされ
た酸化インジウム)等の透明電極が線状に多数形成さ
れ、それらの上に線状銀電極が形成される。該線状銀電
極は、低融点ガラス粉末を主成分として含有する無機物
粉末層を焼成して得られる誘電体層によって被覆され
る。該被覆は線状銀電極間の電気絶縁のために、また、
PDPのプラズマ放電を安定化させるために行われるも
のであるが、線状銀電極の配線部分については前記被覆
は行われず、線状銀電極が露出している。
【0003】前記低融点ガラスとして、従来、PbO−
B2O3−SiO2系、PbO−B2O 3−ZnO系、Bi2
O3−B2O3系等のB2O3含有低融点ガラスが使用され
ており、そのB2O3含有量は40モル%未満であった。
これは、理由は不明であるが、B2O3含有量が約40モ
ル%以上である低融点ガラスを使用すると前記誘電体層
による線状銀電極間の電気絶縁性が低下することがあ
り、その結果、PDPの信頼性が低下するおそれがあっ
たからである。
B2O3−SiO2系、PbO−B2O 3−ZnO系、Bi2
O3−B2O3系等のB2O3含有低融点ガラスが使用され
ており、そのB2O3含有量は40モル%未満であった。
これは、理由は不明であるが、B2O3含有量が約40モ
ル%以上である低融点ガラスを使用すると前記誘電体層
による線状銀電極間の電気絶縁性が低下することがあ
り、その結果、PDPの信頼性が低下するおそれがあっ
たからである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】近年PDPの消費電力
を少なくするために、前記誘電体層の比誘電率εを低下
させることが望まれており、該誘電体層の主成分である
低融点ガラスについては、そのεを11以下とすること
が望まれている。なお、B2O3含有量が40モル%未満
である従来のB2O3含有低融点ガラスのεは典型的には
12〜15である。
を少なくするために、前記誘電体層の比誘電率εを低下
させることが望まれており、該誘電体層の主成分である
低融点ガラスについては、そのεを11以下とすること
が望まれている。なお、B2O3含有量が40モル%未満
である従来のB2O3含有低融点ガラスのεは典型的には
12〜15である。
【0005】B2O3含有低融点ガラスのεを低下させる
ためにはB2O3含有量の増大が有効であることが知られ
ているが、一方、B2O3含有量を約40モル%以上にす
ると前述のようにPDPの信頼性が低下するおそれがあ
った。
ためにはB2O3含有量の増大が有効であることが知られ
ているが、一方、B2O3含有量を約40モル%以上にす
ると前述のようにPDPの信頼性が低下するおそれがあ
った。
【0006】本発明は、B2O3を含有する低融点ガラ
ス、特に、B2O3含有量が40モル%以上である低融点
ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆し
ても、PDPの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付
きガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
ス、特に、B2O3含有量が40モル%以上である低融点
ガラスを含有する誘電体層によって線状銀電極を被覆し
ても、PDPの信頼性低下のおそれが小さい金属電極付
きガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、アルカリ金属
酸化物を1モル%以上含有するガラス基板上に2以上の
金属電極を形成し、B2O3を含有する低融点ガラス粉末
を質量百分率表示で50%以上含有する無機物粉末層を
前記2以上の金属電極の各一部を被覆するように形成
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、該誘電体
層によって被覆されていない前記2以上の金属電極間の
ガラス基板表面をpHが5未満である液体に浸漬するこ
とを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方法を提
供する(第1発明)。
酸化物を1モル%以上含有するガラス基板上に2以上の
金属電極を形成し、B2O3を含有する低融点ガラス粉末
を質量百分率表示で50%以上含有する無機物粉末層を
前記2以上の金属電極の各一部を被覆するように形成
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、該誘電体
層によって被覆されていない前記2以上の金属電極間の
ガラス基板表面をpHが5未満である液体に浸漬するこ
とを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方法を提
供する(第1発明)。
【0008】また、アルカリ金属酸化物を1モル%以上
含有するガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B
2O3を含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で5
0%以上含有する無機物粉末層を前記2以上の金属電極
の各一部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼
成して誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されてい
ない前記2以上の金属電極間のガラス基板表面を、pH
が4.5〜7.5であり、温度が40℃以上である液体
に浸漬することを特徴とする金属電極付きガラス基板の
製造方法を提供する(第2発明)。
含有するガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B
2O3を含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で5
0%以上含有する無機物粉末層を前記2以上の金属電極
の各一部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼
成して誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されてい
ない前記2以上の金属電極間のガラス基板表面を、pH
が4.5〜7.5であり、温度が40℃以上である液体
に浸漬することを特徴とする金属電極付きガラス基板の
製造方法を提供する(第2発明)。
【0009】また、アルカリ金属酸化物を1モル%以上
含有するガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B
2O3を含有する低融点ガラスの粉末を質量百分率表示で
50%以上含有する無機物粉末層を、前記2以上の金属
電極の各一部を被覆するように形成し、前記無機物粉末
層で被覆されていない前記2以上の金属電極の前記2以
上の金属電極間のガラス基板表面を耐熱材で被覆後、前
記無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、次に前記耐熱
材を除去する金属電極付きガラス基板の製造方法であっ
て、前記耐熱材の融点またはガラス転移点が前記焼成す
る温度より10℃以上高いことを特徴とする金属電極付
きガラス基板の製造方法を提供する(第3発明)。
含有するガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B
2O3を含有する低融点ガラスの粉末を質量百分率表示で
50%以上含有する無機物粉末層を、前記2以上の金属
電極の各一部を被覆するように形成し、前記無機物粉末
層で被覆されていない前記2以上の金属電極の前記2以
上の金属電極間のガラス基板表面を耐熱材で被覆後、前
記無機物粉末層を焼成して誘電体層とし、次に前記耐熱
材を除去する金属電極付きガラス基板の製造方法であっ
て、前記耐熱材の融点またはガラス転移点が前記焼成す
る温度より10℃以上高いことを特徴とする金属電極付
きガラス基板の製造方法を提供する(第3発明)。
【0010】本発明者は、B2O3を約40モル%以上含
有する低融点ガラスの粉末を用いて線状銀電極を被覆し
た場合に起るとされている前記線状銀電極間の電気絶縁
性低下が、次のようなメカニズムにより生じると考え、
本発明に至った。 (1)B2O3を40モル%以上含有する低融点ガラス粉
末を主成分とする無機物粉末層を焼成して線状銀電極を
被覆する際に、低融点ガラスからホウ酸が揮散する。 (2)該揮散したホウ酸は線状銀電極間のガラス基板表
面に付着する。
有する低融点ガラスの粉末を用いて線状銀電極を被覆し
た場合に起るとされている前記線状銀電極間の電気絶縁
性低下が、次のようなメカニズムにより生じると考え、
本発明に至った。 (1)B2O3を40モル%以上含有する低融点ガラス粉
末を主成分とする無機物粉末層を焼成して線状銀電極を
被覆する際に、低融点ガラスからホウ酸が揮散する。 (2)該揮散したホウ酸は線状銀電極間のガラス基板表
面に付着する。
【0011】(3)一方、ガラス基板中のアルカリ金属
は空気中に存在する水分の影響でガラス基板から溶出
し、前記付着したホウ酸と反応してアルカリ金属ホウ酸
塩を生成する。 (4)隣合う線状銀電極間に直流電圧を印加すると、前
記アルカリ金属ホウ酸塩中に線状銀電極から銀が溶出し
枝状の銀溶出体(以下銀樹という。)が生成する。 (5)隣合う線状銀電極から生成した銀樹が接触するこ
とにより該隣合う線状銀電極間の電気絶縁性が低下す
る。
は空気中に存在する水分の影響でガラス基板から溶出
し、前記付着したホウ酸と反応してアルカリ金属ホウ酸
塩を生成する。 (4)隣合う線状銀電極間に直流電圧を印加すると、前
記アルカリ金属ホウ酸塩中に線状銀電極から銀が溶出し
枝状の銀溶出体(以下銀樹という。)が生成する。 (5)隣合う線状銀電極から生成した銀樹が接触するこ
とにより該隣合う線状銀電極間の電気絶縁性が低下す
る。
【0012】次に、上記メカニズムを想到するに至った
経緯を説明する。表1のB2O3からK2Oまでの欄にモ
ル%表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、
該混合された原料を白金ルツボに入れて1200℃で6
0分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを
流し出し、冷却後アルミナ製ボールミルを用いて粉砕し
ガラス粉末とした(例A〜G)。
経緯を説明する。表1のB2O3からK2Oまでの欄にモ
ル%表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、
該混合された原料を白金ルツボに入れて1200℃で6
0分間溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを
流し出し、冷却後アルミナ製ボールミルを用いて粉砕し
ガラス粉末とした(例A〜G)。
【0013】例A〜Gのガラス粉末の軟化点(単位:
℃)およびホウ酸揮散量(単位:μg/cm3)を以下
のようにして測定した。結果を表1に示す。軟化点:昇
温速度10℃/分の条件で示差熱分析(DTA)を行っ
て測定した。
℃)およびホウ酸揮散量(単位:μg/cm3)を以下
のようにして測定した。結果を表1に示す。軟化点:昇
温速度10℃/分の条件で示差熱分析(DTA)を行っ
て測定した。
【0014】ホウ酸揮散量:ガラス粉末を、直径12m
m、高さ5mmの円柱状に成形し、これを内径30m
m、高さ8mmのアルミナ製円筒状容器内に入れた。次
に、該容器上部をアルミナ板で塞いで容器内部を密閉状
態として、表1の焼成温度の欄に示す温度(単位:℃)
に30分間保持して焼成した。冷却後、前記アルミナ板
の容器内部側の面に付着したホウ酸の質量を誘導結合プ
ラズマ(ICP)発光分光法によって測定した。結果
は、前記焼成によって得られたガラスの質量と、アルキ
メデス法によって別に測定したガラスの密度とから求め
た前記ガラスの体積によって前記付着したホウ酸のB2
O3換算質量を除したもので表示する。
m、高さ5mmの円柱状に成形し、これを内径30m
m、高さ8mmのアルミナ製円筒状容器内に入れた。次
に、該容器上部をアルミナ板で塞いで容器内部を密閉状
態として、表1の焼成温度の欄に示す温度(単位:℃)
に30分間保持して焼成した。冷却後、前記アルミナ板
の容器内部側の面に付着したホウ酸の質量を誘導結合プ
ラズマ(ICP)発光分光法によって測定した。結果
は、前記焼成によって得られたガラスの質量と、アルキ
メデス法によって別に測定したガラスの密度とから求め
た前記ガラスの体積によって前記付着したホウ酸のB2
O3換算質量を除したもので表示する。
【0015】次に、各ガラス粉末100gを、α−テル
ピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で15
%溶解させたビヒクル25gと混練しガラスペーストと
した。得られたガラスペーストを、図2に示すような銀
電極付きガラス基板に塗布し、120℃で10分間乾燥
後、前記焼成温度の欄に示す温度に30分間保持して焼
成した。この焼成によって得られた焼成体(誘電体層)
の厚さは22〜25μmであった。
ピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で15
%溶解させたビヒクル25gと混練しガラスペーストと
した。得られたガラスペーストを、図2に示すような銀
電極付きガラス基板に塗布し、120℃で10分間乾燥
後、前記焼成温度の欄に示す温度に30分間保持して焼
成した。この焼成によって得られた焼成体(誘電体層)
の厚さは22〜25μmであった。
【0016】図2において、1はガラス基板、2は銀電
極であり、図2の点線で示す部分にガラスペーストを塗
布した。ガラス基板1は、厚さが2.8mm、大きさが
4cm×4cmであるガラス板である。そのモル%表示
の組成は、SiO2 66.5%、Al2O3 4.7
%、Na2O 4.8%、K2O 4.4%、MgO
3.4%、CaO 6.2%、SrO 4.7%、Ba
O 3.6%、ZrO2 1.7%、であり、また、ガ
ラス転移点TGは626℃、50〜350℃における平
均線膨張係数αは83×10-7/℃である。
極であり、図2の点線で示す部分にガラスペーストを塗
布した。ガラス基板1は、厚さが2.8mm、大きさが
4cm×4cmであるガラス板である。そのモル%表示
の組成は、SiO2 66.5%、Al2O3 4.7
%、Na2O 4.8%、K2O 4.4%、MgO
3.4%、CaO 6.2%、SrO 4.7%、Ba
O 3.6%、ZrO2 1.7%、であり、また、ガ
ラス転移点TGは626℃、50〜350℃における平
均線膨張係数αは83×10-7/℃である。
【0017】銀電極2は、厚さが5μm、幅が0.5m
mの線状電極からなる櫛形状のもの2個が対向するよう
に形成されている。隣合う線状電極の中心線間距離は2
mmである。また、図2の点線で示す部分の大きさは1
cm×3cmである。
mの線状電極からなる櫛形状のもの2個が対向するよう
に形成されている。隣合う線状電極の中心線間距離は2
mmである。また、図2の点線で示す部分の大きさは1
cm×3cmである。
【0018】次に、焼成された各ガラス基板を、対向す
る櫛形状電極間に140Vの直流電圧を印加した状態
で、温度が85℃、湿度が80%に保持された恒温恒湿
槽内に2時間置いた後、取り出した。前記取り出したガ
ラス基板の誘電体層には、各線状電極から隣合う線状電
極に向って伸びる枝状のものが多数認められた。該枝状
のものを前記銀樹と考え、その長さ(単位:mm)を測
定した。結果を表1の銀樹の欄に示す。
る櫛形状電極間に140Vの直流電圧を印加した状態
で、温度が85℃、湿度が80%に保持された恒温恒湿
槽内に2時間置いた後、取り出した。前記取り出したガ
ラス基板の誘電体層には、各線状電極から隣合う線状電
極に向って伸びる枝状のものが多数認められた。該枝状
のものを前記銀樹と考え、その長さ(単位:mm)を測
定した。結果を表1の銀樹の欄に示す。
【0019】
【表1】
【0020】以上のことから、次のように考えた。
(a)ホウ酸揮散量が6μg/cm3以下であれば銀樹
の長さが0.1mm未満であり前記線状銀電極間の絶縁
性低下は起りにくい。 (b)例G、HのB2O3含有量とホウ酸揮散量のデータ
を用いてホウ酸揮散量が6μg/cm3となるB2O3含
有量を求めると39モル%であった。すなわち、ガラス
粉末のB2O3含有量が39モル%以下であれば前記線状
銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。逆に、該B2O3含
有量が40モル%以上では前記線状銀電極間の絶縁性低
下が起るおそれがある。これは、B2O3含有量が40モ
ル%未満である低融点ガラスを使用すると誘電体層によ
る線状銀電極間の電気絶縁性低下が起りにくい、という
従来の経験に基づく知見を裏付けるものである。
の長さが0.1mm未満であり前記線状銀電極間の絶縁
性低下は起りにくい。 (b)例G、HのB2O3含有量とホウ酸揮散量のデータ
を用いてホウ酸揮散量が6μg/cm3となるB2O3含
有量を求めると39モル%であった。すなわち、ガラス
粉末のB2O3含有量が39モル%以下であれば前記線状
銀電極間の絶縁性低下は起りにくい。逆に、該B2O3含
有量が40モル%以上では前記線状銀電極間の絶縁性低
下が起るおそれがある。これは、B2O3含有量が40モ
ル%未満である低融点ガラスを使用すると誘電体層によ
る線状銀電極間の電気絶縁性低下が起りにくい、という
従来の経験に基づく知見を裏付けるものである。
【0021】
【発明の実施の形態】本発明でいう低融点ガラス粉末と
は軟化点が650℃以下であるガラスの粉末である。そ
の軟化点は、典型的には620℃以下である。PDPの
前面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に本
発明を適用する場合について以下に説明する。なお、本
発明はこれに限定されない。
は軟化点が650℃以下であるガラスの粉末である。そ
の軟化点は、典型的には620℃以下である。PDPの
前面板に使用される金属電極付きガラス基板の製造に本
発明を適用する場合について以下に説明する。なお、本
発明はこれに限定されない。
【0022】図1はPDPの前面板に使用される金属電
極付きガラス基板のコーナー部分の概念図である。1は
ガラス基板、2はガラス基板1に2以上形成されている
線状の金属電極、3は誘電体層である。2aは金属電極
2の、誘電体層3によって被覆されていない部分であ
り、2bは金属電極2の、誘電体層3によって被覆され
ている部分である。なお、図1では、ガラス基板1と金
属電極2の間に通常形成されるITO等の透明電極は省
略されている。
極付きガラス基板のコーナー部分の概念図である。1は
ガラス基板、2はガラス基板1に2以上形成されている
線状の金属電極、3は誘電体層である。2aは金属電極
2の、誘電体層3によって被覆されていない部分であ
り、2bは金属電極2の、誘電体層3によって被覆され
ている部分である。なお、図1では、ガラス基板1と金
属電極2の間に通常形成されるITO等の透明電極は省
略されている。
【0023】ガラス基板1はアルカリ金属酸化物(以下
R2Oという)を1モル%以上含有するガラスからな
り、通常、TGは550〜620℃、αは80×10-7
〜90×10-7/℃、厚さは1〜3mmである。前記ガ
ラスとして、通常、SiO2系ガラス、たとえばソーダ
ライムシリカガラス等のSiO2−Al2O3−R2O−
R’O系ガラス(R’Oはアルカリ土類金属酸化物)が
用いられる。
R2Oという)を1モル%以上含有するガラスからな
り、通常、TGは550〜620℃、αは80×10-7
〜90×10-7/℃、厚さは1〜3mmである。前記ガ
ラスとして、通常、SiO2系ガラス、たとえばソーダ
ライムシリカガラス等のSiO2−Al2O3−R2O−
R’O系ガラス(R’Oはアルカリ土類金属酸化物)が
用いられる。
【0024】ガラス基板1上には、まずITO等の透明
電極が、たとえば次のようにして形成される。すなわ
ち、スパッタリング法、真空蒸着法等によってガラス基
板1の表面全面に成膜後、感光性レジストを塗布し、マ
スクを通して露光し、現像してレジストパターンを形成
する。次に、レジストのない部分をエッチングして線状
にパターニング後レジストを除去して線状の透明電極が
ガラス基板1上に形成される。典型的には、該線状透明
電極の厚さは0.1〜0.3μm、幅は100〜400
μm、隣合う線状の透明電極の中心線間距離は50〜2
00μmである。
電極が、たとえば次のようにして形成される。すなわ
ち、スパッタリング法、真空蒸着法等によってガラス基
板1の表面全面に成膜後、感光性レジストを塗布し、マ
スクを通して露光し、現像してレジストパターンを形成
する。次に、レジストのない部分をエッチングして線状
にパターニング後レジストを除去して線状の透明電極が
ガラス基板1上に形成される。典型的には、該線状透明
電極の厚さは0.1〜0.3μm、幅は100〜400
μm、隣合う線状の透明電極の中心線間距離は50〜2
00μmである。
【0025】ガラス基板1の上に形成された前記透明電
極の上に、線状の金属電極2が形成される。金属電極2
は通常、金属粉末と感光性樹脂等からなる感光性金属ペ
ーストを印刷し、フォトマスクを介して露光し、現像し
た後、焼成して形成される。典型的には、該線状の金属
電極2の厚さは4〜10μm、幅は50〜150μm、
隣合う線状の金属電極2の中心線間距離間隔は100〜
400μmである。なお、金属電極2の形状は線状に限
定されない。
極の上に、線状の金属電極2が形成される。金属電極2
は通常、金属粉末と感光性樹脂等からなる感光性金属ペ
ーストを印刷し、フォトマスクを介して露光し、現像し
た後、焼成して形成される。典型的には、該線状の金属
電極2の厚さは4〜10μm、幅は50〜150μm、
隣合う線状の金属電極2の中心線間距離間隔は100〜
400μmである。なお、金属電極2の形状は線状に限
定されない。
【0026】金属電極2は、金、銀、銅、アルミニウム
等の金属またはこれらの合金からなる。通常は、金属電
極付きガラス基板またはPDPの製造に際して行われる
各種焼成または熱処理において安定であり、また導電性
が高く比較的安価である銀が好んで使用される。金属電
極2は、質量百分率表示で50%以上の銀を含有するこ
とが好ましく、典型的には銀のみからなる。
等の金属またはこれらの合金からなる。通常は、金属電
極付きガラス基板またはPDPの製造に際して行われる
各種焼成または熱処理において安定であり、また導電性
が高く比較的安価である銀が好んで使用される。金属電
極2は、質量百分率表示で50%以上の銀を含有するこ
とが好ましく、典型的には銀のみからなる。
【0027】次に、金属電極2の各一部2bの上に、そ
れらを被覆するように、B2O3を含有する低融点ガラス
粉末を質量百分率表示で50%以上含有する無機物粉末
層を形成する。前記2b以外の金属電極2の各部分は配
線のために露出されるべき部分、すなわち誘電体層3に
よって被覆されない部分2aである。前記部分2aの長
さは典型的には2〜3cmである。
れらを被覆するように、B2O3を含有する低融点ガラス
粉末を質量百分率表示で50%以上含有する無機物粉末
層を形成する。前記2b以外の金属電極2の各部分は配
線のために露出されるべき部分、すなわち誘電体層3に
よって被覆されない部分2aである。前記部分2aの長
さは典型的には2〜3cmである。
【0028】前記低融点ガラス粉末の軟化点をガラス基
板のTGから減じた値は30℃以下であることが好まし
い。該軟化点は典型的には520〜620℃である。低
融点ガラス粉末のαからガラス基板のαを減じた値は−
15×10-7〜+5×10-7/℃であることが好まし
い。
板のTGから減じた値は30℃以下であることが好まし
い。該軟化点は典型的には520〜620℃である。低
融点ガラス粉末のαからガラス基板のαを減じた値は−
15×10-7〜+5×10-7/℃であることが好まし
い。
【0029】低融点ガラス粉末のεは、PDPの消費電
力を低減させるために11以下であることが好ましく、
より好ましくは10以下、特に好ましくは9以下であ
る。低融点ガラス粉末は、後述する焼成時等において金
属電極、透明電極等と反応しないものであることが好ま
しい。
力を低減させるために11以下であることが好ましく、
より好ましくは10以下、特に好ましくは9以下であ
る。低融点ガラス粉末は、後述する焼成時等において金
属電極、透明電極等と反応しないものであることが好ま
しい。
【0030】低融点ガラス粉末のB2O3含有量は好まし
くは40モル%以上である。40モル%未満では、εが
大きくなるおそれがある。より好ましくは45モル%以
上である。また、B2O3含有量は好ましくは70モル%
以下である。70モル%超では耐水性が低下するおそれ
がある。より好ましくは60モル%以下である。
くは40モル%以上である。40モル%未満では、εが
大きくなるおそれがある。より好ましくは45モル%以
上である。また、B2O3含有量は好ましくは70モル%
以下である。70モル%超では耐水性が低下するおそれ
がある。より好ましくは60モル%以下である。
【0031】好ましい低融点ガラス粉末として、モル%
表示で本質的に、 B2O3 40〜70%、 SiO2 0〜60%、 PbO 0〜50%、 Bi2O3 0〜25%、 Al2O3 0〜20%、 MgO+CaO+SrO+BaO 0〜30%、 ZnO 0〜30%、 Li2O+Na2O+K2O 0〜30%、 からなるものが挙げられる。該好ましい低融点ガラス粉
末は本質的にこれら成分からなるが、目的を損なわない
範囲で他の成分を含有してもよい。
表示で本質的に、 B2O3 40〜70%、 SiO2 0〜60%、 PbO 0〜50%、 Bi2O3 0〜25%、 Al2O3 0〜20%、 MgO+CaO+SrO+BaO 0〜30%、 ZnO 0〜30%、 Li2O+Na2O+K2O 0〜30%、 からなるものが挙げられる。該好ましい低融点ガラス粉
末は本質的にこれら成分からなるが、目的を損なわない
範囲で他の成分を含有してもよい。
【0032】前記無機物粉末層は、前記B2O3を含有す
る低融点ガラス粉末を必須成分として含有し、該低融点
ガラス粉末の含有量は質量百分率表示で50%以上であ
る。無機物粉末層は前記低融点ガラス粉末以外の成分を
本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。本発
明をPDPの背面板に使用される金属電極付きガラス基
板の製造に適用する場合には、そのような成分として白
色耐熱顔料、黒色耐熱顔料、セラミックスフィラー等が
例示される。また、後述するガラスペースト、グリーン
シート等にする場合は樹脂、溶剤等が添加され混合され
る。
る低融点ガラス粉末を必須成分として含有し、該低融点
ガラス粉末の含有量は質量百分率表示で50%以上であ
る。無機物粉末層は前記低融点ガラス粉末以外の成分を
本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。本発
明をPDPの背面板に使用される金属電極付きガラス基
板の製造に適用する場合には、そのような成分として白
色耐熱顔料、黒色耐熱顔料、セラミックスフィラー等が
例示される。また、後述するガラスペースト、グリーン
シート等にする場合は樹脂、溶剤等が添加され混合され
る。
【0033】金属電極2の各一部2bの上に、それらを
被覆するように無機物粉末層を形成する方法としては、
ガラスペーストとして塗布する方法、グリーンシートと
して貼り付ける方法等が挙げられる。
被覆するように無機物粉末層を形成する方法としては、
ガラスペーストとして塗布する方法、グリーンシートと
して貼り付ける方法等が挙げられる。
【0034】ガラスペーストとして塗布する方法とはた
とえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラス
粉末をエチルセルロース等の樹脂、および、α−テルピ
ネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤と混
練してガラスペーストとし、スクリーン印刷、ブレード
コート等により塗布する。ガラスペーストの質量百分率
表示組成は、典型的には、低融点ガラス粉末 60〜8
0%、樹脂 1〜10%、溶剤 10〜30%、であ
る。
とえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラス
粉末をエチルセルロース等の樹脂、および、α−テルピ
ネオール、ブチルカルビトールアセテート等の溶剤と混
練してガラスペーストとし、スクリーン印刷、ブレード
コート等により塗布する。ガラスペーストの質量百分率
表示組成は、典型的には、低融点ガラス粉末 60〜8
0%、樹脂 1〜10%、溶剤 10〜30%、であ
る。
【0035】グリーンシートとして貼り付ける方法とは
たとえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラ
ス粉末をアクリル等の樹脂、ジブチルフタレート、ジメ
チルフタレート等の可塑剤およびトルエン、プロピレン
グリコールモノブチルエーテル等の溶剤と混合してスラ
リーを形成し、該スラリーをポリエチレンテレフタレー
ト(PET)等の支持フィルムにダイコート等の方法で
塗布し、乾燥して溶剤を除去した後、前記支持フィルム
を剥がしてグリーンシートとされ、金属電極を形成した
基板上に貼り付けられる。
たとえば次のようなものである。すなわち、低融点ガラ
ス粉末をアクリル等の樹脂、ジブチルフタレート、ジメ
チルフタレート等の可塑剤およびトルエン、プロピレン
グリコールモノブチルエーテル等の溶剤と混合してスラ
リーを形成し、該スラリーをポリエチレンテレフタレー
ト(PET)等の支持フィルムにダイコート等の方法で
塗布し、乾燥して溶剤を除去した後、前記支持フィルム
を剥がしてグリーンシートとされ、金属電極を形成した
基板上に貼り付けられる。
【0036】グリーンシートの質量百分率表示組成は、
典型的には、低融点ガラス粉末 60〜80%、樹脂
19〜39%、可塑剤 1〜4%、であり、前記支持フ
ィルムとしては通常は離型剤などで表面処理されたもの
が用いられる。
典型的には、低融点ガラス粉末 60〜80%、樹脂
19〜39%、可塑剤 1〜4%、であり、前記支持フ
ィルムとしては通常は離型剤などで表面処理されたもの
が用いられる。
【0037】第1発明および第2発明においては、次
に、前記無機物粉末層の焼成が行われるが、第3発明に
おいては該焼成を行う前に、金属電極2の誘電体層3に
よって被覆されない部分2a間のガラス基板1の表面1
aは耐熱材で被覆される。このとき通常は前記部分2a
も前記耐熱材によって被覆される。なお、1bは前記部
分2a間以外のガラス基板1の表面である。まず、第3
発明について説明する。
に、前記無機物粉末層の焼成が行われるが、第3発明に
おいては該焼成を行う前に、金属電極2の誘電体層3に
よって被覆されない部分2a間のガラス基板1の表面1
aは耐熱材で被覆される。このとき通常は前記部分2a
も前記耐熱材によって被覆される。なお、1bは前記部
分2a間以外のガラス基板1の表面である。まず、第3
発明について説明する。
【0038】前記耐熱材は、融点またはTGが後述する
焼成を行う温度より10℃以上高く、かつ、ガラス基板
1、金属電極2等と該焼成時等において反応しないもの
であればよく、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセ
ラミックスでこれら条件を満たすものであればよい。そ
の形状は前記被覆に適するものであれば限定されず、た
とえば板状のものが挙げられる。
焼成を行う温度より10℃以上高く、かつ、ガラス基板
1、金属電極2等と該焼成時等において反応しないもの
であればよく、石英ガラス等のガラス、アルミナ等のセ
ラミックスでこれら条件を満たすものであればよい。そ
の形状は前記被覆に適するものであれば限定されず、た
とえば板状のものが挙げられる。
【0039】次に、一部が無機物粉末層によって、一部
が耐熱材によって被覆された前記ガラス基板1を加熱
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層3とする。該焼
成を行う温度はガラス基板1のTGより低い温度とさ
れ、典型的には540〜620℃であり、その温度に保
持される時間は典型的には30〜60分間である。ま
た、誘電体層3の厚さは典型的には20〜25μmであ
る。焼成後冷却され前記耐熱材は除去される。
が耐熱材によって被覆された前記ガラス基板1を加熱
し、該無機物粉末層を焼成して誘電体層3とする。該焼
成を行う温度はガラス基板1のTGより低い温度とさ
れ、典型的には540〜620℃であり、その温度に保
持される時間は典型的には30〜60分間である。ま
た、誘電体層3の厚さは典型的には20〜25μmであ
る。焼成後冷却され前記耐熱材は除去される。
【0040】次に、第1発明および第2発明について説
明する。一部が無機物粉末層によって被覆されたガラス
基板1を、前記第3発明におけると同様にして加熱する
焼成を行って、無機物粉末層を誘電体層3とする。該焼
成により、先に述べたように、金属電極2の誘電体層3
によって被覆されない部分2a間の、ガラス基板1の表
面1aにホウ酸が付着しているおそれがある。
明する。一部が無機物粉末層によって被覆されたガラス
基板1を、前記第3発明におけると同様にして加熱する
焼成を行って、無機物粉末層を誘電体層3とする。該焼
成により、先に述べたように、金属電極2の誘電体層3
によって被覆されない部分2a間の、ガラス基板1の表
面1aにホウ酸が付着しているおそれがある。
【0041】前記表面1aにホウ酸が付着していると先
に述べたように金属電極2間の電気絶縁性が低下するお
それがあるので、このホウ酸の除去を目的として次のよ
うなホウ酸除去処理を行う。
に述べたように金属電極2間の電気絶縁性が低下するお
それがあるので、このホウ酸の除去を目的として次のよ
うなホウ酸除去処理を行う。
【0042】第1発明においては、pHが5未満である
液体に、少なくとも前記表面1aを浸漬する。このよう
な液体として、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体等
が例示される。該液体のpHは1以上であることが好ま
しい。なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基
板1がSiO2系ガラスからなる場合等にガラス基板1
を侵食するおそれがあるので好ましくない。
液体に、少なくとも前記表面1aを浸漬する。このよう
な液体として、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体等
が例示される。該液体のpHは1以上であることが好ま
しい。なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基
板1がSiO2系ガラスからなる場合等にガラス基板1
を侵食するおそれがあるので好ましくない。
【0043】また、前記液体の温度は10〜40℃であ
ることが好ましい。前記浸漬を行う時間は好ましくは1
秒以上であり、典型的には30秒以上5分以下である。
前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸漬した部分を流
水等により洗浄することが好ましい。
ることが好ましい。前記浸漬を行う時間は好ましくは1
秒以上であり、典型的には30秒以上5分以下である。
前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸漬した部分を流
水等により洗浄することが好ましい。
【0044】第2発明においては、pHが4.5〜7.
5であり、温度が40℃以上である液体に、少なくとも
前記表面1aを浸漬する。このような液体として、塩
酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体、水が例示される。
なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基板1が
SiO2系ガラスからなる場合等にガラス基板1を侵食
するおそれがあるので好ましくない。
5であり、温度が40℃以上である液体に、少なくとも
前記表面1aを浸漬する。このような液体として、塩
酸、硝酸、硫酸、酢酸等の酸性液体、水が例示される。
なお、フッ酸等フッ素含有酸性液体は、ガラス基板1が
SiO2系ガラスからなる場合等にガラス基板1を侵食
するおそれがあるので好ましくない。
【0045】前記液体の温度は好ましくは50℃以上、
より好ましくは60℃以上である。前記浸漬を行う時間
は好ましくは1秒以上であり、典型的には30秒以上5
分以下である。前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸
漬した部分を流水等により洗浄することが好ましい。
より好ましくは60℃以上である。前記浸漬を行う時間
は好ましくは1秒以上であり、典型的には30秒以上5
分以下である。前記ホウ酸除去処理を行った後、前記浸
漬した部分を流水等により洗浄することが好ましい。
【0046】以上では、本発明をPDPの前面板に使用
される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合を
例にして説明したが、隔壁、蛍光体等が形成されるPD
P背面板用金属電極付きガラス基板の製造等にも本発明
を適用できる。
される金属電極付きガラス基板の製造に適用する場合を
例にして説明したが、隔壁、蛍光体等が形成されるPD
P背面板用金属電極付きガラス基板の製造等にも本発明
を適用できる。
【0047】
【実施例】表2のB2O3からBaOまでの欄にモル%表
示で示す組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて1200℃で60分間
溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを流し出
し、冷却して塊状のガラスとし、その一部をアルミナ製
ボールミルを用いて粉砕しガラス粉末とした(例1〜
6)。
示で示す組成となるように原料を調合、混合し、該混合
された原料を白金ルツボに入れて1200℃で60分間
溶解し溶融ガラスとした。次にこの溶融ガラスを流し出
し、冷却して塊状のガラスとし、その一部をアルミナ製
ボールミルを用いて粉砕しガラス粉末とした(例1〜
6)。
【0048】ガラス粉末の軟化点(単位:℃)、α(単
位:10-7/℃)、ε、ホウ酸揮散量(単位:μg/c
m3)を測定した。結果を表2に、αおよびεの測定法
を以下に示す。なお、ホウ酸揮散量は580℃に30分
間保持して測定した。 α:塊状のガラスを直径5mm、長さ20mmの棒状に
加工し、示差熱膨張計を用いて測定した。 ε:塊状のガラスを50mm×50mm×3mmの板状
に加工し、LCRメータを用いて、20℃、1MHzに
おける比誘電率を測定した。11以下であることが好ま
しい。
位:10-7/℃)、ε、ホウ酸揮散量(単位:μg/c
m3)を測定した。結果を表2に、αおよびεの測定法
を以下に示す。なお、ホウ酸揮散量は580℃に30分
間保持して測定した。 α:塊状のガラスを直径5mm、長さ20mmの棒状に
加工し、示差熱膨張計を用いて測定した。 ε:塊状のガラスを50mm×50mm×3mmの板状
に加工し、LCRメータを用いて、20℃、1MHzに
おける比誘電率を測定した。11以下であることが好ま
しい。
【0049】次に、先に例A〜Gについてしたと同様
に、各ガラス粉末をガラスペーストとし、図2の点線で
示す部分に塗布し、580℃に30分間保持する焼成を
行って銀電極の当該部分を誘電体層により被覆した。
に、各ガラス粉末をガラスペーストとし、図2の点線で
示す部分に塗布し、580℃に30分間保持する焼成を
行って銀電極の当該部分を誘電体層により被覆した。
【0050】このようにして得られたガラス基板を、例
1についてはpHが1、温度が20℃であり質量百分率
表示の濃度が5%である硝酸に、例2についてはpHが
3、温度が20℃であり質量百分率表示の濃度が5%で
ある酢酸に、例3についてはpHが4、温度が20℃で
あり質量百分率表示の濃度が1%である酢酸に、例4に
ついてはpHが7、温度が70℃である水に、例5につ
いてはpHが7で、温度が70℃である水に、それぞれ
2分間浸漬後取り出し流水で洗浄し、乾燥した。
1についてはpHが1、温度が20℃であり質量百分率
表示の濃度が5%である硝酸に、例2についてはpHが
3、温度が20℃であり質量百分率表示の濃度が5%で
ある酢酸に、例3についてはpHが4、温度が20℃で
あり質量百分率表示の濃度が1%である酢酸に、例4に
ついてはpHが7、温度が70℃である水に、例5につ
いてはpHが7で、温度が70℃である水に、それぞれ
2分間浸漬後取り出し流水で洗浄し、乾燥した。
【0051】例1〜3は第1発明の実施例、例4は第2
発明の実施例、例5は比較例である。また、例6につい
てはこのような液体への浸漬は行わず、比較例である。
次に、例1〜6について、例A〜Gについてしたと同様
に、140Vの直流電圧を印加した状態で、温度が85
℃、湿度が80%に保持された恒温恒湿槽内に2時間置
いた後、取り出し、銀樹の長さ(単位:mm)を測定し
た。銀樹の長さは0.1mm未満であることが好まし
い。
発明の実施例、例5は比較例である。また、例6につい
てはこのような液体への浸漬は行わず、比較例である。
次に、例1〜6について、例A〜Gについてしたと同様
に、140Vの直流電圧を印加した状態で、温度が85
℃、湿度が80%に保持された恒温恒湿槽内に2時間置
いた後、取り出し、銀樹の長さ(単位:mm)を測定し
た。銀樹の長さは0.1mm未満であることが好まし
い。
【0052】
【表2】
【0053】また、例1で使用したガラス粉末を用いて
第3発明を実施した。すなわち、先に例A〜Gについて
したと同様に、ガラス粉末をガラスペーストとし、図2
の点線で示す部分に塗布した。次に、当該点線で示す部
分を除く部分を耐熱材を用いて被覆した。耐熱材として
2種のもの、すなわち、ガラス基板と同じ組成の厚さが
2.8mmのガラス板、および厚さ1mmのアルミナ板
を使用した。
第3発明を実施した。すなわち、先に例A〜Gについて
したと同様に、ガラス粉末をガラスペーストとし、図2
の点線で示す部分に塗布した。次に、当該点線で示す部
分を除く部分を耐熱材を用いて被覆した。耐熱材として
2種のもの、すなわち、ガラス基板と同じ組成の厚さが
2.8mmのガラス板、および厚さ1mmのアルミナ板
を使用した。
【0054】次に、例1と同様にして、焼成し、冷却後
140Vの直流電圧を印加した状態で温度が85℃、湿
度が80%に保持された恒温恒湿槽内に2時間置いた
後、取り出し、銀樹の長さを測定した。耐熱材としてガ
ラス板、アルミナ板いずれを使用しても、銀樹の長さは
0.1mm未満であった。
140Vの直流電圧を印加した状態で温度が85℃、湿
度が80%に保持された恒温恒湿槽内に2時間置いた
後、取り出し、銀樹の長さを測定した。耐熱材としてガ
ラス板、アルミナ板いずれを使用しても、銀樹の長さは
0.1mm未満であった。
【0055】
【発明の効果】本発明によれば、消費電力が小さく、か
つ信頼性の高いPDPを実現できるPDP前面板、PD
P背面板を提供できる。
つ信頼性の高いPDPを実現できるPDP前面板、PD
P背面板を提供できる。
【図1】PDPの前面板に使用される金属電極付きガラ
ス基板のコーナー部分の概念図。
ス基板のコーナー部分の概念図。
【図2】銀樹の長さの測定方法を説明する図。
1:ガラス基板
2:金属電極
3:誘電体層
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H01J 9/02 H01J 9/02 F
11/02 11/02 B
Fターム(参考) 4G059 AA08 AC11 AC12 AC30 CA01
CB09 DA01 DA02 DA04 DA05
DB09 EA03 EB03 EB04 GA02
GA14
4G062 AA09 BB05 CC10 DA01 DA02
DA03 DA04 DA05 DA06 DB01
DB02 DB03 DB04 DC05 DC06
DD01 DE01 DE02 DE03 DE04
DF01 DF02 DF03 DF04 DF05
EA01 EA02 EA03 EA04 EA10
EB01 EB02 EB03 EB04 EC01
EC02 EC03 EC04 ED01 ED02
ED03 ED04 EE01 EE02 EE03
EE04 EF01 EF02 EF03 EF04
EG01 EG02 EG03 EG04 FA01
FA10 FB01 FC01 FD01 FE01
FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01
FL01 GA01 GA02 GA03 GA04
GA10 GB01 GC01 GD01 GE01
HH01 HH03 HH05 HH07 HH09
HH11 HH13 HH15 HH17 HH20
JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10
KK01 KK03 KK05 KK07 KK10
MM06 NN26 PP01 PP11
5C027 AA05 AA06
5C040 GD07 GD09
Claims (7)
- 【請求項1】アルカリ金属酸化物を1モル%以上含有す
るガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B2O3を
含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で50%以
上含有する無機物粉末層を前記2以上の金属電極の各一
部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼成して
誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されていない前
記2以上の金属電極間のガラス基板表面をpHが5未満
である液体に浸漬することを特徴とする金属電極付きガ
ラス基板の製造方法。 - 【請求項2】アルカリ金属酸化物を1モル%以上含有す
るガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B2O3を
含有する低融点ガラス粉末を質量百分率表示で50%以
上含有する無機物粉末層を前記2以上の金属電極の各一
部を被覆するように形成し、該無機物粉末層を焼成して
誘電体層とし、該誘電体層によって被覆されていない前
記2以上の金属電極間のガラス基板表面を、pHが4.
5〜7.5であり、温度が40℃以上である液体に浸漬
することを特徴とする金属電極付きガラス基板の製造方
法。 - 【請求項3】液体に浸漬する時間が1秒以上である請求
項1または2に記載の金属電極付きガラス基板の製造方
法。 - 【請求項4】アルカリ金属酸化物を1モル%以上含有す
るガラス基板上に2以上の金属電極を形成し、B2O3を
含有する低融点ガラスの粉末を質量百分率表示で50%
以上含有する無機物粉末層を、前記2以上の金属電極の
各一部を被覆するように形成し、前記無機物粉末層で被
覆されていない前記2以上の金属電極の前記2以上の金
属電極間のガラス基板表面を耐熱材で被覆後、前記無機
物粉末層を焼成して誘電体層とし、次に前記耐熱材を除
去する金属電極付きガラス基板の製造方法であって、前
記耐熱材の融点またはガラス転移点が前記焼成する温度
より10℃以上高いことを特徴とする金属電極付きガラ
ス基板の製造方法。 - 【請求項5】金属電極が質量百分率表示で50%以上の
銀を含有する請求項1、2、3または4に記載の金属電
極付きガラス基板の製造方法。 - 【請求項6】低融点ガラス粉末がB2O3を40モル%以
上含有する請求項1〜5のいずれかに記載の金属電極付
きガラス基板の製造方法。 - 【請求項7】低融点ガラス粉末がモル%表示で、本質的
に、 B2O3 40〜70%、 SiO2 0〜60%、 PbO 0〜50%、 Bi2O3 0〜25%、 Al2O3 0〜20%、 MgO+CaO+SrO+BaO 0〜30%、 ZnO 0〜30%、 Li2O+Na2O+K2O 0〜30%、 からなる請求項1〜5のいずれかに記載の金属電極付き
ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001181866A JP2003002693A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2001181866A JP2003002693A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003002693A true JP2003002693A (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=19022068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001181866A Pending JP2003002693A (ja) | 2001-06-15 | 2001-06-15 | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003002693A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004053914A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
WO2004053915A1 (en) * | 2002-12-07 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
WO2010041693A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | 旭硝子株式会社 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
-
2001
- 2001-06-15 JP JP2001181866A patent/JP2003002693A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2004053914A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
WO2004053915A1 (en) * | 2002-12-07 | 2004-06-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
US7247987B2 (en) | 2002-12-07 | 2007-07-24 | Lg Micron Ltd. | Rear plate for plasma display panel |
WO2010041693A1 (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-15 | 旭硝子株式会社 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
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