JP2000156168A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマディスプレイパネルの高輝度化、高
信頼性化を図る。 【解決手段】 従来ガラス基板上に形成されてきた表示
電極１２の表面に平均粒径が０．１μｍ〜１．５μｍ
で、最大粒径が平均粒径の３倍以内でガラス粉末を用い
てそのガラス軟化点から２０℃以内の温度で焼成し、次
にこのガラスの軟化点よりも約１００℃低いガラスをそ
の軟化点より５０℃〜１００℃高い温度で焼成する２層
構造の誘電体層（誘電体ガラス下層（高軟化点ガラス）
１３ａと誘電体ガラス上層（低軟化点ガラス）１３ｂ）
を形成することで、高輝度で画像の鮮明なプラズマディ
スプレイパネルを得ることが出来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特にプラ
ズマディスプレイパネルの誘電体層の改良及び誘電体ガ
ラス層の材料の改良に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年ハイビジョンをはじめとする高品
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方、液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている。

【０００３】図４は、従来の交流型（ＡＣ型）のプラズ
マディスプレイパネルの要部斜視図を示したものであ
る。図４において５１は、フロート法による硼硅酸ナト
リウム系ガラスよりなる前面ガラス基板（フロントカバ
ープレート）であり、この前面ガラス基板５１上にＩＴ
Ｏと銀電極から成る表示電極５０が存在し、この上をコ
ンデンサの働きをする平均粒径２μｍ〜１５μｍのガラ
ス粉末を用いて形成された２層構造の誘電体ガラス層５
２，５３と酸化マグネシウム（ＭｇＯ）誘電体保護層５
４が覆っている。５５は背面ガラス基板（バックプレー
ト）であり、この背面ガラス基板５５上にアドレス電極
（ＩＴＯと銀電極）５６，誘電体ガラス層６０が設けら
れ、その上に隔壁５８、蛍光体層５９が設けられてお
り、隔壁５８間が放電ガスを封入する放電空間５９とな
っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年期待されているフ
ルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素
数が１９２０×１１２５となり、ドットピッチも４２イ
ンチクラスで、０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの
面積は０．０７２ｍｍ2の細かさになる。

【０００５】同じ４２インチの大きさでハイビジョンテ
レビを作製したとき、１画素の面積で従来のＮＴＳＣ
（画素数６４０×４８０個、ドットピッチ０．４３ｍｍ
×１．２９ｍｍ、１セルの面積０．５５ｍｍ2）と比較
すると、１／７〜１／８の細かさとなる。従って、パネ
ルの輝度が低くなってしまう。

【０００６】又、第１の放電電極（表示電極）間距離が
短くなるばかりでなく放電空間も狭くなるため、特に第
１電極上の誘電体ガラス層は、セル面積が減少するため
にコンデンサとしての同一容量を確保しようとすれば、
膜厚を従来よりも薄くすることが必要となる。

【０００７】従来の方法で、誘電体層を形成するのには
３つの方法がある。第１の方法は、ガラス粉末の平均粒
径が５〜６μｍでガラスの軟化点が５５０℃〜６００℃
のガラス（酸化鉛系ガラスまたは酸化ビスマス系ガラ
ス）を用いて、ガラスの軟化点付近（５５０℃〜６００
℃）で焼成して誘電体層を形成する方法である。この方
法の特長は、軟化点付近の焼成であるためガラスがあま
り流動しない不活性な状態であるため、(ガラスの粘度
が１０7ポアズ）電極であるＡｇ，ＩＴＯ，Ｃｒ−Ｃｕ
等とほとんど反応しない。したがって電極の抵抗値が上
昇したり、ガラス中に電極成分が拡散して着色したりし
ないこと、および１回の焼成で誘電体層が形成できるこ
とである。

【０００８】しかしながらこの方法の問題点は、ガラス
粉末の平均粒径が５μｍ〜６μｍでガラスの軟化点付近
で焼成するためにガラスの流動性が悪く、表面が４μｍ
〜６μｍの荒い面となり可視光が散乱し、スリガラス状
となり誘電体ガラス層の可視光の透過率が低下する。そ
のため画像の鮮明度が低下することおよび、気泡やピン
ホールが誘電体中に発生し、誘電体層の耐圧が低下する
ことである。

【０００９】第２の方法は、同じくガラス粉末の平均粒
径が５μｍ〜６μｍで軟化点が４５０〜５００℃程度の
低融点鉛ガラス粉（ＰｂＯが７５％程度）を軟化点よ
り、５０℃〜１００℃程度高い５５０〜６００℃で焼成
する方法がある。この方法の特長はガラスの焼成温度が
軟化点より十分高いため、ガラスの流動性が良いため、
表面の平坦なガラス層（表面荒さ２μｍ程度）を得るこ
とが出来ること、および１回の焼成で誘電体層が形成で
きることである。

【００１０】しかしながらこの方法の問題点は、ガラス
が流動しやすく活性化されているため、Ａｇ，ＩＴＯ，
Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒ等の電極と反応をおこし抵抗値が上昇
したり、誘電体層が着色したりすることおよび、電極と
の反応で大きな気泡が生じ易いということである。

【００１１】又、第３の方法は、第一の方法と第２の方
法を組み合わせる方法であり、実現され実用化されてい
る（例えば特開平７−１０５８５５号公報，特開平９−
５０７６９号公報）。すなわち電極上にはガラスの平均
粒径が５μｍ〜６μｍ（粒径の分布は０．１μｍ〜１５
μｍ）でガラスの軟化点が５５０℃〜６００℃のガラス
粉体を用いて軟化点付近で焼成後、この誘電体層上に同
じく平均粒径が５μｍ〜６μｍで、ガラスの軟化点が４
５０℃〜５００℃のガラス粉末を用いて軟化点より５０
℃〜１００℃高い５５０℃〜６００℃で焼成して、誘電
体層を形成する方法である。この方法の特長はこのよう
な２層構造の構成にすることで、電極とガラスの反応を
おさえあわせてガラス表面を平坦化し可視光の透過率と
絶縁耐圧性の向上を計ることが出来る。

【００１２】しかしこの方法でも電極上に平均粒径が、
５μｍ〜６μｍのガラス粉体で焼成した誘電体が電極下
層として一層存在するため、やはり、このガラス層中お
よび電極との界面に気泡が発生するため、耐電圧が向上
せず又、気泡やガラスの界面での光の散乱のため透過率
が低下し、しかも散乱のため画像のぼけが発生するとい
う課題があった。

【００１３】そこで本発明は、このような課題を克服す
ることによって、精細なセル構造の場合にも高輝度で信
頼の高いプラズマディスプレイパネルを提供することを
目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のプラズマディスプレイパネルは、第１電極
上の誘電体ガラス層が前記第１電極と接する下層と、前
記第１電極と接しない上層からなる２層構造のガラス層
を有し、前記下層が平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで
あるガラス粉を用いて、そのガラスの軟化点から２０℃
以内の温度で焼成され、次に前記上層が前記下層のガラ
スの軟化点より平均１００℃低い軟化点を有するガラス
であって、このガラスの軟化点より５０℃〜１００℃高
い温度で焼成された誘電体層であることを特徴とする。

【００１５】また、前記第１電極上の誘電体ガラス層が
前記透明電極とその上にあるバス電極と接する下層と前
記バス電極付近のみをおおう上層から成る複層構造のガ
ラス層を有し、前記下層が平均粒径０．１μｍ〜１．５
μｍであるガラス粉を用いて、そのガラスの軟化点から
２０℃以内の温度で焼成され、次に前記上層が前記下層
上のバス電極近傍のみをコーティングした構造であっ
て、前記上層が前記下層のガラスの軟化点より５０℃〜
１００℃高い温度で焼成された誘電体層であることを特
徴とする。

【００１６】また、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法は、第１電極上の誘電体層が、前記第１電
極と接する下層と、前記第１電極と接しない上層からな
る複層構造のガラス層であって、前記下層が平均粒径
０．１μｍ〜１．５μｍでガラスの軟化点が５５０℃〜
５７５℃であるガラス粉体成分と樹脂を含む溶剤，可塑
剤，分散剤から成るバインダー成分構成のペーストをダ
イコート法，またはスクリーン印刷法にて第１電極上に
塗布し、乾燥後５６０℃〜５９０℃で焼成し、次にガラ
スの軟化点が４４０℃〜４７５℃であるガラス粉末成分
と樹脂成分を含む溶剤，可塑剤，分散剤から成る成分で
構成されたペーストを、ダイコート法，またはスクリー
ン印刷法にて前記第１電極下層上に塗布し、乾燥後５２
０℃〜５９０℃で焼成して得られることを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明は、透明電極とその上にあ
るバス電極から成る第１の電極と当該第１の電極を覆う
誘電体ガラス層とを配したフロントカバープレートと、
第２の電極と誘電体層，蛍光体層とを配したバックプレ
ートとが対向してなるプラズマディスプレイパネルにお
いて、前記第１の電極と接する下層誘電体用ガラス粉体
が平均粒径が０．１μｍ〜１．５μｍで、ガラスの軟化
点が５５０℃〜５７５℃の酸化鉛系または酸化ビスス
系，酸化亜鉛系，酸化燐系等の微細で粒径分布のそろっ
たガラス粉体と、有機バインダーから成るペーストを塗
布し乾燥後ガラスの軟化点から２０℃以内温度で焼成し
て、第１電極の下層誘電体ガラス層を形成した後、前記
下層上、または、バス電極付近のみにガラスの軟化点が
４４０℃〜４７５℃であるガラスをこの軟化点より５０
℃〜１００℃高い温度で、焼成脱胞して上層を形成する
複層構造にすることにより、電極との反応なしに誘電体
中の気泡やピンホールがなく、表面が平滑で透過率の高
い誘電体ガラス層が形成出来る。

【００１８】又、このような平均粒径の細かいガラス粉
末（平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍで粒度分布のそろ
ったガラス粉体，すなわち粒径分布は０．０３μｍ〜
４．５μｍ）を第１電極の下層に使用することで、従来
の２層構造（例えば、特開平９−５０７６９号公報）の
誘電体の可視光，透過率の向上と光散乱率の低減が可能
となり、しかも誘電体ガラス層を１５μｍ以下にしても
絶縁耐圧が良好で、高い輝度，効率のパネルが得られ
る。

【００１９】すなわち、下層のガラス粉末の粒径を細か
くし粒度分布をそろえることでガラス粒子の焼結性が高
められ、下層の表面が平滑（表面荒さ２μｍ以下）でガ
ラス内に内在する気泡が０．５μｍ以下で均一に分布し
た状態が得られる。

【００２０】しかも、この下層上に軟化点が下層より平
均１００℃低いガラス粉体を上層に使用し、その軟化点
より５０℃〜１００℃高い温度で焼成して、ガラス中の
気泡を十分脱胞してやるために、誘電体層全体として２
０μｍ以下の誘電体ガラス層を形成しても、絶縁破壊さ
れにくい信頼性の高い誘電体層が薄く形成できる。した
がって放電電圧を低くすると同時に、誘電体の絶縁耐圧
の向上を図ることができる。

【００２１】また、誘電体層を薄くすることによってパ
ネルの輝度の向上も図ることが出来る。ただし、あまり
ガラスの平均粒径を細かくすると（平均粒径０．１μｍ
以下にすると）焼成時に有機バインダーの成分が誘電体
ガラス層内に閉じ込められてしまうので好ましくない。
なお上層ガラスの粒径は、軟化点より５０℃〜１００℃
高い温度で焼成するため、ガラスの流動性が良くなるの
で３μｍ以下であれば良い。

【００２２】〔はじめに〕はじめに、本発明について概
説する。まず図４において、表示電極５０の面積をＳ，
表示電極上の誘電体ガラス層の厚みをｄ，誘電体ガラス
層の誘電率をε，誘電体ガラス層上の電荷をＱとすると
表示電極５０とアドレス電極５６との間の静電容量Ｃ
は、下記式１で表される。 Ｃ＝εＳ／ｄ （式１） また、表示電極５２とアドレス電極５６との間に印加さ
れる電圧をＶ，表示電極５０上の誘電体ガラス層上にた
まる電荷量をＱとすると、ＶとＱとの間には下記式２の
関係がある。 Ｖ＝ｄＱ／εＳ （式２） （ただし放電空間は、放電中はプラズマ状態なので導電
体となる。）上記式１，式２において、ｄを小さくする
とコンデンサーとしての静電容量Ｃが大きくなり、又ア
ドレス時や表示時の放電電圧Ｖが低下することになる。

【００２３】つまり、誘電体ガラス層の厚さを薄くする
ことにより、同じ電圧を印加しても電荷がたくさん溜ま
るので、高容量化と放電電圧の低減を図ることができ
る。

【００２４】しかし、単に誘電体ガラス層の膜厚を薄く
すると絶縁耐圧が低減し、アドレスパルスや表示パルス
を印加する時に誘電体層が絶縁破壊され易くなってしま
う。

【００２５】そこで発明者らは、第１電極を構成する下
層の誘電体層に使用されているガラス粉体の平均粒径を
０．１μｍ〜１．５μｍと細かくし、好ましくはその最
大粒径が平均粒径の３倍以内のガラス粉体を使用して、
そのガラスの軟化点より２０℃以内の温度で焼成し、下
層を形成後次にこの上に軟化点が下層より平均１００℃
低いガラスをその軟化点より５０℃〜１００℃高い温度
で焼成することによって、従来のＮＴＳＣ並以下の放電
電圧とセルの静電容量を確保しつつ、一層の薄い誘電体
層で絶縁耐圧の向上および可視光の透過率の向上および
光散乱率の低減を図った。

【００２６】上層を下層上全面に形成する場合と、上層
をバス電極近傍のみに形成する場合の２通りあるが、全
面に形成する場合は、パターニングする必要はないので
工数が少ないが、２層で１０μｍ以下にするとアドレス
放電時にデータ電極とバス電極間の耐電圧が不足し、絶
縁耐圧が維持できなくなる。又、アドレス放電時は、バ
ス電極とデータ電極間にほぼ電圧が集中的に印加され、
透明電極とデータ電極間には、電圧はほとんど印加され
ていない。そのため、バス電極近傍のみ２層構造に誘電
体を形成しておき、透明電極上は一層のままにしておけ
ば上層のパターニングは必要となるが、透明電極間は誘
電体が薄くなるため、放電電圧の低減が可能である。そ
のためアドレス放電時の耐電圧と放電維持電圧の低減が
同時に計れ、しかも可視光の透明率の向上も計れる。

【００２７】〔実施の形態〕図１は、本実施の形態に係
る交流面放電型プラズマディスプレイパネル（以下、
「ＰＤＰ」という）の要部断面図で、第１電極上の誘電
体がラス層が２層の積層となっている図である。図２は
同じく、本実施の形態に係るＰＤＰの断面図で、バス電
極近傍のみが２層の積層構造となっている図である。
尚、これらの図では便宜上セルが３つだけ示されている
が、実際には赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色を発
光するセルが多数配列されてＰＤＰが構成されている。
又、第１電極と第２電極とは、本来直交しているが説明
上並行になるように図示されている。

【００２８】このＰＤＰは、図１、図２に示すように前
面ガラス基板（フロントカバープレート）１１に第１電
極としての放電電極（表示電極）１２があり、表示電極
１２はＩＴＯやＳnＯ2の透明電極（１２ａ）上にバスラ
インとしてＡｇまたは、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｃｒの電極（１２
ｂ）が設けられた構成になっている。この表示電極１２
の上に平均粒径が０．１μｍ〜１．５μｍのガラス粉末
（好ましくは、最大粒径が平均粒径の３倍以内でのガラ
ス粉末）を用い、そのガラスの軟化点から２０℃以内の
温度で焼成された誘電体ガラス下層１３ａが配され、さ
らにその上に前記下層の誘電体ガラスの軟化点より平均
１００℃低い軟化点を有するガラスでこのガラスの軟化
点より５０℃〜１００℃高い温度で焼成された誘電体ガ
ラス上層１３ｂが配されて成る前面パネル１０と、背面
ガラス基板（バックプレート）１９にアドレス電極１８
があり、その上に蛍光体の発光を反射する酸化チタン
（ＴｉＯ2 ）入りのガラス粉末を用いて作成された誘電
体ガラス層１７（ガラス組成は第１電極上の下層誘電体
と同じ），隔壁１５，Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の蛍光体層１６が
配されてなる背面パネル２０とを張り合わせ、前面パネ
ル１０と背面パネル２０の間に形成される放電空間３０
内に放電ガスが封入された構成となっており、以下に示
すように作製される。

【００２９】前面パネル１０の作成：前面パネル１０
は、前面ガラス基板１１に放電電極（表示電極）１２を
作成し、その上を本実施の形態では、平均粒径が０．１
μｍ〜１．５μｍのガラスで望ましくは最大粒径が平均
粒径の３倍以内で軟化点が６００℃以下、望ましくは５
５０℃〜５７５℃のガラス粉末を用いて、この軟化点か
ら２０℃以内の温度で焼成して作成された誘電体ガラス
下層１３ａで覆い、次に下層の誘電体ガラスの軟化点よ
り平均１００℃低い軟化点が望ましくは、４４０℃〜４
７５℃のガラス粉末を用いて、軟化点より５０℃〜１０
０℃高い温度で焼成された誘電体ガラス上層１３ｂで覆
い、この表面にＭｇＯ（酸化マグネシウム）から成る保
護層１４を形成することによって作製する。

【００３０】（放電電極の作成について）放電電極（放
電維持電極）１２は、以下のようにして、前面ガラス基
板１１に形成する。図１を用いながら説明する。

【００３１】まず、前面ガラス基板１１上に厚さ０．１
２μｍのＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズからなる透
明導体）をスパッタ法で全面に形成後フォトリソグラフ
法にて、巾１５０μｍのストライプ状電極を形成し（電
極間距離は０．０５ｍｍ）、次に感光性の銀ペーストを
全面に形成後、同じくフォトリソグラフ法にて、巾３０
μｍのＡｇバスラインをＩＴＯ上に形成しその後、Ａｇ
を５５０℃で焼成することによって第１の電極としての
放電電極１２を形成する。

【００３２】（誘電体ガラス下層の作成について）誘電
体ガラス層１３は、以下のようにして前面ガラス基板１
１および放電電極１２上に形成する。

【００３３】先づ、下層用誘電体用ガラス（例えば、軟
化点５５０℃〜５７５℃のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳiＯ2−Ｍ
ｇＯ系ガラス）を湿式ジェットミルで平均粒径が０．１
μｍ〜１．５μｍまで粉砕し、粉砕されたガラスの最大
粒径が各平均粒径の３倍以内になるように粉砕条件を設
定する。次にこのガラス粉末５５重量％〜７０重量％と
エチルセルロースまたは、アクリル樹脂を１重量％〜２
０重量％を含むターピネオール、またはブチルカルビト
ールアセテートから成るバインダー成分３０重量％〜４
５重量％を、三本ロールでよく混練し、ダイコート用ま
たは印刷用ペーストを作成する。又、必要に応じて可塑
剤、例えばフタル酸ジオクチル，フタル酸ジブチル，リ
ン酸トリフェニル，リン酸トリブチル等や分散剤，グリ
セロールモノオレート，ソルビタンセスキオレヘート，
ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）アル
キルアリル基のリン酸エステル等を０．１〜０．４重量
％添加して、印刷性を向上させても良い。

【００３４】次にこのペーストを用いてガラス基板１
１，電極１２上にダイコート法またはスクリーン印刷法
で印刷し乾燥後ガラスの軟化点より少し高い５６０℃〜
５９０℃で焼成する。

【００３５】（誘電体ガラス上層の作成について）次
に、上層用誘電体ガラス、例えば軟化点が４４０℃〜４
７５℃のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣａＯ系ガラス
を、ボールミルにて平均粒径２．５μｍまで粉砕し、次
にこのガラス粉末５５重量％〜７０重量％とエチルセル
ロースまたは、アクリル樹脂を１重量％〜２０重量％を
含むターピネオールまたはブチルカルビトールアセテー
トから成るバインダー成分３０重量％〜４５重量％を、
三本ロールでよく混練し、印刷用ペーストまたはダイコ
ート用ペーストを作成する。

【００３６】又、必要に応じて可塑剤、例えばフタル酸
ジオクチル，フタル酸シブチル，リン酸トリフェニル，
リン酸トリブチル等の分散剤，グリセロールモノオレー
ト，ソルビタンセスキオレート，ホモゲノール（ＫａＯ
コーポレーション社製品名）アルキルアリル基のリン酸
エステル等を０．１〜０．４重量％添加して、印刷性を
向上させても良い。

【００３７】次にこのペーストを用いて誘電体下層１３
ａ上に電極スクリーン印刷法でまたは、ダイコート法で
印刷し乾燥後ガラスの軟化点より５０℃〜１００℃高い
５２０℃〜５９０℃で焼成する。

【００３８】なお、バス電極１２ｂ近傍だけに上層を作
成する場合は、スクリーン印刷法にてパターニングして
必要な所だけを印刷し、乾燥後ガラスの軟化点より５０
℃〜１００℃高い５２０℃〜５９０℃で焼成する。

【００３９】（ＣＶＤ法による保護層の形成について）
図３は保護層１４を形成する際に用いるＣＶＤ装置の概
略図である。

【００４０】このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤ及びプラズマ
ＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、ＣＶ
Ｄ装置本体４５の中には、ガラス基板４７（図１におけ
る放電電極１２及または誘電体層１３を形成した前面ガ
ラス基板１１）を加熱するヒータ部４６が設けられ、Ｃ
ＶＤ装置本体４５内は排気装置４９で減圧にすることが
できるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体４５の
中にプラズマを発生させるための高周波電源４８が設置
されている。

【００４１】Ａｒガスボンベ４１ａ，４１ｂは、キャリ
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
４２，４３を経由してＣＶＤ装置本体４５に供給するも
のである。気化器４２は、ＭｇＯの原料（ソース）とな
る金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボンベ４１ａ
からＡｒガスを吹き込むことにより、この金属キレート
を蒸発させてＣＶＤ装置本体４５に送り込むことができ
るようになっている。

【００４２】キレートの具体例としては、アセチルアセ
トンマグネシウム〔Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2〕，マグネシウ
ムジピバブロイルメタン〔Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕であ
る。

【００４３】酸素ボンベ４４は、反応ガスである酸素
［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体４５に供給するものである。

【００４４】（１）このＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤを
行う場合、ヒータ部４６の上に、誘電体層を上にしてガ
ラス基板４７を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱す
ると共に、反応容器内を排気装置４９で減圧にする（数
十Ｔｏｒｒ程度）。

【００４５】そして、アセチルアセトンマグネシウムよ
りＭｇＯを形成する時は気化器４２をマグネシウムジピ
バブロイルメタンよりＭｇＯ保護層１４を形成する時は
気化器４３で、ソースとなるキレートを、所定の気化温
度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ４１ａ又は４１ｂか
らＡｒガスを送り込む。また、これと同時に、酸素ボン
ベ４４から酸素を流す。

【００４６】これによって、ＣＶＤ装置本体４５内に送
り込まれるキレート化合物が、酸素と反応し、ガラス基
板４７の電極上にＭｇＯ保護膜が形成される。

【００４７】上記構成のＣＶＤ装置を用いてプラズマＣ
ＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行う
が、ヒータ部４６によるガラス基板４７の加熱温度は２
５０℃程度に設定し、排気装置４９を用いて反応容器内
を１０Ｔｏｒｒ程度に減圧し、高周波電源４８を駆動し
て１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することによっ
て、ＣＶＤ装置本体４５内にプラズマを発生させなが
ら、金属酸化物層またはＭｇＯからなる保護層を形成す
る。

【００４８】このように熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶ
Ｄ法によって保護層を形成すれば、緻密な保護層を形成
することができる。

【００４９】誘電体ガラス層の厚みは、薄いほどパネル
輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著にな
るので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだ
け薄く設定するのが望ましい。

【００５０】従って、本実施の形態では、誘電体ガラス
層１３の厚みを、従来の厚み１５μｍ〜３０μｍに設定
する。すなわち下層が５μｍ〜１５μｍ、上層が１０μ
ｍ〜１５μｍとする。

【００５１】次に、誘電体ガラス層１３上にＭｇＯから
なる保護層１４を形成する。本実施の形態では、ＣＶＤ
法（熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法）を用いて、
（１００）面または（１１０）面配向の酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）からなる保護層を形成する。ＣＶＤ法によ
る保護層１４の形成については、金属酸化物と同様の方
法で形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で
１．０μｍの厚みに形成している。

【００５２】背面パネル２０の作製：まず、背面ガラス
基板１９にフォトレジスト法によりレジストの凹部を形
成し、この凹部に放電電極１２と同様にして第２の電極
としてのアドレス電極１８を形成し（リフトオフ法）、
その上に前面パネル１０の場合と同様の種類の平均粒子
径（０．１μｍ〜３．５μｍ）と粒度分布を有するガラ
ス粉末に同じく平均粒子径が０．１μｍ〜０．５μｍの
酸化チタンＴiＯ2を添加した白色誘電体ガラス層１７を
形成する。白色誘電体ガラス層の形成方法や誘電体イン
キペーストの作成方法は、前面パネルの誘電体ガラスと
同様の方法である。白色誘電体ガラス層の焼成温度は、
５４０℃〜５８０℃とした。

【００５３】そして、スクリーン印刷法やプラズマ溶射
法によって作成された隔壁１５を所定のピッチで固着す
る。そして、隔壁１５に挟まれた各空間内に、赤色
（Ｒ）蛍光体，緑色（Ｇ）蛍光体，青色（Ｂ）蛍光体の
中の１つを配設することによって蛍光体層１６を形成す
る。各色Ｒ，Ｇ，Ｂの蛍光体としては、一般的にＰＤＰ
に用いられている蛍光体を用いることができるが、ここ
では次の蛍光体を用いる。 「赤色蛍光体」： Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ3+ 「緑色蛍光体」： Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ 「青色蛍光体」： ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ 以下では、上記の隔壁内に入れる蛍光体の作成方法につ
いて図５を用いて述べる。先ず、サーバー７１内に平均
粒径２．０μｍの赤色蛍光体であるＹ2Ｏ3：Ｅｕ3+粉末
５０重量％，エチルセルローズ１．０重量％，溶剤（α
−ターピネオール）４９重量％から成る蛍光体混合物を
サンドミルで混合撹はんし、１５センチポイズ（ＣＰ）
とした塗布液を入れ、ポンプ７２の圧力で噴射装置のノ
ズル部７３（ノズル径６０μｍ）から赤色蛍光体形成用
液体をストライプ形状の隔壁内に噴射させると同時に基
板を直線状に移動させて、赤色蛍光体ラインを形成す
る。同様にして、赤色(ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2
+），緑色（Ｚｎ2ＳｉＯ：Ｍｎ）のラインを形成した後
５００℃で１０分間焼成し、蛍光体層１６を形成する。

【００５４】前面パネル１０及び背面パネル２０の張り
合わせによるＰＤＰの作製：次に、前述のようにして作
製した前面パネル１０と背面パネル２０とを封着用ガラ
スを用いて張り合わせると共に、隔壁１５で仕切られた
放電空間３０内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）に排気
した後、所定の組成の放電ガスを所定の圧力で封入する
ことによってＰＤＰを作製する。

【００５５】このようにして作製されたＰＤＰは、各電
極（放電電極及びアドレス電極）が誘電体ガラス下層と
緻密に結合し、気泡が極めて少ない構造をなしている。

【００５６】又、誘電体ガラス上層は、ガラスの軟化点
より５０℃〜１００℃高い温度焼成しているため、気泡
は完全にガラス中からぬけ出ている。そのため同じ誘電
体の膜厚であるなら下層，上層２層構造の方が透過率は
高くなる。

【００５７】なお、本実施形態では、ＰＤＰのセルサイ
ズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合す
るよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２の
電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。

【００５８】また、封入する放電ガスの組成は、従来か
ら用いられているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量
を５体積％以上に、封入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒ
に設定することで、セルの発光輝度の向上を図ってい
る。

【００５９】以上のように本実施の形態のＰＤＰは、放
電電圧の低減を図れるので、動作時にパネル各構成部位
に掛かる負荷が低減される。しかも絶縁耐圧が向上され
ているので、例えば長期に及ぶ繰り返し使用に対して、
高いパネル輝度や低い放電電圧等の優れた初期性能を維
持することができ、信頼性に優れたものである。

【００６０】なお、本発明においては、背面パネル２０
側の誘電体ガラス層１７よりも、前面パネル１０側の誘
電体ガラス層１３の方が、輝度及び放電電圧に与える影
響が大きいので、前面パネル１０側の誘電体ガラス層を
より薄くすれば、輝度向上効果及び放電電圧低減の効果
を得ることができる。

【００６１】

【実施例】〔実施例１〜６，９〜１４および，１７〜２
０，比較例７，８，１５，１６，２１，２２〕

【００６２】

【表１】

【００６３】

【表２】

【００６４】

【表３】

【００６５】

【表４】

【００６６】

【表５】

【００６７】

【表６】

【００６８】

【表７】

【００６９】

【表８】

【００７０】

【表９】

【００７１】（表１）〜（表６），（表７）〜（表９）
に示した試料Ｎｏ．１〜６および９〜１４，１７〜２０
のＰＤＰは、前記実施の形態に基づいて透明電極および
その上のバス電極から成る第１電極上を、ガラスの軟化
点が５５０℃〜５７５℃で平均粒径が、０．１〜１．５
μｍで最大粒径が平均粒径の３倍以内のガラス粉末を用
いて５６０℃〜５９０℃で焼成した誘電体ガラス層でお
おい、その膜厚が５μｍ〜１５μｍの誘電体下層とす
る。

【００７２】ガラスの軟化点が４４０℃〜４７５℃のガ
ラス粉を用いて５２０℃〜５９０℃で焼成した誘電体
（上層）を下層全面あるいは、バス電極近傍上にその厚
みが５μｍ〜１５μｍになるように積層して複合誘電体
ほ形成したものであって、ＰＤＰのセルサイズは、４２
インチのハイビジョンテレビ用のディスプレイに合わせ
て、隔壁１５の高さは０．１５ｍｍ、隔壁２４の間隔
（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、放電電極１２
の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。

【００７３】そして、Ｘｅの含有量が５体積％のＮｅ−
Ｘｅ系の混合ガスを封入圧６００Ｔｏｒｒに封入した。

【００７４】ＭｇＯ保護層１４の形成方法については、
保護層をプラズマＣＶＤ法で作製した。また、プラズマ
ＣＶＤ法においては、Ｍagnesium Ａcetylacetone〔Ｍ
ｇ(Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2〕又は、Ｍagnesium Ｄipivaloyl Ｍet
hane〔Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2〕をソースとして用いた。

【００７５】その他の条件としては、プラズマＣＶＤ法
では、気化器の温度１２５℃、ガラス基板４７の加熱温
度は２５０℃、Ａｒガスは１Ｌ／分、酸素は２Ｌ／分で
１分間ガラス基板４７上に流し、１０Ｔｏｒｒに減圧
し、高周波電源４８から１３．５６ＭＨｚの高周波電界
３００Ｗで２０秒間印加して膜厚１．０μｍのＭｇＯ保
護層を形成した（膜形成速度１．０μｍ／分）。

【００７６】このようにして形成したＭｇＯ保護層をＸ
線解析で結晶面を調べたところ、Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2，
Ｍｇ（Ｃ11Ｈ19Ｏ2）2のいずれのソースでも全ての試料
において（１００）面に配向した結晶であった。

【００７７】試料Ｎｏ．１〜８のＰＤＰは、フロントパ
ネルの誘電体ガラス下層にＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−
ＭｇＯ−Ａｌ2Ｏ3ガラスを使用し、試料Ｎｏ.９〜１６
はＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系の誘
電体ガラスを使用し、試料Ｎｏ.１７〜２２は、Ｎｂ2Ｏ
3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣａＯ系をそれぞれ使用
した。

【００７８】フロントパネルの誘電体ガラス上層につい
ては、試料Ｎｏ１〜８は、ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−
ＣａＯ系ガラスを使用、試料Ｎｏ.９〜１６はＰ2Ｏ5−
ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＣａＯ系ガラスを使用、試料Ｎｏ１
７〜２２はＢｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｃａ
Ｏ系ガラスをそれぞれ使用した。

【００７９】背面パネルの誘電体ガラス層は、前面パネ
ルの下層と同一のガラス組成に酸化チタン（ＴｉＯ2）
を添加した誘電体を用いた。

【００８０】放電ガスはＮｅ−Ｘｅ（５体積％）の混合
ガスを使用した。なお、ＭｇＯの保護層の形成は全てプ
ラズマＣＶＤ法で行なった。プラズマＣＶＤ法に用いて
るＭｇＯの原料ガスは、マグネシウムアセセルアセトン
および、マグネシウムジピバブロイルメタンの違いによ
っては、ほとんど特性による違いはなかった。

【００８１】試料Ｎｏ．７，８，１３，１４，２１，２
２，２９，３０，３５，３６のＰＤＰは、比較例であっ
て、誘電体ガラス層を形成する時に使用した下層誘電体
ガラスの粉体の平均粒径が、Ｎｏ７は３μｍで最大粒径
が６μｍ，Ｎｏ８の平均粒径は１．５μｍで最大粒径が
６μｍ（平均粒径の４倍），Ｎｏ１５は平均粒径が３μ
ｍで最大粒径は６μｍ，Ｎｏ１６は平均粒径が１．５μ
ｍで最大粒径が６．０μｍ（平均粒径の４倍），Ｎｏ２
１は平均粒径３μｍ，最大粒径が９μｍ，Ｎｏ２２は平
均粒径１．５μｍ，最大粒径が６．０μｍ（平均粒径の
４倍）を用いた結果であり、それ以外は、試料Ｎｏ１〜
６，９〜１４，１７〜２０のＰＤＰと同様の設定にして
ある。

【００８２】〔実験〕（表７）〜（表９） 実験１；以上のようにして作製した試料Ｎｏ．１〜２２
のＰＤＰについて、第１電極上の誘電体ガラスの気泡の
大きさは電子顕微鏡で観察して、平均値で求めた。

【００８３】実験２；誘電体の透過率と光散乱率（ヘイ
ズ値）は、分光機で測定した値である。

【００８４】実験３；誘電体ガラス層の耐圧テストは、
パネルを封着する前にフロントパネルを抜き取って放電
電極をプラスとし、誘電体ガラス層上に銀ペーストを印
刷して、乾燥後それをマイナスとして、電圧を印加し絶
縁破壊がおこる電圧を耐電圧とした。パネル輝度は各試
作ＰＤＰで絶縁破壊しにくい条件である放電維持電圧１
５０Ｖ程度，周波数３０ＫＨｚ程度で放電させた時の測
定値である。前記（表７）〜（表９）に結果を併記し
た。

【００８５】実験４；次に、試料Ｎｏ．１〜２２のＰＤ
Ｐと同様のものを２０枚づつ作製して、これらを加速寿
命に供した。

【００８６】この加速寿命テストは、通常の使用条件よ
りもかなり過酷な条件下で行い、放電維持電圧２００
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間連続で放電した。その
後、パネル内の誘電体ガラス層等の破壊状況（パネルの
絶縁耐圧欠陥）を調べた。この結果も（表７）〜（表
９）に併記した。

【００８７】考察；試料Ｎｏ．１〜６，９〜１４，１７
〜２０の輝度の測定結果では（表７）〜（表９）、従来
のＰＤＰのパネル輝度が４００ｃｄ／ｍ2程度（「フラ
ットパネルディスプレイ」１９９７年１９８頁（ＦＬＡ
Ｔ−ＰＡＮＥＬ ＤＩＳＰＬＡＹ１９９７，ＰＰ１９
８））であるのに比べ、優れたパネルの輝度を示してい
る。

【００８８】これより誘電体ガラス層全体を薄く形成
し、しかも下層誘電体を気泡の少ないガラス層にするこ
とにより、パネル輝度を向上できることが分かる。又光
の散乱も少ないことから画像のぼやけゆがみも少ない。

【００８９】また、気泡の状態の観察，誘電体の耐電圧
試験，パネルの加速寿命テストの結果から、ガラスの平
均粒径を０．１μｍ〜１．５μｍにし最大粒径が平均粒
径の３倍以内のガラスを用いて誘電体ガラス層を作成し
た試料Ｎｏ．１〜６，９〜１４，１７〜２０のＰＤＰで
は、ガラスの平均粒径を１．５μｍ以上にしたガラスま
たは、１．５μｍ以下でも最大粒径が平均粒径の３倍を
こえるガラスを用いて誘電体ガラス層を作成した試料Ｎ
ｏ．７，１５，１６，２１，２２のＰＤＰと比べて、絶
縁耐圧および表面平滑性に優れていることが明らかであ
る。

【００９０】これらの結果から、電極をガラスの平均粒
径が０．１μｍ〜１．５μｍにし、最大粒径が平均粒径
の３倍以内のガラス粉末を用いて作成した誘電体下層で
コートし、その上にガラスの軟化点より５０℃〜１００
℃の高い温度で焼成した誘電体ガラス上層を形成するこ
とで、従来よりも輝度の向上と画像の鮮明さを計ること
が出来、しかも絶縁耐圧の向上も図ることができること
が分かる。

【００９１】なお、試料Ｎｏ．７，１５，２１のＰＤＰ
でガラスの平均粒径を３μｍ以上にしたもの、およびＮ
ｏ．８，１６，２２のＰＤＰでガラスの平均粒径は１．
５μｍであるが、最大粒径が６μｍ（平均粒径の４倍）
で作成した誘電体下層のものは、Ａｇ電極上の誘電体ガ
ラス層の厚みが、試料Ｎｏ．１〜６，９〜１４，１７〜
２０と比べて同じにもかかわらず絶縁破壊しやすく、輝
度が低く、光散乱率も高いことがわかる。

【００９２】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のプラズ
マディスプレイパネルによると、第１の電極と当該第１
の電極を覆う誘電体ガラス層とを配したフロントカバー
プレートと、第２の電極と蛍光体層とを配したバックプ
レートとが対向してなるプラズマディスプレイパネルに
おいて、前記第１の電極上の誘電体層が前記第１電極と
接する下層と、前記第１電極と接しない上層からなる２
層構造のガラス層であって、前記下層が平均粒径０．１
μｍ〜１．５μｍであるガラス粉を用いて、そのガラス
の軟化点から２０℃以内の温度で焼成し、次に前記上層
が前記下層のガラスの軟化点より平均１００℃低い軟化
点を有するガラスであって、このガラスの軟化点より５
０℃〜１００℃高い温度で焼成して誘電体ガラス層を設
けることにより、低い放電電圧で高輝度でしかも画像の
ぼけが少なく、又、アドレッシングや耐久性における信
頼性が高いプラズマディスプレイパネルが得られる。

【００９３】また、前記バックプレートが、第２の電極
を覆う第２の誘電体ガラス層を配してなるものである場
合に、前記第２の電極上には第１電極下層と同じガラス
粉末を用いた誘電体ガラス中にＴiＯ2を添加することに
より、真空紫外光により発光した可視光が効率良く反射
され、さらに、信頼性と輝度の向上を図ることが出来
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの要部斜視図

【図２】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルの要部斜視図

【図３】本発明の実施の形態におけるプラズマディスプ
レイパネルを製造する際に用いるＣＶＤ装置の概略図

【図４】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの
要部斜視図

【図５】蛍光体層１８を形成する際に用いるインキ塗布
装置７０の概略構成図

【符号の説明】

１０ 前面パネル １１ 前面ガラス基板 １２ 放電電極（表示電極） １２ａ 透明電極（ＩＴＯ，ＳｎＯ2） １２ｂ バス電極（Ａｇ，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ） １３ 誘電体ガラス層 １３ａ 誘電体ガラス下層（高軟化点ガラス） １３ｂ 誘電体ガラス上層（低軟化点ガラス） １４ 保護膜（ＭｇＯ） １５ 隔壁 １６ 蛍光体 １７ 誘電体ガラス層 １８ アドレス電極 １９ 背面ガラス基板 ２０ 背面パネル ３０ 放電空間 ４０ ＣＶＤ装置 ４１ａ アルゴンガスボンベ ４１ｂ アルゴンガスボンベ ４２ 気化器 ４３ 気化器 ４４ 酸素ガスボンベ ４５ ＣＶＤ装置本体 ４６ 基板加熱ヒータ ４７ 誘電体ガラス層が形成された前面ガラス基板 ４８ 高周波電源 ４９ 排気装置 ７０ インキ塗布装置 ７１ サーバ ７２ 加圧ポンプ ７３ ヘッダ（ノズル部） ７４ インキ流

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０３Ｃ 3/14 Ｃ０３Ｃ 3/14 4/16 4/16 17/34 17/34 Ｚ Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ 11/00 11/00 Ｋ // Ｃ０３Ｃ 27/06 １０１ Ｃ０３Ｃ 27/06 １０１Ｅ Ｆターム(参考） 4G059 AA07 AB05 AB19 AC14 GA02 GA04 GA12 4G061 AA09 BA11 CD22 DA26 DA54 4G062 AA03 BB04 BB05 DA01 DA03 DA04 DB01 DB02 DB03 DB04 DC04 DD05 DE04 DE05 DE06 DF05 DF06 DF07 EA01 EB01 EC01 ED03 EE01 EE02 EE03 EE04 EF01 EG01 FA01 FA10 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA05 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM25 NN11 5C027 AA06 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GD02 GD07 GD09 JA02 JA22 KA07 KA08 KA10 KB02 KB03 KB11 KB19 MA03 MA17

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透明電極とその上にあるバス電極から成る
   第１の電極及び誘電体ガラス層が形成されたフロントカ
   バープレートと、第２の電極及び蛍光体層が形成された
   バックプレートとを有し、前記第１の電極と前記第２の
   電極とが所定の距離離間して対向するよう前記フロント
   カバープレートと前記バックプレートとを配置するとと
   もに、前記フロントカバープレートと前記バックプレー
   トとの間に隔壁を設置し、前記フロントカバープレー
   ト、前記バックプレート及び前記隔壁により形成された
   空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディ
   スプレイパネルであって、 前記第１電極上の誘電体ガラス層が前記第１電極と接す
   る下層と、前記第１電極と接しない上層からなる２層構
   造のガラス層を有し、前記下層が平均粒径０．１μｍ〜
   １．５μｍであるガラス粉を用いて、そのガラスの軟化
   点から２０℃以内の温度で焼成され、次に前記上層が前
   記下層のガラスの軟化点より平均１００℃低い軟化点を
   有するガラスであって、このガラスの軟化点より５０℃
   〜１００℃高い温度で焼成された誘電体層であることを
   特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 【請求項２】透明電極とその上にあるバス電極から成る
   第１の電極及び誘電体ガラス層が形成されたフロントカ
   バープレートと、第２の電極及び蛍光体層が形成された
   バックプレートとを有し、前記第１の電極と前記第２の
   電極とが所定の距離離間して対向するよう前記フロント
   カバープレートと前記バックプレートとを配置するとと
   もに、前記フロントカバープレートと前記バックプレー
   トとの間に隔壁を設置し、前記フロントカバープレー
   ト、前記バックプレート及び前記隔壁により形成された
   空間に放電可能なガス媒体を封入して成るプラズマディ
   スプレイパネルであって、 前記第１電極上の誘電体ガラス層が前記透明電極とその
   上にあるバス電極と接する下層と前記バス電極付近のみ
   をおおう上層から成る複層構造のガラス層を有し、前記
   下層が平均粒径０．１μｍ〜１．５μｍであるガラス粉
   を用いて、そのガラスの軟化点から２０℃以内の温度で
   焼成され、次に前記上層が前記下層上のバス電極近傍の
   みをコーティングした構造であって、前記上層が前記下
   層のガラスの軟化点より５０℃〜１００℃高い温度で焼
   成された誘電体層であることを特徴とするプラズマディ
   スプレイパネル。
3. 【請求項３】第１電極と接する下層の誘電体ガラスの軟
   化点が５４０℃〜５７０℃であることを特徴とする請求
   項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。
4. 【請求項４】軟化点が５５０℃〜５７５℃である第１電
   極と接する下層ガラスの組成が、酸化鉛（ＰｂＯ）４５
   重量％〜６５重量％，酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１０重量％〜
   ３０重量％，酸化硅素（ＳiＯ2）１０重量％〜３０重量
   ％，酸化マグネシウム１重量％〜１０重量％，酸化アル
   ミニウム０重量％〜３重量％から成るガラスであること
   を特徴とする請求項１または２記載のプラズマディスプ
   レイパネル。
5. 【請求項５】軟化点が５４０℃〜５７０℃である第１電
   極と接する下層ガラスの組成が酸化亜鉛（ＺｎＯ）４４
   重量％〜６０重量％，酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１９重量％〜
   ３０重量％，酸化硅素（ＳiＯ2）１重量％〜１０．５重
   量％，酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）１重量％〜１０重
   量％，酸化カルシウム（ＣａＯ）４重量％〜１０重量％
   から成る酸化亜鉛系ガラスであることを特徴とする請求
   項１または２記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 【請求項６】軟化点が５４０℃〜５７０℃である第１電
   極と接する下層ガラスの組成が酸化亜鉛（ＺｎＯ）４４
   重量％〜６０重量％，酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）１９重量％〜
   ３０重量％，酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）９重量％〜１９重
   量％，酸化カルシウム（ＣａＯ）０重量％〜５重量％か
   ら成る酸化亜鉛系ガラスであることを特徴とする請求項
   １または２記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 【請求項７】第１電極と接する下層上に設けられた上層
   の誘電体ガラスの軟化点が４４０℃〜４７５℃であるこ
   とを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパ
   ネル。
8. 【請求項８】第１電極上の上層ガラスの組成が、酸化鉛
   （ＰｂＯ）−酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）−酸化硅素（ＳiＯ2）
   −酸化カルシウム（ＣａＯ）から成る酸化鉛系ガラスま
   たは、酸化燐（Ｐ2Ｏ5）−酸化亜鉛（ＺｎＯ）−酸化ア
   ルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）−酸化カルシウム（ＣａＯ）か
   ら成る酸化燐系ガラス、または酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ
   3）−酸化亜鉛（ＺｎＯ）−酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）−酸化
   硅素（ＳｉＯ2 ）−酸化カルシウム（ＣａＯ）から成る
   酸化ビスマス系ガラスのうちのいづれか一種であること
   を特徴とする請求項１または６記載のプラズマディスプ
   レイパネル。
9. 【請求項９】第１の電極及び誘電体ガラス層が形成され
   たフロントカバープレートと、第２の電極及び誘電体
   層，蛍光体層が形成されたバックプレートとを有し、前
   記第１の電極と前記第２の電極とが所定の距離離間して
   対向するよう前記フロントカバープレートと前記バック
   プレートとを配置するとともに、前記フロントカバープ
   レートと前記バックプレートとの間に隔壁を設置し、前
   記フロントカバープレート、前記バックプレート及び前
   記隔壁により形成された空間に放電可能なガス媒体を封
   入して成るプラズマディスプレイパネルであって、 前記第１電極上の誘電体層が、前記第１電極と接する下
   層と、前記第１電極と接しない上層からなる複層構造の
   ガラス層であって、前記下層が平均粒径０．１μｍ〜
   １．５μｍでガラスの軟化点が５５０℃〜５７５℃であ
   るガラス粉体成分と樹脂を含む溶剤，可塑剤，分散剤か
   ら成るバインダー成分構成されたペーストをダイコート
   法，またはスクリーン印刷法にて第１電極上に塗布し、
   乾燥後５６０℃〜５９０℃で焼成し、次にガラスの軟化
   点が４４０℃〜４７５℃であるガラス粉末成分と樹脂成
   分を含む溶剤，可塑剤，分散剤から成る成分で構成され
   たペーストを、ダイコート法，またはスクリーン印刷法
   にて前記第１電極下層上に塗布し、乾燥後５２０℃〜５
   ９０℃で焼成して得られることを特徴とするプラズマデ
   ィスプレイパネルの製造方法。
10. 【請求項１０】誘電体ガラスペースト中の可塑剤がリン
    酸トリブチル，リン酸トリクレシル，リン酸トリフェニ
    ル，フタル酸ジオクチル，フタル酸ジブチルのうちのい
    づれか一種で、分散剤がソルビタンセスキオレート，グ
    リセロールモノオレエート，リン酸エステルのうちのい
    づれか一種であることを特徴とする請求項９記載のプラ
    ズマディスプレイパネルの製造方法。