JP2001199737A

JP2001199737A - ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びｆｐｄ

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Publication number: JP2001199737A
Application number: JP2000053283A
Authority: JP
Inventors: Seiji Toyoda; 誠司豊田; Kunio Sugamura; 邦夫菅村; Yoshio Kuromitsu; 祥郎黒光
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 1999-04-21
Filing date: 2000-02-29
Publication date: 2001-07-24
Anticipated expiration: 2020-02-29
Also published as: TWI236461B; JP3941321B2; KR20000071481A

Abstract

(57)【要約】【課題】ＦＰＤのガラス基板に反りを発生させず、か
つＦＰＤの画像にクロストークを発生させずに、反射率
を向上する。【解決手段】ガラス組成物のガラス成分として、５モ
ル％以上かつ３５モル％未満のＰ₂Ｏ₅と、５０モル％以
上かつ６５モル％未満のＺｎＯと、０．１モル％以上か
つ１０モル％未満のＳｉＯ₂と、０．１モル％以上かつ
１０モル％未満のＢ₂Ｏ₃と、１モル％以上かつ２０モル
％未満のＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群
より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金属の酸
化物と、０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＡｌ₂
Ｏ₃とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＤＰ（plasma d
isplay panel：プラズマディスプレイパネル）、ＰＡＬ
Ｃ（plasma addressed liquid crystal display）等の
ＦＰＤ（flat panel display ）に好適なガラス組成物
及びその混合体、並びにそれを用いたペースト及びグリ
ーンシート等に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＰＤＰは、通常多数の微小な放電セルを
縦横（マトリクス状）に配列し、必要な部分のセルを放
電発光させることにより、文字や図形が表示されるよう
になっている。このＰＤＰは構造が簡単で大型化が容易
であり、メモリ機能を有し、またカラー化が可能であ
り、更にテレビなどで用いられるブラウン管よりも遥か
に大きくかつ奥行が小さく形成できるなどの様々な利点
を有することから、近年盛んに研究開発が進められてい
る。

【０００３】上記ＰＤＰは、電極構造の点で金属電極が
ガラス誘電体材料で覆われるＡＣ型と、放電空間に金属
電極が露出しているＤＣ型とに分類される。例えばＡＣ
型のＰＤＰは図９に示すように、ガラス基板１上に所定
の間隔をあけて形成された複数のセラミック隔壁２を介
して前面ガラスとなる別のガラス基板３を被せることに
より構成される。ガラス基板３のガラス基板１への対向
面にはＭｇＯ（酸化マグネシウム）等の保護膜３ａによ
り被覆された表示電極３ｂ及び誘電体層３ｃが形成さ
れ、ガラス基板１とガラス基板３と隔壁２にて区画形成
された微細空間４（以下、放電セルという）内にはアノ
ード放電極であるアドレス電極４ａ及び蛍光体層４ｂが
それぞれ形成され、アドレス電極４ａは必要に応じて絶
縁層４ｃにより保護される。また放電セル４内には放電
ガス（図示せず）が注入される。このように構成された
ＰＤＰでは、表示電極３ｂとアドレス電極４ａとの間に
電圧を印加して隔壁２間に形成された放電セル４内の蛍
光体層４ｂを選択的に放電発光させることにより、文字
や図形を表示できるようになっている。

【０００４】従来、ガラス基板１上に形成される隔壁２
及び絶縁層４ｃのガラス組成物として、ガラス粉末が７
０〜９５重量％、耐火物フィラーが５〜３０重量％、耐
熱顔料が０〜１０重量％を含むものが開示されている
（特開平３−１７０３４６）。このガラス組成物では、
ガラス成分が５５〜６５重量％のＰｂＯ、０〜５重量％
のＺｎＯ、０〜１０重量％のＢ₂Ｏ₃、１５〜２５重量％
のＳｉＯ₂、０．５〜５重量％のＡｌ₂Ｏ₃、０．５〜１
５重量％の（ＳｎＯ₂＋ＴｉＯ₂）、０．５〜１０重量％
の（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、０．１〜２重
量％のＣｅＯ₂、０．１〜５重量％のＬａ₂Ｏ₃からな
る。このように構成されたガラス組成物では、ホウ珪酸
系ガラスにすることで低熱膨張係数を有し、またＰｂＯ
を添加することで低軟化点を示す。

【０００５】しかし、上記従来のガラス組成物では、Ｐ
ｂ成分を含有するため、ガラス組成物の密度が大きくな
り、このガラス組成物をＰＤＰのガラス基板１上の隔壁
２として使用した場合、ガラス基板の重量が増大する問
題点や、環境汚染の原因となる問題点があった。ガラス
基板の重量が増大すると、ガラス基板の焼成時にガラス
基板に反りを発生し易くなる、即ちガラス基板の焼成工
程において加熱むらを防止するために、ガラス基板を下
から数カ所で点支持しているが、ガラス基板が重いと自
重で反りが発生し易くなる問題点があった。また上記従
来のガラス組成物では、隔壁２の比誘電率が１０〜１２
程度で比較的大きいため、電気信号が近隣の配線に漏洩
し、画像にクロストークが生じ易い問題点があった。更
に上記従来のガラス組成物においては、ＰＤＰ隔壁２若
しくは絶縁層４ｃとしての使用中（プラズマ減圧雰囲気
下にて）に金属Ｐｂが析出し、放電特性が低下する問題
点があった。

【０００６】これらの点を解消するために、Ｐｂ成分を
含まないガラスとして、耐イオン放電衝撃性低軟化温度
ガラス（特開昭４８−４３００７）やプラズマディスプ
レイパネル（特開平８−３０１６３１）が開示されてい
る。上記特開昭４８−４３００７号公報に示された耐イ
オン放電衝撃性低軟化温度ガラスでは、３０〜４３重量
％の無水硼酸（Ｂ₂Ｏ₃）、１８〜３３重量％の五酸化バ
ナジウム（Ｖ₂Ｏ₅）、１７〜２２重量％の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）、８〜１２重量％の酸化ナトリウム（Ｎａ₂Ｏ）
を主成分とし、これに６重量％以下の珪酸（Ｓｉ
Ｏ₂）、５重量％以下のアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、４重量
％以下の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）のうち少なくと
も１種を含有させたことを特徴とする。この耐イオン放
電衝撃性低軟化温度ガラスでは、一般に使用される窓ガ
ラス板と概略同じ熱膨張係数と窓ガラス板より低い軟化
温度を有するため、ひび割れ等を生じることなく窓ガラ
スに均一に融着する。またガスイオン等の放電による衝
撃により解離等の変化を生じ易い酸化鉛（ＰｂＯ）や酸
化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）等の重金属酸化物を全く含有し
ないため、ＰＤＰのガラス基板の被膜用ガラス等の長時
間にわたりガスイオンの放電衝撃を受ける部分に使用し
てもガスイオン放電特性に全く影響を生じることがな
く、被膜の黒化及び透明度の変化等の劣化を生じること
もない。

【０００７】一方、上記特開平８−３０１６３１号公報
に示されたプラズマディスプレイでは、相対向するガラ
ス基板間のディスプレイの各画素間に隔壁が形成され、
この隔壁がＰ₂Ｏ₅系ガラスからなるガラス粉末と、低膨
張セラミック粉末とからなるガラスセラミック組成物の
焼成物からなることを特徴とする。このプラズマディス
プレイパネルでは、ガラスセラミック組成物が２０〜７
０重量％のガラス粉末と、３０〜８０重量％の低膨張セ
ラミック粉末からなり、ガラス粉末が２５〜３５モル％
のＰ₂Ｏ₅、０〜５０モル％のＺｎＯ、０〜７０モル％の
ＳｎＯ、０〜１０モル％のＬｉ₂Ｏ、０〜１０モル％の
Ｎａ₂Ｏ、０〜１０モル％のＫ₂Ｏ、０〜２０モル％の
（Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ）、０〜１０モル％のＭｇ
Ｏ、０〜１０モル％のＣａＯ、０〜１０モル％のＳｒ
Ｏ、０〜１０モル％のＢａＯ、０〜２０モル％の（Ｍｇ
Ｏ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）、０〜１０モル％のＢ₂
Ｏ₃、０〜１０モル％のＡｌ₂Ｏ₃からなる。このような
組成の隔壁を有するプラズマディスプレイパネルでは、
隔壁の比誘電率が７〜１０の間であり、Ｐｂを含有する
隔壁と比較して、表示のクロストークを低減できる。ま
た隔壁にＰｂ成分を含有しないため、密度が小さく、大
型のＰＤＰに最適である。更に熱膨張係数が通常のＰＤ
Ｐ用ガラス基板に整合しているため、ＰＤＰのガラス基
板上に隔壁を形成した際に反りがなく、下地のオーバコ
ートにクラックが入ったりすることがなく、ガラス基板
も割れ難くなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の特
開昭４８−４３００７号公報に示された耐イオン放電衝
撃性低軟化温度ガラスでは、Ｖ₂Ｏ₅を含むため、茶色に
着色され、反射率が低下する不具合があった。また上記
従来の特開平８−３０１６３１号公報に示されたプラズ
マディスプレイでは、Ｐ₂Ｏ₅やアルカリ金属酸化物を多
量に含むため、ガラスの熱膨張係数がガラス基板に対し
て大きくなり、セラミックフィラーを多量に添加して、
熱膨張係数をガラス基板と整合させる必要があり、この
フィラーの多量の添加により、焼成後の構造が多孔質に
なり、強度が低下し、更に放電特性も低下する問題点も
あった。一方、上述したガラス等は隔壁２または絶縁層
４ｃに主として使用されるものであるが、隔壁２を介し
て被せるガラス基板３の誘電体層３ｃに上述したガラス
等は適しない不具合がある。即ち、誘電体層３ｃを有す
るガラス基板３は前面ガラスとしての役割を果たすこと
から、誘電体層３ｃに使用されるガラス等は、隔壁２又
は絶縁層４ｃに使用されるガラス等よりもその透明度及
び誘電率が高いことが要求される。

【０００９】本発明の第１の目的は、ＦＰＤのガラス基
板に反りを発生させず、かつＦＰＤの画像にクロストー
クを発生させずに、反射率を向上できる、隔壁又は絶縁
層用ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いた
ペースト、グリーンシート、絶縁体及びＦＰＤを提供す
ることにある。本発明の第２の目的は、強度及び放電特
性を低下させずに、熱膨張係数を低くしてＦＰＤのガラ
ス基板と整合させることができる、隔壁又は絶縁層用ガ
ラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペース
ト、グリーンシート、絶縁体及びＦＰＤを提供すること
にある。本発明の第３の目的は、ガラス基板より軟化点
を低くくすることができ、耐水性を向上することができ
る、隔壁又は絶縁層用ガラス組成物及びその混合体、並
びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体及
びＦＰＤを提供することにある。本発明の第４の目的
は、ガラス基板との熱膨張係数を整合させて、ガラス基
板との間で強固な密着性を有する厚膜を形成可能な隔壁
又は絶縁層用ペースト及びＦＰＤを提供することにあ
る。本発明の第５の目的は、透明度及び誘電率が高い誘
電体用ガラス組成物及びそれを用いたペースト、グリー
ンシート、誘電体及びＦＰＤを提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ガラス成分として、３．５ａｔｏｍ％以上かつ１８ａｔ
ｏｍ％未満のＰと、１２．５ａｔｏｍ％以上かつ２４ａ
ｔｏｍ％未満のＺｎと、０．０２ａｔｏｍ％以上かつ４
ａｔｏｍ％未満のＳｉと、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ
６．０ａｔｏｍ％未満のＢと、０ａｔｏｍ％以上かつ３
ａｔｏｍ％未満のＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａからなる群
より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金属と、
０．０１ａｔｏｍ％以上かつ６．０ａｔｏｍ％未満のＡ
ｌと、５５ａｔｏｍ％以上かつ６５ａｔｏｍ％未満のＯ
とを含むガラス組成物である。請求項２に係る発明は、
ガラス成分として、５モル％以上かつ３５モル％未満の
Ｐ₂Ｏ₅と、５０モル％以上かつ６５モル％未満のＺｎＯ
と、０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＳｉＯ
₂と、０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＢ₂Ｏ
₃と、１モル％以上かつ２０モル％未満のＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた１種又は
２種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、０．１モル％
以上かつ１０モル％未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含むガラス組成
物である。この請求項１及び請求項２に記載されたガラ
ス組成物では、ガラス成分を上記範囲内でそれぞれ混合
すると、焼成温度が低くなって、焼成後の絶縁体の軟化
点も低くなる。また上記ガラス成分に密度の大きいＰｂ
成分を含まないため、上記絶縁体の重量を軽減でき、環
境を汚染することもない。更にＰ₂Ｏ₅が比較的少ないた
め、上記絶縁体の耐水性を向上することができる。

【００１１】請求項３に係る発明は、請求項１又は２記
載のガラス組成物に、セラミックフィラー物としてジル
コン，アルミナ，チタニア，コーディエライト，ムライ
ト，β−ユークリプタイト，スポジューメン，アノーサ
イト，セルシアン，フォルステライト及びチタン酸アル
ミニウムからなる群より選ばれた１種又は２種以上のセ
ラミックを混合した混合体である。この請求項３に記載
された混合体では、ガラス組成物にセラミックフィラー
物を混合することにより、混合体を焼成して得られる絶
縁体の熱膨張係数を低くすることができ、この絶縁体の
熱膨張係数をガラス基板の熱膨張係数と整合させること
ができる。

【００１２】上記ガラス組成物又は混合体に、高分子樹
脂と溶剤とを混合してペーストを作製するか、或いは上
記ガラス組成物又は混合体に、高分子樹脂と溶剤とを混
合して隔壁又は絶縁層用グリーンシートを作製すること
が好ましい。また上記ガラス組成物又は混合体を焼成し
て絶縁体、或いはＦＰＤの隔壁又は絶縁層を形成するこ
とが好ましい。更に上記ガラス又は混合体に、導電体粉
末，抵抗体粉末又は誘電体粉末と、高分子樹脂と、溶剤
とを含むペーストを作製し、それを基板に塗布し、乾燥
・焼成して、導電体、抵抗体又は誘電体用厚膜を形成す
ることが好ましい。

【００１３】ガラス組成物又は混合体に高分子樹脂と溶
剤とを加えてペーストを作製し、このペーストからスク
リーン印刷法などで作製されたセラミックキャピラリリ
ブ又はセラミックキャピラリ層を乾燥・焼成することに
より、上記セラミックキャピラリリブ又はセラミックキ
ャピラリ層が絶縁体，隔壁又は絶縁層になる。或いは、
ガラス組成物又は混合体に高分子樹脂と溶剤とを含むペ
ーストによりグリーンシートを作製し、このグリーンシ
ートを乾燥・焼成することにより、このグリーンシート
が絶縁体，隔壁又は絶縁層になる。このときの焼成温度
はガラス基板の軟化点より１００℃以上低いため、ガラ
ス基板に反り等は生じない。また上記絶縁体，隔壁又は
絶縁層の熱膨張係数はガラス基板の熱膨張係数と概略同
一になるため、ガラス基板の反りを更に抑制できる。上
記絶縁体，隔壁又は絶縁層の比誘電率が４〜７程度と比
較的小さくなるので、電気信号が近隣の配線に漏洩する
ことはなく、画像にクロストークが発生しない。更にガ
ラス組成物へのセラミックフィラー物の添加量は比較的
少量で済むので、焼成後の強度及び放電特性が低下する
こともない。

【００１４】請求項１１に係る発明は、ガラス成分とし
て、１２ａｔｏｍ％以上かつ２６ａｔｏｍ％未満のＰ
と、３ａｔｏｍ％以上かつ１７ａｔｏｍ％未満のＺｎ
と、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ３ａｔｏｍ％未満のＳ
ｉと、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ５ａｔｏｍ％未満の
Ｂと、０ａｔｏｍ％以上かつ１３ａｔｏｍ％未満のＭ
ｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａからなる群より選ばれた１種又
は２種以上のアルカリ土類金属と、０．０１ａｔｏｍ％
以上かつ５ａｔｏｍ％未満のＡｌと、５５ａｔｏｍ％以
上かつ６５ａｔｏｍ％未満のＯとを含むガラス組成物で
ある。請求項１２に係る発明は、ガラス成分として、３
０モル％以上かつ７０モル％未満のＰ₂Ｏ₅と、２０モル
％以上かつ６０モル％未満のＺｎＯと、０．１モル％以
上かつ１０モル％未満のＳｉＯ₂と、０．１モル％以上
かつ２０モル％未満のＢ₂Ｏ₃と、１モル％以上かつ４０
モル％未満のＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａＯからな
る群より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金属
の酸化物と、０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＡ
ｌ₂Ｏ₃とを含むガラス組成物である。この請求項１１及
び１２に記載されたガラス組成物では、ガラス成分を上
記範囲内でそれぞれ混合すると、焼成後の誘電体の軟化
点が低くなり、この誘電体の重量を軽減するとともに、
誘電体の誘電率及び透明度を向上することができる。

【００１５】上記ガラス組成物に、高分子樹脂と溶剤と
を混合してペーストを作製するか、或いは上記ガラス組
成物に、高分子樹脂と溶剤とを混合して誘電体用グリー
ンシートを作製することが好ましい。また、上記ガラス
組成物を焼成して誘電体を形成することが好ましい。更
に上記ガラスに、誘電体粉末と、高分子樹脂と、溶剤と
を含むペーストを作製し、それを基板に塗布し、乾燥・
焼成して、誘電体厚膜を形成することが好ましい。な
お、上記セラミックキャピラリとは、ガラス組成物とセ
ラミックフィラー物と高分子樹脂と溶剤とを含むペース
トを塗布した後の大部分の高分子樹脂及び溶剤が残存し
ている状態をいう。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。隔壁又は絶縁層用ガラス組成
物はガラス成分として、３．５ａｔｏｍ％以上かつ１８
ａｔｏｍ％未満のＰと、１２．５ａｔｏｍ％以上かつ２
４ａｔｏｍ％未満のＺｎと、０．０２ａｔｏｍ％以上か
つ４ａｔｏｍ％未満のＳｉと、０．０１ａｔｏｍ％以上
かつ６．０ａｔｏｍ％未満のＢと、０ａｔｏｍ％以上か
つ３ａｔｏｍ％未満のＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａからな
る群より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金属
と、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ６．０ａｔｏｍ％未満
のＡｌと、５５ａｔｏｍ％以上かつ６５ａｔｏｍ％未満
のＯとを含むものである。これらの元素を酸化物換算で
表すと、５モル％以上かつ３５モル％未満のＰ₂Ｏ₅と、
５０モル％以上かつ６５モル％未満のＺｎＯと、０．１
モル％以上かつ１０モル％未満のＳｉＯ₂と、０．１モ
ル％以上かつ１０モル％未満のＢ₂Ｏ₃と、１モル％以上
かつ２０モル％未満のＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａ
Ｏからなる群より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ
土類金属の酸化物と、０．１モル％以上かつ１０モル％
未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含むものになる。

【００１７】Ｐ₂Ｏ₅を５モル％以上かつ３５モル％未満
に限定したのは、５モル％未満ではガラスを形成でき
ず、３５モル％を越えると焼成物の耐水性が悪く、焼成
物の熱膨張係数がガラス基板の熱膨張係数より高くなる
からである。なお、熱膨張係数の上昇防止と軟化点の低
減と耐水性劣化の防止の点から、上記Ｐ₂Ｏ₅は１５モル
％以上かつ２５モル％未満であることが更に好ましい。
またＺｎＯを５０モル％以上かつ６５モル％未満に限定
したのは、５０モル％未満では熱膨張係数が高くなり、
６５モル％を越えると軟化点が高くなるからであり、こ
のＺｎＯは５０〜６０モル％であることが更に好まし
い。ＳｉＯ₂を０．１モル％以上かつ１０モル％未満に
限定したのは、０．１モル％未満では熱膨張係数が高く
なり、１０モル％を越えると軟化点が高くなるからであ
り、このＳｉＯ₂は１〜５モル％であることが更に好ま
しい。

【００１８】またＢ₂Ｏ₃を０．１モル％以上かつ１０モ
ル％未満に限定したのは、０．１モル％未満では軟化点
が高くなり、１０モル％を越えるとＰ₂Ｏ₅と複合酸化物
を構成し、軟化点が高くなるからであり、このＢ₂Ｏ₃は
１〜５モル％であることが更に好ましい。ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた１種又は
２種以上のアルカリ土類金属の酸化物を１モル％以上か
つ２０モル％未満に限定したのは、１モル％未満では軟
化点が高い不具合があり、２０モル％を越えるとガラス
にならない不具合があるからであり、この酸化物は５〜
１５モル％であることが更に好ましい。またＡｌ₂Ｏ₃を
０．１モル％以上かつ１０モル％未満に限定したのは、
０．１モル％未満ではガラスの耐水性が低くなり、１０
モル％を越えるとＰ₂Ｏ₅と複合酸化物を構成し、軟化点
が高くなるからであり、このＡｌ₂Ｏ₃は１〜５モル％で
あることが更に好ましい。なお、上記Ｂ₂Ｏ₃及びＡｌ₂
Ｏ₃はＰ₂Ｏ₅を安定化させる機能も有する。

【００１９】一方、セラミックフィラー物としては、ジ
ルコン，アルミナ，チタニア，コーディエライト，ムラ
イト，β−ユークリプタイト，スポジューメン，アノー
サイト，セルシアン，フォルステライト及びチタン酸ア
ルミニウムからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
セラミックを含む。ガラス組成物にセラミックフィラー
物を混合するのは、例えば上記ガラス組成物を用いたＰ
ＤＰ用隔壁をガラス基板上に形成する場合、この隔壁の
熱膨張係数とガラス基板の熱膨張係数とを整合させるた
めである。［１］ガラス組成物の粉末の作製方法先ずアルカリ土類金属としてＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａ
のうち少なくとも１種類を選ぶ。次いでリン酸若しくは
リン酸塩（例えば、Ｈ₃ＰＯ₄や（ＮＨ₄）₃ＰＯ ₄・３Ｈ₂
Ｏ等）と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、ＳｉＯ₂と、ホウ酸
（Ｈ₃ＢＯ₃）と、上記アルカリ土類金属の塩（例えば、
ＣａＣＯ₃やＣａＳＯ₄等）と、Ａｌ₂Ｏ₃の各粉末を、酸
化物換算でＰ₂Ｏ₅：５モル％以上かつ３５モル％未満、
ＺｎＯ：５０モル％以上かつ６５モル％未満、Ｓｉ
Ｏ₂：０．１モル％以上かつ１０モル％未満、Ｂ₂Ｏ₃：
０．１モル％以上かつ１０モル％未満、ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた１種又は
２種以上のアルカリ土類金属の酸化物：１モル％以上か
つ２０モル％未満、Ａｌ₂Ｏ₃：０．１モル％以上かつ１
０モル％未満の比で秤量する。

【００２０】次に上記各粉末をボールミル等を用いて
０．５〜６時間混合した後、この混合粉末を白金るつぼ
等に投入し、大気中で９００〜１２００℃に１〜６時間
保持した後、急冷する。更にこの急冷物を粉砕し、メッ
シュ数が２００メッシュ以上（メッシュの目開きが８５
μｍ以下）のふるいを用いて分級することによりガラス
組成物の粉末を得る。このガラス組成物の粉末の粒径は
０．１〜３０μｍであることが好ましい。ガラス組成物
の粉末の粒径を０．１〜３０μｍの範囲に限定したの
は、０．１μｍ未満では凝集し易くその取扱いが煩わし
くなり、３０μｍを越えると所定の形状に成形できなく
なるからである。

【００２１】［２］混合体の作製方法上記ガラス組成物の粉末と、メッシュ数が２００メッシ
ュ以上（メッシュの目開きが８５μｍ以下）のふるいを
用いて分級したジルコン，アルミナ，チタニア，コーデ
ィエライト，ムライト，β−ユークリプタイト，スポジ
ューメン，アノーサイト，セルシアン，フォルステライ
ト及びチタン酸アルミニウムからなる群より選ばれた１
種又は２種以上のセラミック粉末（セラミックフィラー
物の粉末）とをボールミル等を用いて１〜２４時間混合
し、混合体を得る。上記セラミックフィラー物の粉末の
粒径は０．１〜３０μｍであることが好ましい。セラミ
ックフィラー物の粉末の粒径を０．１〜３０μｍの範囲
に限定したのは、０．１μｍ未満では凝集し易くその取
扱いが煩わしくなり、３０μｍを越えると所定の形状に
成形できなくなるからである。［３］ガラスペースト，ガラス−セラミック混合ペース
ト及びグリーンシートの作製方法上記ガラス組成物の粉末又は混合体に対し、エチルセル
ロースやアクリル樹脂等の高分子樹脂と、α−テルピネ
オールやブチルカルビトールアセテート等の溶剤を添加
し、３本ロール等で十分に混練することにより、ペース
トを得る。なお、混合体中のセラミックフィラー物の粉
末はガラス組成物の粉末の重量に対して５〜３０重量％
の範囲であることが好ましく、かつガラス組成物の粉末
の容積に対して３０容積％以下であることが好ましい。
セラミックフィラー物の粉末が３０重量％以上かつ３０
容積％以上になると、焼成して得られた絶縁体が多孔質
になり、好ましくないからである。またペーストの各成
分の配合比は、ガラス組成物の粉末及びセラミックフィ
ラー物を７０〜９０重量％、高分子樹脂を１〜５重量
％、溶剤を８〜２５重量％であることが好ましい。また
このペーストを用いてグリーンシートを作製してもよ
い。

【００２２】［４］絶縁体の作製方法上記ガラス組成物の粉末又は混合体をプレス成形法によ
り所定の形状に成形し、或いは上記ペーストをスクリー
ン印刷法，押出し成形法，射出成形法等により所定の形
状に成形した後に、この成形体を乾燥・焼成することに
より絶縁体を得る。［５］導電体ペースト又は抵抗体ペーストの作製方法上記ガラス組成物の粉末又は混合体に対し、導電体粉末
又は抵抗体粉末と、高分子樹脂と、溶剤とを添加し、３
本ロール等で十分に混練することにより、ペーストを得
る。上記導電体粉末としてはＡｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−
Ｐｔ，Ａｕ，Ａｌ等が用いられ、抵抗体粉末としてはＲ
ｕＯ₂，Ｐｂ₂Ｒｕ₂Ｏ_6.5，Ａｇ−Ｐｄ等が用いられるこ
とが好ましい。また高分子樹脂としてはエチルセルロー
ス，アクリル樹脂等が用いられ、溶剤としてはα−テル
ピネオール，ブチルカルビトールアセテート等が用いら
れることが好ましい。

【００２３】なお、ペースト中の各成分の配合比は、ガ
ラス組成物の粉末及びセラミックフィラー物が５〜４５
重量％、導電体粉末又は抵抗体粉末が５０〜９０重量
％、高分子樹脂が１〜５重量％、溶剤が４〜２５重量％
であることが好ましい。上記ペーストをスクリーン印刷
法などにより、所定の形状にパターニングし、乾燥・焼
成することにより導電体厚膜又は抵抗体厚膜を得る。

【００２４】次に上記ガラス−セラミック混合ペースト
を用いてサンドブラスト法によりＦＰＤ用隔壁の作製方
法を説明する。図１に示すように、先ずガラス基板１０
上に、上記ペーストを用いてスクリーン印刷法によりペ
ースト膜１１を形成する。次いでこのペースト膜１１を
有するガラス基板１０を１００〜２００℃の温度で１０
〜３０分間乾燥した後に、３００〜４００℃の温度で
０．５〜３時間仮焼成を行う。この仮焼成を行ったペー
スト膜１１表面にラミネータを用いて感光性ドライフィ
ルムレジスト１２（以下、ＤＦＲという）を積層した後
に、ＤＦＲ１２上にフィルムマスク１３を置き、中心波
長２５４ｎｍの紫外線を照射し、露光を行う。次に露光
を行ったガラス基板１０に対し、濃度が０．１〜５％の
Ｎａ₂ＣＯ₃水溶液を噴霧し、未露光部を除去し、現像を
行う。この現像を行ってＤＦＲパターン層１６を有する
ガラス基板１０に対し、アルミナ粉末等の砥粒を用いて
サンドブラストを行い、ＤＦＲパターン層１６が形成さ
れていない部分のペースト膜１１を除去することによ
り、ガラス基板１０上にセラミックグリーンリブ１８を
形成する。更に温度５００〜６００℃で０．１〜２時間
焼成を行うことにより、ガラス基板１０上に隔壁１４を
形成する。

【００２５】図２は本発明の第２の実施の形態を示す
（厚膜印刷法によるＰＤＰ用隔壁の作製方法）。この実
施の形態では、ガラス基板１０の表面に上記ペーストを
厚膜印刷法により所定のパターンで位置合わせをして重
ね塗りした後に乾燥することにより、ガラス基板１０上
にペースト膜３１を形成する。この工程を多数回繰返し
てペースト膜３１を所定の高さに形成した後に焼成する
ことにより、ガラス基板１０上に所定の間隔をあけて隔
壁３４を形成する。なお、図示しないがガラス基板上
に、上記ペーストを用いてスクリーン印刷によりベタ膜
を形成し、この基板を１００〜２００℃の温度で１０〜
３０分間乾燥した後に、５００〜６００℃の温度で０．
５〜３時間焼成を行うことにより、基板上に白色絶縁層
を形成してもよい。

【００２６】図３は本発明の第３の実施の形態を示す
（ＡＣ型ＰＤＰにおける背面パネルの作製方法）。先ず
ガラス基板１０上に、Ａｇ等の導電ペーストをスクリー
ン印刷法により所定の間隔をあけて５０〜２００μｍ幅
の帯状のパターンを形成し、温度１００〜２００℃で１
０〜３０分間乾燥した後に、温度５００〜６００℃で
０．１〜１時間焼成することにより、ガラス基板１０上
にアドレス電極５１を形成する。このガラス基板１０上
に、上記第１の実施の形態で作製されたペーストを用い
てスクリーン印刷法によりペースト膜を形成し、温度１
００〜２００℃で１０〜３０分間乾燥した後に、温度５
００〜６００℃で０．５〜３時間焼成することにより、
ガラス基板１０上に白色絶縁層５２を形成する。

【００２７】次いでこのガラス基板１０上に、上記第１
の実施の形態で作製されたペーストを用いてスクリーン
印刷法によりペースト膜１１を形成し、温度１００〜２
００℃で１０〜３０分間乾燥した後に、温度３００〜４
００℃で０．５〜３時間仮焼成する。この仮焼成したペ
ースト膜１１表面にラミネータを用いてＤＦＲ１２を積
層した後に、ＤＦＲ１２上にフィルムマスク１３を置
き、中心波長２５４ｎｍの紫外線を照射し、露光を行
う。次に露光を行ったガラス基板１０に対し、濃度が
０．１〜５％のＮａ₂ＣＯ₃水溶液を噴霧し、未露光部を
除去し、現像を行う。この現像を行ってＤＦＲパターン
層１６を有するガラス基板１０に対し、アルミナ粉末等
の砥粒を用いてサンドブラストを行い、ＤＦＲパターン
層１６が形成されていない部分のペースト膜１１を除去
することにより、ガラス基板１０上に白色絶縁層５２を
介してセラミックグリーンリブ１８を形成する。

【００２８】このガラス基板１０を温度５００〜６００
℃で０．１〜２時間焼成することにより、ガラス基板１
０上に白色絶縁層５２を介して隔壁１４を形成する。更
に隔壁１４間のセル１７内面に、図示しないが紫外線に
より赤色，緑色又は青色を発光する蛍光体粉末からなる
ペーストを用いて、それぞれスクリーン印刷法により落
とし込み印刷を行い、温度１００〜２００℃で１０〜３
０分間乾燥した後に、温度４５０〜５５０℃で０．１〜
２時間焼成することにより、ＡＣ型ＰＤＰ用背面板５０
を得る。

【００２９】図４及び図５は本発明の第４の実施の形態
を示す（くし歯を有するブレードによるＰＤＰ用隔壁の
作製方法）。先ずガラス基板１０の表面に、第１の実施
の形態のペーストを塗布して形成されたペースト膜７１
に対し、くし歯７２ｂを有するブレード７２のエッジ７
２ａをガラス基板１０表面に接触させた状態で、ブレー
ド７２又はガラス基板１０を一定方向に移動することに
よりガラス基板１０表面にセラミックキャピラリリブ７
３を形成する。具体的には、ブレード７２のエッジ７２
ａをペースト膜に突き刺してガラス基板１０表面に接触
させた状態で、ガラス基板１０を固定して図４の実線矢
印で示すようにブレード７２を一定方向に移動するか、
又はブレード７２を固定して図４の破線矢印で示すよう
にガラス基板１０を一定方向に移動させることにより、
セラミックキャピラリリブ７３を形成する。

【００３０】上記ブレード７２には複数のくし歯７２ｂ
が等間隔にかつ同一方向に形成される。このブレード７
２はペーストとの反応やペーストに溶解されることのな
い金属、セラミック又はプラスチック等により作られ、
特に、寸法精度、耐久性の観点からセラミック若しくは
Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ基の合金が好ましい。それぞれのくし
歯７２ｂの間の隙間はこのブレード７２により形成され
るセラミックキャピラリリブ７３の断面形状に相応して
形成される。ブレード７２又はガラス基板１０の移動に
より、ガラス基板１０表面に塗布されたペーストのうち
ブレード７２のくし歯７２ｂに対応する箇所はくし歯７
２ｂの間の隙間に移動するか若しくは掃き取られ、くし
歯７２ｂの間の隙間に位置するペーストのみがガラス基
板１０上に残存してガラス基板１０表面にセラミックキ
ャピラリリブ７３が形成される。くし歯の溝の深さがペ
ースト膜７１の厚さより大きい場合にはブレード７２又
はガラス基板１０を移動するときに掃き取られたペース
トが溝に入り込み、ペースト膜７１の厚さ以上の高さを
有するセラミックキャピラリリブ７３を形成できる。

【００３１】このようして形成されたセラミックキャピ
ラリリブ７３はその後乾燥されてセラミックグリーンリ
ブ（図示せず）になり、更に脱バインダのため加熱さ
れ、引続いて焼成することにより図５に示す隔壁７４に
なる。このときの焼成温度は６００℃未満であり、ガラ
ス基板１０としてソーダ石灰ガラスを用いた場合のこの
ガラス基板１０の軟化点（７３５℃）より１００℃以上
低いため（ガラスの軟化点は焼成温度から約１００℃差
し引いた温度である。）、ガラス基板１０は軟化せず、
ガラス基板１０に反り等は生じない。また上記隔壁７４
の熱膨張係数は６５〜８７×１０^-7／℃と上記ガラス基
板１０の熱膨張係数（８５×１０^-7／℃）と概略同一に
なり、上記ガラス組成物に密度の大きいＰｂ成分を含ま
ず、セラミックキャピラリリブ７３の重量を軽減できる
ため、ガラス基板１０の反りを更に抑制できる。またガ
ラス成分にＶ₂Ｏ₅を含まないため、白色の反射率の高い
隔壁７４を得ることができ、上記隔壁７４の比誘電率が
４〜７程度と比較的小さいので、電気信号が近隣の配線
に漏洩することはなく、画像にクロストークが発生しな
い。更にガラス組成物へのセラミックフィラー物の添加
量は比較的少量で済むので、焼成後の隔壁７４の強度や
放電特性が低下することもない。

【００３２】図６及び図７は本発明の第５の実施の形態
を示す（くし歯を有するブレードによるＰＤＰ用隔壁及
びＰＤＰ用絶縁層の作製方法）。この実施の形態では、
ガラス基板１０の表面に上記ペーストを塗布して形成さ
れたペースト膜７１に対して、くし歯７２ｂを有するブ
レード７２のエッジ７２ａをガラス基板１０表面から所
定の高さ浮上した状態でブレード７２又はガラス基板１
０を一定方向に移動することにより、ガラス基板１０表
面にセラミックキャピラリ層９１が形成され、このセラ
ミックキャピラリ層９１上にセラミックキャピラリリブ
９２が形成される（図６）。上記セラミックキャピラリ
層９１及びセラミックキャピラリリブ９２は乾燥されて
セラミックグリーン層及びセラミックグリーンリブにな
り、更に脱バインダのため加熱され、引続いて焼成され
ることにより、図７に示すガラス基板１０上に形成され
た絶縁層９３と、この絶縁層９３上に形成された隔壁９
４となる。なお、上記第１〜第５の実施の形態では、本
発明のペーストによりＰＤＰ用隔壁及びＰＤＰ用絶縁層
を形成したが、ＰＡＬＣ用隔壁及びＰＡＬＣ用絶縁層を
形成してもよい。

【００３３】次に本発明の第６の実施の形態を説明す
る。誘電体用ガラス組成物はガラス成分として、１２ａ
ｔｏｍ％以上かつ２６ａｔｏｍ％未満のＰと、３ａｔｏ
ｍ％以上かつ１７ａｔｏｍ％未満のＺｎと、０．０１ａ
ｔｏｍ％以上かつ３ａｔｏｍ％未満のＳｉと、０．０１
ａｔｏｍ％以上かつ５ａｔｏｍ％未満のＢと、０ａｔｏ
ｍ％以上かつ１３ａｔｏｍ％未満のＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及
びＢａからなる群より選ばれた１種又は２種以上のアル
カリ土類金属と、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ５ａｔｏ
ｍ％未満のＡｌと、５５ａｔｏｍ％以上かつ６５ａｔｏ
ｍ％未満のＯとを含むものである。これらの各元素を酸
化物換算して表すと、３０モル％以上かつ７０モル％未
満のＰ₂Ｏ₅と、２０モル％以上かつ６０モル％未満のＺ
ｎＯと、０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＳｉＯ
₂と、０．１モル％以上かつ２０モル％未満のＢ₂Ｏ
₃と、１モル％以上かつ４０モル％未満のＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた１種又は
２種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、０．１モル％
以上かつ１０モル％未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含むものにな
る。

【００３４】Ｐ₂Ｏ₅を３０モル％以上かつ７０モル％未
満に限定したのは、３０モル％未満ではガラス化せず、
７０モル％を越えると耐水性が劣化するからである。な
お、上記Ｐ₂Ｏ₅は４５モル％以上かつ７０モル％未満で
あることが更に好ましい。またＺｎＯを２０モル％以上
かつ６０モル％未満に限定したのは、２０モル％未満で
は熱膨張係数が大きくなり、６０モル％を越えるとガラ
ス化しないからであり、このＺｎＯは５０〜６０モル％
であることが更に好ましい。ＳｉＯ₂を０．１モル％以
上かつ１０モル％未満に限定したのは、０．１モル％未
満では熱膨張係数が高くなり、１０モル％を越えると軟
化点が高くなるからであり、このＳｉＯ₂は１〜５モル
％であることが更に好ましい。またＢ₂Ｏ₃を０．１モル
％以上かつ２０モル％未満に限定したのは、０．１モル
％未満では軟化点が高くなり、２０モル％を越えるとＰ
₂Ｏ₅と複合酸化物を構成し、軟化点が高くなるからであ
り、このＢ₂Ｏ₃は１０〜２０モル％であることが更に好
ましい。

【００３５】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯからな
る群より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金属
の酸化物を１モル％以上かつ４０モル％未満に限定した
のは、１モル％未満では軟化点が高い不具合があり、４
０モル％を越えるとガラスにならない不具合があるから
であり、この酸化物は２０〜４０モル％であることが更
に好ましい。またＡｌ₂Ｏ₃を０．１モル％以上かつ１０
モル％未満に限定したのは、０．１モル％未満ではガラ
スの耐水性が低くなり、１０モル％を越えるとＰ₂Ｏ₅と
複合酸化物を構成し、軟化点が高くなるからであり、こ
のＡｌ₂Ｏ₃は１〜５モル％であることが更に好ましい。

【００３６】［１］ガラス組成物の粉末の作製方法先ずアルカリ土類金属としてＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａ
のうち少なくとも１種類を選ぶ。次いでリン酸若しくは
リン酸塩（例えば、Ｈ₃ＰＯ₄や（ＮＨ₄）₃ＰＯ ₄・３Ｈ₂
Ｏ等）と、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、ＳｉＯ₂と、ホウ酸
（Ｈ₃ＢＯ₃）と、上記アルカリ土類金属の塩（例えば、
ＣａＣＯ₃やＣａＳＯ₄等）と、Ａｌ₂Ｏ₃の各粉末を、酸
化物換算でＰ₂Ｏ₅：３０モル％以上かつ７０モル％未
満、ＺｎＯ：２０モル％以上かつ６０モル％未満、Ｓｉ
Ｏ₂：０．１モル％以上かつ１０モル％未満、Ｂ₂Ｏ₃：
０．１モル％以上かつ２０モル％未満、ＭｇＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた１種又は
２種以上のアルカリ土類金属の酸化物：１モル％以上か
つ４０モル％未満、Ａｌ₂Ｏ₃：０．１モル％以上かつ１
０モル％未満の比で秤量する。

【００３７】次に上記各粉末をボールミル等を用いて
０．５〜６時間混合した後、この混合粉末を白金るつぼ
等に投入し、大気中で９００〜１２００℃に１〜６時間
保持した後、急冷する。更にこの急冷物を粉砕し、メッ
シュ数が２００メッシュ以上（メッシュの目開きが８５
μｍ以下）のふるいを用いて分級することによりガラス
組成物の粉末を得る。このガラス組成物の粉末の粒径は
０．１〜３０μｍであることが好ましい。ガラス組成物
の粉末の粒径を０．１〜３０μｍの範囲に限定したの
は、０．１μｍ未満では凝集し易くその取扱いが煩わし
くなり、３０μｍを越えると所定の形状に成形できなく
なるからである。

【００３８】［２］ガラスペースト及びグリーンシート
の作製方法上記ガラス組成物の粉末に対し、エチルセルロースやア
クリル樹脂等の高分子樹脂と、α−テルピネオールやブ
チルカルビトールアセテート等の溶剤を添加し、３本ロ
ール等で十分に混練することにより、ペーストを得る。
ペーストの各成分の配合比は、ガラス組成物の粉末を７
０〜９０重量％、高分子樹脂を１〜５重量％、溶剤を８
〜２５重量％であることが好ましい。またこのペースト
を用いてグリーンシートを作製してもよい。［３］誘電体の作製方法上記ガラス組成物の粉末をプレス成形法により所定の形
状に成形し、或いは上記ペーストをスクリーン印刷法，
押出し成形法，射出成形法等により所定の形状に成形し
た後に、この成形体を乾燥・焼成することにより誘電体
を得る。

【００３９】［４］誘電体ペーストの作製方法上記ガラス組成物の粉末に対し、誘電体粉末と、高分子
樹脂と、溶剤とを添加し、３本ロール等で十分に混練す
ることにより、ペーストを得る。上記誘電体粉末として
はＢａＴｉＯ₃，（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ₃等が用いられる
ことが好ましい。また高分子樹脂としてはエチルセルロ
ース，アクリル樹脂等が用いられ、溶剤としてはα−テ
ルピネオール，ブチルカルビトールアセテート等が用い
られることが好ましい。なお、ペースト中の各成分の配
合比は、ガラス組成物の粉末が５〜４５重量％、誘電体
粉末が５０〜９０重量％、高分子樹脂が１〜５重量％、
溶剤が４〜２５重量％であることが好ましい。上記ペー
ストをスクリーン印刷法などにより、所定の形状にパタ
ーニングし、乾燥・焼成することにより誘電体厚膜を得
る。

【００４０】［５］ガラス組成物を用いた前面パネルの
誘電体層の作製方法。図８に示すように、先ずガラス基板１１０に、ＩＴＯ等
の透明電極をスパッタ法により５０〜２００μｍ幅の帯
状のパターンを形成し、この透明電極上にＡｇ等の導電
ペーストをスクリーン印刷法によりパターンを形成す
る。その後温度１００〜２００℃で１０〜３０分間乾燥
した後に、温度５００〜６００℃で０．１〜１時間焼成
することにより、ガラス基板１１０にパス電極１１１を
形成する。その後このガラス基板１１０に、ガラスペー
ストを用いてスクリーン印刷法によりペースト膜を形成
し、温度１００〜１５０℃で１０〜３０分間乾燥した後
に、温度５００〜６００℃で０．５〜３時間焼成するこ
とにより、ガラス基板１１０上に透明誘電体層１１２を
形成する。この透明誘電体層１１２を形成した基板１１
０に蒸着法等によりＭｇＯ膜１１３を形成し、ＡＣ型Ｐ
ＤＰ用前面パネル１００を得る。

【００４１】

【実施例】次に本発明の隔壁又は絶縁層用ペーストにお
ける実施例を比較例とともに詳しく説明する。＜実施例１＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、ＺｎＯを６０モル
％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を５モル％と、Ｍ
ｇＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むガラス
粉末（ガラス組成物）を８０重量％用意し、セラミック
フィラー物として平均粒径１．８μｍのアルミナ粉末を
２０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記ガラス
粉末は具体的には、Ｐ₂Ｏ₅として（ＮＨ₄）₃ＰＯ₄・３
Ｈ₂Ｏを、ＺｎＯ，ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃はそのまま、Ｍ
ｇＯとしてＭｇＣＯ₃をそれぞれ所定の成分になるよう
に混合し、大気中で１１５０℃にて３０分間融解してカ
ーボン板上に流し出し、固化した後に粉砕して（平均粒
径３〜５μｍ）得た。この混合粉末と有機バインダであ
るエチルセルロースと溶媒であるα−テルピネオールと
を重量比で１０／１／４の割合で配合し、十分に混練し
てペーストを得た。このようにして得られた隔壁又は絶
縁層用ペーストを実施例１とした。なお、以下の実施例
２〜２３及び比較例１〜１２のガラス粉末も、上記と同
様にＰ₂Ｏ₅として（ＮＨ₄）₃ＰＯ₄・３Ｈ₂Ｏを、Ｚｎ
Ｏ，ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃はそのまま、アルカリ土類金
属の酸化物であるＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯと
してＭｇＣＯ₃，ＣａＣＯ₃，ＳｒＣＯ₃又はＢａＣＯ₃を
それぞれ所定の成分になるように混合し、大気中で１１
５０℃にて３０分間融解してカーボン板上に流し出し、
固化した後に粉砕して（平均粒径３〜５μｍ）得た。

【００４２】＜実施例２＞ガラス粉末が実施例１のＭｇ
Ｏに替えてＣａＯを８モル％含むことを除いて、実施例
１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁
層用ペーストを実施例２とした。＜実施例３＞ガラス粉末が実施例１のＭｇＯに替えてＳ
ｒＯを８モル％含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペースト
を実施例３とした。＜実施例４＞ガラス粉末が実施例１のＭｇＯに替えてＢ
ａＯを８モル％含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペースト
を実施例４とした。＜実施例５＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚｎ
Ｏを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を
９．９モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を０．
１モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にして
隔壁又は絶縁層用ペーストを作製した。このペーストを
実施例５とした。

【００４３】＜実施例６＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モ
ル％と、ＺｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を０．１モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａ
ｌ₂Ｏ₃を９．９モル％とを含むことを除いて、実施例１
と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層
用ペーストを実施例６とした。＜実施例７＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２１．９モル％と、
ＺｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を０．１モル％と、Ｂ₂
Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５
モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にしてペ
ーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実
施例７とした。＜実施例８＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚｎ
Ｏを５２．１モル％と、ＳｉＯ₂を９．９モル％と、Ｂ₂
Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５
モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にしてペ
ーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実
施例８とした。

【００４４】＜実施例９＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２４．
５モル％と、ＺｎＯを５０モル％と、ＳｉＯ₂を８モル
％と、Ｂ₂Ｏ₃を４．５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、
Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除いて、実施例１と
同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用
ペーストを実施例９とした。＜実施例１０＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚ
ｎＯを６４．９モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ
₃を５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モ
ル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にしてペー
ストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施
例１０とした。＜実施例１１＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を５モル％と、Ｚｎ
Ｏを６４．９モル％と、ＳｉＯ₂を９．１モル％と、Ｂ₂
Ｏ₃を８モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５
モル％と含むことを除いて、実施例１と同様にしてペー
ストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施
例１１とした。

【００４５】＜実施例１２＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３
４．９モル％、ＺｎＯを５０モル％と、ＳｉＯ₂を２．
１モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を０．１モル％と、ＳｒＯを８モル
％と、Ａｌ₂Ｏ₃を４．９モル％とを含むことを除いて、
実施例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又
は絶縁層用ペーストを実施例１２とした。＜実施例１３＞Ｂ₂Ｏ₃を３０モル％と、ＺｎＯを２０モ
ル％と、ＢａＯを５モル％と、ＳｒＯを５モル％と、Ｍ
ｇＯを２０モル％と、ＢａＦ₂を２０モル％とを含むガ
ラス粉末を６０重量％用意したことを除いて、実施例１
２と同様にしてペーストを形成した。この隔壁又は絶縁
層用ペーストを実施例１３とした。

【００４６】＜実施例１４＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚ
ｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を
５モル％と、ＭｇＯを４モル％と、ＣａＯを４モル％
と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むガラス粉末を７０重量
％用意し、セラミックフィラー物として平均粒径４．４
μｍのチタニア粉末を３０重量％用意し、両者を十分に
混合した。上記以外は実施例１と同様にしてペーストを
作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例１４
とした。＜実施例１５＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、ＺｎＯを６０モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を５モル％と、
ＭｇＯを４モル％と、ＣａＯを４モル％と、ＳｒＯを２
モル％と、ＢａＯを２モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％と
を含むガラス粉末を７０重量％用意したことを除いて、
実施例１３と同様にしてペーストを作製した。この隔壁
又は絶縁層用ペーストを実施例１５とした。

【００４７】＜実施例１６＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚ
ｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を
５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％
とを含むガラス粉末を８０重量％用意し、セラミックフ
ィラー物として平均粒径４．３μｍのジルコン粉末を２
０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実
施例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は
絶縁層用ペーストを実施例１６とした。＜実施例１７＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、ＺｎＯを６０モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を５モル％と、
ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むガラ
ス粉末を８０重量％用意し、セラミックフィラー物とし
て平均粒径４．９μｍのコーディエライト粉末を２０重
量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例
１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁
層用ペーストを実施例１７とした。

【００４８】＜実施例１８＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚ
ｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を
５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％
とを含むガラス粉末を８０重量％用意し、セラミックフ
ィラー物として平均粒径２．６μｍのβ−ユークリプタ
イト粉末を２０重量％用意し、両者を十分に混合した。
上記以外は実施例１と同様にしてペーストを作製した。
この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例１８とした。＜実施例１９＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、ＺｎＯを６０モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を５モル％と、
ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むガラ
ス粉末を８０重量％用意し、セラミックフィラー物とし
て平均粒径２．９μｍのβ−スポジューメン粉末を２０
重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施
例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶
縁層用ペーストを実施例１９とした。

【００４９】＜実施例２０＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚ
ｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を
５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％
とを含むガラス粉末を７０重量％用意し、セラミックフ
ィラー物として平均粒径４．５μｍのアノーサイト粉末
を３０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外
は実施例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁
又は絶縁層用ペーストを実施例２０とした。＜実施例２１＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、ＺｎＯを６０モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を５モル％と、
ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むガラ
ス粉末を７０重量％用意し、セラミックフィラー物とし
て平均粒径４．０μｍのセルシアン粉末を３０重量％用
意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例１と同
様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペ
ーストを実施例２１とした。

【００５０】＜実施例２２＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、Ｚ
ｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を
５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％
とを含むガラス粉末を７０重量％用意し、セラミックフ
ィラー物として平均粒径２．９μｍのフォルステライト
粉末を３０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記
以外は実施例１と同様にしてペーストを作製した。この
隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例２２とした。＜実施例２３＞Ｐ₂Ｏ₅を２０モル％と、ＺｎＯを６０モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を５モル％と、
ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むガラ
ス粉末を７０重量％用意し、セラミックフィラー物とし
て平均粒径３．８μｍのチタン酸アルミニウム粉末を３
０重量％用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実
施例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は
絶縁層用ペーストを実施例２３とした。

【００５１】＜比較例１＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を１０モ
ル％、ＺｎＯを５５モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、
Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを２０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃
を８モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペースト
を比較例１とした。＜比較例２＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モル％、ＺｎＯ
を６０モル％と、ＳｉＯ₂を７モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を５モ
ル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を８モル％とを含むことを除いて、実
施例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は
絶縁層用ペーストを比較例２とした。＜比較例３＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モル％、ＺｎＯ
を６２モル％と、ＳｉＯ₂を５モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を５モ
ル％と、ＳｒＯを８モル％とを含むことを除いて、実施
例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶
縁層用ペーストを比較例３とした。

【００５２】＜比較例４＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を１８モ
ル％、ＺｎＯを５２モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、
Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を
１５モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様にし
てペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペースト
を比較例４とした。＜比較例５＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０モル％、ＺｎＯ
を６０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、ＳｒＯを１３
モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除いて、
実施例１と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又
は絶縁層用ペーストを比較例５とした。＜比較例６＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を１５モル％、ＺｎＯ
を５５モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を１５
モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％と
を含むことを除いて、実施例１と同様にしてペーストを
作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例６と
した。

【００５３】＜比較例７＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を１５モ
ル％、ＺｎＯを５５モル％と、ＳｉＯ₂を１５モル％
と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含む
ことを除いて、実施例１と同様にしてペーストを作製し
た。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例７とした。＜比較例８＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を１５モル％、ＺｎＯ
を５５モル％と、ＳｉＯ₂を１５モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を５
モル％と、ＳｒＯを５モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％と
を含むことを除いて、実施例１と同様にしてペーストを
作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例８と
した。＜比較例９＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２４モル％、ＺｎＯ
を４５モル％と、ＳｉＯ₂を７モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を８モ
ル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を８モル％とを
含むことを除いて、実施例１と同様にしてペーストを作
製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例９とし
た。

【００５４】＜比較例１０＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を１０
モル％、ＺｎＯを７０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂
Ｏ₃を５モル％とを含むことを除いて、実施例１と同様
にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペー
ストを比較例１０とした。＜比較例１１＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２モル％、ＺｎＯ
を６４モル％と、ＳｉＯ₂を９モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を９モ
ル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を８モル％とを
含むことを除いて、実施例１と同様にしてペーストを作
製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例１１と
した。＜比較例１２＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを５０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を３
モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を２モル％と
を含むことを除いて、実施例１と同様にしてペーストを
作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例１２
とした。

【００５５】＜比較試験及び評価＞実施例１〜２３及び
比較例１〜１２のペーストに含まれる、ガラス組成物の
成分及び各成分の混合割合を「モル％」で表したものを
表１に示し、「ａｔｏｍ％」で表したものを表２に示
す。また、セラミックフィラー物の成分及び添加量（重
量％）を表１及び表２にそれぞれ含めて示す。上記実施
例１〜２３及び比較例１〜１２のペーストを縦×横がそ
れぞれ２５ｍｍ×２５ｍｍのパターンにガラス基板上に
印刷し、１５０℃で１０分間乾燥後、種々の焼成温度で
焼成し、ガラス基板との密着性が良好で最も低い焼成温
度をそのガラス組成物及びセラミックフィラー物（ガラ
ス／セラミック）のペーストの焼成温度とした。また５
ｍｍ×５ｍｍ×２０ｍｍのキャビティに上記ペーストを
流し込み、上記焼成温度にて焼成し、焼成後に形成され
たガラス板の熱膨張係数（×１０^-7／℃）及び反射率
（％）をそれぞれ測定した。上記反射率はガラス基板上
にて焼成されたガラス／セラミック膜の可視光（３８０
〜８００ｎｍ）の反射率を測定した。上記焼成温度，熱
膨張係数及び反射率を表３に示す。

【００５６】

【表１】

【００５７】

【表２】

【００５８】

【表３】

【００５９】表３から明らかなように、実施例１〜２３
では焼成温度が６００℃未満と低かったのに対し、比較
例２，４，５，８，９及び１１では焼成温度が６００℃
以上と高く、比較例１，６及び１０では所定のガラス成
分にてガラス化ができなかった。なお、比較例３ではガ
ラスが潮解性を示した。また実施例１〜２３では熱膨張
係数が（７７〜８７）×１０^-7／℃であったのに対し、
比較例７及び１２では熱膨張係数が１０１×１０^-7／℃
及び１２０×１０^-7／℃と高かった。実施例１〜２３の
熱膨張係数はＰＤＰのガラス基板（ソーダ石灰ガラス）
の熱膨張係数（８５×１０^-7／℃）と概略同一であっ
た。更に実施例１〜２３では反射率が７８〜８５％と極
めて高かった。

【００６０】次に本発明の誘電体用ペーストにおける実
施例を比較例とともに詳しく説明する。＜実施例２４＞Ｐ₂Ｏ₅を３５モル％と、ＺｎＯを３５モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を３モル％と、
ＭｇＯを２０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含む原
料粉末を用意し、乳鉢で十分混合した。上記原料粉末は
具体的には、Ｐ₂Ｏ₅として（ＮＨ₄）₃ＰＯ₄・３Ｈ₂Ｏ
を、ＺｎＯ，ＳｉＯ₂及びＡｌ₂Ｏ₃はそのまま、ＭｇＯ
としてＭｇＣＯ₃をそれぞれ所定の成分になるように混
合し、大気中で１１５０℃にて３０分間融解してカーボ
ン板上に流し出し、固化した後に粉砕して（平均粒径３
〜５μｍ）得た。この混合粉末と有機バインダであるエ
チルセルロースと溶媒であるα−テルピネオールとを重
量比で１０／１／４の割合で配合し、十分に混練してペ
ーストを得た。このようにして得られた誘電体用ペース
トを実施例１とした。なお、以下の実施例２５〜３８及
び比較例１３〜２４のガラス粉末も、上記と同様にＰ₂
Ｏ₅として（ＮＨ₄）₃ＰＯ₄・３Ｈ₂Ｏを、ＺｎＯ，Ｓｉ
Ｏ₂及びＡｌ₂Ｏ ₃はそのまま、アルカリ土類金属の酸化
物であるＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯとしてＭｇ
ＣＯ₃，ＣａＣＯ₃，ＳｒＣＯ₃又はＢａＣＯ₃をそれぞれ
所定の成分になるように混合し、大気中で１１５０℃に
て３０分間融解してカーボン板上に流し出し、固化した
後に粉砕して（平均粒径３〜５μｍ）得た。

【００６１】＜実施例２５＞ガラス粉末が実施例１のＭ
ｇＯに替えてＣａＯを２０モル％含むことを除いて、実
施例２４と同様にしてペーストを作製した。この誘電体
用ペーストを実施例２５とした。＜実施例２６＞ガラス粉末が実施例１のＭｇＯに替えて
ＳｒＯを２０モル％含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
実施例２６とした。＜実施例２７＞ガラス粉末が実施例１のＭｇＯに替えて
ＢａＯを２０モル％含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
実施例２７とした。＜実施例２８＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％と、Ｚ
ｎＯを３５モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を
９．９モル％と、ＳｒＯを１８モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を
０．１モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同様
にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを実
施例２８とした。

【００６２】＜実施例２９＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５
モル％と、ＺｎＯを３５モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を０．１モル％と、ＳｒＯを１８モル％と、
Ａｌ₂Ｏ₃を９．９モル％とを含むことを除いて、実施例
２４と同様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペ
ーストを実施例２９とした。＜実施例３０＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３１．８モル％
と、ＺｎＯを６０モル％と、ＳｉＯ₂を０．１モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を０．１モル％と、ＳｒＯを５モル％と、Ａ
ｌ₂Ｏ₃を３モル％とを含むことを除いて、実施例２４と
同様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペースト
を実施例３０とした。＜実施例３１＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を４０．１モル％
と、ＺｎＯを２０モル％と、ＳｉＯ₂を９．９モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを２０モル％と、Ａｌ
₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
実施例３１とした。

【００６３】＜実施例３２＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３０
モル％と、ＺｎＯを４０モル％と、ＳｉＯ₂を５モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを１５モル％と、Ａｌ
₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
実施例３２とした。＜実施例３３＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を７０モル％と、Ｚ
ｎＯを２１．７モル％と、ＳｉＯ₂を０。１モル％と、
Ｂ₂Ｏ₃を０．１モル％と、ＳｒＯを８モル％と、Ａｌ₂
Ｏ₃を０．１モル％とを含むことを除いて、実施例２４
と同様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペース
トを実施例３３とした。＜実施例３４＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３９モル％と、Ｚ
ｎＯを５０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を
３モル％と、ＳｒＯを１モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％
と含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペースト
を作製した。この誘電体用ペーストを実施例３４とし
た。

【００６４】＜実施例３５＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２０
モル％、ＺｎＯを３０モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを４０モル％と、Ａｌ
₂Ｏ₃を３モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
実施例３５とした。＜実施例３６＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を３
モル％と、ＭｇＯを１０モル％と、ＣａＯを１０モル％
と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除いて、実施例
２４と同様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペ
ーストを実施例３６とした。＜実施例３７＞Ｐ₂Ｏ₅を３５モル％と、ＺｎＯを３５モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を３モル％と、
ＭｇＯを５モル％と、ＣａＯを５モル％と、ＳｒＯを１
０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除い
て、実施例２４と同様にしてペーストを作製した。この
誘電体用ペーストを実施例３７とした。＜実施例３８＞Ｐ₂Ｏ₅を３５モル％と、ＺｎＯを３５モ
ル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ ₃を３モル％と、
ＭｇＯを５モル％と、ＣａＯを５モル％と、ＳｒＯを５
モル％と、ＢａＯを５モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％と
を含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペースト
を作製した。この誘電体用ペーストを実施例３８とし
た。

【００６５】＜比較例１３＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を２８
モル％、ＺｎＯを２１モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を５モル％と、ＳｒＯを２０モル％と、Ａｌ
₂Ｏ₃を８モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
比較例１３とした。＜比較例１４＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を７２モル％、Ｚｎ
Ｏを２１モル％と、ＳｉＯ₂を１モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を１
モル％と、ＳｒＯを４モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を１モル％と
を含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペースト
を作製した。この誘電体用ペーストを比較例１４とし
た。＜比較例１５＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を４９モル％、Ｚｎ
Ｏを２１モル％と、ＳｉＯ₂を５モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を５
モル％と、ＳｒＯを１５モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％
とを含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペース
トを作製した。この誘電体用ペーストを比較例１５とし
た。

【００６６】＜比較例１６＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３２
モル％、ＺｎＯを６２モル％と、ＳｉＯ₂を０．５モル
％と、Ｂ₂Ｏ₃を０．５モル％と、ＳｒＯを２モル％と、
Ａｌ₂Ｏ₃を２モル％とを含むことを除いて、実施例２４
と同様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペース
トを比較例１６とした。＜比較例１７＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＳｉＯ₂を５モル％と、ＳｒＯを２
０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含むことを除い
て、実施例２４と同様にしてペーストを作製した。この
誘電体用ペーストを比較例１７とした。＜比較例１８＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＳｉＯ₂を１１モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を
４モル％と、ＳｒＯを１０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル
％とを含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペー
ストを作製した。この誘電体用ペーストを比較例１８と
した。

【００６７】＜比較例１９＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５
モル％、ＺｎＯを３５モル％と、ＳｉＯ₂を５モル％
と、ＳｒＯを２０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル％とを含
むことを除いて、実施例２４と同様にしてペーストを作
製した。この誘電体用ペーストを比較例１９とした。＜比較例２０＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＳｉＯ₂を４モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を１
１モル％と、ＳｒＯを１０モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５モル
％とを含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペー
ストを作製した。この誘電体用ペーストを比較例２０と
した。＜比較例２１＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを４５モル％と、ＳｉＯ₂を５．５モル％と、Ｂ₂Ｏ₃
を９モル％と、ＳｒＯを０．５モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を５
モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同様にして
ペーストを作製した。この誘電体用ペーストを比較例２
１とした。

【００６８】＜比較例２２＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３１
モル％、ＺｎＯを２１モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％
と、Ｂ₂Ｏ₃を３モル％と、ＳｒＯを４１モル％と、Ａｌ
₂Ｏ₃を２モル％とを含むことを除いて、実施例２４と同
様にしてペーストを作製した。この誘電体用ペーストを
比較例２２とした。＜比較例２３＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＳｉＯ₂を８モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を７
モル％と、ＳｒＯを１５モル％とを含むことを除いて、
実施例２４と同様にしてペーストを作製した。この誘電
体用ペーストを比較例２３とした。＜比較例２４＞ガラス粉末がＰ₂Ｏ₅を３５モル％、Ｚｎ
Ｏを３５モル％と、ＳｉＯ₂を２モル％と、Ｂ₂Ｏ₃を２
モル％と、ＳｒＯを１５モル％と、Ａｌ₂Ｏ₃を１１モル
％とを含むことを除いて、実施例２４と同様にしてペー
ストを作製した。この誘電体用ペーストを比較例２４と
した。

【００６９】＜比較試験及び評価＞実施例２４〜３８及
び比較例１３〜２４のペーストに含まれる、ガラス組成
物の成分及び各成分の混合割合を「モル％」で表したも
のを表４に示し、「ａｔｏｍ％」で表したものを表５に
示す。上記実施例２４〜３８及び比較例１３〜２４のペ
ーストを縦×横がそれぞれ２５ｍｍ×２５ｍｍのパター
ンでソーダライムガラス基板上に印刷し、１５０℃で１
０分間乾燥後、種々の焼成温度で焼成し、ガラス基板と
の密着性が良好で最も低い焼成温度をそのガラス組成物
のペーストの焼成温度とした。また５ｍｍ×５ｍｍ×２
０ｍｍのキャビティに上記ペーストを流し込み、上記焼
成温度にて焼成し、焼成後に形成されたガラス板の熱膨
張係数（×１０^-7／℃）、可視光透過率（％）及び比誘
電率（％）をそれぞれ測定した。この熱膨張係数（×１
０^-7／℃）、可視光透過率（％）及び比誘電率（％）を
表６に示す。

【表４】

【００７０】

【表５】

【００７１】

【表６】

【００７２】表４〜表６から明らかなように、実施例２
４〜３８では焼成温度が６００℃未満と低かったのに対
し、比較例１６〜２０及び２４では焼成温度が６００℃
以上と高く、比較例１３及び２２では所定のガラス成分
にてガラス化ができなかった。なお、比較例１４及び２
３ではガラスが潮解性を示した。また実施例２４〜３８
では熱膨張係数が（７４〜８２）×１０^-7／℃であった
のに対し、比較例１５及び１７では熱膨張係数が９１×
１０^-7／℃及び１０２×１０^-7／℃と高かった。実施例
２４〜３８の熱膨張係数はＰＤＰのガラス基板（ソーダ
ライムガラス）の熱膨張係数（８５×１０^-7／℃）と概
略同一であった。更に実施例２４〜３８では可視光透過
率が７７．２〜８４．２％と極めて高く、比誘電率も１
０．８〜１６．１％と高い値を示し、誘電体に好適な値
を示した。

【００７３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ガ
ラス組成物のガラス成分として、５モル％以上かつ３５
モル％未満のＰ₂Ｏ₅と、５０モル％以上かつ６５モル％
未満のＺｎＯと、０．１モル％以上かつ１０モル％未満
のＳｉＯ₂と、０．１モル％以上かつ１０モル％未満の
Ｂ₂Ｏ₃と、１モル％以上かつ２０モル％未満のＭｇＯ，
ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた１種
又は２種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、０．１モ
ル％以上かつ１０モル％未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含むので、
焼成温度が低くなって、このガラス組成物を焼成して得
られる絶縁体の軟化点が低くなる。また上記ガラス成分
に密度の大きいＰｂ成分を含まないため、上記絶縁体の
重量を軽減でき、環境を汚染せず、更に使用中における
放電特性の低下もない。またＰ₂Ｏ₅やアルカリ金属酸化
物を多量に含むため、ガラスの熱膨張係数がガラス基板
に対して大きくなる従来のプラズマディスプレイと比較
して、本発明ではＰ₂Ｏ₅が比較的少なくかつアルカリ金
属酸化物を含まないので、絶縁体の熱膨張係数の上昇を
抑制することができるとともに、上記絶縁体の耐水性を
向上することができる。

【００７４】また上記ガラス組成物に、セラミックフィ
ラー物としてジルコン，アルミナ，チタニア等のセラミ
ックを混合して混合体を作製すれば、混合体を焼成して
得られる絶縁体の熱膨張係数を低くすることができ、こ
の絶縁体の熱膨張係数をガラス基板の熱膨張係数と整合
させることができる。また上記ガラス組成物又は混合体
に対し、導電体粉又は抵抗体粉末と、高分子樹脂と、溶
剤とを加えてペーストを作製し、このペーストをガラス
基板上に塗布して焼成することにより、導電体厚膜又は
抵抗体厚膜を作製すれば、基板との密着性が高い厚膜が
得られる。

【００７５】また上記ガラス組成物又は混合体に高分子
樹脂及び溶剤を加えてペーストを作製し或いはグリーン
シートを作製し、このペースト或いはグリーンシートを
焼成して絶縁体，ＦＰＤ用隔壁又はＦＰＤ用絶縁層を作
製すれば、上記ガラス組成物の焼成温度がガラス基板の
軟化点より１００℃以上低くなり、上記絶縁体，隔壁又
は絶縁層の熱膨張係数がガラス基板の熱膨張係数と概略
同一になるので、ガラス基板に反り等が生じることはな
い。また上記絶縁体，隔壁又は絶縁層の比誘電率が４〜
７程度と比較的小さくなるので、電気信号が近隣の配線
に漏洩することはなく、画像にクロストークが発生しな
い。更にガラス組成物へのセラミックフィラー物の添加
量は比較的少量で済むので、焼成後の強度が高い。

【００７６】更に、誘電体として使用するガラス成分と
しては、３０モル％以上かつ７０モル％未満のＰ₂Ｏ
₅と、２０モル％以上かつ６０モル％未満のＺｎＯと、
０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＳｉＯ₂と、
０．１モル％以上かつ２０モル％未満のＢ₂Ｏ₃と、１モ
ル％以上かつ４０モル％未満のＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ
及びＢａＯからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
アルカリ土類金属の酸化物と、０．１モル％以上かつ１
０モル％未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含むので、焼成温度が低く
なって、得られる誘電体の軟化点が低くなり、誘電体の
重量を軽減するとともに、誘電体の誘電率及び透明度を
向上することができる。このガラス組成物に、誘電体粉
末と、高分子樹脂と、溶剤とを加えてペーストを作製
し、このペーストをガラス基板上に塗布して焼成するこ
とにより、誘電体厚膜を作製すれば、基板との密着性が
高い厚膜が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明第１実施形態のＰＤＰ用隔壁を作製する
ための工程を示す断面図。

【図２】本発明第２実施形態のＰＤＰ用隔壁を作製する
ための工程を示す断面図。

【図３】本発明第３実施形態のＰＤＰ用隔壁及びＰＤＰ
用絶縁層を作製するための工程を示す断面図。

【図４】本発明第４実施形態のセラミックキャピラリリ
ブの成形状態を示す斜視図。

【図５】図４のＡ−Ａ線断面におけるセラミックキャピ
ラリリブを乾燥，加熱及び焼成することにより得たＰＤ
Ｐ用隔壁を示す断面図。

【図６】本発明第５実施形態のセラミックキャピラリ層
付リブの成形状態を示す図４に対応する斜視図。

【図７】図６のＢ−Ｂ線断面におけるセラミックキャピ
ラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た
絶縁層付隔壁を示す図５に対応する断面図。

【図８】本発明第６実施形態の前面パネルを制作するた
めの工程図。

【図９】ＰＤＰの要部拡大断面図。

【符号の説明】

１０ガラス基板１４，３４，７４，９４隔壁５２，９３絶縁層１１２誘電体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス成分として、３．５ａｔｏｍ％以
上かつ１８ａｔｏｍ％未満のＰと、１２．５ａｔｏｍ％
以上かつ２４ａｔｏｍ％未満のＺｎと、０．０２ａｔｏ
ｍ％以上かつ４ａｔｏｍ％未満のＳｉと、０．０１ａｔ
ｏｍ％以上かつ６．０ａｔｏｍ％未満のＢと、０ａｔｏ
ｍ％以上かつ３ａｔｏｍ％未満のＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及び
Ｂａからなる群より選ばれた１種又は２種以上のアルカ
リ土類金属と、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ６．０ａｔ
ｏｍ％未満のＡｌと、５５ａｔｏｍ％以上かつ６５ａｔ
ｏｍ％未満のＯとを含むガラス組成物。
【請求項２】ガラス成分として、５モル％以上かつ３
５モル％未満のＰ₂Ｏ₅と、５０モル％以上かつ６５モル
％未満のＺｎＯと、０．１モル％以上かつ１０モル％未
満のＳｉＯ₂と、０．１モル％以上かつ１０モル％未満
のＢ₂Ｏ₃と、１モル％以上かつ２０モル％未満のＭｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれた
１種又は２種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、０．
１モル％以上かつ１０モル％未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含むガ
ラス組成物。
【請求項３】請求項１又は２記載のガラス組成物に、
セラミックフィラー物としてジルコン，アルミナ，チタ
ニア，コーディエライト，ムライト，β−ユークリプタ
イト，スポジューメン，アノーサイト，セルシアン，フ
ォルステライト及びチタン酸アルミニウムからなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上のセラミックを混合した混
合体。
【請求項４】請求項１若しくは請求項２記載のガラス
組成物又は請求項３記載の混合体と、高分子樹脂と、溶
剤とを含む隔壁又は絶縁層用ペースト。
【請求項５】請求項１若しくは請求項２記載のガラス
組成物又は請求項３記載の混合体と、導電体粉末又は抵
抗体粉末又は誘電体粉末と、高分子樹脂と、溶剤とを含
む厚膜用ペースト。
【請求項６】請求項１若しくは請求項２記載のガラス
組成物又は請求項３記載の混合体と、高分子樹脂と、溶
剤とを含む隔壁又は絶縁層用グリーンシート。
【請求項７】請求項１若しくは請求項２記載のガラス
組成物又は請求項３記載の混合体を焼成して形成された
絶縁体。
【請求項８】請求項４記載のペーストを焼成して形成
された隔壁又は絶縁層用厚膜。
【請求項９】請求項５記載のペーストを焼成して形成
された導体、抵抗体又は誘電体用厚膜。
【請求項１０】隔壁又は絶縁層が請求項１若しくは請
求項２記載のガラス組成物又は請求項３記載の混合体を
焼成して形成されたＦＰＤ。
【請求項１１】ガラス成分として、１２ａｔｏｍ％以
上かつ２６ａｔｏｍ％未満のＰと、３ａｔｏｍ％以上か
つ１７ａｔｏｍ％未満のＺｎと、０．０１ａｔｏｍ％以
上かつ３ａｔｏｍ％未満のＳｉと、０．０１ａｔｏｍ％
以上かつ５ａｔｏｍ％未満のＢと、０ａｔｏｍ％以上か
つ１３ａｔｏｍ％未満のＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ及びＢａから
なる群より選ばれた１種又は２種以上のアルカリ土類金
属と、０．０１ａｔｏｍ％以上かつ５ａｔｏｍ％未満の
Ａｌと、５５ａｔｏｍ％以上かつ６５ａｔｏｍ％未満の
Ｏとを含むガラス組成物。
【請求項１２】ガラス成分として、３０モル％以上か
つ７０モル％未満のＰ₂Ｏ₅と、２０モル％以上かつ６０
モル％未満のＺｎＯと、０．１モル％以上かつ１０モル
％未満のＳｉＯ₂と、０．１モル％以上かつ２０モル％
未満のＢ₂Ｏ₃と、１モル％以上かつ４０モル％未満のＭ
ｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ及びＢａＯからなる群より選ばれ
た１種又は２種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、
０．１モル％以上かつ１０モル％未満のＡｌ₂Ｏ₃とを含
むガラス組成物。
【請求項１３】請求項１１若しくは請求項１２記載の
ガラス組成物と、高分子樹脂と、溶剤とを含む誘電体用
ペースト。
【請求項１４】請求項１１若しくは請求項１２記載の
ガラス組成物と、高分子樹脂と、溶剤とを含む誘電体用
グリーンシート。
【請求項１５】請求項１１若しくは請求項１２記載の
ガラス組成物を焼成して形成された誘電体。
【請求項１６】誘電体層が請求項１１若しくは請求項
１２記載のガラス組成物を焼成して形成されたＦＰＤ。