WO2004103925A1 - プラズマディスプレイパネル用誘電体材料 - Google Patents

プラズマディスプレイパネル用誘電体材料 Download PDF

Info

Publication number
WO2004103925A1
WO2004103925A1 PCT/JP2004/006932 JP2004006932W WO2004103925A1 WO 2004103925 A1 WO2004103925 A1 WO 2004103925A1 JP 2004006932 W JP2004006932 W JP 2004006932W WO 2004103925 A1 WO2004103925 A1 WO 2004103925A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
glass
plasma display
display panel
dielectric material
dielectric
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/006932
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Satoshi Kumano
Ikuo Kuriyama
Tomoyuki Taguchi
Yoshinori Tanigami
Original Assignee
Nihon Yamamura Glass Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nihon Yamamura Glass Co., Ltd. filed Critical Nihon Yamamura Glass Co., Ltd.
Publication of WO2004103925A1 publication Critical patent/WO2004103925A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
    • C03C8/10Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/24Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
    • C03C8/245Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2211/00Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/20Constructional details
    • H01J2211/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/38Dielectric or insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2217/00Gas-filled discharge tubes
    • H01J2217/38Cold-cathode tubes
    • H01J2217/49Display panels, e.g. not making use of alternating current
    • H01J2217/492Details
    • H01J2217/49264Vessels

Abstract

 プラズマディスプレイパネルの誘電体層に好適に用いられ、特に前面板の誘電体層に好適に用いられるガラス材料であって、600°C以下での焼成が可能で、30~350°Cの温度範囲において60~90×10−7/°Cの熱膨張係数を有し、低誘電率で、Agと反応せず、耐水性があり、更に高い光透過性を有するプラズマディスプレイパネル用誘電体材料を提供することを課題とする。  本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、組成として、重量%で、PbO:40~68%、B2O3:2~18%、SiO2:11~28%、ZnO:0.01~20%、MgO:0.01~20%からなるガラス粉末を含有する。

Description

明 細 書
プラズマディスプレイパネル用誘電体材料
技術分野
[0001] 本発明はプラズマディスプレイパネル (PDP)の誘電体層の形成に用いられる誘電 体材料に関する。更に詳しくは、プラズマディスプレイパネルの前面板の誘電体層の 形成に好適に用レ、られる誘電体材料に関する。
背景技術
[0002] 近年、薄型のフラットパネルディスプレイ(FPD)が注目を浴びてレ、る。特にプラズマ ディスプレイパネルはその構造から大型化が容易であり、 40インチ以上の大型 FPD の本命と言われている。
プラズマディスプレイパネルは、ガラス基板、電極、誘電体層、隔壁、蛍光体等から 構成される背面板と、ガラス基板、電極、誘電体層、保護層等で構成される前面板と カゝら成る。
従来、前面板及び背面板の誘電体層は、材料として低融点ガラス粉末を 500°C— 600°C程度で焼成して形成されている。そしてこのような低融点ガラスとしては、 PbO — B O -SiO系ガラス等が使用され、特開平 11—116271号、特開 2000—313637
2 3 2
号等に係る発明が提案されている。
特許文献 1 :特開平 11一 116271号公報
特許文献 2 :特開 2000 - 313637号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] この前面板及び背面板の誘電体層のガラス材料に求められる特性としては、
(1) . 600°C以下での焼成が可能であること。
(2) .基板のソリゃガラスの亀裂を防止するため 30— 350°Cの温度範囲において 60 一 90 X 10— 7Z°Cの熱膨張係数を有すること。
(3) .消費電力を少なくするため低い誘電率を有すること。
(4) .電極に用いられる Agと反応しないこと。 (5) .ガラス粉碎の際の耐水性があること。
が求められる。
更に前面板の誘電体層のガラス材料に求められる特性としては、
(6) .鮮明な画像を得るため高い光透過性を有すること。
が求められる。
ところが上記従来から提案されている低融点ガラスは、前記(1)一 (6)の特性の全 てを必ずしも満足するものではなかった。
[0004] そこで本発明は、上記の諸特性を満たし、プラズマディスプレイパネルの誘電体層 に好適に用いられ、特に前面板の誘電体層に好適に用いられる誘電体材料としての ガラス材料を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
[0005] 上記課題を解決するため、本発明者は種々、鋭意研究を重ねた結果、 PbO-B O
2 3
-SiO系ガラスに Zn〇及び MgOを添加したガラス材料がプラズマディスプレイパネ
2
ルの誘電体層、特に前面板の誘電体層に用いられる誘電体材料として上記の特性 を満足し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、組成として、重量% で、 PbO : 40 68%、 B〇 : 2—18%, SiO : 11一 28%、 ZnO: 0. 01— 20%、 M
2 3 2
gO : 0. 01 20。/oからなるガラス粉末を含有することを第 1の特徴としている。
また本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、組成として、重量%で 、 Pb〇:40 68%、 B〇 : 2— 18%, SiO : 11一 28%、 ZnO: 0. 01— 20%、 MgO
2 3 2
: 0. 01-20%, A1〇 :15%以下からなるガラス粉末を含有することを第 2の特徴と
2 3
している。
また本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、組成として、重量%で 、 Pb〇:55 65%、 B〇 : 5— 15%, SiO : 16 21%、 ZnO: 3 8%、 MgO: 0. 5
2 3 2
一 3%、 Al O : 2— 10%からなるガラス粉末を含有することを第 3の特徴としている。
2 3
また本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、組成として、重量%で 、 Pb〇:40— 68%、 B〇 :2— 18%、 SiO : 11— 28%、 ZnO : 0. 01— 20%、 MgO
2 3 2
: 0. 01— 20%, A1〇 :15%以下、 CaO、 SrO、 BaOの何れか 1種以上: 20%以下 からなるガラス粉末を含有することを第 4の特徴としている。
また本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、上記第 1一 4の何れか の特徴による作用効果に加えて、ガラス粉末の 50%粒子径 D を 5 / m以下に調整
50
することを第 5の特徴としてレ、る。
発明の効果
請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料によれば、そこに示さ れたガラス組成とすることで、
プラズマディスプレイパネルの前面板及び背面板の誘電体層を形成用の材料とし て、軟化点を 450— 600°Cの範囲にすることができ、誘電体層形成の際、 600°C以 下での焼成が可能である。また誘電体層が Ag電極と反応し難くすることが可能となる 。軟化点が 450°C未満であると、 Ag電極と反応し易ぐ着色するので好ましくない。ま た軟化点が 600°Cを超えると、焼成時にガラス基板が変形し易いので好ましくない。 またプラズマディスプレイパネルの前面板及び背面板の誘電体層を形成用の材料 として、 30— 350°Cの温度範囲において 60— 90 X 10— 7/°Cの熱膨張係数の範囲 にすることができる。これによつて焼成後の冷却の際に、ガラス基板との熱膨張係数 の差を少なくして、ガラス基板のソリゃ亀裂を確実に防止することができる。
またプラズマディスプレイパネルの前面板及び背面板の誘電体層を形成用の材料 として、その誘電率を 15以下とすることができ、消費電力を十分に低減することがで きる。
またプラズマディスプレイパネルの前面板及び背面板の誘電体層を形成用の材料 として、優れた耐水性を保持できる。本材料によれば、耐水性が優れているため湿式 粉砕も可能で、ガラスが水に侵食されず、よって焼成後の誘電体層の光透過性を良 好に保持することができ、鮮明な画像を得ることが可能となる。
耐水性が悪いと、ガラスの湿式粉砕の際にガラスが水に侵食され易い結果、焼成 後の誘電体の光透過性が低下する。これは水の浸食によりガラスの組成が変わり、 誘電体層の屈折率が局所的に変わってしまうことや、侵食によりガラス粉末の表面が 粗くなり、これにより焼成の際にガラス粉末の間の隙間が増えて誘電体層に残る気泡 が増えてしまうことによる。 [0007] また請求項 2に記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料によれば、そこに 示されたガラス組成とすることで、上記請求項 1の構成による効果と同様の効果を得 ること力 Sできる。
カロえて Al Oを 15%以下含有させることで、ガラスの耐水性を一層向上させること
2 3
ができる。これによつて湿式粉砕によるガラス粉末を用いて焼成して得られる誘電体 層の光透過性をより良好にすることができる。
[0008] また請求項 3に記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料によれば、そこに 示されたガラス組成とすることで、上記請求項 1の構成による効果と同様の作用効果 を奏する。
特に PbOを 55 65%、 B〇を 5— 15%、 Si〇を 16— 21 %、 Zn〇を 3— 8%、 Mg
2 3 2
Oを 0. 5 3%とすることで、更に一層良好で確実な 600°C以下での焼成を可能にし 、誘電体層の 30 350°Cでの熱膨張係数をよりガラス基板に近い熱膨張係数とし、 より低誘電率によるより低い消費電力を可能とし、 Ag電極とのより確実な非反応、より 良好な光透過性を可能にできる。
また A1〇を 2— 10%としたことで、より良好な耐水性を可能にできる。
2 3
[0009] また請求項 4に記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料によれば、そこに 示されたガラス組成とすることで、上記請求項 1の構成による効果と同様の作用効果 を奏する。
そして特に、 Ca〇、 SrO、 BaOの何れか 1種以上を 20%以下含有させることで、焼 成される誘電体層の熱膨張係数を上げて、 30— 350°Cでのよりガラス基板に近い熱 膨張係数を可能とすると共に、焼成時におけるガラスの粘性を下げて、より低温での 焼成を容易に達成させることを可能とする。
[0010] また請求項 5に記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料によれば、上記請 求項 1一 4の何れかに記載の構成による効果に加えて、ガラス粉末の 50%粒子径 D
5 を 5 μ m以下に調整することにより、このガラス粉末を用いて焼成して得られる誘電
0
体層の光透過性を一層良好にすることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料について、各成分の含有範囲 の限定理由を以下に説明する。なお成分組成は全て重量%で示す。
Pb〇の含有量は 40— 68%とする。 PbOは材料の軟化点を下げる成分であり、必 須である。
Pb〇が 40%未満になると軟化点が高くなりすぎ、 600°C以下での焼成が困難とな る。また 68%を超えると誘電率、熱膨張係数が高くなりすぎる。
Pb〇の含有量は、好ましくは 45— 68%とするのがよい。
また PbOの含有量は、更に好ましくは 55— 65。/0とするのがよい。
[0012] B Oの含有量は 2 18%とする。 B Oはガラスの骨格を形成し、材料の軟化点を
2 3 2 3
下げる成分であり、必須である。
B O力 未満ではガラス化が困難となる。また 18%を超えると耐水性が不十分と
2 3
なり、また軟化点が下がりすぎ、 Ag電極との反応が起こり易くなる。
B Oの含有量は、好ましくは 3 16%とするのがよい。
2 3
また B Oの含有量は、更に好ましくは 5— 15%とするのがよい。
2 3
[0013] SiOの含有量は 11一 28%とする。 Si〇はガラスの骨格を形成し、耐水性を上げる
2 2
成分であり、必須である。
SiOが 11%未満では耐水性が不十分となる。また 28%を超えると軟化点が高くな
2
りすぎ、 600°C以下での焼成が困難となる。
SiOの含有量は、好ましくは 13— 23%とするのがよい。
2
また SiOの含有量は、更に好ましくは 16— 21%とするのがよい。
2
[0014] Zn〇の含有量は 0. 01— 20%とする。 ZnOは材料の軟化点を下げると共に、焼成 時のガラスの粘性を下げる成分であり、必須である。
Zn〇が 0. 01 %未満になると、その効果が十分に得られない。また 20%を超えると 、ガラスが失透し、誘電体層の光透過性が低下する。
Zn〇の含有量は、好ましくは 1一 15%とするのがよい。
また ZnOの含有量は、更に好ましくは 3— 8%とするのがよい。
[0015] MgOの含有量は 0. 01— 20%とする。 Mg〇は熱膨張係数を上げると共に、焼成 時のガラスの粘性を下げる成分であり、必須である。
MgOが 0. 01%未満になると、その効果が十分に得られなレ、。また 20%を超えると 、ガラスが失透し、誘電体層の光透過性が低下する。
MgOの含有量は、好ましくは 0· 3— 10%とするのがよい。
また Mg〇の含有量は、更に好ましくは 0. 5— 3%とするのがよい。
[0016] Al Oは必須ではないが、ガラスの骨格を形成し、耐水性を上げる成分ととして、 1
2 3
5%以下で含有させると効果がある。
Al Oが 15%を超えると、軟化点が高くなりすぎ、 600°C以下での焼成が困難とな
2 3
る。
Al Oの含有量は、好ましくは 2 12%とするのがよい。
2 3
また Al Oの含有量は、更に好ましくは 2 10%とするのがよい。
2 3
[0017] Ca〇は必須ではないが、誘電体層の熱膨張係数を上げると共に、焼成時のガラス の粘性を下げる成分として、 20%以下で含有させると効果がある。
Ca〇が 20%を超えると失透し、誘電体層の光透過性が低下する。
Ca〇の含有量は、好ましくは 15%以下とするのがよい。
また CaOの含有量は、更に好ましくは 10%以下とするのがよい。
[0018] SrOは必須ではないが、誘電体層の熱膨張係数を上げると共に、焼成時のガラス の粘性を下げる成分として、 20%以下で含有させると効果がある。
SrOが 20%を超えると失透し、誘電体層の光透過性が低下する。
SrOの含有量は、好ましくは 15%以下とするのがよい。
また Sr〇の含有量は、更に好ましくは 10%以下とするのがよい。
[0019] Ba〇は必須ではないが、誘電体層の熱膨張係数を上げると共に、焼成時のガラス の粘性を下げる成分として、 20%以下で含有させると効果がある。
Ba〇が 20%を超えると失透し、誘電体層の光透過性が低下する。
Ba〇の含有量は、好ましくは 18%以下とするのがよい。
また BaOの含有量は、更に好ましくは 15%以下とするのがよい。
[0020] 以上の成分以外にも、軟化点や熱膨張係数を調整する目的で Bi O、 Li 0、 Na
2 3 2 2
〇、 K〇、 P〇、 Mo〇、 Mn〇、 Fe〇、 Co〇、 Ni〇を添カロしてもよい。
2 2 5 2 2 2 3
また Ag電極との反応を抑える目的で Cu〇、 Sb〇、 SnO 、 In〇、 CeOを添加し
2 3 2 2 3 2 てもよい。 [0021] 更に誘電体層の強度の改善や外観の調整のために、本発明の材料は酸化物セラ ミツタフィラ一を含有させることができる。材料の調製は、ガラス粉末に前記酸化物セ ラミツタフィラ一粉末を混合して行う。酸化物セラミックフイラ一は特に限定されないが 、シリカ、アルミナ、チタニア、ジノレコニァ等を単独で、又は 2種類以上を混合して用 レ、ることができる。
[0022] 以上からなるプラズマディスプレイパネル用誘電体材料に用いるガラス材料は、こ れを溶融、成形、固化させた後で粉砕し、更に主として湿式法により微粉末にし、そ の後、焼成して誘電体層に形成する。
[0023] 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、耐水性に優れている。ガラ スの耐水性が不十分であると、ガラス粉砕の際にガラスが水に侵食され易レ、。そして 得られたガラス粉末を焼成して形成した誘電体層は光透過性が低下する。これは上 記したように、水の浸食によりガラス組成が変わり、誘電体層の屈折率が局所的に変 わってしまうことや、侵食によりガラス粉末の表面が粗くなり、これによりガラス粉末間 の隙間が増えて、誘電体層に残る気泡が増えてしまうことによる。
本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、その耐水性として、粉末法 によるガラスの水溶出試験での重量減少力 14 X 10— 7g/cm2 'h以下であることが 好ましぐ 11 X 10— 7g/cm2'h以下であることがより好ましい。
[0024] 上記粉末法によるガラスの水溶出試験の方法について説明する。
先ず、ガラスフレークを乳鉢などで粉砕する。粉碎されたガラス粉末を目の開きが 1 • 70mmと 0· 85mmの標準箭でふるレ、、 1 · 70mmを通り 0· 85mmの上に残ったガ ラス粉末を試料とする。このガラス粉末を、ジェチルエーテルの入ったビーカーに入 れ、超音波洗浄を 2— 3分かけ、白濁した液を捨てる。ジェチルエーテルを用いた超 音波洗浄をもう 1度繰り返した後、メタノールを用いて超音波洗浄を 2— 3分かけ、液 を捨てる。その後、ガラス粉末をビーカーに入れたまま 120°Cで 1時間乾燥させ、デ シケータ内で放冷する。洗浄されたガラス粉末を表面積が同一になるように、予め測 定した比重と同数値のグラム数だけ秤取し、 70メッシュ(0. 21mm)の白金製の籠に 入れる。 白金製の籠に入れたままメタノールの入ったビーカーに浸け、超音波洗浄を 2— 3分かけた後、白金製の籠をビーカーから引き出し、 120°Cで 1時間乾燥させ、 デシケータ内で放冷する。放冷されたガラス粉末入りの白金製の籠を、 10— 5g単位ま で秤量する。次にテフロン (登録商標)製の容器に秤量したガラス粉末入りの白金製 の籠を入れ、次いでイオン交換水 100mlを入れ、テフロン (登録商標)製のふたで密 閉する。これを予め 80°Cにしておいた恒温器にいれ、 66時間放放置して耐水試験 をする。 66時間後、テフロン (登録商標)製の容器からガラス粉末の入った白金製の 籠を取り出し、メタノール中で 2 3分超音波洗浄する。超音波洗浄後、 120°Cで 1時 間乾燥させ、デシケーター内で放冷する。放冷されたガラス粉末入りの白金製の籠を 、 10— 5g単位まで秤量し、耐水試験前後の重量から重量減少を求める。重量減少と、 予め比表面積計を用いて測定した表面積の値から、 lcm2, 1時間当たりの重量減少 を計算する。また 1種類のガラスに対して 3回試験を繰り返し、その平均値をガラスの 水溶出試験の重量減少とする。
[0025] 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、そのガラス粉末の軟化点 は 450— 600°Cの範囲となる。軟化点が 450°Cより低い場合、ガラスが Ag電極と反 応し易ぐ着色するので好ましくない。また軟化点が 600°Cを超える場合、焼成時に 一緒に加熱されるガラス基板が変形し易くなり、好ましくない。
材料の軟化点は 480— 590°Cに調整するのが好ましい。
[0026] 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、誘電体層の誘電率が 15以 下となる。誘電率が 15を超える場合、プラズマディスプレイパネルの消費電力が高く なり、好ましくない。
誘電率は 13以下に調整するのが好ましい。
[0027] 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、誘電体層の 30— 350°Cに おける熱膨張係数が 60 90 X 10— 7Z°Cとなる。熱膨張係数がこの範囲にない場合 、ガラス基板との熱膨張係数の差が大きくなつてガラス基板のソリゃ亀裂が生じ易くな るので好ましくない。
30— 350°Cでの熱膨張係数は 63 80 X 10— 7/°Cに調整されるのが好ましい。
[0028] 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料に用いるガラス材料は、ガラス を細力べ砕いて粉末にする力 このガラス粉末の 50%粒子径 D は 5 z m以下とする
50
。 50%粒子径 D 力 x mを超える場合、ガラス粉末を焼成して形成した誘電体層の 光透過性が低くなつてしまい、好ましくない。
50%粒子径 D は 3 μ m以下であることが好ましい。
50
実施例
[0029] 次に本発明を実施例により、更に詳細に説明する。しかしながら、本発明は実施例 によって限定されるものではない。
実施例 1一 7と本発明の組成から外れた比較例 1一 3について、表 1の組成となるよ うに調製した。調製は、先ずガラス原料を調合、混合した後、白金ルツボに入れて 13 00°Cで 1時間溶融した。次に溶融ガラスを急冷し、薄板状のガラガラスフレークを得 た。このガラスフレークをアルミナ製のボールミノレに入れて粗粉砕処理し、 50%粒子 径 D 力 ¾一 4 μ mのガラス粉末を得た(実施例 4、 6、比較例 2)。次に 50%粒子径 D
50
力 ¾一 3 μ mの試料については、粗粉碎品を分級することによって作製した(実施例
50
2、 5、比較例 1)。また 50%粒子径 D 力 / m未満の試料については、アルミナ製
50
のボールミルに粗粉碎品と蒸留水を入れてスラリーとし、微粉碎処理した。このスラリ 一を乾燥器で乾燥することによって目的のガラス粉末を得た (実施例 1、 3、 7、比較 例 3)。
これらのガラス粉末を用いて、耐水性、軟化点、熱膨張係数、誘電率、 50%粒子径 D 、光透過率、 Ag電極との反応性を評価した。
50
結果を表 1に示す。
[0030] [表 1]
実 施 例 比 較 例
1 2 3 4 5 6 7 1 2 3
PbO 65 58 61 55 62 50 45 45 49 71
SiO z 28 21 16 18 20 18 13 13 30 17 ガ B 203 5 8 10 8 5 16 18 22 8 2 フ
ス ZnO 1 5 5 7 5 2 6 2 5 5 組
MgO 1 1 1 1 1 2 2 2 1
A1203 7 7 7 7 2 4 4 7 5
CaO 6
SrO 4
BaO 10 6 12
水溶出試験にお
ける重量減少
7.6 8.7 9.9 9.4 8.9 11.0 13.4 15.2 7.2 10.5
( X 10- 7 g /
cm'■ h)
軟化点 C) 568 566 547 572 563 575 570 572 593 528 熱膨張係数
69 63 67 65 65 73 74 75 57 73
( x io- VC)
誘電率 11.0 11.0 12.3 11.2 12.3 9.8 10.4 10.2 9.2 15.8
50 %粒子径
0.8 2.3 1.8 3.2 2.7 3.6 1.2 2.3 3.2 0.8 D 5 0 ( m)
光透過率(%)
88 89 91 88 89 88 90 86 32 87 at波長 550nm
Agとの反応 無し 無し 無し 無 無し "life 1 無し 有り 挺し 有り
[0031] 耐水性の評価として、粉末法によるガラスの水溶出試験を行った。試験方法は、上 記で説明した方法によった。
[0032] 軟化点の評価は、ガラス粉末を白金セルに入れ、理学電機株式会社製のサーモプ ラス(Thermo Plus) TG8120を用レ、て、常温から 700 Cまで 20°CZ分の昇温速度 で示差熱分析を行い、第 4の変曲点を軟ィ匕点とした。
[0033] 熱膨張係数の評価は、ガラスディスクを作製し、直径 4mm、長さ 20mmの円柱状 に加工して行った。この円柱状のガラスディスクを理学電機株式会社製のサーモブラ ス(Thermo Plus) TMA8310を用いて、 30°Cから 350。Cの温度範囲での熱膨張 係数を求めた。なお単位は、 X 10— 7/°Cで表記した。
[0034] 誘電率はガラスディスクを作製し、研磨加工を施し、直径 30mm、厚さ 5mmにし、 直径 15mmの Ag電極をスクリーン印刷にて作製した後、横河ヒューレットパッカード 株式会社製インピーダンスアナライザー 4192Aを用いて測定し、算出した。
[0035] 50%粒子径 D の評価は、ガラス粉末を蒸留水に混合し、超音波分散させた後、
50
日機装株式会社製マイクロトラック HRAを用いて測定した。
[0036] 光透過率の評価は、予めェチルセルロースを溶解させたタービネオール溶液とガ ラス粉末を混合し、アルミナ製の三本ロールで混練してガラスペーストを調製した。こ のガラスペーストを 50 X 50 X 2. 8mmのガラス基板上にスクリーン印刷法で印刷し、 580°Cで 15分焼成し、 30 μ ΐη厚さの誘電体層を作製して透過率測定用試料とし、こ の試料を株式会社日立製作所製の分光光度計 U - 3410を用いて波長 550nmでの 光透過率を測定した。なお光透過率の測定に際しては、予め誘電体層を形成してい ないガラス基板を測定し、これをベースラインとして差し引くことで誘電体層のみの光 透過率を測定した。
[0037] Ag電極との反応性の評価は、予め Ag電極を形成した 50 X 50 X 2. 8mmのガラス 基板上に、スクリーン印刷法で前記のガラスペースト(透過率の評価に用いた)を印 刷し、 580°Cで 15分間焼成した後の Ag電極と誘電体層との界面付近の着色の有無 を評価することで行った。
[0038] 表 1から明ら力、なように、本発明の実施例 1一 7では、耐水性は良好乃至ほぼ良好 である。
また実施例 1一 7では、何れも軟化点が 547— 575°Cにあり、 600°C以下での焼成 が可能である。
また実施例 1一 7では、何れも 30°Cから 350°Cの温度範囲での熱膨張係数が 63 74 X 10— 7Z°Cにあり、ガラス基板との熱膨張係数の差を小さく抑えてソリゃ亀裂の発 生を防止することができる。
また実施例 1一 7では、何れも誘電率が 9. 8— 12. 3にあり、プラズマディスプレイ パネルの消費電力を少なく抑えることができる。
また実施例 1一 7では、何れも光透過率が 88— 91 %にあり、高透過率による鮮明な 画像が期待できる。
更に実施例 1一 7では、何れも Ag電極との反応が生じない。
[0039] 一方、本発明の成分範囲外の比較例 1一 3において、比較例 1は B Oの含有量が
2 3 範囲外であって、耐水性に難があり、光透過率が低下する可能性を含んでいる。また Ag電極と反応する問題がある。比較例 2は Si〇の含有量が範囲外であって、軟化
2
点がやや高すぎる他、光透過率が低すぎる。また比較例 3は Pb〇の含有量が範囲外 であって、誘電率が高すぎる他、 Ag電極と反応する問題がある。
産業上の利用可能性
[0040] プラズマディスプレイパネルの誘電体層の形成に利用され、特に前面板の誘電体 層の形成に好適に利用することができる。

Claims

請求の範囲
[1] 組成として、重量%で、
Pb〇 : 40— 68%
B〇 : 2—18%
2 3
SiO : 11— 28%
2
ZnO : 0. 01— 20%
MgO : 0. 01— 20%
力 なるガラス粉末を含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体 材料。
[2] 組成として、重量%で、
Pb〇 : 40— 68%
B〇 : 2— 18%
2 3
SiO : 11
2 一 28%
ZnO : 0. 01— 20%
MgO : 0. 01— 20%
Al O : 15。/。以下
2 3
力、らなるガラス粉末を含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体 材料。
[3] 組成として、重量%で、
Pb〇 : 55— 65%
B〇 : 5— 15%
2 3
SiO : 16— 21%
2
ZnO : 3—8%
MgO : 0. 5— 3%
Al O : 2— 10%
2 3
力 なるガラス粉末を含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体 材料。
[4] 組成として、重量%で、 Pb〇 : 40— 68%
B O : 2— 18%
2 3
SiO : 11一 28%
2
ZnO : 0. 01— 20%
MgO : 0. 01-20%
A1〇 : 15%以下
2 3
CaO、 Sr〇、 Ba〇の何れ力 1種以上 : 20%以下
からなるガラス粉末を含有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体 材料。
ガラス粉末の 50%粒子径 D を 5 μ m以下に調整することを特徴とする請求項 1
50 一
4の何れかに記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料。
PCT/JP2004/006932 2003-05-23 2004-05-21 プラズマディスプレイパネル用誘電体材料 WO2004103925A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-145685 2003-05-23
JP2003145685A JP2004345913A (ja) 2003-05-23 2003-05-23 プラズマディスプレイパネル用誘電体材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004103925A1 true WO2004103925A1 (ja) 2004-12-02

Family

ID=33475282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/006932 WO2004103925A1 (ja) 2003-05-23 2004-05-21 プラズマディスプレイパネル用誘電体材料

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2004345913A (ja)
WO (1) WO2004103925A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2446116C1 (ru) * 2010-11-30 2012-03-27 Юлия Алексеевна Щепочкина Эмалевое покрытие

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4089739B2 (ja) 2005-10-03 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4089733B2 (ja) 2006-02-14 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4089732B2 (ja) * 2006-02-14 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2011176107A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Asahi Glass Co Ltd 発光素子搭載用基板およびこれを用いた発光装置
JP2017048061A (ja) * 2015-08-31 2017-03-09 日本電気硝子株式会社 ガラスペースト組成物及び被膜形成ガラス部材の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000119039A (ja) * 1998-02-13 2000-04-25 Asahi Glass Co Ltd 電極被覆用低融点ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置
JP2000228152A (ja) * 1999-02-09 2000-08-15 Nippon Electric Glass Co Ltd 誘電体形成材料及び誘電体形成ペースト
JP2001035387A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレーパネル用材料
JP2002110035A (ja) * 2000-07-10 2002-04-12 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレーパネル用材料
JP2003112947A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd プラズマディスプレイパネル用ガラスペースト、その焼成方法及びそれを用いた誘電体材料又は障壁材料

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000119039A (ja) * 1998-02-13 2000-04-25 Asahi Glass Co Ltd 電極被覆用低融点ガラス粉末およびプラズマディスプレイ装置
JP2000228152A (ja) * 1999-02-09 2000-08-15 Nippon Electric Glass Co Ltd 誘電体形成材料及び誘電体形成ペースト
JP2001035387A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレーパネル用材料
JP2002110035A (ja) * 2000-07-10 2002-04-12 Nippon Electric Glass Co Ltd プラズマディスプレーパネル用材料
JP2003112947A (ja) * 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Metal Mining Co Ltd プラズマディスプレイパネル用ガラスペースト、その焼成方法及びそれを用いた誘電体材料又は障壁材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2446116C1 (ru) * 2010-11-30 2012-03-27 Юлия Алексеевна Щепочкина Эмалевое покрытие

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004345913A (ja) 2004-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3827987B2 (ja) 無鉛ガラスフリット
KR100511617B1 (ko) 무연의 저융점 유리
JP2995728B2 (ja) 低誘電率ガラス組成物
JP2005041734A (ja) 誘電体形成用ガラス及びプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料
JP2002053342A (ja) 電極被覆用低融点ガラス
WO2006075561A1 (ja) 電極被覆用ガラス、プラズマディスプレイパネル前面基板およびプラズマディスプレイパネル背面基板
EP1122220A1 (en) Low-melting glass for covering substrate
WO2006068030A1 (ja) 電極被覆用ガラス
JP2002012442A (ja) 低融点ガラス
CN101277908A (zh) 无铅玻璃组合物
CN114380496A (zh) 玻璃组合物、碱性锂铝硅酸盐玻璃及其应用
WO2004103925A1 (ja) プラズマディスプレイパネル用誘電体材料
WO2007052400A1 (ja) ビスマス系無鉛ガラス組成物
JP2001261369A (ja) 低融点ガラス組成物
JP2009040676A (ja) 電極付きガラス基板の製造方法
JPH1025130A (ja) 基板用ガラス
JPH1025129A (ja) 基板用ガラス
JPH1025128A (ja) 基板用ガラス
JP3829887B2 (ja) プラズマディスプレーパネル用誘電体材料
JP5169440B2 (ja) 電極付きガラス基板の製造方法
JP4075298B2 (ja) 電極被覆用低融点ガラス
JP4071448B2 (ja) 低融点ガラス
JP2001247332A (ja) フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板
WO2008007570A1 (fr) Composition de verre sans plomb
JP4597336B2 (ja) マグネシウムリン酸塩系ガラス組成物

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase