JP2000119039A - 電極被覆用低融点ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置 - Google Patents
電極被覆用低融点ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置Info
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- JP2000119039A JP2000119039A JP2123099A JP2123099A JP2000119039A JP 2000119039 A JP2000119039 A JP 2000119039A JP 2123099 A JP2123099 A JP 2123099A JP 2123099 A JP2123099 A JP 2123099A JP 2000119039 A JP2000119039 A JP 2000119039A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＴＯまたは酸化スズ等の透明電極または金属
電極を保護するために形成される透明性の高いガラス被
覆層を提供する。 【解決手段】積算ふるい下１０％径が１．０μｍ以下、
５０％径が０．３〜５．０μｍ、積算ふるい下９０％径
が１０．０μｍ以下、である粒度を有し、軟化点が４８
０〜６２０℃である電極被覆用低融点ガラス粉末。
電極を保護するために形成される透明性の高いガラス被
覆層を提供する。 【解決手段】積算ふるい下１０％径が１．０μｍ以下、
５０％径が０．３〜５．０μｍ、積算ふるい下９０％径
が１０．０μｍ以下、である粒度を有し、軟化点が４８
０〜６２０℃である電極被覆用低融点ガラス粉末。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＴＯ（スズがド
ープされた酸化インジウム）または酸化スズ（フッ素、
アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む）等の透
明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス粉末、お
よびプラズマディスプレイ装置に関する。
ープされた酸化インジウム）または酸化スズ（フッ素、
アンチモン、等がドープされた酸化スズを含む）等の透
明電極を絶縁被覆するのに適した低融点ガラス粉末、お
よびプラズマディスプレイ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄型の平板型カラー表示装置が注
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなくてはならない。画像の質の低下を
防ぐために、このような電極として透明電極が用いられ
ている。透明電極としては、板ガラス表面上に形成され
たＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられる。
目を集めている。このような表示装置においては、画像
を形成する画素における表示状態を制御するために各画
素に電極を形成しなくてはならない。画像の質の低下を
防ぐために、このような電極として透明電極が用いられ
ている。透明電極としては、板ガラス表面上に形成され
たＩＴＯまたは酸化スズの薄膜が多く用いられる。
【０００３】このような透明電極は、特に前記表示装置
においては、精細な画像を実現するために細い線状に加
工される。そして各画素を独自に制御するためには、こ
のような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保
する必要がある。ところが、板ガラスの表面に水分が存
在したり板ガラス中にアルカリ成分が存在したりする場
合、透明電極間に板ガラス表面を介して若干の電流が流
れてしまう場合がある。このような電流を防止するに
は、透明電極間に絶縁層を形成することが有効である。
画像の質の低下を防ぐためには、この絶縁層は透明であ
ることが好ましい。
においては、精細な画像を実現するために細い線状に加
工される。そして各画素を独自に制御するためには、こ
のような微細に加工された透明電極相互の絶縁性を確保
する必要がある。ところが、板ガラスの表面に水分が存
在したり板ガラス中にアルカリ成分が存在したりする場
合、透明電極間に板ガラス表面を介して若干の電流が流
れてしまう場合がある。このような電流を防止するに
は、透明電極間に絶縁層を形成することが有効である。
画像の質の低下を防ぐためには、この絶縁層は透明であ
ることが好ましい。
【０００４】このような絶縁層を形成する絶縁材料とし
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラスが広く用いられて
いる。ガラスを用いて被覆する方法としては、スパッタ
法等高真空下で被膜する方法もあるが、ガラス粉末と有
機ビヒクルを混練したペースト状インク（以下ガラスペ
ーストという。）を塗布し焼成する方法が経済的に好ま
しい。
ては種々のものが知られているが、なかでも、透明であ
り信頼性の高い絶縁材料であるガラスが広く用いられて
いる。ガラスを用いて被覆する方法としては、スパッタ
法等高真空下で被膜する方法もあるが、ガラス粉末と有
機ビヒクルを混練したペースト状インク（以下ガラスペ
ーストという。）を塗布し焼成する方法が経済的に好ま
しい。
【０００５】特に、最近大型平面カラーディスプレイと
して期待されているプラズマディスプレイ装置（典型的
には、前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されており、セル中でプラズマ放電を発生させるこ
とにより画像を形成する表示装置）の前面基板において
は、前記透明電極をプラズマから保護するプラズマ耐久
性に優れたガラス被覆層が必須である。
して期待されているプラズマディスプレイ装置（典型的
には、前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画
形成されており、セル中でプラズマ放電を発生させるこ
とにより画像を形成する表示装置）の前面基板において
は、前記透明電極をプラズマから保護するプラズマ耐久
性に優れたガラス被覆層が必須である。
【０００６】特開昭５０−２３４１４（米国特許第３９
２３５３０号）には、ガス・パネル表示装置の製造に用
いられる誘電体ガラス組成物として、６２．４〜６９．
６重量％のＰｂＯ、１３．６〜２０．０重量％のＢ
2Ｏ3、５．８〜１３．６重量％のＳｉＯ2、０．２〜
１．０重量％のＡｌ2Ｏ3、を必須とする誘電体ガラス組
成物が開示されている。
２３５３０号）には、ガス・パネル表示装置の製造に用
いられる誘電体ガラス組成物として、６２．４〜６９．
６重量％のＰｂＯ、１３．６〜２０．０重量％のＢ
2Ｏ3、５．８〜１３．６重量％のＳｉＯ2、０．２〜
１．０重量％のＡｌ2Ｏ3、を必須とする誘電体ガラス組
成物が開示されている。
【０００７】特開平８−１１９６６５には、ＰＤＰ（プ
ラズマディスプレイパネル）の背面基板の導体上にオー
バーコートした際に結晶化することなく下の導体が見え
るガラス組成物として、室温〜３００℃の熱膨張係数が
６２×１０-7〜７６×１０-7／℃であり、６０〜７０重
量％のＰｂＯ、１２〜１７重量％のＳｉＯ2、８〜１５
重量％のＢ2Ｏ3、５〜１２重量％のＺｎＯ、０．１〜５
重量％のＡｌ2Ｏ3、からなるガラス組成物が開示されて
いる。そして、ガラス粉末の粒径が０．５μｍより小さ
いとペースト化が困難になり、５μｍより大きいと焼成
時充分流動して緻密な厚膜を形成することが困難になっ
て厚膜中にボイドを生じやすくなり、いずれも好ましく
ない、と記載されている。
ラズマディスプレイパネル）の背面基板の導体上にオー
バーコートした際に結晶化することなく下の導体が見え
るガラス組成物として、室温〜３００℃の熱膨張係数が
６２×１０-7〜７６×１０-7／℃であり、６０〜７０重
量％のＰｂＯ、１２〜１７重量％のＳｉＯ2、８〜１５
重量％のＢ2Ｏ3、５〜１２重量％のＺｎＯ、０．１〜５
重量％のＡｌ2Ｏ3、からなるガラス組成物が開示されて
いる。そして、ガラス粉末の粒径が０．５μｍより小さ
いとペースト化が困難になり、５μｍより大きいと焼成
時充分流動して緻密な厚膜を形成することが困難になっ
て厚膜中にボイドを生じやすくなり、いずれも好ましく
ない、と記載されている。
【０００８】特開平１０−６７５３４には、反射型ＰＤ
Ｐの製造に用いられる透明性・透視性に優れた被膜形成
用低融点ガラスとして、２〜７重量％のＳｉＯ2、１５
〜２５重量％のＢ2Ｏ3、０〜８重量％のＡｌ2Ｏ3、３〜
１５重量％のＺｎＯ、６０〜７５重量％のＰｂＯを含有
し、ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜６重量％で
あり、軟化点が４５０〜４８０℃、熱膨張係数が７７×
１０-7〜９０×１０-7／℃である被膜形成用低融点ガラ
スが開示されている。
Ｐの製造に用いられる透明性・透視性に優れた被膜形成
用低融点ガラスとして、２〜７重量％のＳｉＯ2、１５
〜２５重量％のＢ2Ｏ3、０〜８重量％のＡｌ2Ｏ3、３〜
１５重量％のＺｎＯ、６０〜７５重量％のＰｂＯを含有
し、ＣａＯ＋ＭｇＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜６重量％で
あり、軟化点が４５０〜４８０℃、熱膨張係数が７７×
１０-7〜９０×１０-7／℃である被膜形成用低融点ガラ
スが開示されている。
【０００９】前記のようなガラス被覆層は、たとえば特
開平７−１０５８５５に開示されているように、一般に
２層構造とされる。前記透明電極に直接接触する下層の
ガラス層はより高い軟化点Θ11（たとえば５８０℃）を
有する低融点ガラスを主成分とし、より高い焼成温度Θ
21（たとえば５５０〜５６０℃）で焼成される。下層の
ガラス層を被覆する上層のガラス層はより低い軟化点Θ
12（たとえば４７０℃）を有する低融点ガラスを主成分
とし、下層のガラス層形成後、より低い焼成温度Θ
22（たとえば５３０℃）で焼成される。
開平７−１０５８５５に開示されているように、一般に
２層構造とされる。前記透明電極に直接接触する下層の
ガラス層はより高い軟化点Θ11（たとえば５８０℃）を
有する低融点ガラスを主成分とし、より高い焼成温度Θ
21（たとえば５５０〜５６０℃）で焼成される。下層の
ガラス層を被覆する上層のガラス層はより低い軟化点Θ
12（たとえば４７０℃）を有する低融点ガラスを主成分
とし、下層のガラス層形成後、より低い焼成温度Θ
22（たとえば５３０℃）で焼成される。
【００１０】焼成温度Θ21を軟化点Θ11より低く設定す
ることにより、焼成時のガラス層と電極材料との反応に
よる泡発生を防止できる、とされる。また、焼成温度Θ
22を軟化点Θ12より高く設定することにより、上層のガ
ラス層表面をより平坦にできる、とされる。なお、本発
明者らは、２層構造の上層のガラス層形成に際し焼成温
度を該上層のガラス層の軟化点より高くすることによ
り、該上層のガラス層中の泡の浮上もあわせて促進しそ
の除去を図っている、と推定している。
ることにより、焼成時のガラス層と電極材料との反応に
よる泡発生を防止できる、とされる。また、焼成温度Θ
22を軟化点Θ12より高く設定することにより、上層のガ
ラス層表面をより平坦にできる、とされる。なお、本発
明者らは、２層構造の上層のガラス層形成に際し焼成温
度を該上層のガラス層の軟化点より高くすることによ
り、該上層のガラス層中の泡の浮上もあわせて促進しそ
の除去を図っている、と推定している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来のガラス粉末を用
いたガラスペーストをガラス基板上に塗布し、これを焼
成してガラス被覆層を形成した前面基板は、透明性が低
かった。また、従来のような２層構造のガラス被覆層に
あっては、単層構造のガラス被覆層の場合に比べ、工程
が増加する、等の問題があった。本発明は、以上のよう
な問題を解決する、電極被覆に適した低融点ガラス粉末
およびプラズマディスプレイ装置の提供を目的とする。
いたガラスペーストをガラス基板上に塗布し、これを焼
成してガラス被覆層を形成した前面基板は、透明性が低
かった。また、従来のような２層構造のガラス被覆層に
あっては、単層構造のガラス被覆層の場合に比べ、工程
が増加する、等の問題があった。本発明は、以上のよう
な問題を解決する、電極被覆に適した低融点ガラス粉末
およびプラズマディスプレイ装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、積算ふるい下
１０％径が１．０μｍ以下、５０％径が０．３〜５．０
μｍ、積算ふるい下９０％径が１０．０μｍ以下、であ
る粒度を有し、かつ軟化点が４８０〜６２０℃である低
融点ガラスの粉末を含有する、電極被覆用低融点ガラス
粉末、を提供する。
１０％径が１．０μｍ以下、５０％径が０．３〜５．０
μｍ、積算ふるい下９０％径が１０．０μｍ以下、であ
る粒度を有し、かつ軟化点が４８０〜６２０℃である低
融点ガラスの粉末を含有する、電極被覆用低融点ガラス
粉末、を提供する。
【００１３】また、ガラス基板表面に透明電極が形成さ
れており、軟化点が４８０〜６２０℃である低融点ガラ
スからなるガラス層により該透明電極が被覆されている
前面基板を有するプラズマディスプレイ装置であって、
前記前面基板は、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％
以上、濁度が２０％以下、であるプラズマディスプレイ
装置（本発明のプラズマディスプレイ装置の第１の態
様）、および、ガラス基板上の透明電極が、軟化点が４
８０〜６２０℃である低融点ガラスからなるガラス層に
より被覆されているプラズマディスプレイ装置であっ
て、該ガラス層に存在する直径１０μｍ以上の泡の泡密
度が５×１０3個／ｍｍ3以下であるプラズマディスプレ
イ装置（本発明のプラズマディスプレイ装置の第２の態
様）、を提供する。
れており、軟化点が４８０〜６２０℃である低融点ガラ
スからなるガラス層により該透明電極が被覆されている
前面基板を有するプラズマディスプレイ装置であって、
前記前面基板は、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％
以上、濁度が２０％以下、であるプラズマディスプレイ
装置（本発明のプラズマディスプレイ装置の第１の態
様）、および、ガラス基板上の透明電極が、軟化点が４
８０〜６２０℃である低融点ガラスからなるガラス層に
より被覆されているプラズマディスプレイ装置であっ
て、該ガラス層に存在する直径１０μｍ以上の泡の泡密
度が５×１０3個／ｍｍ3以下であるプラズマディスプレ
イ装置（本発明のプラズマディスプレイ装置の第２の態
様）、を提供する。
【００１４】本発明者らは、透明電極を絶縁被覆するガ
ラス被覆層について鋭意研究を重ねた結果、ガラス被覆
層の透明性がガラス被覆層中の泡に大きく左右されるこ
とを見出した。さらに、ガラス被覆層中の泡が、ガラス
ペースト焼成時にガラスから発生するものではなく、焼
成前のガラスペースト塗布層中に存在するガラス粒子間
の空隙が、焼成時にガラス粒子が軟化流動にともない球
形になったものであることを見出し、本発明に至った。
ラス被覆層について鋭意研究を重ねた結果、ガラス被覆
層の透明性がガラス被覆層中の泡に大きく左右されるこ
とを見出した。さらに、ガラス被覆層中の泡が、ガラス
ペースト焼成時にガラスから発生するものではなく、焼
成前のガラスペースト塗布層中に存在するガラス粒子間
の空隙が、焼成時にガラス粒子が軟化流動にともない球
形になったものであることを見出し、本発明に至った。
【００１５】また、本発明者らは、ガラスペースト焼成
時に起る透明電極の電気特性劣化が、透明電極を焼成工
程の早い段階でガラスにより完全に被覆することにより
防止できる、すなわち軟化点の低いガラスの粉末を含有
するガラスペーストを塗布し、焼成して透明電極を被覆
することにより防止できることを見出し、本発明に至っ
た。
時に起る透明電極の電気特性劣化が、透明電極を焼成工
程の早い段階でガラスにより完全に被覆することにより
防止できる、すなわち軟化点の低いガラスの粉末を含有
するガラスペーストを塗布し、焼成して透明電極を被覆
することにより防止できることを見出し、本発明に至っ
た。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明において、積算ふるい下１
０％径Ｄ10とは、粒度分布を表わす体積基準・積算分布
曲線の１０％に相当する粒子径であり、５０％径Ｄ50と
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の５０％
に相当する粒子径であり、積算ふるい下９０％径Ｄ90と
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の９０％
に相当する粒子径である。
０％径Ｄ10とは、粒度分布を表わす体積基準・積算分布
曲線の１０％に相当する粒子径であり、５０％径Ｄ50と
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の５０％
に相当する粒子径であり、積算ふるい下９０％径Ｄ90と
は、粒度分布を表わす体積基準・積算分布曲線の９０％
に相当する粒子径である。
【００１７】本発明でいう低融点ガラスは、軟化点が４
８０〜６２０℃のガラスである。本発明でいう低融点ガ
ラス粉末は、このような低融点ガラスの粉末であり、６
２０℃以下の焼成温度で透明電極を緻密に被覆できる。
６２０℃を超えるような焼成温度で透明電極の被覆を行
なうと透明電極が低融点ガラスによって著しく侵食さ
れ、透明電極の電気特性が劣化する問題が生じる。
８０〜６２０℃のガラスである。本発明でいう低融点ガ
ラス粉末は、このような低融点ガラスの粉末であり、６
２０℃以下の焼成温度で透明電極を緻密に被覆できる。
６２０℃を超えるような焼成温度で透明電極の被覆を行
なうと透明電極が低融点ガラスによって著しく侵食さ
れ、透明電極の電気特性が劣化する問題が生じる。
【００１８】本発明におけるガラスペーストは、本発明
の電極被覆用低融点ガラス粉末（以下単に低融点ガラス
粉末という。）、印刷性を付与するための有機ビヒク
ル、等からなる。
の電極被覆用低融点ガラス粉末（以下単に低融点ガラス
粉末という。）、印刷性を付与するための有機ビヒク
ル、等からなる。
【００１９】本発明の低融点ガラス粉末は、Ｄ10が１．
０μｍ以下、Ｄ50が０．３〜５．０μｍ、Ｄ90が１０．
０μｍ以下、である。Ｄ10が１．０μｍより大、または
Ｄ50が５．０μｍより大、またはＤ90が１０．０μｍよ
り大、である場合、ガラスペーストを塗布して形成した
塗布層中の、低融点ガラス粉末のガラス粒子間の空隙が
増加し、その結果焼成によって形成されたガラス被覆層
中の泡が増加する。Ｄ 50は、好ましくは３．４μｍ以
下、より好ましくは２．５μｍ以下、特に好ましくは
１．６μｍ以下、である。
０μｍ以下、Ｄ50が０．３〜５．０μｍ、Ｄ90が１０．
０μｍ以下、である。Ｄ10が１．０μｍより大、または
Ｄ50が５．０μｍより大、またはＤ90が１０．０μｍよ
り大、である場合、ガラスペーストを塗布して形成した
塗布層中の、低融点ガラス粉末のガラス粒子間の空隙が
増加し、その結果焼成によって形成されたガラス被覆層
中の泡が増加する。Ｄ 50は、好ましくは３．４μｍ以
下、より好ましくは２．５μｍ以下、特に好ましくは
１．６μｍ以下、である。
【００２０】なお、前記ガラス粒子間の空隙が増加する
原因は、ガラス粒子径の増大およびガラス粒子の充填率
の低下である。また、Ｄ50が０．３μｍより小である場
合、低融点ガラスの粉砕に要する時間が過大となり、コ
ストが増加する。好ましくは０．５μｍ以上、より好ま
しくは０．８μｍ以上、である。また、Ｄ90は、好まし
くは９．５μｍ以下である。
原因は、ガラス粒子径の増大およびガラス粒子の充填率
の低下である。また、Ｄ50が０．３μｍより小である場
合、低融点ガラスの粉砕に要する時間が過大となり、コ
ストが増加する。好ましくは０．５μｍ以上、より好ま
しくは０．８μｍ以上、である。また、Ｄ90は、好まし
くは９．５μｍ以下である。
【００２１】本発明の低融点ガラス粉末としては、軟化
点が４８０〜６２０℃であるガラスの粉末を用いる。理
由は以下のとおりである。
点が４８０〜６２０℃であるガラスの粉末を用いる。理
由は以下のとおりである。
【００２２】プラズマディスプレイ装置の前面基板のガ
ラス基板上にＩＴＯまたは酸化スズ等の薄膜を透明電極
として形成する場合、そのようなガラス基板に用いられ
るガラスとしてはガラス転移点が５５０〜６２０℃のも
のが広く用いられている。この場合、ガラス基板の熱変
形を避けるために、透明電極被覆のためのガラスペース
トの焼成は焼成温度６２０℃以下で行なわれる。この場
合、ガラスペースト中の低融点ガラス粉末の軟化点は、
該低融点ガラスが充分軟化流動するためには、６２０℃
以下でなければならない。また、焼成工程の早い段階で
透明電極を低融点ガラスにより完全に被覆し透明電極の
電気特性劣化を防止するためにも、ガラスペースト中の
低融点ガラス粉末の軟化点は６２０℃以下でなければな
らない。前記軟化点は、好ましくは６００℃以下、より
好ましくは５９０℃以下である。
ラス基板上にＩＴＯまたは酸化スズ等の薄膜を透明電極
として形成する場合、そのようなガラス基板に用いられ
るガラスとしてはガラス転移点が５５０〜６２０℃のも
のが広く用いられている。この場合、ガラス基板の熱変
形を避けるために、透明電極被覆のためのガラスペース
トの焼成は焼成温度６２０℃以下で行なわれる。この場
合、ガラスペースト中の低融点ガラス粉末の軟化点は、
該低融点ガラスが充分軟化流動するためには、６２０℃
以下でなければならない。また、焼成工程の早い段階で
透明電極を低融点ガラスにより完全に被覆し透明電極の
電気特性劣化を防止するためにも、ガラスペースト中の
低融点ガラス粉末の軟化点は６２０℃以下でなければな
らない。前記軟化点は、好ましくは６００℃以下、より
好ましくは５９０℃以下である。
【００２３】また、プラズマディスプレイ装置におい
て、ＩＴＯまたは酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵
抗が高すぎる場合、これら透明電極上にＡｇやＡｌや３
層構造のＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の金属層（以下金属電極と
いう。）を形成する場合がある。このような金属電極が
形成されている場合、軟化点が４８０℃未満のガラスの
粉末を含有するガラスペーストを焼成して金属電極を被
覆すると、これら金属電極が侵食されたり、金属電極の
存在を介してＩＴＯや酸化スズ等の透明電極の侵食が促
進されたりするおそれがある。前記軟化点は、好ましく
は５００℃以上、より好ましくは５３０℃以上、特に好
ましくは５５０℃以上である。
て、ＩＴＯまたは酸化スズ等の透明電極のみでは電気抵
抗が高すぎる場合、これら透明電極上にＡｇやＡｌや３
層構造のＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の金属層（以下金属電極と
いう。）を形成する場合がある。このような金属電極が
形成されている場合、軟化点が４８０℃未満のガラスの
粉末を含有するガラスペーストを焼成して金属電極を被
覆すると、これら金属電極が侵食されたり、金属電極の
存在を介してＩＴＯや酸化スズ等の透明電極の侵食が促
進されたりするおそれがある。前記軟化点は、好ましく
は５００℃以上、より好ましくは５３０℃以上、特に好
ましくは５５０℃以上である。
【００２４】前記ガラス基板としては、５０〜３５０℃
の平均線膨張係数（以下単に膨張係数という。）が８０
×１０-7〜９０×１０-7／℃であるガラス基板が広く用
いられている。このような場合、ガラス基板との膨張特
性をマッチングさせガラス基板のそりや強度の低下を防
止するために、膨張係数が６０×１０-7〜９０×１０ -7
／℃の低融点ガラスの粉末を用いることが好ましい。
の平均線膨張係数（以下単に膨張係数という。）が８０
×１０-7〜９０×１０-7／℃であるガラス基板が広く用
いられている。このような場合、ガラス基板との膨張特
性をマッチングさせガラス基板のそりや強度の低下を防
止するために、膨張係数が６０×１０-7〜９０×１０ -7
／℃の低融点ガラスの粉末を用いることが好ましい。
【００２５】膨張係数が６０×１０-7／℃未満では、ガ
ラス基板に過大な引張応力が、またガラス被覆層に過大
な圧縮応力がそれぞれはたらき、前面基板が破損するお
それがある。より好ましくは６５×１０-7／℃以上、特
に好ましくは７０×１０-7／℃以上である。９０×１０
-7／℃超では、ガラス基板に過大な圧縮応力が、またガ
ラス被覆層に過大な引張応力がはたらき、やはり前面基
板が破損するおそれがある。より好ましくは８５×１０
-7／℃以下、特に好ましくは８０×１０-7／℃以下であ
る。
ラス基板に過大な引張応力が、またガラス被覆層に過大
な圧縮応力がそれぞれはたらき、前面基板が破損するお
それがある。より好ましくは６５×１０-7／℃以上、特
に好ましくは７０×１０-7／℃以上である。９０×１０
-7／℃超では、ガラス基板に過大な圧縮応力が、またガ
ラス被覆層に過大な引張応力がはたらき、やはり前面基
板が破損するおそれがある。より好ましくは８５×１０
-7／℃以下、特に好ましくは８０×１０-7／℃以下であ
る。
【００２６】本発明の低融点ガラス粉末としては、酸化
物基準の重量％表示で、ＰｂＯ：４０〜８０％、Ｂ
2Ｏ3：０〜２５％、ＳｉＯ2：１０〜６０％、ＭｇＯ：
０〜１５％、ＣａＯ：０〜１５％、ＺｎＯ：０〜２５
％、Ａｌ2Ｏ3：０〜１５％、から実質的になる低融点ガ
ラスの粉末を用いることが好ましい。
物基準の重量％表示で、ＰｂＯ：４０〜８０％、Ｂ
2Ｏ3：０〜２５％、ＳｉＯ2：１０〜６０％、ＭｇＯ：
０〜１５％、ＣａＯ：０〜１５％、ＺｎＯ：０〜２５
％、Ａｌ2Ｏ3：０〜１５％、から実質的になる低融点ガ
ラスの粉末を用いることが好ましい。
【００２７】該低融点ガラスは実質的に、より好ましく
は、ＰｂＯ：５０〜７５％、Ｂ2Ｏ3：０〜１３％、Ｓｉ
Ｏ2：１７〜４０％、ＭｇＯ：０〜１０％、ＣａＯ：０
〜１０％、ＺｎＯ：０〜１０％、Ａｌ2Ｏ3：０〜１０
％、からなり、特に好ましくは、ＰｂＯ：５５〜７０
％、Ｂ2Ｏ3：０〜７．５％、ＳｉＯ2：２０〜３５％、
ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜５％、ＺｎＯ：０〜５
％、Ａｌ2Ｏ3：０〜９％、からなる。
は、ＰｂＯ：５０〜７５％、Ｂ2Ｏ3：０〜１３％、Ｓｉ
Ｏ2：１７〜４０％、ＭｇＯ：０〜１０％、ＣａＯ：０
〜１０％、ＺｎＯ：０〜１０％、Ａｌ2Ｏ3：０〜１０
％、からなり、特に好ましくは、ＰｂＯ：５５〜７０
％、Ｂ2Ｏ3：０〜７．５％、ＳｉＯ2：２０〜３５％、
ＭｇＯ：０〜５％、ＣａＯ：０〜５％、ＺｎＯ：０〜５
％、Ａｌ2Ｏ3：０〜９％、からなる。
【００２８】以下、上記組成の限定理由を、重量％を単
に％と表記して説明する。ＰｂＯは軟化点を下げるため
の必須成分である。４０％に満たない場合は、軟化点が
６２０℃を超え焼成温度６２０℃以下での透明で緻密な
被覆の形成が困難となる。好ましくは５０％以上、より
好ましくは５５％以上である。８０％を超える場合は、
ガラス被覆層が黄色に着色するおそれがある。好ましく
は、７５％以下、より好ましくは７０％以下である。
に％と表記して説明する。ＰｂＯは軟化点を下げるため
の必須成分である。４０％に満たない場合は、軟化点が
６２０℃を超え焼成温度６２０℃以下での透明で緻密な
被覆の形成が困難となる。好ましくは５０％以上、より
好ましくは５５％以上である。８０％を超える場合は、
ガラス被覆層が黄色に着色するおそれがある。好ましく
は、７５％以下、より好ましくは７０％以下である。
【００２９】Ｂ2Ｏ3は必須ではないが、ガラスを安定化
する成分であり、２５％以下の範囲で含有できる。２５
％を超えて含有すると、ガラスの流動性が増大し、ＩＴ
Ｏや酸化スズ等の透明電極を被覆する際の低融点ガラス
の侵食性が著しく増大する。好ましくは１３％以下、よ
り好ましくは７．５％以下である。
する成分であり、２５％以下の範囲で含有できる。２５
％を超えて含有すると、ガラスの流動性が増大し、ＩＴ
Ｏや酸化スズ等の透明電極を被覆する際の低融点ガラス
の侵食性が著しく増大する。好ましくは１３％以下、よ
り好ましくは７．５％以下である。
【００３０】ＳｉＯ2はガラスを安定化するための必須
成分であるが、６０％を超えるとガラスの軟化点が６２
０℃を超える。好ましくは４０％以下、より好ましくは
３５％以下である。１０％に満たないとＰｂＯ量が多く
なりすぎ、低融点ガラスが黄色に着色するおそれがあ
る。好ましくは１７％以上、より好ましくは２０％以上
である。
成分であるが、６０％を超えるとガラスの軟化点が６２
０℃を超える。好ましくは４０％以下、より好ましくは
３５％以下である。１０％に満たないとＰｂＯ量が多く
なりすぎ、低融点ガラスが黄色に着色するおそれがあ
る。好ましくは１７％以上、より好ましくは２０％以上
である。
【００３１】ＭｇＯは必須ではないが、ガラスを安定化
する成分であり、１５％以下の範囲で含有できる。１５
％を超えて含有すると、ガラスが失透しやすくなり、製
造が困難となるおそれがある。好ましくは１０％以下、
より好ましくは５％以下である。
する成分であり、１５％以下の範囲で含有できる。１５
％を超えて含有すると、ガラスが失透しやすくなり、製
造が困難となるおそれがある。好ましくは１０％以下、
より好ましくは５％以下である。
【００３２】ＣａＯは必須ではないが、ガラスを安定化
する成分であり、１５％以下の範囲で含有できる。１５
％を超えて含有すると、ガラスが失透しやすくなり、製
造が困難となるおそれがある。好ましくは１０％以下、
より好ましくは５％以下である。
する成分であり、１５％以下の範囲で含有できる。１５
％を超えて含有すると、ガラスが失透しやすくなり、製
造が困難となるおそれがある。好ましくは１０％以下、
より好ましくは５％以下である。
【００３３】ＺｎＯは必須ではないが、軟化点を下げる
ために２５％以下の範囲で含有できる。２５％を超える
と、ガラス中に結晶が析出し低融点ガラスの透明性が低
下するおそれがある。好ましくは１０％以下、より好ま
しくは５％以下である。
ために２５％以下の範囲で含有できる。２５％を超える
と、ガラス中に結晶が析出し低融点ガラスの透明性が低
下するおそれがある。好ましくは１０％以下、より好ま
しくは５％以下である。
【００３４】Ａｌ2Ｏ3は必須ではないが、ガラスを安定
化する成分であり、１５％以下の範囲で含有できる。１
５％を超えて含有すると、ガラスが失透しやすくなり、
製造が困難になるおそれがある。好ましくは１０％以
下、より好ましくは９％以下である。
化する成分であり、１５％以下の範囲で含有できる。１
５％を超えて含有すると、ガラスが失透しやすくなり、
製造が困難になるおそれがある。好ましくは１０％以
下、より好ましくは９％以下である。
【００３５】本発明における低融点ガラス粉末は実質的
に上記成分からなるが、この他にも、膨張係数、軟化
点、の調整、化学的耐久性、透明性、ガラス安定性の向
上、のために、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、を合量で５％を超えない
範囲で適宜含有させうる。また、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ
2Ｏ等のアルカリ金属酸化物やＦ等のハロゲン成分も、
ガラスの軟化点を低下させる成分として、絶縁性等を阻
害しない範囲で、合量で５％まで含有させ得る。
に上記成分からなるが、この他にも、膨張係数、軟化
点、の調整、化学的耐久性、透明性、ガラス安定性の向
上、のために、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＴｉＯ2、
ＳｎＯ2、ＺｒＯ2、ＣｅＯ2、を合量で５％を超えない
範囲で適宜含有させうる。また、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ
2Ｏ等のアルカリ金属酸化物やＦ等のハロゲン成分も、
ガラスの軟化点を低下させる成分として、絶縁性等を阻
害しない範囲で、合量で５％まで含有させ得る。
【００３６】本発明のプラズマディスプレイ装置の第１
の態様においては、前面基板の透明電極は、本発明の低
融点ガラス粉末に関連して先に述べた理由により、軟化
点が４８０〜６２０℃である低融点ガラスにより被覆さ
れている。
の態様においては、前面基板の透明電極は、本発明の低
融点ガラス粉末に関連して先に述べた理由により、軟化
点が４８０〜６２０℃である低融点ガラスにより被覆さ
れている。
【００３７】前面基板の、波長５５０ｎｍの光の透過率
が７０％未満では、プラズマディスプレイ装置の画質が
低下する。好ましくは７５％以上、より好ましくは７８
％以上、特に好ましくは８０％以上である。また、前面
基板の濁度が２０％超でも、プラズマディスプレイ装置
の画質が低下する。好ましくは１８％以下、より好まし
くは１６％以下、特に好ましくは１５％以下である。な
お、前面基板に使用されるガラス基板自体の前記透過率
および濁度の代表的な値は、ガラス基板厚さ２．８ｍｍ
の場合、それぞれ９０％、０．４％である。
が７０％未満では、プラズマディスプレイ装置の画質が
低下する。好ましくは７５％以上、より好ましくは７８
％以上、特に好ましくは８０％以上である。また、前面
基板の濁度が２０％超でも、プラズマディスプレイ装置
の画質が低下する。好ましくは１８％以下、より好まし
くは１６％以下、特に好ましくは１５％以下である。な
お、前面基板に使用されるガラス基板自体の前記透過率
および濁度の代表的な値は、ガラス基板厚さ２．８ｍｍ
の場合、それぞれ９０％、０．４％である。
【００３８】また、透明電極は、たとえば幅０．５ｍｍ
の帯状であり、それぞれの帯状電極が平行するように形
成される。各帯状電極中心線間の距離は、たとえば０．
８３〜１．０ｍｍであり、この場合、透明電極がガラス
基板表面を占める割合は５０〜６０％である。
の帯状であり、それぞれの帯状電極が平行するように形
成される。各帯状電極中心線間の距離は、たとえば０．
８３〜１．０ｍｍであり、この場合、透明電極がガラス
基板表面を占める割合は５０〜６０％である。
【００３９】本発明のプラズマディスプレイ装置の第２
の態様においても、前面基板の透明電極は、同じく先に
述べた理由により、軟化点が４８０〜６２０℃である低
融点ガラスにより被覆されている。
の態様においても、前面基板の透明電極は、同じく先に
述べた理由により、軟化点が４８０〜６２０℃である低
融点ガラスにより被覆されている。
【００４０】透明電極を被覆するこのガラス層中に存在
する直径１０μｍ以上の泡の泡密度が５×１０3個／ｍ
ｍ3超では、ガラス層の光透過率が低下し、プラズマデ
ィスプレイ装置の画質が低下する。また、ガラス層中に
存在する泡は絶縁破壊の大きな要因であり、ガラス層の
耐電圧特性が低下する。好ましくは、３×１０3個／ｍ
ｍ3以下である。ここで泡密度とは、ガラス層１ｍｍ3当
りの泡の個数である。
する直径１０μｍ以上の泡の泡密度が５×１０3個／ｍ
ｍ3超では、ガラス層の光透過率が低下し、プラズマデ
ィスプレイ装置の画質が低下する。また、ガラス層中に
存在する泡は絶縁破壊の大きな要因であり、ガラス層の
耐電圧特性が低下する。好ましくは、３×１０3個／ｍ
ｍ3以下である。ここで泡密度とは、ガラス層１ｍｍ3当
りの泡の個数である。
【００４１】本発明のプラズマディスプレイ装置の第１
の態様または第２の態様において透明電極を被覆するガ
ラス層は、本発明の低融点ガラス粉末を含有するガラス
ペーストを塗布して焼成することにより形成することが
好ましい。
の態様または第２の態様において透明電極を被覆するガ
ラス層は、本発明の低融点ガラス粉末を含有するガラス
ペーストを塗布して焼成することにより形成することが
好ましい。
【００４２】本発明においては軟化点が４８０℃以上で
ある低融点ガラスを用いて透明電極を被覆するため、低
融点ガラス被覆層による透明電極侵食のおそれが少な
く、したがって透明電極の被覆層を単層構造とすること
ができる。なお、従来の２層構造の下層を、軟化点が４
８０〜６２０℃である低融点ガラスにより形成し、か
つ、前面基板の、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％
以上、濁度が２０％以下、となるようにしてもよい。ま
た、前記下層を、軟化点が４８０〜６２０℃である低融
点ガラスにより形成し、かつ、該下層に存在する直径１
０μｍ以上の泡の泡密度が５×１０3個／ｍｍ3以下とし
てもよい。
ある低融点ガラスを用いて透明電極を被覆するため、低
融点ガラス被覆層による透明電極侵食のおそれが少な
く、したがって透明電極の被覆層を単層構造とすること
ができる。なお、従来の２層構造の下層を、軟化点が４
８０〜６２０℃である低融点ガラスにより形成し、か
つ、前面基板の、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％
以上、濁度が２０％以下、となるようにしてもよい。ま
た、前記下層を、軟化点が４８０〜６２０℃である低融
点ガラスにより形成し、かつ、該下層に存在する直径１
０μｍ以上の泡の泡密度が５×１０3個／ｍｍ3以下とし
てもよい。
【００４３】本発明のプラズマディスプレイ装置は、た
とえば交流方式のものであれば次のようにして製造され
る。図１に示すように、ガラス基板１ａの表面にパター
ニングされた透明電極２およびバス線（図示せず）を形
成したのち、本発明の低融点ガラス粉末を塗布・焼成し
てガラス層３を形成し、最後に保護膜として酸化マグネ
シウムの層（図示せず）を形成し、前面基板１０とす
る。一方、ガラス基板１ｂの上には、パターニングされ
たアドレス用電極５を形成したのち、ストライプ状に隔
壁６を形成し、さらに蛍光体層４を印刷・焼成して背面
基板２０とする。
とえば交流方式のものであれば次のようにして製造され
る。図１に示すように、ガラス基板１ａの表面にパター
ニングされた透明電極２およびバス線（図示せず）を形
成したのち、本発明の低融点ガラス粉末を塗布・焼成し
てガラス層３を形成し、最後に保護膜として酸化マグネ
シウムの層（図示せず）を形成し、前面基板１０とす
る。一方、ガラス基板１ｂの上には、パターニングされ
たアドレス用電極５を形成したのち、ストライプ状に隔
壁６を形成し、さらに蛍光体層４を印刷・焼成して背面
基板２０とする。
【００４４】前面基板１０と背面基板２０の周縁にシー
ル材（図示せず）をディスペンサで塗布し、透明電極２
とアドレス用電極５が対向するように組み立ててパネル
化し、焼成してプラズマディスプレイ装置とする。そし
てプラズマディスプレイ装置内部を排気して、放電空間
７にＮｅやＨｅ−Ｘｅなどの放電ガスを封入する。な
お、上記の例は交流方式のものであるが、本発明は直流
方式のものにも適用できる。
ル材（図示せず）をディスペンサで塗布し、透明電極２
とアドレス用電極５が対向するように組み立ててパネル
化し、焼成してプラズマディスプレイ装置とする。そし
てプラズマディスプレイ装置内部を排気して、放電空間
７にＮｅやＨｅ−Ｘｅなどの放電ガスを封入する。な
お、上記の例は交流方式のものであるが、本発明は直流
方式のものにも適用できる。
【００４５】
【実施例】表に示す組成（単位：重量％）となるよう
に、酸化鉛、無水ホウ酸、ケイ砂、酸化亜鉛、炭酸カル
シウム、酸化マグネシウム、アルミナを混合し、１３０
０℃の白金ルツボ中で１時間溶融し、薄板状ガラスに成
形した後、ボールミルで粉砕し、低融点ガラス粉末を得
た。その粒度Ｄ10、Ｄ50、Ｄ90（単位：いずれもμ
ｍ）、軟化点（単位：℃）、膨張係数（単位：１０-7／
℃）、を表に示す。
に、酸化鉛、無水ホウ酸、ケイ砂、酸化亜鉛、炭酸カル
シウム、酸化マグネシウム、アルミナを混合し、１３０
０℃の白金ルツボ中で１時間溶融し、薄板状ガラスに成
形した後、ボールミルで粉砕し、低融点ガラス粉末を得
た。その粒度Ｄ10、Ｄ50、Ｄ90（単位：いずれもμ
ｍ）、軟化点（単位：℃）、膨張係数（単位：１０-7／
℃）、を表に示す。
【００４６】粒度Ｄ10、Ｄ50、Ｄ90：（株）マイクロト
ラック製のマイクロトラック（商品名）を用いてＪＩＳ
Ｒ１６２９に則りレーザ光回折法で測定した。 軟化点：示差熱分析計を用いてを測定した。 膨張係数：低融点ガラス粉末を成形後、５３０〜５８０
℃で１０分間焼成して得た焼成体を直径５ｍｍ、長さ２
ｃｍの円柱状に加工し、熱膨張計で５０〜３５０℃の平
均線膨張係数を測定した。
ラック製のマイクロトラック（商品名）を用いてＪＩＳ
Ｒ１６２９に則りレーザ光回折法で測定した。 軟化点：示差熱分析計を用いてを測定した。 膨張係数：低融点ガラス粉末を成形後、５３０〜５８０
℃で１０分間焼成して得た焼成体を直径５ｍｍ、長さ２
ｃｍの円柱状に加工し、熱膨張計で５０〜３５０℃の平
均線膨張係数を測定した。
【００４７】前記低融点ガラス粉末１００ｇを、ジエチ
レングリコールモノブチルエーテルアセテートまたはα
−テルピネオールにエチルセルロースを７〜１２重量％
溶解した有機ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペースト
を作製した。
レングリコールモノブチルエーテルアセテートまたはα
−テルピネオールにエチルセルロースを７〜１２重量％
溶解した有機ビヒクル２５ｇと混練し、ガラスペースト
を作製した。
【００４８】次に、膜厚が２００ｎｍで幅が０．５ｍｍ
のＩＴＯ透明電極を、各ＩＴＯ透明電極の中心線間距離
が１．０ｍｍとなるように平行に多数形成した、大きさ
１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ２．８ｍｍのソーダライムシ
リカガラスのガラス基板を用意した。ＩＴＯ透明電極が
形成されている３０ｍｍ×３０ｍｍの部分に該ガラスペ
ーストを均一にスクリーン印刷後、１２０℃で１０分間
乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で、表
に示す焼成温度（単位：℃）に加熱し、さらにその温度
に１０分間維持して、焼成した。透明電極を被覆するガ
ラス層の厚さは約１０μｍであった。
のＩＴＯ透明電極を、各ＩＴＯ透明電極の中心線間距離
が１．０ｍｍとなるように平行に多数形成した、大きさ
１０ｃｍ×１０ｃｍ、厚さ２．８ｍｍのソーダライムシ
リカガラスのガラス基板を用意した。ＩＴＯ透明電極が
形成されている３０ｍｍ×３０ｍｍの部分に該ガラスペ
ーストを均一にスクリーン印刷後、１２０℃で１０分間
乾燥した。このガラス基板を昇温速度１０℃／分で、表
に示す焼成温度（単位：℃）に加熱し、さらにその温度
に１０分間維持して、焼成した。透明電極を被覆するガ
ラス層の厚さは約１０μｍであった。
【００４９】焼成後のガラス基板の光透過率（単位：
％）、濁度（単位：％）および泡数（単位：個／ｍ
ｍ2）を測定した。以下に定義する泡密度（単位：１０3
個／ｍｍ3）を含めて、結果を表に示す。
％）、濁度（単位：％）および泡数（単位：個／ｍ
ｍ2）を測定した。以下に定義する泡密度（単位：１０3
個／ｍｍ3）を含めて、結果を表に示す。
【００５０】光透過率：（株）日立製作所製の自記録分
光光度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０
ｎｍの光の透過率を測定した。サンプルのない状態を１
００％とし、ガラス基板上に低融点ガラス粉末を焼成し
たサンプルの透過率を測定した。７０％以上あれば合格
とした。
光光度計Ｕ−３５００（積分球型）を用いて波長５５０
ｎｍの光の透過率を測定した。サンプルのない状態を１
００％とし、ガラス基板上に低融点ガラス粉末を焼成し
たサンプルの透過率を測定した。７０％以上あれば合格
とした。
【００５１】濁度：（株）スガ試験器製のヘーズメータ
（ハロゲン球を用いたＣ光源）を使用。ハロゲン球から
の光をレンズを通して平行光線とし、サンプルに入射さ
せ、積分球により全光線透過率Ｔtと拡散透過率Ｔdを測
定した。濁度は、 濁度（％）＝（Ｔd／Ｔt）×１００ により算出した。２０％以下であれば合格とした。
（ハロゲン球を用いたＣ光源）を使用。ハロゲン球から
の光をレンズを通して平行光線とし、サンプルに入射さ
せ、積分球により全光線透過率Ｔtと拡散透過率Ｔdを測
定した。濁度は、 濁度（％）＝（Ｔd／Ｔt）×１００ により算出した。２０％以下であれば合格とした。
【００５２】泡数、泡密度：約１０μｍの厚さのガラス
層を光学顕微鏡（透過光）を用いて倍率５００で写真撮
影し、得られた写真中の泡をカウントし、ガラス層の表
面１ｍｍ×１ｍｍあたりの泡数Ｎ（個／ｍｍ2）を求め
た。泡密度は、膜厚を１０μｍとして、 泡密度（×１０3個／ｍｍ3）＝Ｎ／１０ により算出した。泡密度は５×１０3個／ｍｍ3以下であ
れば合格とした。
層を光学顕微鏡（透過光）を用いて倍率５００で写真撮
影し、得られた写真中の泡をカウントし、ガラス層の表
面１ｍｍ×１ｍｍあたりの泡数Ｎ（個／ｍｍ2）を求め
た。泡密度は、膜厚を１０μｍとして、 泡密度（×１０3個／ｍｍ3）＝Ｎ／１０ により算出した。泡密度は５×１０3個／ｍｍ3以下であ
れば合格とした。
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表２】
【００５５】
【表３】
【００５６】
【表４】
【００５７】表において、例１ａ、２ａ、３ａ、４ａ、
５ａ、６ａ、７ａ、８〜１８は実施例、例１ｂ、２ｂ、
３ｂ、４ｂ、５ｂ、６ｂ、７ｂ、１９は比較例である。
すべての比較例の粒度は、本発明の電極被覆用低融点ガ
ラス組成物の低融点ガラス粉末の粒度の範囲外である。
５ａ、６ａ、７ａ、８〜１８は実施例、例１ｂ、２ｂ、
３ｂ、４ｂ、５ｂ、６ｂ、７ｂ、１９は比較例である。
すべての比較例の粒度は、本発明の電極被覆用低融点ガ
ラス組成物の低融点ガラス粉末の粒度の範囲外である。
【００５８】
【発明の効果】以上のように本発明の低融点ガラス粉末
により、ＩＴＯ等の透明電極または金属電極等各種電極
の特性を低下させることなく絶縁被覆できる。また、本
発明の低融点ガラス粉末により得られる絶縁被覆ガラス
層は透明性・透視性に優れ、平面ディスプレイ用途に好
適である。また、本発明のプラズマディスプレイ装置に
おいては、透明電極または金属電極を被覆するガラス層
による画質の低下はなく、また耐電圧特性の低下もな
い。
により、ＩＴＯ等の透明電極または金属電極等各種電極
の特性を低下させることなく絶縁被覆できる。また、本
発明の低融点ガラス粉末により得られる絶縁被覆ガラス
層は透明性・透視性に優れ、平面ディスプレイ用途に好
適である。また、本発明のプラズマディスプレイ装置に
おいては、透明電極または金属電極を被覆するガラス層
による画質の低下はなく、また耐電圧特性の低下もな
い。
【図１】本発明のプラズマディスプレイ装置を示す断面
図。
図。
１ａ：ガラス基板 １ｂ：ガラス基板 ２：透明電極 ３：ガラス層 ４：蛍光体層 ５：アドレス用電極 ６：隔壁 ７：放電空間 １０：前面基板 ２０：背面基板
フロントページの続き (72)発明者 真鍋 恒夫 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 (72)発明者 小野田 仁 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G062 AA08 AA09 AA15 BB04 DA04 DA05 DA06 DB01 DB02 DB03 DB04 DC01 DC02 DC03 DC04 DD01 DE01 DE02 DE03 DE04 DF05 DF06 DF07 EA01 EA10 EB01 EC01 ED01 ED02 ED03 ED04 EE01 EE02 EE03 EE04 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM07 MM12 NN26 NN32 PP13 PP16 5C040 FA01 GA02 GD07 KA08 KA10 KB02 KB03 KB11 KB13 KB19 KB28 MA03 MA10
Claims (5)
- 【請求項１】積算ふるい下１０％径が１．０μｍ以下、
５０％径が０．３〜５．０μｍ、積算ふるい下９０％径
が１０．０μｍ以下、である粒度を有し、かつ軟化点が
４８０〜６２０℃である電極被覆用低融点ガラス粉末。 - 【請求項２】酸化物基準の重量％表示で、ＰｂＯ：４０
〜８０％、Ｂ2Ｏ3：０〜２５％、ＳｉＯ2：１０〜６０
％、、ＭｇＯ：０〜１５％、ＣａＯ：０〜１５％、Ｚｎ
Ｏ：０〜２５％、Ａｌ2Ｏ3：０〜１５％、から実質的に
なる請求項１、２または３に記載の電極被覆用低融点ガ
ラス粉末。 - 【請求項３】ガラス基板表面に透明電極が形成されてお
り、軟化点が４８０〜６２０℃である低融点ガラスから
なるガラス層により該透明電極が被覆されている前面基
板を有するプラズマディスプレイ装置であって、前記前
面基板は、波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上、
濁度が２０％以下、であるプラズマディスプレイ装置。 - 【請求項４】ガラス基板上の透明電極が、軟化点が４８
０〜６２０℃である低融点ガラスからなるガラス層によ
り被覆されているプラズマディスプレイ装置であって、
該ガラス層に存在する直径１０μｍ以上の泡の泡密度が
５×１０3個／ｍｍ3以下であるプラズマディスプレイ装
置。 - 【請求項５】請求項１または２に記載の電極被覆用低融
点ガラス粉末を焼成して得られる低融点ガラスにより、
ガラス基板表面の５０〜６０％の部分に形成された透明
電極が被覆されている前面基板を有し、該前面基板は、
波長５５０ｎｍの光の透過率が７０％以上、濁度が２０
％以下、であるプラズマディスプレイ装置。
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