JP2002367510A - ガラスフリット焼成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】誘電率が低く、かつプラズマディスプレイパネ
ル（ＰＤＰ）の輝度低下等の問題が起きにくいＰＤＰ隔
壁が得られるガラスフリット焼成方法の提供。 【解決手段】軟化点が６２０℃以下であるガラス粉末を
含有するガラスフリットを焼成する方法であって、該焼
成を行う雰囲気の圧力Ｐが１０⁴Ｐａ以上であり、か
つ、該雰囲気の水の含有量が２．０ｇ／ｍ³以下である
ことを特徴とするガラスフリット焼成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル（ＰＤＰ）や蛍光表示管（ＶＦＤ）の隔壁等
に用いられるガラスフリット焼成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】平面カラーディスプレイ装置として期待
されているＰＤＰは、典型的には、表示面として使用さ
れる前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形
成されており、該セルに封入された、典型的にはＨｅ−
ＸｅまたはＮｅ−Ｘｅの混合ガスである封入ガスのプラ
ズマ放電で発生する紫外線によって蛍光体が発光し、画
像が形成される。前記前面基板の表面には通常、透明電
極および該透明電極を被覆する誘電体層が形成されてお
り、該誘電体層はＭｇＯ膜で被覆され、保護されてい
る。

【０００３】前記隔壁は、軟化点（Ｔ_S）が６２０℃以
下のガラス粉末を主成分として含有するガラスフリット
を焼成して製造され、該ガラス粉末としては従来、Ｐｂ
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃系またはＰｂＯ−ＳｉＯ₂系のガラス粉末が
使用されていた。また、焼成は通常大気中で、前記ガラ
スフリットを典型的には５３０〜６２０℃に５〜６０分
保持して行われていた。焼成が行われる作業室の温度お
よび相対湿度はそれぞれ通常２０〜２５℃、４０〜６０
％であり、したがって焼成雰囲気の水の含有量は典型的
には２．２〜５．１ｍｇ／ｍ³であった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ＰＤＰは消費電力が大
きいことが問題になっており、また、隔壁の比誘電率
（ε）が大きいことがその消費電力を上げる一因となっ
ている。隔壁のεを下げるためにはεの低いガラス粉末
を主成分として含有するガラスフリットを使用して隔壁
を製造することが有効である。ＰＤＰ隔壁用ガラスフリ
ットの主成分として従来使用されていたガラス粉末のε
は典型的には１２〜１５であった。

【０００５】εが１２未満でＴ_Sが６２０℃以下のガラ
ス粉末としてはＢ₂Ｏ₃またはＰ₂Ｏ₅を多く含有するガラ
ス粉末が知られているが、該ガラス粉末を含有するガラ
スフリットを焼成して隔壁を形成したＰＤＰは輝度が低
い、またはＰＤＰの輝度が経時的に低下する、という問
題があった。本発明は、以上の課題を解決するガラスフ
リット焼成方法の提供を目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、軟化点が６２
０℃以下であるガラス粉末を含有するガラスフリットを
焼成する方法であって、該焼成を行う雰囲気の圧力Ｐが
１０⁴Ｐａ以上であり、かつ、該雰囲気の水の含有量が
２．０ｇ／ｍ³以下であることを特徴とするガラスフリ
ット焼成方法、を提供する。

【０００７】また、軟化点が６２０℃以下であるガラス
粉末を含有するガラスフリットをガラス基板上に塗布し
焼成してプラズマディスプレイパネルの隔壁を製造する
方法であって、前記ガラスフリット焼成方法によって前
記ガラスフリットを焼成することを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル隔壁の製造方法、を提供する。

【０００８】ＰＤＰの輝度低下の原因として、封入ガス
の組成変化およびＭｇＯ膜の変質が知られている。前記
封入ガスの組成が変化するとプラズマ放電の効率が低下
し、蛍光体の発光効率が低下してＰＤＰの輝度が低下す
ると考えられている。また、前記ＭｇＯ膜は誘電体を保
護し、プラズマ放電を安定化するために使用されている
ものであるが、ＭｇＯは雰囲気中のＨ₂ＯやＣＯ₂を吸収
して容易に水酸化マグネシウムや炭酸マグネシウムとな
るため、その変質がＰＤＰの輝度に影響すると考えられ
ている。

【０００９】本発明者らは、種々のガラスフリットを５
６０℃に３０分間保持して得られた焼成体から発生する
Ｈ₂Ｏ量を測定し、ＰＤＰ隔壁に使用したときにＰＤＰ
の輝度が低い、または経時的に輝度が低下するという問
題が起きたガラスフリット焼成体から発生するＨ₂Ｏの
量が、ＰＤＰ隔壁に使用したときに前記問題が起きなか
ったガラスフリット焼成体から発生するＨ₂Ｏの量と比
較して多いことを見出した。前記焼成体から発生するＨ
₂Ｏの量が多いと、該焼成体をＰＤＰ隔壁に使用したと
きに、該焼成体から発生するＨ₂Ｏによって前記封入ガ
スの組成が変化し、または前記ＭｇＯ膜が変質し、それ
によってＰＤＰの輝度が低下するものと考えた。

【００１０】すなわち、種々の組成のガラスフリット焼
成体を乳鉢で粉砕して平均粒径約５０μｍの粉末とし、
該粉末を５×１０^-8Ｐａ程度の高真空中において６０℃
／分の昇温速度で６００℃まで加熱しながら、四重極子
型質量分析計（ＱＭＳ）を用いて発生したガスの量を測
定し、３００〜５００℃で発生したＨ₂Ｏの量（ｗ）を
求めたところ、ＰＤＰ隔壁に使用したときに前記問題が
起きなかったガラスフリット焼成体のｗが０．８〜１．
０ｍｇ／ｃｍ³であったのに対し、ＰＤＰ隔壁に使用し
たときに前記問題が起きたガラスフリット焼成体のｗは
１．４〜５．０ｍｇ／ｃｍ³であった。

【００１１】このことから本発明者は、ガラスフリット
焼成体のｗが１．０ｍｇ／ｃｍ³超であると、該ガラス
フリットを焼成してＰＤＰ隔壁としたときにＰＤＰの輝
度が低い、またはＰＤＰの輝度が経時的に低下するとい
う問題が起きるおそれがあると考えた。

【００１２】また本発明者は、Ｂ₂Ｏ₃を多く含有するε
が１２未満のガラス粉末の原料を窒素中で溶融し、流し
出した後粉砕してガラス粉末とし、該ガラス粉末のｗが
０．５ｍｇ／ｃｍ³であったのに対し、該ガラス粉末を
通常の方法で５６０℃に３０分間保持して焼成した焼成
体のｗが１．７ｍｇ／ｃｍ³であったことから、焼成に
よってｗが増加する場合があることを見出し、本発明に
至った。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明のガラスフリット焼成方法
は、軟化点Ｔ_Sが６２０℃以下のガラス粉末を含有する
ガラスフリットを典型的には５３０〜６２０℃に５〜６
０分保持して焼成するものである。

【００１４】前記ガラスフリットはＴ_Sが６２０℃以下
のガラス粉末を必須成分として、質量百分率表示で典型
的には５０〜１００％含有し、その他の成分を０〜５０
％含有する。該その他の成分としてはセラミックスフィ
ラーおよび耐熱顔料が例示される。

【００１５】前記セラミックスフィラーは、前記ガラス
フリットを焼成して得られる焼成体の形状を維持するた
めに、また該焼成体の強度を高めるために加えることが
できるものであり、アルミナ、ムライト、ジルコン、コ
ーディエライト、ジルコニア、チタン酸アルミニウム、
β−スポデュメン、α−石英、溶融石英、β−石英固溶
体、β−ユークリプタイトが例示される。

【００１６】前記耐熱顔料は色調調整成分であり、チタ
ニア等の白色顔料、Ｆｅ−Ｍｎ複酸化物系、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｃｒ複酸化物系、Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ複酸化物系、Ｃｕ
−Ｃｒ複酸化物系等の黒色顔料が例示される。

【００１７】前記ガラス粉末の２０℃、１ＭＨｚにおけ
る比誘電率εは１２未満であることが好ましい。１２以
上であると、例えばＰＤＰ隔壁に使用したときにＰＤＰ
の消費電力が高くなる。より好ましくは１０．５以下、
さらに好ましくは１０以下である。

【００１８】前記ガラス粉末は下記酸化物基準のモル％
表示で、実質的に、Ｂ₂Ｏ₃ １５〜８０％、ＳｉＯ₂
０〜４５％、ＺｎＯ ０〜５０％、ＰｂＯ＋Ｂｉ₂Ｏ₃
０〜５０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜５
０％、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ ₂Ｏ ０〜３０％、Ａｌ₂Ｏ
₃＋ＺｒＯ₂ ０〜１３％、からなるガラス粉末（ホウ酸
系ガラス粉末）であることが好ましい。

【００１９】また、下記酸化物基準のモル％表示で、実
質的に、Ｐ₂Ｏ₅ １５〜５０％、Ｂ ₂Ｏ₃ ０〜３０％、
ＺｎＯ ０〜５０％、ＳｎＯ ０〜３５％、ＭｇＯ＋Ｃ
ａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３５％、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ
＋Ｋ₂Ｏ ０〜１０％、Ａｌ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂ ０〜１５
％、からなるガラス粉末（リン酸系ガラス粉末）である
ことが好ましい。

【００２０】前記ホウ酸系ガラス粉末の成分について、
以下にモル％表示で説明する。Ｂ₂Ｏ₃はガラスを安定化
し、Ｔ_Sを下げる成分であり、また、εを下げる成分で
あり、必須である。１５％未満ではεが高くなりすぎ
る。好ましくは２０％以上、より好ましくは２５％以上
である。８０％超では化学的耐久性が低下する。好まし
くは６０％以下、より好ましくは５０％以下、特に好ま
しくは４０％以下である。

【００２１】ＳｉＯ₂は必須ではないがガラスを安定化
し、またはεを下げる目的で４５％まで含有してよい。
４５％超ではＴ_Sが高くなりすぎる。好ましくは３５％
以下、より好ましくは３０％以下である。ＳｉＯ₂を含
有する場合、その含有量は１％以上であることが好まし
い。より好ましくは３％以上、特に好ましくは５％以
上、最も好ましくは１０％以上である。

【００２２】ＺｎＯは必須ではないがＴ_Sを下げ、化学
耐久性を向上させる成分であり、５０％まで含有してよ
い。５０％超ではガラス化が困難となる。好ましくは４
５％以下、より好ましくは４０％以下である。ＺｎＯを
含有する場合、その含有量は１％以上であることが好ま
しい。より好ましくは３％以上、特に好ましくは５％以
上である。

【００２３】ＰｂＯおよびＢｉ₂Ｏ₃はいずれも必須では
ないが、Ｔ_Sを下げるために合計で５０％まで含有して
よい。これらの合計ＰｂＯ＋Ｂｉ₂Ｏ₃が５０％超ではε
が高くなりすぎる。好ましくは４０％以下、より好まし
くは３０％以下である。

【００２４】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはい
ずれも必須ではないが、ガラスを安定化するために合計
で５０％まで含有してよい。これら４成分の合計ＭｇＯ
＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが５０％超ではガラス化が困
難になるおそれがある。好ましくは３０％以下、より好
ましくは１０％以下である。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯま
たはＢａＯのいずれか１種以上を含有する場合、ＭｇＯ
＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯは２％以上であることが好ま
しく、４％以上であることがより好ましい。

【００２５】Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏはいずれも
必須ではないが、Ｔ_Sを下げ流動性を増加させるため
に、合計で３０％まで含有してよい。これら３成分の合
計Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏが３０％超では、化学耐久
性が低下する。また、電気絶縁性が低下するおそれがあ
る。好ましくは２５％以下、より好ましくは１５％以下
である。

【００２６】Ａｌ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂はいずれも必須で
はないが、化学的耐久性を高くするために、合計で１３
％まで含有してよい。これらの合計Ａｌ₂Ｏ₃＋ＺｒＯ₂
が１３％超ではＴ_Sが高くなりすぎるおそれがある。好
ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
Ａｌ₂Ｏ₃またはＺｒＯ₂のいずれか１種以上を含有する
場合、Ａｌ₂Ｏ₃＋ＺｒＯ₂は０．５％以上であることが
好ましく、１％以上であることがより好ましい。

【００２７】前記ホウ酸系ガラス粉末は実質的に上記成
分からなるが、これ以外の成分を合計で５％まで含有し
てよい。このような成分として、Ｌａ₂Ｏ₃やＣｅＯ₂等
の希土類酸化物、ＳｎＯ₂、ＣｕＯ、Ｐ₂Ｏ₅、ＴｉＯ₂、
ＭｎＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＧｅＯ₂、Ｙ
₂Ｏ₃、ＭｏＯ₃、Ｒｈ₂Ｏ₃、Ａｇ₂Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＴｅＯ
₂、ＷＯ₃、ＲｅＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅、ＰｄＯ、が例示される。

【００２８】次に、前記リン酸系ガラス粉末の成分につ
いて、モル％表示で説明するＰ₂Ｏ₅はネットワークフォ
ーマーであり必須である。１５％未満ではガラス化が困
難になる。好ましくは２５％以上、より好ましくは２８
％以上である。５０％超では化学的耐久性が低下する。
好ましくは４０％以下、より好ましくは３７％以下であ
る。

【００２９】Ｂ₂Ｏ₃は必須ではないが、ガラスを安定化
し、εを下げる成分であり３０％まで含有してよい。３
０％超では化学的耐久性が低下する。好ましくは１０％
以下、より好ましくは５％以下である。

【００３０】ＺｎＯは必須ではないが、ガラスを安定化
し、化学的耐久性を高める成分であり、５０％まで含有
してよい。５０％超ではガラス化しないおそれがある。
好ましくは３５％以下、より好ましくは３２％以下であ
る。

【００３１】ＳｎＯは必須ではないが、Ｔ_Sを下げる成
分であり、３５％まで含有してよい。３５％超ではガラ
スが得られ難くなる。またはεが高くなる。好ましくは
３０％以下、より好ましくは２５％以下である。

【００３２】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯはい
ずれも必須ではないが、ガラスを安定化する目的で、合
計で３５％まで含有してよい。これら４成分の合計Ｍｇ
Ｏ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが３５％超ではＴ_Sが高く
なりすぎる。

【００３３】Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏはいずれも
必須ではないが、Ｔ_Sを下げる成分であり合計で１０％
まで含有してよい。これら３成分の合計Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂
Ｏ＋Ｋ ₂Ｏが１０％超では化学的耐久性が低下する。ま
た、電気絶縁性が低下するおそれがある。好ましくは５
％以下、より好ましくは３％以下である。

【００３４】Ａｌ₂Ｏ₃およびＳｉＯ₂はいずれも必須で
はないが、化学的耐久性を高める成分であり、εを下げ
る成分であり合計で１５％まで含有してよい。１５％超
ではＴ_Sが高くなりすぎる。好ましくは１０％以下、よ
り好ましくは５％以下である。

【００３５】前記好ましいリン酸系低融点ガラスは実質
的に上記成分からなるが、これ以外の成分を合計で５モ
ル％まで含有してよい。このような成分として、Ｌａ₂
Ｏ₃、ＣｅＯ₂等の希土類酸化物、ＣｕＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ
₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂、ＭｎＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、
ＮｉＯ、ＧｅＯ₂、Ｙ₂Ｏ₃、ＭｏＯ₃、Ｒｈ₂Ｏ₃、Ａｇ ₂
Ｏ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＴｅＯ₂、ＷＯ₃、ＲｅＯ₂、Ｖ₂Ｏ₅、Ｐ
ｄＯ、が例示される。

【００３６】前記ガラスフリットは、ガラスペーストま
たはグリーンシートにして使用することができる。前記
ガラスペーストは、前記ガラスフリットをエチルセルロ
ース等の樹脂およびα−テルピネオール、ジエチレング
リコールモノブチルエーテルアセテート等の溶剤からな
るビヒクルと混練したものであって、その質量百分率表
示の含有量は、典型的には、前記ガラスフリットが６０
〜８０％、ビヒクルが２０〜４０％である。

【００３７】また、前記グリーンシートは、前記ガラス
フリットをアクリル等の樹脂、ジブチルフタレート、ジ
メチルフタレート等の可塑剤およびトルエン、瘁|テル
ピネオール、プロピレングリコールモノブチルエーテル
等の溶剤と混合してスラリーとし、該スラリーをポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の支持フィルムにダ
イコート等の方法で塗布し、乾燥して溶剤を除去後、前
記支持フィルムから剥がして作製される。

【００３８】前記グリーンシート中の質量百分率表示の
含有量は、典型的には、前記ガラスフリットが６０〜８
０％、樹脂が１９〜３９％、可塑剤が１〜４％である。
なお、前記支持フィルムの厚さは典型的には２０〜１０
０μｍであり、通常、離型剤等により表面処理されてい
る。

【００３９】本発明のガラスフリット焼成方法は、前記
ガラスフリットの焼成を行う雰囲気の圧力Ｐが１０⁴Ｐ
ａ以上、かつ、該雰囲気の水の含有量が２．０ｇ／ｍ³
以下であることを特徴とする。ここで、前記雰囲気の水
の含有量が２．０ｇ／ｍ³以下であるとは、前記雰囲気
が水を含有しない、または水を含有してもその含有量が
２．０ｇ／ｍ³以下であることをいう。

【００４０】前記焼成を行う雰囲気がＰが１０⁴Ｐａ未
満の真空である場合には、前記ガラスフリットに含まれ
る水等の揮発成分が焼成中に急激にガス化することによ
って発泡するおそれがある。また前記ガラスフリットを
ガラスペーストやグリーンシートにして焼成する場合に
は該ガラスペーストやグリーンシートに含まれる樹脂等
が十分に分解せず、焼成体を汚染するおそれがある。Ｐ
は、好ましくは５×１０⁴Ｐａ以上、より好ましくは大
気圧である。

【００４１】前記焼成を行う雰囲気が水を含有する場
合、水の含有量は２．０ｇ／ｍ³以下である。２．０ｇ
／ｍ³超であると、該焼成によって得られた焼成体のｗ
が大きくなり、該焼成体を例えばＰＤＰ隔壁に使用した
ときにＰＤＰの輝度が低い、またはＰＤＰの輝度が経時
的に低下するという問題が起きるおそれがある。好まし
くは１．０ｍｇ／ｍ³以下、より好ましくは０．５ｍｇ
／ｍ³以下である。前記雰囲気が水を含有しないことが
最も好ましい。

【００４２】前記焼成にはバッチ式電気炉、ベルトコン
ベア等を有する連続式電気炉等の通常の加熱装置が使用
できる。該加熱装置は、装置内に外部からガスを導入す
るための配管やバルブを有することが焼成を行う雰囲気
中の水の含有量を制御しやすい点で好ましい。

【００４３】前記焼成を行う雰囲気の水の含有量を制御
する方法としては、前記加熱装置の設置されている作業
室の雰囲気の水の含有量を２．０ｇ／ｍ³以下にしても
よいが、通常は加熱装置内の雰囲気の水の含有量を２．
０ｇ／ｍ³以下にすればよい。そのための方法として例
えば、水を含有しない、または水を含有しても焼成温度
における水の含有量が２．０ｇ／ｍ³以下のガスをガス
ボンベ等から前記加熱装置内に導入する方法がある。前
記ガスは窒素、アルゴン等の不活性ガス、または体積％
表示で窒素を約８０％、酸素を約２０％含む混合ガス等
であることが安全性の面から好ましい。また、通常の空
気から水を除去して使用してもよい。

【００４４】前記ガスが体積％表示で２０％程度の酸素
を含むことがより好ましい。また、前記ガスが装置内か
ら装置外へ流動することがより好ましい。前記ガスが酸
素を含まない場合には、前記ガラスフリットをガラスペ
ーストまたはグリーンシートにして使用した場合に、該
ガラスペーストまたはグリーンシートに含まれる樹脂等
が十分に燃焼しないおそれがある。また、前記ガスが装
置内から装置外へ流動することにより、前記ガラスペー
ストやグリーンシートに含まれる樹脂等の有機物が燃焼
したことによって発生する水を装置外へ排出することが
できる。

【００４５】次に本発明のＰＤＰ隔壁の製造方法につい
て説明する。本発明のＰＤＰ隔壁の製造方法は通常、ガ
ラス基板の上にアドレス電極および絶縁被覆層を形成し
た後に、Ｔ_Sが６２０℃以下であるガラス粉末を含有す
るガラスフリットをガラス基板上に塗布し、本発明のガ
ラスフリット焼成方法によって焼成することを特徴とす
る。

【００４６】前記ガラス基板は通常、ソーダライムシリ
カガラスなどのＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｒ₂Ｏ−Ｒ’Ｏ（Ｒ
₂Ｏはアルカリ金属酸化物、Ｒ’Ｏはアルカリ土類金属
酸化物）系ガラスである。該ガラスのガラス転移点
Ｔ_g、５０〜３５０℃の平均線膨張係数αはそれぞれ、
典型的には５５０〜６２０℃、８０×１０^-7〜９０×１
０ ^-7／℃である。該ガラス基板の厚さは通常１〜３ｍｍ
である。

【００４７】前記ガラス基板上に形成されるアドレス電
極は通常、銀等の金属粉末と感光性樹脂等からなる感光
性金属ペーストを印刷し、フォトマスクを介して露光
し、現像した後、焼成する方法等によって通常ストライ
プ状に形成される。該アドレス電極の厚さは典型的には
３〜１０μｍである。また、前記アドレス電極の幅は典
型的には２０〜１００μｍ、間隔は典型的には１００〜
４００μｍ程度である。ただし、本発明のＰＤＰ隔壁の
製造方法は上記に限定されない。

【００４８】前記アドレス電極を形成したガラス基板上
に形成される絶縁被覆層は通常、Ｔ _Sが６２０℃以下の
ガラス粉末を含有する絶縁被覆層用ガラスフリットをガ
ラスペーストまたはグリーンシートにして該ガラス基板
上に塗布し、典型的には５３０〜６２０℃で焼成して形
成される。該焼成は本発明のガラスフリット焼成方法に
よってもよい。前記絶縁被覆層の厚さは典型的には５〜
３０μｍである。ただし、本発明のＰＤＰ隔壁の製造方
法は上記に限定されない。

【００４９】本発明の方法によってＰＤＰ隔壁を製造す
るには通常、前記絶縁被覆層の上にＴ_Sが６２０℃以下
であるガラス粉末を含有するガラスフリットを塗布す
る。前記ガラスフリットは質量百分率表示で典型的に
は、前記ガラス粉末を６０〜８０％、セラミックスフィ
ラーを０〜２０％、耐熱顔料を０〜２０％含む。

【００５０】前記ガラスフリットは、通常ガラスペース
トまたはグリーンシートにして塗布する。前記ガラスフ
リットを塗布するときは、前記ガラスペーストをスクリ
ーン印刷法、転写法等によって隔壁の形状に塗布しても
よいが、ガラスペーストまたはグリーンシートを塗布し
た後、該塗布したガラスフリット層をサンドブラスト
法、エッチング法等によって隔壁形状に加工してもよ
い。以下、サンドブラストによる方法を例に本発明のＰ
ＤＰ隔壁の製造方法を説明するが、本発明はこれに限定
されない。

【００５１】サンドブラストによって隔壁の形状を形成
する場合、ガラスフリットを通常、ガラスペーストまた
はグリーンシートにして前記絶縁被覆層の上全面に塗布
する。該塗布することによって典型的には膜厚１００〜
２００μｍのガラスフリット層が得られる。該ガラスフ
リット層の上にドライフィルムレジストを貼り付けた
後、隔壁パターンの露光マスクをセットして露光し、炭
酸ナトリウム水溶液等の現像液で現像して、典型的には
ライン幅約５０μｍ、ピッチ約３００μｍのストライプ
状の隔壁パターンを形成する。

【００５２】次にサンドブラストによって不要部分を除
去し、ガラスフリット層上に残っているドライフィルム
を水酸化ナトリウム水溶液等を用いて除去して、ガラス
フリットからなる未焼成隔壁を得る。該未焼成隔壁を本
発明のガラスフリット焼成方法によって焼成し隔壁を得
る。

【００５３】

【実施例】表１にモル％で示した組成となるように原料
を調合、混合して白金るつぼに入れ、１２５０℃に加熱
し３０分間溶融した。次いで溶融ガラスを流し出した。
得られたガラスの一部をアルミナ製ボールミルで２０時
間粉砕してガラス粉末とし、残りのガラスは粉砕するこ
となく塊の状態で徐冷した。

【００５４】ガラスフリットを焼成するための加熱装置
としてはガス導入口、ガス排出口、加熱装置内部を減圧
するための排気口、および各々の開閉バルブを備えたバ
ッチ式電気炉を使用した。

【００５５】例１〜３のガラスフリットを入れた前記バ
ッチ式電気炉のガス導入口に窒素ガスボンベを接続し、
排気口に接続したロータリーポンプで電気炉内部の空気
を排気した後、室温での大気圧における水分量が１．０
ｇ／ｍ³の窒素ガスを前記バッチ式電気炉に導入し、ガ
ス排出口を開いて２リットル／分の前記窒素ガスを流し
ながら加熱し、例１〜３のガラスフリットを大気圧下で
５６０℃に３０分間保持して焼成した。次式により焼成
雰囲気の水の含有量Ｗを算出した。 Ｗ＝Ｗ_O×（Ｔ_O／Ｔ_i） Ｗ_O：室温での雰囲気の水の含有量（ｇ／ｍ³） Ｔ_i：炉内の温度（８３３Ｋ） Ｔ_O：室温（Ｋ）。

【００５６】また、前記バッチ式電気炉のガス導入口及
びガス排出口を開いて作業室雰囲気が該バッチ式電気炉
内部に流入するようにして例４〜６のガラスフリットを
大気圧下で５６０℃で３０分焼成した。このとき前記電
気炉の設置されている作業室雰囲気の温度および相対湿
度を測定して室温での雰囲気の水の含有量を求め、前式
からＷを算出した。

【００５７】次に、前記焼成によって得られた各焼成体
を乳鉢で粉砕して、平均粒子径約５０μｍの焼成体粉末
を得た。該焼成体粉末を、５×１０^-8Ｐａ程度の高真空
中において６０℃／分の昇温速度で６００℃まで加熱
し、ＱＭＳを用いて発生したガスの量を測定して３００
〜５００℃で発生したＨ₂Ｏの量ｗを求めた。前記ｗが
１．０ｍｇ／ｃｍ³超である焼成体は例えばＰＤＰの隔
壁に使用したときにＰＤＰの輝度が低いまたは輝度が経
時的に低下するという問題が起きるおそれがある。

【００５８】εは、ガラスの塊を５０ｍｍ×５０ｍｍ×
厚さ５ｍｍに加工し、その表面にアルミニウムを蒸着し
て２０℃、１ＭＨｚでのεをＬＣＲメーターを用いて測
定した。

【００５９】例１〜３は実施例であり、例４〜６は比較
例である。

【００６０】

【表１】

【００６１】

【発明の効果】本発明のガラスフリット焼成方法によれ
ば、例えば誘電率が低く、かつＰＤＰの輝度低下等の問
題がおきにくいＰＤＰ隔壁が得られる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA09 BB04 BB05 BB09 CC04 CC08 DA01 DA02 DA03 DA04 DA05 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC04 DC05 DC06 DC07 DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DE01 DE02 DE03 DE04 DE05 DF01 DF02 DF03 DF04 DF05 EA01 EA02 EA03 EA04 EA10 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 EC04 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EF02 EF03 EF04 EF05 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FB01 FC01 FD01 FE01 FE02 FE03 FE04 FE05 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA02 GA03 GA04 GA05 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM13 MM27 NN26 NN32 NN34 5C027 AA09 5C040 GF18 GF19 JA22 KA09 KB02 KB03 KB28 KB29 MA10 MA12

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】軟化点が６２０℃以下であるガラス粉末を
   含有するガラスフリットを焼成する方法であって、該焼
   成を行う雰囲気の圧力Ｐが１０⁴Ｐａ以上であり、か
   つ、該雰囲気の水の含有量が２．０ｇ／ｍ³以下である
   ことを特徴とするガラスフリット焼成方法。
2. 【請求項２】Ｐが大気圧である請求項１に記載のガラス
   フリット焼成方法。
3. 【請求項３】ガラス粉末の２０℃、１ＭＨｚにおける比
   誘電率が１２未満である請求項１または２に記載のガラ
   スフリット焼成方法。
4. 【請求項４】ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表
   示で実質的に、 Ｂ₂Ｏ₃ １５〜８０％、 ＳｉＯ₂ ０〜４５％、 ＺｎＯ ０〜５０％、 ＰｂＯ＋Ｂｉ₂Ｏ₃ ０〜５０％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜５０％、 Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ ０〜３０％、 Ａｌ₂Ｏ₃＋ＺｒＯ₂ ０〜１３％、 からなる請求項１、２または３に記載のガラスフリット
   焼成方法。
5. 【請求項５】ガラス粉末が、下記酸化物基準のモル％表
   示で実質的に、 Ｐ₂Ｏ₅ １５〜５０％、 Ｂ₂Ｏ₃ ０〜３０％、 ＺｎＯ ０〜５０％、 ＳｎＯ ０〜３５％、 ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜３５％、 Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ ０〜１０％、 Ａｌ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂ ０〜１５％、 からなる請求項１、２または３に記載のガラスフリット
   焼成方法。
6. 【請求項６】軟化点が６２０℃以下であるガラス粉末を
   含有するガラスフリットをガラス基板上に塗布し焼成し
   てプラズマディスプレイパネルの隔壁を製造する方法で
   あって、請求項１〜５のいずれかに記載のガラスフリッ
   ト焼成方法によって前記ガラスフリットを焼成すること
   を特徴とするプラズマディスプレイパネル隔壁の製造方
   法。