JP3941321B2 - ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びfpd - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、PDP(plasma display panel:プラズマディスプレイパネル)、PALC(plasma addressed liquid crystal display)等のFPD(flat panel display )に好適なガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト及びグリーンシート等に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
PDPは、通常多数の微小な放電セルを縦横(マトリクス状)に配列し、必要な部分のセルを放電発光させることにより、文字や図形が表示されるようになっている。このPDPは構造が簡単で大型化が容易であり、メモリ機能を有し、またカラー化が可能であり、更にテレビなどで用いられるブラウン管よりも遥かに大きくかつ奥行が小さく形成できるなどの様々な利点を有することから、近年盛んに研究開発が進められている。
【0003】
上記PDPは、電極構造の点で金属電極がガラス誘電体材料で覆われるAC型と、放電空間に金属電極が露出しているDC型とに分類される。例えばAC型のPDPは図9に示すように、ガラス基板1上に所定の間隔をあけて形成された複数のセラミック隔壁2を介して前面ガラスとなる別のガラス基板3を被せることにより構成される。ガラス基板3のガラス基板1への対向面にはMgO(酸化マグネシウム)等の保護膜3aにより被覆された表示電極3b及び誘電体層3cが形成され、ガラス基板1とガラス基板3と隔壁2にて区画形成された微細空間4(以下、放電セルという)内にはアノード放電極であるアドレス電極4a及び蛍光体層4bがそれぞれ形成され、アドレス電極4aは必要に応じて絶縁層4cにより保護される。また放電セル4内には放電ガス(図示せず)が注入される。このように構成されたPDPでは、表示電極3bとアドレス電極4aとの間に電圧を印加して隔壁2間に形成された放電セル4内の蛍光体層4bを選択的に放電発光させることにより、文字や図形を表示できるようになっている。
【0004】
従来、ガラス基板1上に形成される隔壁2及び絶縁層4cのガラス組成物として、ガラス粉末が70〜95重量%、耐火物フィラーが5〜30重量%、耐熱顔料が0〜10重量%を含むものが開示されている(特開平3−170346)。このガラス組成物では、ガラス成分が55〜65重量%のPbO、0〜5重量%のZnO、0〜10重量%のB2O3、15〜25重量%のSiO2、0.5〜5重量%のAl2O3、0.5〜15重量%の(SnO2+TiO2)、0.5〜10重量%の(MgO+CaO+SrO+BaO)、0.1〜2重量%のCeO2、0.1〜5重量%のLa2O3からなる。
このように構成されたガラス組成物では、ホウ珪酸系ガラスにすることで低熱膨張係数を有し、またPbOを添加することで低軟化点を示す。
【0005】
しかし、上記従来のガラス組成物では、Pb成分を含有するため、ガラス組成物の密度が大きくなり、このガラス組成物をPDPのガラス基板1上の隔壁2として使用した場合、ガラス基板の重量が増大する問題点や、環境汚染の原因となる問題点があった。ガラス基板の重量が増大すると、ガラス基板の焼成時にガラス基板に反りを発生し易くなる、即ちガラス基板の焼成工程において加熱むらを防止するために、ガラス基板を下から数カ所で点支持しているが、ガラス基板が重いと自重で反りが発生し易くなる問題点があった。また上記従来のガラス組成物では、隔壁2の比誘電率が10〜12程度で比較的大きいため、電気信号が近隣の配線に漏洩し、画像にクロストークが生じ易い問題点があった。更に上記従来のガラス組成物においては、PDP隔壁2若しくは絶縁層4cとしての使用中(プラズマ減圧雰囲気下にて)に金属Pbが析出し、放電特性が低下する問題点があった。
【0006】
これらの点を解消するために、Pb成分を含まないガラスとして、耐イオン放電衝撃性低軟化温度ガラス(特開昭48−43007)やプラズマディスプレイパネル(特開平8−301631)が開示されている。
上記特開昭48−43007号公報に示された耐イオン放電衝撃性低軟化温度ガラスでは、30〜43重量%の無水硼酸(B2O3)、18〜33重量%の五酸化バナジウム(V2O5)、17〜22重量%の酸化亜鉛(ZnO)、8〜12重量%の酸化ナトリウム(Na2O)を主成分とし、これに6重量%以下の珪酸(SiO2)、5重量%以下のアルミナ(Al2O3)、4重量%以下の酸化ジルコニウム(ZrO2)のうち少なくとも1種を含有させたことを特徴とする。
この耐イオン放電衝撃性低軟化温度ガラスでは、一般に使用される窓ガラス板と概略同じ熱膨張係数と窓ガラス板より低い軟化温度を有するため、ひび割れ等を生じることなく窓ガラスに均一に融着する。またガスイオン等の放電による衝撃により解離等の変化を生じ易い酸化鉛(PbO)や酸化ビスマス(Bi2O3)等の重金属酸化物を全く含有しないため、PDPのガラス基板の被膜用ガラス等の長時間にわたりガスイオンの放電衝撃を受ける部分に使用してもガスイオン放電特性に全く影響を生じることがなく、被膜の黒化及び透明度の変化等の劣化を生じることもない。
【0007】
一方、上記特開平8−301631号公報に示されたプラズマディスプレイでは、相対向するガラス基板間のディスプレイの各画素間に隔壁が形成され、この隔壁がP2O5系ガラスからなるガラス粉末と、低膨張セラミック粉末とからなるガラスセラミック組成物の焼成物からなることを特徴とする。このプラズマディスプレイパネルでは、ガラスセラミック組成物が20〜70重量%のガラス粉末と、30〜80重量%の低膨張セラミック粉末からなり、ガラス粉末が25〜35モル%のP2O5、0〜50モル%のZnO、0〜70モル%のSnO、0〜10モル%のLi2O、0〜10モル%のNa2O、0〜10モル%のK2O、0〜20モル%の(Li2O+Na2O+K2O)、0〜10モル%のMgO、0〜10モル%のCaO、0〜10モル%のSrO、0〜10モル%のBaO、0〜20モル%の(MgO+CaO+SrO+BaO)、0〜10モル%のB2O3、0〜10モル%のAl2O3からなる。
このような組成の隔壁を有するプラズマディスプレイパネルでは、隔壁の比誘電率が7〜10の間であり、Pbを含有する隔壁と比較して、表示のクロストークを低減できる。また隔壁にPb成分を含有しないため、密度が小さく、大型のPDPに最適である。更に熱膨張係数が通常のPDP用ガラス基板に整合しているため、PDPのガラス基板上に隔壁を形成した際に反りがなく、下地のオーバコートにクラックが入ったりすることがなく、ガラス基板も割れ難くなる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来の特開昭48−43007号公報に示された耐イオン放電衝撃性低軟化温度ガラスでは、V2O5を含むため、茶色に着色され、反射率が低下する不具合があった。
また上記従来の特開平8−301631号公報に示されたプラズマディスプレイでは、P2O5やアルカリ金属酸化物を多量に含むため、ガラスの熱膨張係数がガラス基板に対して大きくなり、セラミックフィラーを多量に添加して、熱膨張係数をガラス基板と整合させる必要があり、このフィラーの多量の添加により、焼成後の構造が多孔質になり、強度が低下し、更に放電特性も低下する問題点もあった。
一方、上述したガラス等は隔壁2または絶縁層4cに主として使用されるものであるが、隔壁2を介して被せるガラス基板3の誘電体層3cに上述したガラス等は適しない不具合がある。即ち、誘電体層3cを有するガラス基板3は前面ガラスとしての役割を果たすことから、誘電体層3cに使用されるガラス等は、隔壁2又は絶縁層4cに使用されるガラス等よりもその透明度及び誘電率が高いことが要求される。
【0009】
本発明の第1の目的は、FPDのガラス基板に反りを発生させず、かつFPDの画像にクロストークを発生させずに、反射率を向上できる、隔壁又は絶縁層用ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体及びFPDを提供することにある。
本発明の第2の目的は、強度及び放電特性を低下させずに、熱膨張係数を低くしてFPDのガラス基板と整合させることができる、隔壁又は絶縁層用ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体及びFPDを提供することにある。
本発明の第3の目的は、ガラス基板より軟化点を低くくすることができ、耐水性を向上することができる、隔壁又は絶縁層用ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体及びFPDを提供することにある。
本発明の第4の目的は、ガラス基板との熱膨張係数を整合させて、ガラス基板との間で強固な密着性を有する厚膜を形成可能な隔壁又は絶縁層用ペースト及びFPDを提供することにある。
本発明の第5の目的は、透明度及び誘電率が高い誘電体用ガラス組成物及びそれを用いたペースト、グリーンシート、誘電体及びFPDを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、ガラス成分として、5モル%以上かつ35モル%未満のP2O5と、50モル%以上かつ65モル%未満のZnOと、0.1モル%以上かつ10モル%未満のSiO2と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のB2O3と、1モル%以上かつ20モル%未満のMgO,CaO,SrO及びBaOからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のAl2O3とを含むガラス組成物である。
この請求項1に記載されたガラス組成物では、ガラス成分を上記範囲内でそれぞれ混合すると、焼成温度が低くなって、焼成後の絶縁体の軟化点も低くなる。また上記ガラス成分に密度の大きいPb成分を含まないため、上記絶縁体の重量を軽減でき、環境を汚染することもない。更にP2O5が比較的少ないため、上記絶縁体の耐水性を向上することができる。
【0011】
請求項2に係る発明は、請求項1記載のガラス組成物に、セラミックフィラー物としてジルコン,アルミナ,チタニア,コーディエライト,ムライト,β−ユークリプタイト,スポジューメン,アノーサイト,セルシアン,フォルステライト及びチタン酸アルミニウムからなる群より選ばれた1種又は2種以上のセラミックを混合した混合体である。
この請求項2に記載された混合体では、ガラス組成物にセラミックフィラー物を混合することにより、混合体を焼成して得られる絶縁体の熱膨張係数を低くすることができ、この絶縁体の熱膨張係数をガラス基板の熱膨張係数と整合させることができる。
【0012】
上記ガラス組成物又は混合体に、高分子樹脂と溶剤とを混合してペーストを作製するか、或いは上記ガラス組成物又は混合体に、高分子樹脂と溶剤とを混合して隔壁又は絶縁層用グリーンシートを作製することが好ましい。
また上記ガラス組成物又は混合体を焼成して絶縁体、或いはFPDの隔壁又は絶縁層を形成することが好ましい。
更に上記ガラス又は混合体に、導電体粉末,抵抗体粉末又は誘電体粉末と、高分子樹脂と、溶剤とを含むペーストを作製し、それを基板に塗布し、乾燥・焼成して、導電体、抵抗体又は誘電体用厚膜を形成することが好ましい。
【0013】
ガラス組成物又は混合体に高分子樹脂と溶剤とを加えてペーストを作製し、このペーストからスクリーン印刷法などで作製されたセラミックキャピラリリブ又はセラミックキャピラリ層を乾燥・焼成することにより、上記セラミックキャピラリリブ又はセラミックキャピラリ層が絶縁体,隔壁又は絶縁層になる。或いは、ガラス組成物又は混合体に高分子樹脂と溶剤とを含むペーストによりグリーンシートを作製し、このグリーンシートを乾燥・焼成することにより、このグリーンシートが絶縁体,隔壁又は絶縁層になる。
このときの焼成温度はガラス基板の軟化点より100℃以上低いため、ガラス基板に反り等は生じない。また上記絶縁体,隔壁又は絶縁層の熱膨張係数はガラス基板の熱膨張係数と概略同一になるため、ガラス基板の反りを更に抑制できる。上記絶縁体,隔壁又は絶縁層の比誘電率が4〜7程度と比較的小さくなるので、電気信号が近隣の配線に漏洩することはなく、画像にクロストークが発生しない。更にガラス組成物へのセラミックフィラー物の添加量は比較的少量で済むので、焼成後の強度及び放電特性が低下することもない。
【0015】
なお、上記セラミックキャピラリとは、ガラス組成物とセラミックフィラー物と高分子樹脂と溶剤とを含むペーストを塗布した後の大部分の高分子樹脂及び溶剤が残存している状態をいう。
【0016】
【発明の実施の形態】
次に本発明の第1の実施の形態を図面に基づいて説明する。
隔壁又は絶縁層用ガラス組成物はガラス成分として、3.5atom%以上かつ18atom%未満のPと、12.5atom%以上かつ24atom%未満のZnと、0.02atom%以上かつ4atom%未満のSiと、0.01atom%以上かつ6.0atom%未満のBと、0atom%以上かつ3atom%未満のMg,Ca,Sr及びBaからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属と、0.01atom%以上かつ6.0atom%未満のAlと、55atom%以上かつ65atom%未満のOとを含むものである。これらの元素を酸化物換算で表すと、5モル%以上かつ35モル%未満のP2O5と、50モル%以上かつ65モル%未満のZnOと、0.1モル%以上かつ10モル%未満のSiO2と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のB2O3と、1モル%以上かつ20モル%未満のMgO,CaO,SrO及びBaOからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のAl2O3とを含むものになる。
【0017】
P2O5を5モル%以上かつ35モル%未満に限定したのは、5モル%未満ではガラスを形成できず、35モル%を越えると焼成物の耐水性が悪く、焼成物の熱膨張係数がガラス基板の熱膨張係数より高くなるからである。なお、熱膨張係数の上昇防止と軟化点の低減と耐水性劣化の防止の点から、上記P2O5は15モル%以上かつ25モル%未満であることが更に好ましい。
またZnOを50モル%以上かつ65モル%未満に限定したのは、50モル%未満では熱膨張係数が高くなり、65モル%を越えると軟化点が高くなるからであり、このZnOは50〜60モル%であることが更に好ましい。
SiO2を0.1モル%以上かつ10モル%未満に限定したのは、0.1モル%未満では熱膨張係数が高くなり、10モル%を越えると軟化点が高くなるからであり、このSiO2は1〜5モル%であることが更に好ましい。
【0018】
またB2O3を0.1モル%以上かつ10モル%未満に限定したのは、0.1モル%未満では軟化点が高くなり、10モル%を越えるとP2O5と複合酸化物を構成し、軟化点が高くなるからであり、このB2O3は1〜5モル%であることが更に好ましい。
MgO、CaO、SrO及びBaOからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属の酸化物を1モル%以上かつ20モル%未満に限定したのは、1モル%未満では軟化点が高い不具合があり、20モル%を越えるとガラスにならない不具合があるからであり、この酸化物は5〜15モル%であることが更に好ましい。
またAl2O3を0.1モル%以上かつ10モル%未満に限定したのは、0.1モル%未満ではガラスの耐水性が低くなり、10モル%を越えるとP2O5と複合酸化物を構成し、軟化点が高くなるからであり、このAl2O3は1〜5モル%であることが更に好ましい。
なお、上記B2O3及びAl2O3はP2O5を安定化させる機能も有する。
【0019】
一方、セラミックフィラー物としては、ジルコン,アルミナ,チタニア,コーディエライト,ムライト,β−ユークリプタイト,スポジューメン,アノーサイト,セルシアン,フォルステライト及びチタン酸アルミニウムからなる群より選ばれた1種又は2種以上のセラミックを含む。ガラス組成物にセラミックフィラー物を混合するのは、例えば上記ガラス組成物を用いたPDP用隔壁をガラス基板上に形成する場合、この隔壁の熱膨張係数とガラス基板の熱膨張係数とを整合させるためである。
[1]ガラス組成物の粉末の作製方法
先ずアルカリ土類金属としてMg,Ca,Sr及びBaのうち少なくとも1種類を選ぶ。次いでリン酸若しくはリン酸塩(例えば、H3PO4や(NH4)3PO4・3H2O等)と、酸化亜鉛(ZnO)と、SiO2と、ホウ酸(H3BO3)と、上記アルカリ土類金属の塩(例えば、CaCO3やCaSO4等)と、Al2O3の各粉末を、酸化物換算でP2O5:5モル%以上かつ35モル%未満、ZnO:50モル%以上かつ65モル%未満、SiO2:0.1モル%以上かつ10モル%未満、B2O3:0.1モル%以上かつ10モル%未満、MgO,CaO,SrO及びBaOからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属の酸化物:1モル%以上かつ20モル%未満、Al2O3:0.1モル%以上かつ10モル%未満の比で秤量する。
【0020】
次に上記各粉末をボールミル等を用いて0.5〜6時間混合した後、この混合粉末を白金るつぼ等に投入し、大気中で900〜1200℃に1〜6時間保持した後、急冷する。更にこの急冷物を粉砕し、メッシュ数が200メッシュ以上(メッシュの目開きが85μm以下)のふるいを用いて分級することによりガラス組成物の粉末を得る。
このガラス組成物の粉末の粒径は0.1〜30μmであることが好ましい。ガラス組成物の粉末の粒径を0.1〜30μmの範囲に限定したのは、0.1μm未満では凝集し易くその取扱いが煩わしくなり、30μmを越えると所定の形状に成形できなくなるからである。
【0021】
[2]混合体の作製方法
上記ガラス組成物の粉末と、メッシュ数が200メッシュ以上(メッシュの目開きが85μm以下)のふるいを用いて分級したジルコン,アルミナ,チタニア,コーディエライト,ムライト,β−ユークリプタイト,スポジューメン,アノーサイト,セルシアン,フォルステライト及びチタン酸アルミニウムからなる群より選ばれた1種又は2種以上のセラミック粉末(セラミックフィラー物の粉末)とをボールミル等を用いて1〜24時間混合し、混合体を得る。
上記セラミックフィラー物の粉末の粒径は0.1〜30μmであることが好ましい。セラミックフィラー物の粉末の粒径を0.1〜30μmの範囲に限定したのは、0.1μm未満では凝集し易くその取扱いが煩わしくなり、30μmを越えると所定の形状に成形できなくなるからである。
[3]ガラスペースト,ガラス−セラミック混合ペースト及びグリーンシートの作製方法
上記ガラス組成物の粉末又は混合体に対し、エチルセルロースやアクリル樹脂等の高分子樹脂と、α−テルピネオールやブチルカルビトールアセテート等の溶剤を添加し、3本ロール等で十分に混練することにより、ペーストを得る。
なお、混合体中のセラミックフィラー物の粉末はガラス組成物の粉末の重量に対して5〜30重量%の範囲であることが好ましく、かつガラス組成物の粉末の容積に対して30容積%以下であることが好ましい。セラミックフィラー物の粉末が30重量%以上かつ30容積%以上になると、焼成して得られた絶縁体が多孔質になり、好ましくないからである。またペーストの各成分の配合比は、ガラス組成物の粉末及びセラミックフィラー物を70〜90重量%、高分子樹脂を1〜5重量%、溶剤を8〜25重量%であることが好ましい。またこのペーストを用いてグリーンシートを作製してもよい。
【0022】
[4]絶縁体の作製方法
上記ガラス組成物の粉末又は混合体をプレス成形法により所定の形状に成形し、或いは上記ペーストをスクリーン印刷法,押出し成形法,射出成形法等により所定の形状に成形した後に、この成形体を乾燥・焼成することにより絶縁体を得る。
[5]導電体ペースト又は抵抗体ペーストの作製方法
上記ガラス組成物の粉末又は混合体に対し、導電体粉末又は抵抗体粉末と、高分子樹脂と、溶剤とを添加し、3本ロール等で十分に混練することにより、ペーストを得る。上記導電体粉末としてはAg,Ag−Pd,Ag−Pt,Au,Al等が用いられ、抵抗体粉末としてはRuO2,Pb2Ru2O6.5,Ag−Pd等が用いられることが好ましい。また高分子樹脂としてはエチルセルロース,アクリル樹脂等が用いられ、溶剤としてはα−テルピネオール,ブチルカルビトールアセテート等が用いられることが好ましい。
【0023】
なお、ペースト中の各成分の配合比は、ガラス組成物の粉末及びセラミックフィラー物が5〜45重量%、導電体粉末又は抵抗体粉末が50〜90重量%、高分子樹脂が1〜5重量%、溶剤が4〜25重量%であることが好ましい。
上記ペーストをスクリーン印刷法などにより、所定の形状にパターニングし、乾燥・焼成することにより導電体厚膜又は抵抗体厚膜を得る。
【0024】
次に上記ガラス−セラミック混合ペーストを用いてサンドブラスト法によりFPD用隔壁の作製方法を説明する。
図1に示すように、先ずガラス基板10上に、上記ペーストを用いてスクリーン印刷法によりペースト膜11を形成する。次いでこのペースト膜11を有するガラス基板10を100〜200℃の温度で10〜30分間乾燥した後に、300〜400℃の温度で0.5〜3時間仮焼成を行う。この仮焼成を行ったペースト膜11表面にラミネータを用いて感光性ドライフィルムレジスト12(以下、DFRという)を積層した後に、DFR12上にフィルムマスク13を置き、中心波長254nmの紫外線を照射し、露光を行う。次に露光を行ったガラス基板10に対し、濃度が0.1〜5%のNa2CO3水溶液を噴霧し、未露光部を除去し、現像を行う。この現像を行ってDFRパターン層16を有するガラス基板10に対し、アルミナ粉末等の砥粒を用いてサンドブラストを行い、DFRパターン層16が形成されていない部分のペースト膜11を除去することにより、ガラス基板10上にセラミックグリーンリブ18を形成する。更に温度500〜600℃で0.1〜2時間焼成を行うことにより、ガラス基板10上に隔壁14を形成する。
【0025】
図2は本発明の第2の実施の形態を示す(厚膜印刷法によるPDP用隔壁の作製方法)。
この実施の形態では、ガラス基板10の表面に上記ペーストを厚膜印刷法により所定のパターンで位置合わせをして重ね塗りした後に乾燥することにより、ガラス基板10上にペースト膜31を形成する。この工程を多数回繰返してペースト膜31を所定の高さに形成した後に焼成することにより、ガラス基板10上に所定の間隔をあけて隔壁34を形成する。
なお、図示しないがガラス基板上に、上記ペーストを用いてスクリーン印刷によりベタ膜を形成し、この基板を100〜200℃の温度で10〜30分間乾燥した後に、500〜600℃の温度で0.5〜3時間焼成を行うことにより、基板上に白色絶縁層を形成してもよい。
【0026】
図3は本発明の第3の実施の形態を示す(AC型PDPにおける背面パネルの作製方法)。
先ずガラス基板10上に、Ag等の導電ペーストをスクリーン印刷法により所定の間隔をあけて50〜200μm幅の帯状のパターンを形成し、温度100〜200℃で10〜30分間乾燥した後に、温度500〜600℃で0.1〜1時間焼成することにより、ガラス基板10上にアドレス電極51を形成する。このガラス基板10上に、上記第1の実施の形態で作製されたペーストを用いてスクリーン印刷法によりペースト膜を形成し、温度100〜200℃で10〜30分間乾燥した後に、温度500〜600℃で0.5〜3時間焼成することにより、ガラス基板10上に白色絶縁層52を形成する。
【0027】
次いでこのガラス基板10上に、上記第1の実施の形態で作製されたペーストを用いてスクリーン印刷法によりペースト膜11を形成し、温度100〜200℃で10〜30分間乾燥した後に、温度300〜400℃で0.5〜3時間仮焼成する。この仮焼成したペースト膜11表面にラミネータを用いてDFR12を積層した後に、DFR12上にフィルムマスク13を置き、中心波長254nmの紫外線を照射し、露光を行う。次に露光を行ったガラス基板10に対し、濃度が0.1〜5%のNa2CO3水溶液を噴霧し、未露光部を除去し、現像を行う。この現像を行ってDFRパターン層16を有するガラス基板10に対し、アルミナ粉末等の砥粒を用いてサンドブラストを行い、DFRパターン層16が形成されていない部分のペースト膜11を除去することにより、ガラス基板10上に白色絶縁層52を介してセラミックグリーンリブ18を形成する。
【0028】
このガラス基板10を温度500〜600℃で0.1〜2時間焼成することにより、ガラス基板10上に白色絶縁層52を介して隔壁14を形成する。更に隔壁14間のセル17内面に、図示しないが紫外線により赤色,緑色又は青色を発光する蛍光体粉末からなるペーストを用いて、それぞれスクリーン印刷法により落とし込み印刷を行い、温度100〜200℃で10〜30分間乾燥した後に、温度450〜550℃で0.1〜2時間焼成することにより、AC型PDP用背面板50を得る。
【0029】
図4及び図5は本発明の第4の実施の形態を示す(くし歯を有するブレードによるPDP用隔壁の作製方法)。
先ずガラス基板10の表面に、第1の実施の形態のペーストを塗布して形成されたペースト膜71に対し、くし歯72bを有するブレード72のエッジ72aをガラス基板10表面に接触させた状態で、ブレード72又はガラス基板10を一定方向に移動することによりガラス基板10表面にセラミックキャピラリリブ73を形成する。具体的には、ブレード72のエッジ72aをペースト膜に突き刺してガラス基板10表面に接触させた状態で、ガラス基板10を固定して図4の実線矢印で示すようにブレード72を一定方向に移動するか、又はブレード72を固定して図4の破線矢印で示すようにガラス基板10を一定方向に移動させることにより、セラミックキャピラリリブ73を形成する。
【0030】
上記ブレード72には複数のくし歯72bが等間隔にかつ同一方向に形成される。このブレード72はペーストとの反応やペーストに溶解されることのない金属、セラミック又はプラスチック等により作られ、特に、寸法精度、耐久性の観点からセラミック若しくはFe,Ni,Co基の合金が好ましい。それぞれのくし歯72bの間の隙間はこのブレード72により形成されるセラミックキャピラリリブ73の断面形状に相応して形成される。
ブレード72又はガラス基板10の移動により、ガラス基板10表面に塗布されたペーストのうちブレード72のくし歯72bに対応する箇所はくし歯72bの間の隙間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯72bの間の隙間に位置するペーストのみがガラス基板10上に残存してガラス基板10表面にセラミックキャピラリリブ73が形成される。くし歯の溝の深さがペースト膜71の厚さより大きい場合にはブレード72又はガラス基板10を移動するときに掃き取られたペーストが溝に入り込み、ペースト膜71の厚さ以上の高さを有するセラミックキャピラリリブ73を形成できる。
【0031】
このようして形成されたセラミックキャピラリリブ73はその後乾燥されてセラミックグリーンリブ(図示せず)になり、更に脱バインダのため加熱され、引続いて焼成することにより図5に示す隔壁74になる。このときの焼成温度は600℃未満であり、ガラス基板10としてソーダ石灰ガラスを用いた場合のこのガラス基板10の軟化点(735℃)より100℃以上低いため(ガラスの軟化点は焼成温度から約100℃差し引いた温度である。)、ガラス基板10は軟化せず、ガラス基板10に反り等は生じない。また上記隔壁74の熱膨張係数は65〜87×10-7/℃と上記ガラス基板10の熱膨張係数(85×10-7/℃)と概略同一になり、上記ガラス組成物に密度の大きいPb成分を含まず、セラミックキャピラリリブ73の重量を軽減できるため、ガラス基板10の反りを更に抑制できる。
またガラス成分にV2O5を含まないため、白色の反射率の高い隔壁74を得ることができ、上記隔壁74の比誘電率が4〜7程度と比較的小さいので、電気信号が近隣の配線に漏洩することはなく、画像にクロストークが発生しない。更にガラス組成物へのセラミックフィラー物の添加量は比較的少量で済むので、焼成後の隔壁74の強度や放電特性が低下することもない。
【0032】
図6及び図7は本発明の第5の実施の形態を示す(くし歯を有するブレードによるPDP用隔壁及びPDP用絶縁層の作製方法)。
この実施の形態では、ガラス基板10の表面に上記ペーストを塗布して形成されたペースト膜71に対して、くし歯72bを有するブレード72のエッジ72aをガラス基板10表面から所定の高さ浮上した状態でブレード72又はガラス基板10を一定方向に移動することにより、ガラス基板10表面にセラミックキャピラリ層91が形成され、このセラミックキャピラリ層91上にセラミックキャピラリリブ92が形成される(図6)。上記セラミックキャピラリ層91及びセラミックキャピラリリブ92は乾燥されてセラミックグリーン層及びセラミックグリーンリブになり、更に脱バインダのため加熱され、引続いて焼成されることにより、図7に示すガラス基板10上に形成された絶縁層93と、この絶縁層93上に形成された隔壁94となる。
なお、上記第1〜第5の実施の形態では、本発明のペーストによりPDP用隔壁及びPDP用絶縁層を形成したが、PALC用隔壁及びPALC用絶縁層を形成してもよい。
【0041】
【実施例】
次に本発明の隔壁又は絶縁層用ペーストにおける実施例を比較例とともに詳しく説明する。
<実施例1>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、MgOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末(ガラス組成物)を80重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径1.8μmのアルミナ粉末を20重量%用意し、両者を十分に混合した。上記ガラス粉末は具体的には、P2O5として(NH4)3PO4・3H2Oを、ZnO,SiO2及びAl2O3はそのまま、MgOとしてMgCO3をそれぞれ所定の成分になるように混合し、大気中で1150℃にて30分間融解してカーボン板上に流し出し、固化した後に粉砕して(平均粒径3〜5μm)得た。この混合粉末と有機バインダであるエチルセルロースと溶媒であるα−テルピネオールとを重量比で10/1/4の割合で配合し、十分に混練してペーストを得た。このようにして得られた隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例1とした。
なお、以下の実施例2〜23及び比較例1〜12のガラス粉末も、上記と同様にP2O5として(NH4)3PO4・3H2Oを、ZnO,SiO2及びAl2O3はそのまま、アルカリ土類金属の酸化物であるMgO,CaO,SrO又はBaOとしてMgCO3,CaCO3,SrCO3又はBaCO3をそれぞれ所定の成分になるように混合し、大気中で1150℃にて30分間融解してカーボン板上に流し出し、固化した後に粉砕して(平均粒径3〜5μm)得た。
【0042】
<実施例2>
ガラス粉末が実施例1のMgOに替えてCaOを8モル%含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例2とした。
<実施例3>
ガラス粉末が実施例1のMgOに替えてSrOを8モル%含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例3とした。
<実施例4>
ガラス粉末が実施例1のMgOに替えてBaOを8モル%含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例4とした。
<実施例5>
ガラス粉末がP2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を9.9モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を0.1モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にして隔壁又は絶縁層用ペーストを作製した。このペーストを実施例5とした。
【0043】
<実施例6>
ガラス粉末がP2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を0.1モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を9.9モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例6とした。
<実施例7>
ガラス粉末がP2O5を21.9モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を0.1モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例7とした。
<実施例8>
ガラス粉末がP2O5を20モル%と、ZnOを52.1モル%と、SiO2を9.9モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例8とした。
【0044】
<実施例9>
ガラス粉末がP2O5を24.5モル%と、ZnOを50モル%と、SiO2を8モル%と、B2O3を4.5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例9とした。
<実施例10>
ガラス粉末がP2O5を20モル%と、ZnOを64.9モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例10とした。
<実施例11>
ガラス粉末がP2O5を5モル%と、ZnOを64.9モル%と、SiO2を9.1モル%と、B2O3を8モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%と含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例11とした。
【0045】
<実施例12>
ガラス粉末がP2O5を34.9モル%、ZnOを50モル%と、SiO2を2.1モル%と、B2O3を0.1モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を4.9モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例12とした。
<実施例13>
B2O3を30モル%と、ZnOを20モル%と、BaOを5モル%と、SrOを5モル%と、MgOを20モル%と、BaF2を20モル%とを含むガラス粉末を60重量%用意したことを除いて、実施例12と同様にしてペーストを形成した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例13とした。
【0046】
<実施例14>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、MgOを4モル%と、CaOを4モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を70重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径4.4μmのチタニア粉末を30重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例14とした。
<実施例15>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、MgOを4モル%と、CaOを4モル%と、SrOを2モル%と、BaOを2モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を70重量%用意したことを除いて、実施例13と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例15とした。
【0047】
<実施例16>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を80重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径4.3μmのジルコン粉末を20重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例16とした。
<実施例17>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を80重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径4.9μmのコーディエライト粉末を20重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例17とした。
【0048】
<実施例18>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を80重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径2.6μmのβ−ユークリプタイト粉末を20重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例18とした。
<実施例19>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を80重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径2.9μmのβ−スポジューメン粉末を20重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例19とした。
【0049】
<実施例20>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を70重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径4.5μmのアノーサイト粉末を30重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例20とした。
<実施例21>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を70重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径4.0μmのセルシアン粉末を30重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例21とした。
【0050】
<実施例22>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を70重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径2.9μmのフォルステライト粉末を30重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例22とした。
<実施例23>
P2O5を20モル%と、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むガラス粉末を70重量%用意し、セラミックフィラー物として平均粒径3.8μmのチタン酸アルミニウム粉末を30重量%用意し、両者を十分に混合した。上記以外は実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを実施例23とした。
【0051】
<比較例1>
ガラス粉末がP2O5を10モル%、ZnOを55モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを20モル%と、Al2O3を8モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例1とした。
<比較例2>
ガラス粉末がP2O5を20モル%、ZnOを60モル%と、SiO2を7モル%と、B2O3を5モル%と、Al2O3を8モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例2とした。
<比較例3>
ガラス粉末がP2O5を20モル%、ZnOを62モル%と、SiO2を5モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例3とした。
【0052】
<比較例4>
ガラス粉末がP2O5を18モル%、ZnOを52モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を15モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例4とした。
<比較例5>
ガラス粉末がP2O5を20モル%、ZnOを60モル%と、SiO2を2モル%と、SrOを13モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例5とした。
<比較例6>
ガラス粉末がP2O5を15モル%、ZnOを55モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を15モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例6とした。
【0053】
<比較例7>
ガラス粉末がP2O5を15モル%、ZnOを55モル%と、SiO2を15モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例7とした。
<比較例8>
ガラス粉末がP2O5を15モル%、ZnOを55モル%と、SiO2を15モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを5モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例8とした。
<比較例9>
ガラス粉末がP2O5を24モル%、ZnOを45モル%と、SiO2を7モル%と、B2O3を8モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を8モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例9とした。
【0054】
<比較例10>
ガラス粉末がP2O5を10モル%、ZnOを70モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を5モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を5モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例10とした。
<比較例11>
ガラス粉末がP2O5を2モル%、ZnOを64モル%と、SiO2を9モル%と、B2O3を9モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を8モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例11とした。
<比較例12>
ガラス粉末がP2O5を35モル%、ZnOを50モル%と、SiO2を2モル%と、B2O3を3モル%と、SrOを8モル%と、Al2O3を2モル%とを含むことを除いて、実施例1と同様にしてペーストを作製した。この隔壁又は絶縁層用ペーストを比較例12とした。
【0055】
<比較試験及び評価>
実施例1〜23及び比較例1〜12のペーストに含まれる、ガラス組成物の成分及び各成分の混合割合を「モル%」で表したものを表1に示し、「atom%」で表したものを表2に示す。また、セラミックフィラー物の成分及び添加量(重量%)を表1及び表2にそれぞれ含めて示す。
上記実施例1〜23及び比較例1〜12のペーストを縦×横がそれぞれ25mm×25mmのパターンにガラス基板上に印刷し、150℃で10分間乾燥後、種々の焼成温度で焼成し、ガラス基板との密着性が良好で最も低い焼成温度をそのガラス組成物及びセラミックフィラー物(ガラス/セラミック)のペーストの焼成温度とした。
また5mm×5mm×20mmのキャビティに上記ペーストを流し込み、上記焼成温度にて焼成し、焼成後に形成されたガラス板の熱膨張係数(×10-7/℃)及び反射率(%)をそれぞれ測定した。上記反射率はガラス基板上にて焼成されたガラス/セラミック膜の可視光(380〜800nm)の反射率を測定した。上記焼成温度,熱膨張係数及び反射率を表3に示す。
【0056】
【表1】
【0057】
【表2】
【0058】
【表3】
【0059】
表3から明らかなように、実施例1〜23では焼成温度が600℃未満と低かったのに対し、比較例2,4,5,8,9及び11では焼成温度が600℃以上と高く、比較例1,6及び10では所定のガラス成分にてガラス化ができなかった。なお、比較例3ではガラスが潮解性を示した。
また実施例1〜23では熱膨張係数が(77〜87)×10-7/℃であったのに対し、比較例7及び12では熱膨張係数が101×10-7/℃及び120×10-7/℃と高かった。実施例1〜23の熱膨張係数はPDPのガラス基板(ソーダ石灰ガラス)の熱膨張係数(85×10-7/℃)と概略同一であった。更に実施例1〜23では反射率が78〜85%と極めて高かった。
【0073】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、ガラス組成物のガラス成分として、5モル%以上かつ35モル%未満のP2O5と、50モル%以上かつ65モル%未満のZnOと、0.1モル%以上かつ10モル%未満のSiO2と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のB2O3と、1モル%以上かつ20モル%未満のMgO,CaO,SrO及びBaOからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のAl2O3とを含むので、焼成温度が低くなって、このガラス組成物を焼成して得られる絶縁体の軟化点が低くなる。また上記ガラス成分に密度の大きいPb成分を含まないため、上記絶縁体の重量を軽減でき、環境を汚染せず、更に使用中における放電特性の低下もない。またP2O5やアルカリ金属酸化物を多量に含むため、ガラスの熱膨張係数がガラス基板に対して大きくなる従来のプラズマディスプレイと比較して、本発明ではP2O5が比較的少なくかつアルカリ金属酸化物を含まないので、絶縁体の熱膨張係数の上昇を抑制することができるとともに、上記絶縁体の耐水性を向上することができる。
【0074】
また上記ガラス組成物に、セラミックフィラー物としてジルコン,アルミナ,チタニア等のセラミックを混合して混合体を作製すれば、混合体を焼成して得られる絶縁体の熱膨張係数を低くすることができ、この絶縁体の熱膨張係数をガラス基板の熱膨張係数と整合させることができる。
また上記ガラス組成物又は混合体に対し、導電体粉又は抵抗体粉末と、高分子樹脂と、溶剤とを加えてペーストを作製し、このペーストをガラス基板上に塗布して焼成することにより、導電体厚膜又は抵抗体厚膜を作製すれば、基板との密着性が高い厚膜が得られる。
【0075】
また上記ガラス組成物又は混合体に高分子樹脂及び溶剤を加えてペーストを作製し或いはグリーンシートを作製し、このペースト或いはグリーンシートを焼成して絶縁体,FPD用隔壁又はFPD用絶縁層を作製すれば、上記ガラス組成物の焼成温度がガラス基板の軟化点より100℃以上低くなり、上記絶縁体,隔壁又は絶縁層の熱膨張係数がガラス基板の熱膨張係数と概略同一になるので、ガラス基板に反り等が生じることはない。また上記絶縁体,隔壁又は絶縁層の比誘電率が4〜7程度と比較的小さくなるので、電気信号が近隣の配線に漏洩することはなく、画像にクロストークが発生しない。更にガラス組成物へのセラミックフィラー物の添加量は比較的少量で済むので、焼成後の強度が高い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1実施形態のPDP用隔壁を作製するための工程を示す断面図。
【図2】本発明第2実施形態のPDP用隔壁を作製するための工程を示す断面図。
【図3】本発明第3実施形態のPDP用隔壁及びPDP用絶縁層を作製するための工程を示す断面図。
【図4】本発明第4実施形態のセラミックキャピラリリブの成形状態を示す斜視図。
【図5】図4のA−A線断面におけるセラミックキャピラリリブを乾燥,加熱及び焼成することにより得たPDP用隔壁を示す断面図。
【図6】本発明第5実施形態のセラミックキャピラリ層付リブの成形状態を示す図4に対応する斜視図。
【図7】図6のB−B線断面におけるセラミックキャピラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た絶縁層付隔壁を示す図5に対応する断面図。
【図8】本発明第6実施形態の前面パネルを制作するための工程図。
【図9】PDPの要部拡大断面図。
【符号の説明】
10 ガラス基板
14,34,74,94 隔壁
52,93 絶縁層
112 誘電体層
Claims (9)
- ガラス成分として、5モル%以上かつ35モル%未満のP2O5と、50モル%以上かつ65モル%未満のZnOと、0.1モル%以上かつ10モル%未満のSiO2と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のB2O3と、1モル%以上かつ20モル%未満のMgO,CaO,SrO及びBaOからなる群より選ばれた1種又は2種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、0.1モル%以上かつ10モル%未満のAl2O3とを含むガラス組成物。
- 請求項1記載のガラス組成物に、セラミックフィラー物としてジルコン,アルミナ,チタニア,コーディエライト,ムライト,β−ユークリプタイト,スポジューメン,アノーサイト,セルシアン,フォルステライト及びチタン酸アルミニウムからなる群より選ばれた1種又は2種以上のセラミックを混合した混合体。
- 請求項1記載のガラス組成物又は請求項2記載の混合体と、高分子樹脂と、溶剤とを含む隔壁又は絶縁層用ペースト。
- 請求項1記載のガラス組成物又は請求項2記載の混合体と、導電体粉末又は抵抗体粉末又は誘電体粉末と、高分子樹脂と、溶剤とを含む厚膜用ペースト。
- 請求項1記載のガラス組成物又は請求項2記載の混合体と、高分子樹脂と、溶剤とを含む隔壁又は絶縁層用グリーンシート。
- 請求項1記載のガラス組成物又は請求項2記載の混合体を焼成して形成された絶縁体。
- 請求項3記載のペーストを焼成して形成された隔壁又は絶縁層用厚膜。
- 請求項4記載のペーストを焼成して形成された導体、抵抗体又は誘電体用厚膜。
- 隔壁又は絶縁層が請求項1記載のガラス組成物又は請求項2記載の混合体を焼成して形成されたFPD。
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