JP2005289804A

JP2005289804A - 電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置

Info

Publication number: JP2005289804A
Application number: JP2005139875A
Authority: JP
Inventors: Satoru Fujimine; 哲藤峰; Yumiko Aoki; 由美子青木; Tsuneo Manabe; 恒夫真鍋
Original assignee: Asahi Glass Co Ltd
Current assignee: AGC Inc
Priority date: 1999-11-19
Filing date: 2005-05-12
Publication date: 2005-10-20
Anticipated expiration: 2020-09-11
Also published as: JP4380589B2

Abstract

【課題】プラズマディスプレイ装置の前面基板の電極被覆ガラス層の透明性を高くできるガラスを得る。
【解決手段】Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質量百分率表示で０．１〜０．９％の範囲にあり、かつ、Ｓｂを含有し、質量百分率表示で、ＣｕＯ＋Ｓｂ₂Ｏ₃が０．２〜１．４％の範囲にある電極被覆用低融点ガラス。実質的に、ＰｂＯ２５〜８５％、Ｂ₂Ｏ₃ １０〜６０％、ＳｉＯ₂ ２〜４０％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜２５％、ＭｇＯ０〜４０％、ＣａＯ０〜４０％、ＳｒＯ０〜４０％、ＢａＯ０〜４０％、ＺｎＯ０〜５５％、ＣｕＯ０．１〜０．９％、Ｓｂ₂Ｏ₃ ０％超１．３％以下、等からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％である前記ガラス。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＩＴＯ（スズがドープされた酸化インジウム）または酸化スズ等の透明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス、およびプラズマディスプレイ装置に関する。

近年、薄型の平板型カラー表示装置が注目を集めている。このような表示装置においては、画像を形成する画素における表示状態を制御するために各画素に電極を形成しなければならない。画像の質の低下を防ぐために、前記電極として透明電極が用いられている。透明電極としては、ガラス基板上に形成されたＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられている。ここでいう酸化スズは、フッ素、アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む。

前記表示装置の表示面として使用されるガラス基板の表面に形成される透明電極は、精細な画像を実現するために細い線状に加工される。そして各画素を独自に制御するためには、このような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保する必要がある。ところが、ガラス基板の表面に水分が存在する場合やガラス基板中にアルカリ成分が存在する場合、このガラス基板の表面を介して若干の電流が流れることがある。このような電流を防止するには、透明電極間に絶縁層を形成することが有効である。また、透明電極間に形成される絶縁層による画像の質の低下を防ぐためには、この絶縁層は透明であることが好ましい。

このような絶縁層を形成する絶縁材料としては種々のものが知られているが、なかでも、透明であり信頼性の高い絶縁材料であるガラス材料が広く用いられている。
最近大型平面カラーディスプレイ装置として期待されているプラズマディスプレイ装置（以下ＰＤＰという。）においては、典型的には、表示面として使用される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成されており、該セル中でプラズマ放電を発生させることにより画像が形成される。前記前面基板の表面には透明電極が形成されており、この透明電極をプラズマから保護するために、プラズマ耐久性に優れたガラスにより前記透明電極の被覆することが必須である。

このような電極被覆に用いられるガラスは、通常はガラス粉末にして使用される。すなわち、前記ガラス粉末に必要に応じてフィラー等を添加後ペースト化し、このようにして得られたガラスペーストを、透明電極が形成されているガラス基板に塗布、焼成することによって前記透明電極を被覆する。

このような電極被覆用ガラスには、電気絶縁性の他に、軟化点がたとえば６５０℃以下であること、線膨張係数がたとえば８０×１０^-7／℃程度であること、焼成して得られる電極被覆ガラス層の透明性が高いこと、等が求められており、種々のガラスが従来より提案されている。たとえば、特許文献１には、質量百分率表示で、ＰｂＯ＋Ｂｉ₂Ｏ₃：５２〜６８％、Ｂ₂Ｏ₃：１４〜２８％、ＳｉＯ₂：０〜５％、ＺｎＯ：６〜２３％、Ａｌ₂Ｏ₃：０〜８％、ＣｅＯ₂：０〜５％、ＳｎＯ₂：０〜５％、から実質的になる非結晶性ガラスが開示されている。

特開平１１−１８０７２６号公報

しかし、ＰＤＰにおいては近年一層の画質向上が求められており、これに伴ない前記電極被覆ガラス層の透明性を一層高くすることが求められている。
本発明は、この課題を解決するための電極被覆用低融点ガラスおよびプラズマディスプレイ装置、を提供することを目的とする。

本発明は、Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質量百分率表示で０．１〜０．９％の範囲にあり、かつ、Ｓｂを含有し、質量百分率表示で、ＣｕのＣｕＯ換算含有量およびＳｂのＳｂ₂Ｏ₃換算含有量の合計が０．２〜１．４％の範囲にある電極被覆用低融点ガラス、を提供する。

また、本発明は、前面基板を有するプラズマディスプレイ装置であって、該前面基板を構成するガラス基板上の透明電極が前記電極被覆用低融点ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装置、を提供する。

本発明者は、ＰＤＰにおける前記電極被覆ガラス層の透明性低下の原因の一つが、以下に述べる炭素含有不純物の前記電極被覆ガラス層への残留であると推定し、本発明に至った。
電極被覆用低融点ガラスは、通常は粉末状にして使用される。電極被覆用低融点ガラス粉末は、印刷性を付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペーストとし、このガラスペーストを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して電極を被覆する。

焼成して得られたこの電極被覆ガラス層は、遷移金属等の着色成分を含有しない場合でも、茶色または黒色に着色することが多い。この現象は、有機ビヒクル等に含まれる炭素含有不純物が前記電極被覆ガラス層に残留し、この炭素含有不純物が電極被覆ガラス層を着色している現象であると考えられる。なお、前記茶色の着色によって典型的には波長４００ｎｍの光の透過率が低下する。
なお、この炭素含有不純物は、ＰＤＰにおいてプラズマが発生しているときに、電極被覆ガラス層に存在する水等と反応して炭酸ガスとして電極被覆ガラス層から放出され、これによりＰＤＰの輝度も低下すると考えられる。

本発明のガラスを用いることにより、ガラス基板上の透明電極を被覆するガラス層の透明性を高くできる。また、前記ガラス層中の炭素含有不純物残存量が減少しＰＤＰにおける輝度低下が起りにくくなる。さらに、ガラス基板上の銀電極を被覆するガラス層の銀発色現象を抑制できる。また、電極を被覆するガラス層の比誘電率を小さくできる。

本発明のＰＤＰにおいては、その前面基板の透過率が高く、画質が優れている。また、輝度低下が起りにくい。さらに、前面基板の銀電極を被覆するガラス層の銀発色現象を抑制でき、この点でも画質が向上する。また、消費電力も低減できる。

本発明の電極被覆用低融点ガラス（以下単に本発明のガラスという。）は、通常は粉末状にして使用される。本発明のガラスの粉末は、印刷性を付与するための有機ビヒクル等を用いてガラスペーストとされ、これを、ガラス基板上に形成された電極上に塗布、焼成して電極を被覆する。ここでいう有機ビヒクルは、エチルセルロース等のバインダをα−テルピネオール等の有機溶剤に溶解したものである。なお、本発明のガラスは、典型的には鉛ガラスまたは鉛ホウ酸塩ガラスである。
ＰＤＰにおいては、本発明のガラスは前面基板の透明電極の被覆に好適に使用される。

前記粉末の平均粒径は０．５μｍ以上であることが好ましい。０．５μｍ未満では、焼成して得られた電極被覆ガラス層中の気泡が多くなり透明性が低下するおそれがあり、また、粉末状にするために要する時間が顕著に増加するおそれがある。より好ましくは０．７μｍ以上である。

また、前記粉末の最大粒径は３５μｍ以下であることが好ましい。ＰＤＰにおける前記電極被覆ガラス層の厚さは通常４０μｍ以下であるが、前記最大粒径が３５μｍ超ではこの電極被覆ガラス層の表面に凹凸が発生しＰＤＰの画像がゆがむおそれがある。前記最大粒径は、より好ましくは２０μｍ以下である。

本発明のガラスの軟化点は４５０〜６５０℃であることが好ましい。理由を以下に述べる。
前記ガラス基板としては、通常、ガラス転移点が５５０〜６２０℃のものが用いられる。この場合、ガラス基板の変形を避けるために、前記ガラスペーストの焼成は６２０℃以下で行われる。焼成を６２０℃以下で行うためには、本発明のガラスの軟化点は６５０℃以下であることが好ましい。また、前記焼成時の早い段階で本発明のガラスが軟化流動して電極を完全に被覆することによって焼成時における電極の電気特性劣化を防止するためにも、軟化点は６５０℃以下であることが好ましい。より好ましくは６４０℃以下、特に好ましくは６３０℃以下である。

一方、ＰＤＰの前面基板において、ＩＴＯまたは酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵抗が高すぎる場合、これら透明電極上にＡｇやＡｌや三層構造のＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の金属層（以下、この金属層を金属電極という。）を形成する場合がある。軟化点が４５０℃未満のガラスによりこれら金属電極を被覆すると、金属電極が侵食されたり、金属電極を介しての透明電極の侵食が促進されたりするおそれがある。特に、焼成が５２０℃以上で行われる場合、軟化点が４５０℃未満のガラスにより金属電極を被覆すると透明電極の侵食が顕著になる。また、この場合、軟化点が４５０℃以上５２０℃未満のガラスにより金属電極を被覆すると、透明電極の侵食はなくなるが、焼成時に電極被覆ガラス層中の気泡が大きくなり電極被覆ガラス層の透過率が減少する。

本発明のガラスの軟化点は５００℃以上であることがより好ましい。さらに好ましくは５２０℃以上、特に好ましくは５５０℃以上、最も好ましくは５８０℃以上である。
また、軟化点が４５０℃以上であれば、焼成時にガラスの軟化流動が始まる前にガラスペースト中の有機ビヒクルは完全に揮発し、有機ビヒクル中の炭素含有不純物の電極被覆ガラス層への大量残存、それに伴なう電極被覆ガラス層の透過率低下、の防止も期待される。実際、有機ビヒクルの構成成分であるバインダとして使用されるエチルセルロースと、軟化点が６００℃であり平均粒径が３μｍであるガラス粉末とを乳鉢中で混合して得られた混合粉末を、毎分１０℃で昇温しその重量減少率と温度の関係を調べたところ、４５０℃で該重量減少率は０となった。

さらに、軟化点が５２０℃以上であれば電極被覆ガラス層を単層構造にできる。これに対し、軟化点が５２０℃未満では前記透明電極侵食現象のために単層構造とすることは困難になり、軟化点が５２０℃未満のガラスを上層、軟化点がたとえば５２０℃以上のより軟化点が高いガラスを下層とする非単層構造にしなければならなくなるおそれがある。ここでいう下層は透明電極と直接接する層である。

前記ガラス基板としては、通常、５０〜３５０℃における平均線膨張係数が８０×１０^-7〜９０×１０^-7／℃のものが用いられる。したがってこのようなガラス基板と膨張特性をマッチングさせ、ガラス基板のそりや強度の低下を防止するためには、本発明のガラスの前記平均線膨張係数は６０×１０^-7〜９０×１０^-7／℃であることが好ましく、７０×１０^-7〜８５×１０^-7／℃であることがより好ましい。なお、５０〜３５０℃における平均線膨張係数を以下では単に膨張係数という。

また、本発明のガラスの室温から４００℃までの範囲における比抵抗、より典型的には室温から３００℃までの範囲における比抵抗は、前記ガラス基板に用いられるガラスの前記温度範囲における比抵抗の０．１倍またはそれ以上であることが好ましい。この条件が満たされないと電気絶縁性が不足するおそれがある。
ガラス基板に用いられるガラスの１５０℃における比抵抗は典型的には１０¹¹Ω・ｃｍ程度である。このことから本発明のガラスの１５０℃における比抵抗は１０¹⁰Ω・ｃｍ以上であることが好ましく、１０¹¹Ω・ｃｍ以上であることがより好ましい。

本発明のガラスの比誘電率は１８以下であることが好ましい。１８超ではＰＤＰのセルの静電容量が大きくなりすぎ、ＰＤＰの消費電力が増大するおそれがある。より好ましくは１２以下、特に好ましくは１０．５以下、最も好ましくは１０以下である。

本発明のガラスは焼成時に結晶化しないことが好ましい。この観点からは、本発明のガラスの結晶化温度Ｔ_cは焼成温度よりも高いことが好ましい。焼成温度より８０℃以上高いことがより好ましい。ここでいう結晶化温度は示差熱分析（ＤＴＡ）によって得られる結晶化ピーク温度であり、結晶化ピークが認められない場合は、Ｔ_c＝∞とする。
前記Ｔ_cは７００℃以上であることが好ましい。７００℃未満では、通常行われる５００〜６２０℃での焼成においてガラスが結晶化し透明性が低下するおそれがある。より好ましくは７５０℃以上である。

本発明のガラスにおいては、Ｃｕを必須成分として含有し、その他にＳｂを含有する。
ＣｕＯ含有量は０．１〜０．９％である。０．１％未満では、電極被覆ガラス層の透過率が低下する。好ましくは０．２％以上、より好ましくは０．３％以上である。０．９％超ではＣｕに起因する着色が濃くなりすぎる。好ましくは０．８％以下、より好ましくは０．７％以下である。

また、Ｓｂ₂Ｏ₃として換算したＳｂ含有量（以下、Ｓｂ₂Ｏ₃含有量という。）およびＣｕＯ含有量の合計は０．２〜１．４％である。０．２％未満では、電極被覆ガラス層の透過率が低下する。好ましくは０．３％以上である。１．４％超では、ＣｕまたはＳｂに起因する着色が濃くなりすぎる。好ましくは１％以下、より好ましくは０．９％以下である。

Ｓｂ₂Ｏ₃含有量は１．２％以下であることが好ましい。１．２％超では電極被覆ガラス層のＳｂに起因する着色が濃くなりすぎるおそれがある。より好ましくは１％以下、特に好ましくは０．９％以下である。Ｓｂ₂Ｏ₃含有量は０．１％以上であることが好ましい。より好ましくは０．２％以上、特に好ましくは０．３％以上である。

本発明のガラスは下記酸化物基準で、実質的に、
ＰｂＯ２５〜８５％、
Ｂ₂Ｏ₃ １０〜６０％、
ＳｉＯ₂ ２〜４０％、
Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜２５％、
Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜３５％、
ＭｇＯ０〜４０％、
ＣａＯ０〜４０％、
ＳｒＯ０〜４０％、
ＢａＯ０〜４０％、
ＺｎＯ０〜５５％、
Ｌｉ₂Ｏ０〜２０％、
Ｎａ₂Ｏ０〜２０％、
Ｋ₂Ｏ０〜２０％、
ＣｕＯ０．１〜０．９％、
Ｓｂ₂Ｏ₃ ０％超１．３％以下、
からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％であることが好ましい。

次に、本発明のガラスの上記好ましい組成について説明する。なお、ＣｕＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃については先に述べたので省略する。
ＰｂＯは軟化点を低下させ、また膨張係数を大きくする効果を有し、必須である。２５％未満では、前記効果が小さすぎる。好ましくは３０％以上である。８５％超では、比誘電率が大きくなりすぎる、または黄色着色が濃くなりすぎる。好ましくは８３．８％以下、より好ましくは７５％以下である。

Ｂ₂Ｏ₃は必須である。ガラスを安定化させるために、または焼成時のガラス流動性を高め電極被覆ガラス層中の残存気泡を減少させて透過率を高くするために、６０％まで含有してもよい。６０％超では、軟化点が高くなりすぎたり、ガラスが分相したりするおそれがある。好ましくは５５％以下である。Ｂ₂Ｏ₃は１０％以上含有し、より好ましくは１１％以上、最も好ましくは２３％以上である。なお、前記残存気泡の大きさは典型的には３０μｍである。

ＳｉＯ₂は必須である。ガラスを安定化させるために、または銀発色現象を抑制するために、４０％まで含有してもよい。ここでいう銀発色現象は、ＰＤＰ前面基板のガラス基板上に形成された銀含有バス電極をガラスで被覆した場合に、該ガラスに銀が拡散しガラスが茶色に着色しＰＤＰの画質が低下する現象である。ＳｉＯ₂は前記銀の拡散を抑制する効果があると考えられる。ＳｉＯ₂含有量が４０％超では、焼成時のガラス流動性が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増加して透過率が低下するおそれがある。ＳｉＯ₂含有量は、より好ましくは３５％以下、さらに好ましくは１５％以下、最も好ましくは１２％以下である。
前記銀発色現象を特に抑制したい場合、ＳｉＯ₂含有量は５％以上であることが好ましい。より好ましくは６．６％以上である。また、この場合、ＰｂＯ含有量は８３．８％以下かつＢ₂Ｏ₃含有量は１１％以上であることが好ましい。

Ａｌ₂Ｏ₃は必須ではないが、ガラスを安定化させるために２５％まで含有してもよい。２５％超ではガラスが失透するおそれがある。より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下である。
Ｂｉ₂Ｏ₃は必須ではないが、軟化点を低下させるために３５％まで含有してもよい。３５％超ではガラスが黄色に着色したり、比誘電率が大きくなりすぎたりするおそれがある。より好ましくは３０％以下、特に好ましくは５％以下である。

ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラスの耐水性を高めるために、またはガラスの分相を抑制するために、それぞれ４０％まで含有してもよい。なお、ガラスの比誘電率を特に低下させたい場合はＭｇＯを含有することが好ましい。これら成分のそれぞれの含有量が４０％超では焼成時の結晶化が顕著となり透過率が低下するおそれがある。より好ましくは３５％以下、特に好ましくは３０％以下である。
なお、ＭｇＯについては５％以下であることが最も好ましい。５％超では、焼成時のガラス流動性が低下し電極被覆ガラス層中の残存気泡が増加して透過率が低下するおそれがある。
ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの含有量の合計は４０％以下であることが好ましい。より好ましくは３５％以下である。

ＺｎＯは必須ではないが、軟化点を低下させるために５５％まで含有してもよい。５５％超ではガラスが失透するおそれがある。より好ましくは１０％以下である。

Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏはいずれも必須ではないが、軟化点を低下させるために、それぞれ２０％まで含有してもよい。２０％超では、ガラスの耐水性が低下したり、膨張係数が大きくなりすぎたりするおそれがある。より好ましくはそれぞれ５％以下である。
Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏの含有量の合計は２０％以下であることが好ましい。より好ましくは５％以下である。
本発明のガラスは実質的に上記成分からなることが好ましいが、この他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で１０％まで含有してもよい。

本発明のプラズマディスプレイ装置（以下本発明のＰＤＰという。）の前面基板においては、ガラス基板の上に透明電極が形成されており、該透明電極が形成されているガラス基板の表面が本発明のガラスにより被覆されている。
前面基板に用いられるガラス基板の厚さは通常２．８ｍｍであり、このガラス基板自体の波長５５０ｎｍの光に対する透過率（以下Ｔ₅₅₀と記す。）は典型的には９０％である。また、その濁度は典型的には０．４％である。
また、透明電極は、たとえば幅０．５ｍｍの帯状であり、それぞれの帯状電極が互いに平行となるように形成される。各帯状電極中心線間の距離は、たとえば０．８３〜１．０ｍｍであり、この場合、透明電極がガラス基板表面を占める割合は５０〜６０％である。

本発明のＰＤＰの前面基板については、Ｔ₅₅₀は７７％以上であることが好ましい。７７％未満ではＰＤＰの画質が低下するおそれがある。より好ましくは７９％以上、特に好ましくは８０％以上である。また、その濁度は２１％以下であることが好ましい。２１％超ではＰＤＰの画質が低下するおそれがある。より好ましくは２０％以上、特に好ましくは１５％以下である。

本発明のＰＤＰは、たとえば交流方式のものであれば次のようにして製造される。
図１に示すように、ガラス基板１ａの表面にパターニングされた透明電極２およびバス線（図示せず）を形成したのち、本発明のガラスの粉末を塗布・焼成してガラス層３を形成し、最後に保護膜として酸化マグネシウムの層（図示せず）を形成し、前面基板１０とする。一方、ガラス基板１ｂの上には、パターニングされたアドレス用電極５を形成したのち、ストライプ状に隔壁６を形成し、さらに蛍光体層４を印刷・焼成して背面基板２０とする。

前面基板１０と背面基板２０の周縁にシール材（図示せず）をディスペンサで塗布し、透明電極２とアドレス用電極５が対向するように組み立てた後、焼成してプラズマディスプレイ装置とする。そしてプラズマディスプレイ装置内部を排気して、放電空間７にＮｅやＨｅ−Ｘｅなどの放電ガスを封入する。
なお、上記の例は交流方式のものであるが、本発明は直流方式のものにも適用できる。

表のＰｂＯからＳｂ₂Ｏ₃までの欄に質量百分率で示す組成となるように、原料を調合して混合し、１３００℃の電気炉中で白金ルツボを用いて１時間溶融し、薄板状ガラスに成形した後、ボールミルで粉砕し、ガラス粉末を得た。例５は実施例、例Ａ１〜Ａ７は比較例である。

これらガラス粉末について、軟化点（単位：℃）、膨張係数（単位：１０^-7／℃）および比誘電率を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示す。なお、比誘電率は例３、４、Ａ２、７、８およびＡ５について測定した。
軟化点：示差熱分析計を用いて測定した。
膨張係数：ガラス粉末を成形後、表に示す焼成温度（単位：℃）で１０分間焼成して得た焼成体を直径５ｍｍ、長さ２ｃｍの円柱状に加工し、熱膨張計で５０〜３５０℃の平均線膨張係数を測定した。
比誘電率：前記焼成体を５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ３ｍｍに加工し、その表面に電極を蒸着して周波数１ＭＨｚでの比誘電率を測定した。

また、これらガラス粉末とエチルセルロースを質量比で１００：５となるように計りとって混合し、得られた混合物２ｇを直径１２ｍｍの円柱状の型に入れて成形し円柱状試料とした。この円柱状試料を、ガラス粉末の軟化点で３０分間焼成し、円盤状の焼成体を得た。この焼成体の色を表に示す。焼成体の色が茶色または黒色のものは焼成体中の炭素含有不純物の量が多いものと考えられる。したがって、例Ａ２、Ａ３、Ａ５、Ａ６、Ａ７の焼成体の炭素含有不純物の量は多いと考えられる。

さらに、これらガラス粉末１００ｇを有機ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペーストを作製した。前記有機ビヒクルは、ジエチレングリコールモノブチルエーテルモノアセテートまたはα−テルピネオールにエチルセルロースを質量百分率表示で７〜１８％溶解したものである。

次に、大きさ１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ２．８ｍｍのガラス基板を用意し、このガラス基板の表面に、膜厚が２００ｎｍで幅が０．５ｍｍのＩＴＯ透明電極を、各ＩＴＯ透明電極の中心線間距離が１．０ｍｍとなるように平行に多数形成した。前記ガラス基板は、質量百分率で表わした組成が、ＳｉＯ₂：５８％、Ａｌ₂Ｏ₃：７％、Ｎａ₂Ｏ：４％、Ｋ₂Ｏ：６．５％、ＭｇＯ：２％、ＣａＯ：５％、ＳｒＯ：７％、ＢａＯ：７．５％、ＺｒＯ₂：３％、ガラス転移点が６２６℃、膨張係数が８３×１０^-7／℃、であるガラスからなる。なお、前記ＩＴＯ透明電極はガラス基板の片面に形成されている。

ＩＴＯ透明電極が形成されている３０ｍｍ×３０ｍｍの部分に前記ガラスペーストを均一にスクリーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で、表に示す焼成温度になるまで加熱し、さらにその温度に３０分間保持して、焼成した。透明電極を被覆するガラス層の厚さは３０μｍであった。

前記焼成後のガラス基板について、波長５５０ｎｍの光の透過率（単位：％）および濁度（単位：％）を以下に述べるようにして測定した。結果を表に示す。
透過率：（株）日立製作所製の自記分光光度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０ｎｍの光の透過率を測定した。サンプルのない状態を１００％とした。
濁度：（株）スガ試験器製のヘーズメータ（ハロゲン球を用いたＣ光源）を使用した。ハロゲン球からの光をレンズを通して平行光線とし、サンプルに入射させ、積分球により全光線透過率Ｔ_tと拡散透過率Ｔ_dを測定した。濁度は、
濁度（％）＝（Ｔ_d／Ｔ_t）×１００
により算出した。

例１、２と例Ａ１、例３、４、５と例Ａ２、例６と例Ａ３、例７と例Ａ４、例８と例Ａ５、例９と例Ａ６、例１０と例Ａ７、を比較すると、ＣｕＯを０．１〜０．９％の範囲で含有することにより、透過率が高くなり、また濁度が低下していることがわかる。

また、例３、４、Ａ２、７、８およびＡ５について銀発色現象を次のようにして調べた。
先に使用したガラス基板と同じガラスからなる大きさ５０ｍｍ×７５ｍｍ、厚さ２．８ｍｍのガラス基板上の４５ｍｍ×４５ｍｍの部分にスクリーン印刷用銀ペーストを均一にスクリーン印刷後、１２０℃で１０分間乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で５８０℃まで加熱し、さらにその温度に１５分間保持して、焼成し、厚さ５μｍの銀焼成体を形成した。

ガラス基板上に形成された銀焼成体の全面を覆うようにガラスペーストをスクリーン印刷し、乾燥、焼成して厚さ３０μｍのガラス層を形成した。前記乾燥および焼成の条件は先に述べたガラスペーストの場合と同じとした。

ガラス基板上に銀焼成体、さらにその上にガラス層が形成されたサンプルについて、前記ガラス層側に光を入射するようにして、波長５５０ｎｍの光の反射率Ｒ₅₅₀（単位：％）と波長４３０ｎｍの光の反射率Ｒ₄₃₀（単位：％）とを前記自記分光光度計によって測定した。Ｒ₅₅₀−Ｒ₄₃₀（単位：％）を表の銀発色の欄に示す。波長として４３０ｎｍを選択したのは、銀発色原因となる銀コロイドの吸収ピークに相当するからであり、一方、波長として５５０ｎｍを選択したのは、銀コロイドの吸収ピークから充分離れているからである。
Ｒ₅₅₀−Ｒ₄₃₀が２０％以上のものは銀発色現象が顕著であり好ましくない。より好ましくは１５％以下、特に好ましくは５％以下である。

本発明のガラスは、ガラス基板上の透明電極を被覆するガラス層に利用できる。
本発明のＰＤＰは、前面基板の透過率が高いＰＤＰとして利用できる。

本発明のプラズマディスプレイ装置を示す断面図。

符号の説明

１ａ：ガラス基板
１ｂ：ガラス基板
２：透明電極
３：ガラス層
４：蛍光体層
５：アドレス用電極
６：隔壁
７：放電空間
１０：前面基板
２０：背面基板

Claims

Ｃｕを含有し、そのＣｕＯ換算含有量が質量百分率表示で０．１〜０．９％の範囲にあり、かつ、Ｓｂを含有し、質量百分率表示で、ＣｕのＣｕＯ換算含有量およびＳｂのＳｂ₂Ｏ₃換算含有量の合計が０．２〜１．４％の範囲にある電極被覆用低融点ガラス。
下記酸化物基準の質量百分率表示で、実質的に、
ＰｂＯ２５〜８５％、
Ｂ₂Ｏ₃ １０〜６０％、
ＳｉＯ₂ ２〜４０％、
Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜２５％、
Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜３５％、
ＭｇＯ０〜４０％、
ＣａＯ０〜４０％、
ＳｒＯ０〜４０％、
ＢａＯ０〜４０％、
ＺｎＯ０〜５５％、
Ｌｉ₂Ｏ０〜２０％、
Ｎａ₂Ｏ０〜２０％、
Ｋ₂Ｏ０〜２０％、
ＣｕＯ０．１〜０．９％、
Ｓｂ₂Ｏ₃ ０％超１．３％以下、
からなり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜４０％である請求項１に記載の電極被覆用低融点ガラス。
ＰｂＯが８３．８％以下、ＳｉＯ₂が５％以上かつＢ₂Ｏ₃が１１％以上である請求項１または２に記載の電極被覆用低融点ガラス。
軟化点が４５０〜６５０℃の範囲にある請求項１〜３のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラス。
５０〜３５０℃における平均線膨張係数が６０×１０^-7〜９０×１０^-7／℃の範囲にある請求項１〜４のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラス。
比誘電率が１２以下である請求項１〜５のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラス。
前面基板を有するプラズマディスプレイ装置であって、該前面基板を構成するガラス基板上の透明電極が請求項１〜６のいずれかに記載の電極被覆用低融点ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装置。