JP4755100B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、ＰＤＰ駆動時における放電維持電圧等の低減ならびにＰＤＰの長寿命化に関わるものである。

薄型表示デバイスの一つとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と記す。）があり、ＰＤＰには直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）とがあるが、大型化の面からＡＣ型ＰＤＰが高い技術的ポテンシャルを持ち、その中でも特に寿命特性の面から面放電型ＰＤＰが脚光を浴びている。
１．ＰＤＰの構造
面放電ＡＣ型ＰＤＰの構成について図１１を用いて説明すると、面放電ＡＣ型ＰＤＰでは、前面板７０２と背面板７０３とが、放電空間を挟んで対峙する構成となっている。

図１１に示すように、前面板７０２は、ガラス基板７１０の放電空間側主面に、走査（スキャン）電極７０５および維持（サステイン）電極７０６で構成される表示電極対７０４と、誘電体層７０７と、保護膜７０８とが順次積層され、走査電極７０５および維持電極７０６が、５０［μｍ］〜１００［μｍ］の間隙Ｄを挟んで対向配置され、走査電極７０５および維持電極７０６の各々が、透明電極７５５，７５６とバス電極７０９とで構成されてなる。

当該透明電極７５５，７５６の各主面には、細幅でかつその膜厚が５〜６［μｍ］に設定された金属製のバス電極７０９が配されている。バス電極７０９は、例えば、Ａｇペーストを印刷塗布しながら積層し、これを焼成する厚膜プロセスを経て設けられている。
誘電体層７０７は、鉛系ガラス材料を主成分とする低融点ガラスペーストが印刷法によって塗布された後焼成される厚膜プロセスを経て形成されたものであり、その膜厚が約４０［μｍ］に設定されている。

誘電体層７０７の材料に用いられた鉛系ガラス材料では、例えば、比誘電率εが約１３になっている。
保護膜７０８は、その膜厚が数百［ｎｍ］に設定され、電気絶縁性の高いＭｇＯを主成分とする。
上記の一つの表示電極対７０４と、背面板７０３を構成する一本のデータ電極７１２とが立体交差する領域を放電セルと呼び、図１１に示した領域が放電セルに該当する。

ＰＤＰの画像表示において直接的に寄与するのは、表示電極対７０４であり、データ電極７１２は画像表示単位である放電セルを選択するための電極であって、画像表示における発光には直接寄与しない。
画像表示単位である放電セルが複数個マトリクス状に配されてＰＤＰとなる。ＰＤＰに、公知の駆動回路や制御回路などが備えられてＰＤＰ装置となる。
２．ＰＤＰの駆動方法
上記のＰＤＰを、３つの動作期間、すなわち（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（２）各放電セルをアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータ書き込み期間、（３）表示状態にある放電セルを表示発光させる維持放電期間、から構成されるアドレス・表示分離駆動方式により駆動表示させる。

上記（３）の維持放電期間において、上記（２）の書き込み期間にて入力データに対応して壁電荷が形成された放電セルで、走査電極７０５および維持電極７０６のそれぞれに電極電圧パルス約２００［Ｖ］の矩形波電圧を互いに位相が異なるように印加する。すなわち上記一対をなす表示電極間に交流電圧を印加することにより、表示状態が書き込まれた放電セルで、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生させる。

上記維持放電によりキセノンが励起され、励起キセノンから紫外光が放射され、当該紫外光が蛍光体層７１５によって可視光に変換されて画像表示させる。
しかしながら、従来のＰＤＰでは、既述したようにバス電極７０９および誘電体層７０７が焼成工程を含む厚膜プロセスを経て形成されたものであり、当該焼成工程は５００〜６００［℃］の高温プロセスであり、焼成後のバス電極７０９に、ペースト中に含まれるバインダー焼成物が残留することがある。

そのため、誘電体層７０７の焼成時においてバス電極７０９と誘電体層７０７との接触部分に気泡が発生しやすく、当該気泡発生領域に対応する誘電体層７０７の領域では、他の誘電体層７０７の領域とくらべて厚みが薄くなる。また、そもそも焼成物は密度が疎であることから、誘電体層７０７は絶縁耐圧が約２．５×１０^５［Ｖ／ｃｍ］と小さく、したがって、絶縁耐圧の低い誘電体層７０７において厚みの薄い領域が発生することとなり、ＰＤＰにおける誘電体層７０７の耐電圧は低い。すると、上述したＰＤＰ動作期間のうち初期化期間における高電圧印加時などに誘電体層７０７にて絶縁破壊が発生しやすい。

したがって、従来のＰＤＰでは、誘電体層７０７の耐電圧を向上させるために誘電体層７０７の膜厚を４０［μｍ］と厚く設定する必要があり、その結果、放電開始電圧、放電維持電圧を高く設定する必要が生じ、発光効率の向上は困難であるという問題があった。
かかる問題に対し、Ｃｒ、Ｃｕを真空蒸着で２重に積層した電極上に直接被覆したＡｌ_２Ｏ_３からなる第１層とＳｉＯ_２を８０％含むガラスからなる第２層とＡｌ_２Ｏ_３からなる第３層とが順に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によって積層されてなる多層膜構造の誘電体層が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１記載の発明によれば、真空蒸着法あるいはスパッタリング法によって薄膜形成されたＡｌ_２Ｏ_３膜が第１層、第３層として用いられているので、クラック発生がなく、またＳｉＯ_２を８０％含むガラスを第２層として用いることにより、薄い膜厚でクラックが発生しない誘電体層を形成することができる。
また、電極の上にＣＶＤ法、スパッタ，蒸着の真空プロセスによって形成された金属酸化物からなる下層と、その下層の上に形成された誘電体ガラスからなる上層とからなる誘電体層が開示されている（例えば、特許文献２参照）。

特許文献２に記載の発明によれば、印刷塗布し焼成されて形成したＡｇ電極上に誘電体層をコートする際に、先ずＡｇ電極の表面を、ＺｎＯ，ＺｒＯ₂，ＭｇＯ，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｃｒ₂Ｏ₃等の「表面に水酸基を生成する金属酸化物」からなる厚さ０．１〜１０［μｍ］の層をＣＶＤ法で被覆し、その上から誘電体ガラスからなる誘電体層をコートすることにより、誘電体層を薄く形成してもＰＤＰ駆動時において誘電体層の絶縁破壊を発生しにくくすることができる。

また、このようなＰＤＰでは、その放電開始電圧、維持放電電圧を低減してその消費電力を低減する手段として、上記間隙Ｄに微細な電極対を配すればよいことが理解されている。
例えば、特許文献３には、走査電極と維持電極とで挟まれた間隙に補助電極（トリガ電極）対を配置し、各補助電極が、各放電セルにおいて、放電セル端部より中央部で広い面積を有するように、その中央部にて翼部を設けたものが開示されている。このように翼部を設けると、翼部どうしに挟まれた間隙にてまず放電が開始されるので、低い維持放電電圧、放電開始電圧でも確実に維持放電が開始され、維持放電時の放電効率を改善することができる。

また、特許文献４では、図１２に示すように、放電セル８００において、主表示電極対８０２を構成する走査電極８０５と維持電極８０６との対向面に、走査電極８０５と維持電極８０６とで挟まれた間隙Ｇより狭い間隙ｇを挟んだ副表示電極対８０１を、主表示電極対８０２より面積抵抗が高くなるように形成し、かつ印加電圧パルスを高発光効率の短パルスとし、副表示電極対８０１を構成する各副表示電極間で放電していないときには走査電極８０５と維持電極８０６との間で放電せず、各副表示電極間で放電しているときには走査電極８０５と維持電極８０６との間で放電するように印加電圧の電圧値を設定するものが開示されている。なお、図１２は、ＰＤＰの表示電極対の一部を示す要部平面図で、図示しない背面板側から見たものであり、二点鎖線で囲った領域が放電セルに対応している。

上記のように構成し、かつ電圧値を設定することで、放電遅れ時間を制御することができ、放電遅れを低減でき、放電開始電圧を下げても確実に維持放電を開始させることが期待できる。
特開昭５５−１４３７５４号公報 特開２００３−７２１７号公報 特開２００１−２３６８９５号公報 特開平０４−４５４２号公報

しかし、特許文献１記載の発明では、耐電圧、放電開始電圧、発光効率に関する当該発明の貢献が全く示されておらず、また、互いに異なる材料による３層を真空蒸着法あるいはスパッタリング法で積層して誘電体層を形成しているため、それぞれの層を形成する際に異なるターゲット材料や異なる成膜条件が必要となり、複雑な薄膜プロセスとなって信頼性よく安定して製造することが困難である。さらにＳｉＯ_２を８０（％）含むガラスおよびＡｌ_２Ｏ_３を使って真空蒸着法あるいはスパッタリング法によって形成された誘電体層は依然として密度が低く絶縁耐圧が小さいので、耐電圧を向上させるために誘電体層の膜厚を厚くさせる必要があり、放電セルとして高い放電開始電圧、維持放電電圧が必要となり、発光効率を向上させることは困難であるという問題がある。

また、特許文献２記載の発明では、塗布焼成されたＡｇ電極の上に金属酸化物をＣＶＤ法等で形成し、その上に誘電体ガラスからなる誘電体層を形成するとしているので、膜厚の厚いＡｇ電極を覆ってＣＶＤ法により金属酸化物が形成され、さらに誘電体層を積層コートし焼成するので気泡などの発生を防ぐことは困難であり、そのうえ、誘電体層を形成する工程として薄膜プロセスおよび印刷工程を採用しているが、これらの工程は大気曝露過程を有するので、誘電体層が不純物ガスを吸着してしまい、信頼性よく安定してＰＤＰを製造することは困難であるという問題がある。

また、上記特許文献１、２記載のいずれの発明においても、保護膜が、薄膜プロセスによって成膜された後、大気曝露過程を経るために、大気中の不純物ガスを吸着するという問題がある。
即ち、保護膜を構成するＭｇＯなどの金属酸化物は、水（Ｈ_２Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ_２）などの不純物ガスを吸着して、容易に水酸化化合物や炭酸化合物に変質するという性質があるため、水酸化化合物や炭酸化合物に変質したＭｇＯを主成分とする保護膜を備えたＰＤＰは、本来のＭｇＯを主成分とする保護膜を備えたＰＤＰに比べると、２次電子放出効率が低く、したがって、放電開始電圧が高くなり、かつ耐スパッタ特性が低下してしまうという問題がある。

また、上記特許文献３に記載の発明では、維持放電を確実に開始させるための放電開始電圧が、約１８０［Ｖ］と、依然として高く、ＰＤＰへの消費電力低減要求に対して不十分である。
また、放電遅れが低減できれば、放電開始電圧を下げても確実に維持放電を開始させることができるはずであるが、上記特許文献４に記載の発明では、放電遅れを低減できる一方で、副表示電極対８０１で放電が起きるときに同時に主表示電極対８０２で放電が起きるように電圧値を設定しているので、結果として、維持放電を発生させるための電圧値を高く設定する必要があり、放電開始電圧が、約１８０［Ｖ］と、高くなり、ＰＤＰに要求される消費電力低減要求に対して不十分である。

本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、放電開始電圧、放電維持電圧を低下させ、発光効率を向上させることのできるＰＤＰを提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために、以下の手段を採用した。
すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルでは、放電空間を挟んで一対の基板を対向配置させ、一方の基板において上記放電空間側主面に複数の表示電極対を延伸配設させ、上記表示電極対は第１電極および第２電極からなり、上記第１電極および上記第２電極のそれぞれが、帯状の透明電極と、上記透明電極の放電空間側主面に設けられ、かつ上記透明電極の短手方向幅よりも狭い幅を有するバス電極とからなり、上記表示電極対を覆うように上記一方の基板の上記放電空間側主面に誘電体層を積層させ、上記誘電体層の上記放電空間側主面に保護膜を積層させたプラズマディスプレイパネルに対し、上記誘電体層に、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備えさせた。

本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、基板主面に誘電体層を積層するステップと、上記誘電体層が積層された上記基板を搬送または保管するステップとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法に対し、誘電体層積層ステップから誘電体層積層基板搬送・保管ステップまで、減圧状態を維持させた。
また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、基板主面に誘電体層を積層するステップと、上記誘電体層の主面に保護膜を積層するステップと、上記保護膜が積層された上記基板を搬送または保管するステップとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法に対し、保護膜積層ステップから保護膜積層基板搬送・保管ステップまで、減圧状態を維持させた。

また、上記目的を達成するため、本発明のＰＤＰでは、主面に第１電極および第２電極からなる表示電極対を延伸配設した基板を備えさせ、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルを配列させた構成を有するＰＤＰに対し、当該第１電極および第２電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から当該放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とで構成させた。

また、本発明のＰＤＰでは、異電極の突出部に臨む突出部辺が、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成された構成とした。
また、本発明のＰＤＰでは、第１電極または第２電極の少なくとも一方において、同電極にて隣り合う突出部を、上記基部からの突出長さを同寸法とし、かつ一対として、一対の突出部を構成する各突出部の先端部分を、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成させたうえで、上記各突出部に以下＜１＞から＜３＞のいずれかの特徴を与えた。

＜１＞ 一対の突出部を構成する各突出部の中心線を当該突出部先端よりも先方で互いに交差するように、先端部分を帯状基部の幅方向に対して傾斜させることとした。
＜２＞ 一対の突出部を構成する各突出部どうしの間隙を、上記基部側よりも突出部先端側で狭くなるようにした。
＜３＞ 一対の突出部を構成する各突出部の先端部分を、互いに接近するように屈曲させた。

また、本発明のＰＤＰでは、当該第１電極および第２電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から他方の基部に向けて突出形成された突出部とで構成し、当該基部を、バス電極と透明電極とで構成し、当該第１電極の突出部と、第２電極の突出部とを、その先端が、基部の主面に平行な面において、鋭角形状または曲線状の輪郭となるよう、かつ当該バス電極から分岐させ、当該バス電極と同種の材料で、形成させた。

以上のように、本発明のプラズマディスプレイパネルでは、誘電体層が、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備えており、従来のＰＤＰにおける誘電体層の絶縁耐圧が約２．５×１０^５［Ｖ／ｃｍ］であるため、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層の耐電圧を高く維持しながら、その膜厚を薄くすることができる。

すると、本発明のＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層の厚みを薄くでき、したがって、電界強度を向上させることができ、維持放電電圧を低減しても維持放電を発生させやすい。
よって、本発明に係るプラズマディスプレイパネルでは、放電開始電圧、維持放電電圧を低減させ、発光効率を向上させることができる。

本発明のＰＤＰにおいて、誘電体層が化学気相成長法（ＣＶＤ法）により形成された履歴を有し、Ｓｉ原子およびＯ原子を主成分に含んでいれば、従来のＰＤＰに比べて、その密度を容易に向上させ、緻密にし、かつ薄くすることができ、誘電体層の絶縁耐圧を上記範囲に容易に設定することができるので好ましい。
本発明のＰＤＰにおいて、誘電体層が誘導結合プラズマ−化学気相成長法（ＩＣＰ−ＣＶＤ法）により形成された履歴を有していれば、従来のＰＤＰに比べて、高速形成可能な誘電体層とすることができ、量産性が高くなって好ましい。

また、誘電体層の比誘電率εが２以上５以下の範囲で、また、誘電体層の膜厚ｄが１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲で形成されていれば、従来のＰＤＰに比べて誘電体層を薄くしながら耐電圧を維持することができ、誘電体層が従来のＰＤＰに比べて薄いため、透過率を向上させ、かつ基板の反りを低減させることができ、好ましい。
また、誘電体層の比誘電率εと誘電体層の膜厚ｄとの比（ε／ｄ）が０．１以上０．３以下に設定されれば、静電容量の増大を抑制することができ、維持放電の発生に必要十分な放電電流を超えて過剰な放電電流が流れることを抑制することができるので、発光効率の向上が確実となって好ましい。

上記第１電極および第２電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から上記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とで構成した場合には、第1電極および第２電極に給電したときに、放電セル内において、複数の突出部にて電位が集中し、従来のＰＤＰに比べて放電空間にて電解強度が向上し、上記効果が大きい。
したがって、かかる場合には、放電の開始しやすい箇所を複数設けることができ、放電セル内において突出部が一対のみのものに比べると、放電空間における電界強度がより向上し、放電を開始させやすくなり、放電開始電圧を下げても、確実に維持放電を開始させることができ、上記効果がさらに大きくなる。

特に、かかる場合には、突出部の配設位置が、上記基部の延伸方向にずれたとしても、突出部が放電セル内で複数設けられているので、放電セル内にて突出部が一対のみのものに比べて、維持放電の確実性が高い。
よってかかる場合には、従来のＰＤＰならびに放電セル内において突出部が一対のみ設けられたＰＤＰに比べて、維持放電を確実に開始させる放電開始電圧、維持放電電圧を低減でき、ＰＤＰの消費電力を低減できるので好ましい。

例えば、各放電セル内で、上記第１電極の突出部と、上記第２電極の突出部とを、対向する状態に配させ、対向状態にある２つの突出部の突出部間において、及び隣り合う突出部間において、突出長さが対称的になるように調整した場合や、対向させてなる組が、３組以上配されており、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も短く、放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを長くなるように調整し、また逆に、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も長く、放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを短くなるように調整した場合には、突出長さが規則正しく調整されているので、上記効果が大きい。

特に、かかる場合には、突出長さが放電セル中央部とその両端とで異なるように調整されたものでは、放電セルごとに開口率が向上し、本発明のＰＤＰが高精彩となるため、好ましい。
異電極の突出部に臨む突出部辺を、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成させた場合には、上記第１電極と第２電極とに給電して維持放電させるときに、上記突出部にて電位が集中するとともに上記突出部辺において電位がさらに集中するようになり、放電空間における電界強度がさらに強められ、低い電圧でも確実に放電を開始させることができるとともに、確実に放電を開始させることのできる箇所が複数あることから、上記効果が大きい。

また、両電極の少なくとも一方において、同電極にて隣り合う突出部を、上記基部からの突出長さが同寸法となるように一対とし、一対を構成する各突出部に、一対の突出部の各先端部分を、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭となるように形成したうえで、上記＜１＞から＜３＞のいずれかの特徴を与えた場合、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線が、他方の電極側に張り出す状態となって、放電距離がより短くなるので、さらに放電開始電圧を低減でき、上記効果が大きい。

上記＜１＞から＜３＞のいずれかの特徴を与えた各先端を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、当該領域が正方形状となるように配すれば、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線が、他方の電極側に張り出す状況において、最も放電を開始させやすくすることができるので、上記効果がより大きい。
また、バス電極が、アルミニウム（Ａｌ）およびネオジム（Ｎｄ）を主成分に含んで真空中あるいは減圧下で形成された履歴を有している場合、従来のＰＤＰに比べて、低抵抗かつ膜厚を薄くすることができ、従来のＰＤＰに比べて、バス電極を覆うように薄い誘電体層が積層されても誘電体層において厚み差が生じることを抑制することができ、したがって誘電体層を薄くすることができ、かつ駆動中にマイグレーションが発生することを抑制でき、好ましい。

上記基部の少なくとも一方を、バス電極と透明電極とで構成し、上記突出部を、当該バス電極から分岐させ、当該バス電極と同種の材料で形成した場合には、バス電極を形成する際に、同時に突出部も形成することができ、かつ、バス電極の形成において用いられる微細加工工程を突出部形成においても用いることができ、また、バス電極から突出部までの電気抵抗を低くすることができる。

したがって、かかる場合には、本発明にかかるＰＤＰが製造容易なものとなり、かつ、放電セル寸法の縮小を容易にしつつ、応答性の向上したＰＤＰを実現でき、好ましい。
さらに、上記第１電極および上記第２電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から他方の基部に向けて突出形成された突出部とで構成させ、当該基部を、バス電極と透明電極とで構成し、当該第１電極の突出部と、第２電極の突出部とを、その先端が、基部の主面と平行な面において、鋭角形状の輪郭となるように、かつ当該バス電極から分岐して、当該バス電極と同種の材料で形成させた場合には、突出部にて電位が集中するとともにその先端にて電位がさらに集中するので、放電空間においてより電解強度が強められ、低い電圧であっても維持放電を確実に開始させることができ、上記効果が大きい。

かかる場合、突出部をバス電極と同時に形成することができ、また、バス電極から突出部先端までの電気抵抗を低減でき、したがって、ＰＤＰの消費電力が低減され、高精細となる。
上記保護膜が、ＭｇＯを主成分に含んでおり、真空中あるいは減圧下で上記誘電体層の上記放電空間側主面に積層され、かつ上記一対の基板が張り合わされるまで真空あるいは減圧状態が維持されて保管された履歴を有する場合、従来のＰＤＰに比べて、保護膜中の不純物が抑制されるので、保護膜の二次電子放出係数、および耐スパッタ性が向上し、保護膜として放電開始電圧を低下させ耐スパッタ特性をさらに向上させることができ、発光効率と信頼性をさらに向上させることができ、好ましい。

上記基板の厚みｔが０．５［ｍｍ］以上１．１［ｍｍ］以下の範囲である場合、従来のＰＤＰに比べて、薄型で重量が軽いＰＤＰとすることができ、上記基板がプラスチック材料からなる場合、さらに軽量とすることができ、好ましい。
また、本発明のＰＤＰの製造方法では、誘電体層積層ステップから誘電体層積層基板搬送・保管ステップまで、減圧状態を維持するため、あるいは、保護膜積層ステップから保護膜積層基板搬送・保管ステップまで、減圧状態を維持するため、形成された誘電体層または保護膜が、大気に接触することがなく、すなわち、従来のＰＤＰの製造方法に比べて不純物ガスを吸着することを抑制することができる。

そのうえ、本発明のＰＤＰの製造方法では、特許文献１のＰＤＰの製造方法に比べて、製造工程が単純であり、ＰＤＰの品質向上、信頼性向上を図ることができる。
したがって、従来のＰＤＰに比べて、寿命の長いＰＤＰを作製することができ、信頼性の高い、品質の安定したＰＤＰを製造することができる。
上記基板が、前面用基板であれば、前面用基板に形成された誘電体層または保護膜に不純物ガスを吸着させず、特に前面板にＰＤＰの寿命を縮める要因が多いことから、上記効果が大きい。

上記誘電体層積層ステップの前に、上記基板の主面に表示電極を形成する表示電極形成ステップを備えており、上記表示電極形成ステップには、透明電極を帯状に形成するサブステップと、上記透明電極の主面にバス電極を帯状に形成するサブステップとを含み、上記バス電極を形成するサブステップでは、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用い、真空成膜プロセス法により上記バス電極を形成する場合では、バス電極を、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いて形成することにより、従来のものに比べて、抵抗の低いバス電極を形成することができるので、厚みの小さいバス電極を形成することができ、バス電極を覆うように誘電体層を形成しても、誘電体層の厚み分布に差が生じることを抑制でき、誘電体層における絶縁破壊を抑制できるので、上記効果が大きい。

また、バス電極の材料として、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いることにより、低温プロセスによってバス電極を形成することができ、上記真空成膜プロセスが低温プロセスであることから、好ましく、かつ、アルミニウムを含む材料であるため、ドライエッチング法によってバス電極のパターニングを行うとき、低温プロセスで行うことができるので、好ましい。

また、かかる場合では、真空成膜法で形成することにより、当該方法が低温プロセスであることから、高温プロセスにおいて生じる基板等の反りや割れの発生を抑制することができ、上記効果が大きい。
上記保護膜積層ステップにおいて、Ｍｇ原子およびＯ原子を主成分に含む材料を用い、真空成膜プロセス法により上記保護膜を積層する場合、真空成膜プロセス方法が低温プロセスであることから、保護膜積層ステップにおいて、高温プロセスによって生じる基板等の反りや割れの発生を抑制することができ、上記効果が大きい。

背面用基板における上記誘電体層積層ステップの前に、上記背面用基板の主面にデータ電極を形成するデータ電極形成ステップを備え、上記誘電体層積層基板搬送・保管ステップにおける搬送後に、上記誘電体層の主面に隔壁を立設するステップと、上記隔壁側面から上記誘電体層主面にかけて蛍光体層を形成するステップとを含み、上記誘電体層積層ステップから蛍光体層形成ステップまで、減圧状態を維持する場合、背面用基板に形成された誘電体層に不純物ガスを吸着させず、上記効果が大きい。

上記データ電極形成ステップにおいて、アルミニウムおよびネオジムを主成分に含む材料を用い、真空成膜プロセス法により上記データ電極を形成する場合、バス電極を、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いて形成することにより、従来のものに比べて、抵抗の低いデータ電極を形成することができるので、厚みの小さいデータ電極を形成することができ、データ電極を覆うように誘電体層を形成しても、誘電体層の厚み分布に差が生じることを抑制でき、誘電体層における絶縁破壊を抑制できるので、上記効果が大きい。

また、データ電極の材料として、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いることにより、低温プロセスによってデータ電極を形成することができ、上記真空成膜プロセスが低温プロセスであることから、好ましく、かつ、アルミニウムを含む材料であるため、ドライエッチング法によってデータ電極のパターニングを行うとき、低温プロセスで行うことができるので、好ましい。

また、かかる場合では、真空成膜法で形成することにより、当該方法が低温プロセスであることから、高温プロセスにおいて生じる基板等の反りや割れの発生を抑制することができ、上記効果が大きい。
上記ステップを、室温以上３００［℃］以下の雰囲気中で行う場合、上記パネルの反りおよび割れの発生を抑制することが確実となって好ましく、また、従来のＰＤＰの製造方法に比べると、上記ステップにおいて、加工時間の短縮、加工に要する電力の消費低減、配線材料の選択範囲の拡大を図ることができる。

上記誘電体層積層ステップにおいて、ＣＶＤ法を用いて上記誘電体層を積層する場合、従来のＰＤＰの製造方法に比べて、高密度に誘電体層を積層することができ、緻密に誘電体層を積層することができ、絶縁耐圧高く誘電体層を積層することができるので、容易に上記範囲の絶縁耐圧を有する誘電体層を備えたＰＤＰを製造することができる。
したがって、かかる場合では、従来のＰＤＰの製造方法に比べて、誘電体層を薄く積層することができ、駆動時において放電空間の電界強度が従来のＰＤＰに比べて強いＰＤＰを製造することができ、よって、放電維持電圧、放電開始電圧を低減可能な、放電効率の高いＰＤＰを製造することができ、好ましい。

上記ＣＶＤ法として、ＩＣＰ−ＣＶＤ法を用いる場合、高速に誘電体層を積層することができ、好ましい。
本発明のＰＤＰでは、上記第１電極および第２電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から上記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とで構成したことにより、第1電極および第２電極に給電したときに、放電セル内において、複数の突出部にて電位が集中し、従来のＰＤＰに比べて、放電空間にて電解強度が向上する。

したがって、本発明のＰＤＰでは、放電の開始しやすい箇所を複数設けることができ、放電セル内において突出部が一対のみのものに比べて、放電空間における電界強度がより向上し、放電を開始させやすくなる。
その結果、本発明のＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて、放電開始電圧を下げても、確実に維持放電を開始させることができ、放電開始電圧、維持放電電圧を低下させることができる。

特に、本発明のＰＤＰでは、突出部の配設位置が、上記基部の延伸方向にずれたとしても、突出部が放電セル内で複数設けられているので、放電セル内にて突出部が一対のみのものに比べて、維持放電の確実性が高い。
よって、本発明のＰＤＰでは、従来のＰＤＰならびに放電セル内において突出部が一対のみ設けられたＰＤＰに比べて、維持放電を確実に開始させる放電開始電圧、維持放電電圧を低減でき、ＰＤＰの消費電力を低減できる。

例えば、各放電セル内で、上記第１電極の突出部と、上記第２電極の突出部とを、対向する状態に配させ、対向状態にある２つの突出部の突出部間において、及び隣り合う突出部間において、突出長さが対称的になるように調整した場合や、対向させてなる組が、３組以上配されており、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も短く、放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを長くなるように調整し、また逆に、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も長く、放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを短くなるように調整した場合、突出長さが規則正しく調整されているので、上記効果が大きい。

特に、かかる場合には、突出長さが放電セル中央部とその両端とで異なるように調整されたものでは、放電セルごとに開口率が向上し、本発明のＰＤＰが高精彩となるため、好ましい。
異電極の突出部に臨む突出部辺を、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成させた場合には、上記第１電極と第２電極とに給電して維持放電させるときに、上記突出部にて電位が集中するとともに上記突出部辺において電位がさらに集中するようになり、低い電圧でも確実に放電を開始させることができるとともに、確実に放電を開始させることのできる箇所が複数あることから、上記効果が大きい。

また、両電極の少なくとも一方において、同電極にて隣り合う突出部を、上記基部からの突出長さが同寸法となるように一対とし、一対を構成する各突出部に、一対の突出部の各先端部分を、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭となるように形成したうえで、上記＜１＞から＜３＞のいずれかの特徴を与えた場合、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線が、他方の電極側に張り出す状態となって、異なる電極間において放電距離が短くなるので、さらに放電開始電圧を低減でき、上記効果が大きい。

上記＜１＞から＜３＞のいずれかの特徴を与えた各先端を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、当該領域が正方形状となるように配すれば、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線が、他方の電極側に張り出す状況において、最も放電を開始させやすくすることができるので、上記効果がより大きい。
上記基部の少なくとも一方を、バス電極と透明電極とで構成し、上記突出部を、当該バス電極から分岐させ、当該バス電極と同種の材料で形成した場合には、バス電極を形成する際に、同時に突出部も形成することができ、かつ、バス電極の形成において用いられる微細加工工程を突出部形成においても用いることができ、また、バス電極から突出部までの電気抵抗を低くすることができる。

したがって、かかる場合には、本発明にかかるＰＤＰが製造容易なものとなり、かつ、放電セル寸法の縮小を容易にしつつ、応答性の向上したＰＤＰを実現できるとともに上記効果を奏することができる。
さらに、本発明のＰＤＰでは、上記第１電極および上記第２電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から他方の基部に向けて突出形成された突出部とで構成させ、当該基部を、バス電極と透明電極とで構成し、当該第１電極の突出部と、第２電極の突出部とを、その先端が、基部の主面と平行な面において、鋭角形状の輪郭となるように、かつ当該バス電極から分岐して、当該バス電極と同種の材料で形成されたことにより、突出部にて電位が集中するとともにその先端にて電位がさらに集中するので、放電空間においてより電解強度が強められ、低い電圧であっても維持放電を確実に開始させることができ、突出部をバス電極と同時に形成することができ、また、バス電極から突出部先端までの電気抵抗を低減できる。

したがって、本発明のＰＤＰでは、ＰＤＰの消費電力が低減され、高精細となる。
なお、以上に述べた本発明の各構成は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

以下、本発明を実施するための好ましい形態について、図面を用いて説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１におけるＰＤＰ１０１の単位放電セルを隔壁１１４に垂直な面で切断した断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＸ−Ｙで示した面で切断した断面図である。なお、図１では、便宜上、ＰＤＰの単位放電セルだけ表示しているが、実施の形態１におけるＰＤＰでは、赤，緑，青の各色を発光する放電セルが複数マトリクス状に配列されている。

１．ＰＤＰ１０１の構成
図１（ａ）に示すように、ＰＤＰ１０１は、前面板１０２と背面板１０３とが対向配置されてなる。ＰＤＰ１０１における前面板１０２では、薄い基板１１０の一方の主面に、表示電極対１０４が形成され、表示電極対１０４が形成された基板１１０主面を覆うように、誘電体層１０７と保護膜１０８とが順に積層されている。基板１１０は、例えば、ガラス材料からなり、厚みｔ１が約１．１［ｍｍ］である。

図１（ｂ）に示すように、表示電極対１０４では、走査（スキャン）電極１０５と維持（サステイン）電極１０６とが各１条で対をなし、例えば５０〜１００［μｍ］の間隙を挟んで対向しており、各々がストライプ状に設けられている。
走査電極１０５および維持電極１０６の各々では、基板１１０の主面上に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）からなる比較的抵抗が高い透明電極１５１、１６１が、その膜厚が例えば約１００［ｎｍ］に設定されて、それぞれ幅広の帯状にパターンニングされてなる。

透明電極１５１，１６１は、ＳｎＯ_２（酸化スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）などを主成分としていても良い。
走査電極１０５および維持電極１０６では、透明電極１５１、１６１の電気抵抗を下げるために、透明電極１５１、１６１主面に、例えばＡｌ−Ｎｄ（アルミニウム−ネオジム）を主成分とするバス電極１５９，１６９が配されている。

バス電極１５９，１６９は、透明電極１５１、１６１より幅狭に配されている。
バス電極１５９，１６９は、これに限定されず、少なくともＡｌおよび希土類金属を主成分に含んでいても良い。
バス電極１５９，１６９は、その厚みが約１［μｍ］に設定されている。
本実施の形態では、バス電極１５９，１６９を、Ａｌ系金属合金薄膜をスパッタリング法により成膜し、ドライエッチング法によりパターニングして積層したため、バス電極１５９，１６９の厚みを容易に上記数値に設定することができる。

バス電極１５９，１６９は、これに限定されず、真空成膜プロセス法により成膜積層され、フォトエッチング法によりパターニングされても良い。
上記において、真空成膜プロセス法とは、真空状態の中で薄膜を形成するプロセスによる方法を指し、真空成膜プロセス法には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、プラズマビーム蒸着法、各化学気相成長法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法などが含まれる。

バス電極１５９，１６９どうしは、透明電極１５１、１６1と同様に、略平行に配されている。
バス電極１５９，１６９は、従来のＰＤＰに比べて、厚みが小さいが、Ａｌ−Ｎｄを主成分とする金属体は、Ａｇを主成分に含む金属体に比べて、均質で、優れた電気特性（低抵抗）を有しており、バス電極１５９，１６９では、Ａｌ−Ｎｄが主成分として含まれていることから、その厚みを小さくしても、従来のＰＤＰのＡｇを主成分に含むバス電極と同等の性能（例えば、抵抗特性）を維持することができる。

本実施の形態のＰＤＰでは、バス電極１５９，１６９の厚みが従来のＰＤＰに比べて小さいため、バス電極１５９，１６９を覆うように誘電体層１０７が積層されているときに、従来のＰＤＰに比べて誘電体層１０７における厚み差の発生を抑制することができ、したがって、バス電極１５９，１６９エッジ部分に対応する誘電体層１０７の厚みが、他の部分の誘電体層１０７の厚みに比べて小さくなることを抑制することができる。

また、Ａｌ−Ｎｄを主成分に含むバス電極１５９，１６９と誘電体層１０７との間では、ＰＤＰ駆動中に電気的に金属が移動するいわゆるマイグレーション現象が発生しにくいので、本実施の形態におけるＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて寿命が長くなり、信頼性が高くなる。
誘電体層１０７は、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能であるメモリ性を備えており、比誘電率εが約４に設定され、例えばＳｉＯ_２を９５％含む材料からなり、その膜厚ｄが約５［μｍ］に設定されている。

誘電体層１０７の比誘電率εは、これに限定されず、２以上５以下の範囲に設定されていれば良い。
一般にＳｉＯ_２を主成分とする誘電体層１０７をＣＶＤ法で積層すれば、その比誘電率εが4以上５以下の範囲内に収まり、所謂ｌｏｗ−ｋ材料を用いて誘電体層１０７を積層するとその比誘電率εが２以上３以下の範囲内に収まるからである。

また、誘電体層１０７の厚みｄとの関係から、比誘電率εが２未満だと、静電容量が小さく、必要な放電電流が蓄積されないからであり、逆に５より大きいと、過剰な放電電流が流れて発光効率が低下するからである。
比誘電率εが２以上３以下の範囲に設定された誘電体層１０７を積層するためには、所謂ｌｏｗ−ｋ材料として、例えば、ＳｉＯＣやＳｉＯＦなどを用いればよい。

誘電体層１０７に用いられる所謂ｌｏｗ−ｋ材料は、これに限定されず、比誘電率が上記範囲に設定でき、かつ、各種ＣＶＤ法で成膜可能な材料であれば良い。
誘電体層１０７の厚みｄは、これに限定されず、１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲に設定されていれば良い。
誘電体層１０７の厚みｄが１［μｍ］未満だと、絶縁耐圧強度が不足して歩留まりが低下し、また、１０［μｍ］より大きいと、放電開始電圧、放電維持電圧の低減降下が十分に得られないからである。

誘電体層１０７は、ＳｉＯ_２を含み、従来のＰＤＰに比べて、高い絶縁耐圧を有し、緻密な層構造を有する。
誘電体層１０７の積層過程において、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）と、Ｓｉ原子およびＯ原子を含む誘電体層原料とを使用して、誘導結合プラズマＣＶＤ法（ＩＣＰ−ＣＶＤ法）などの各種ＣＶＤ方法によって誘電体層１０７を積層したので、誘電体層１０７では、従来のＰＤＰに比べて、絶縁耐圧が高くなり、層構造が緻密である。

誘電体層１０７の絶縁耐圧は、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下であることが望ましい。
ガラスのバルク材料の絶縁耐圧が１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］程度で、これより大きい絶縁耐圧が望めないからであり、また、絶縁耐圧が１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］未満であると、誘電体層１０７の厚みｄは、その上限が１０［μｍ］で、従来の誘電体層の厚み（ｄ＝４０［μｍ］）と比べて１／４となることから、絶縁耐圧が従来の誘電体層の絶縁耐圧（２．５×１０^５［Ｖ／ｃｍ］）の４倍（１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］）に満たなくなり、絶縁破壊を生じる恐れがあるからである。

誘電体層１０７において、ＳｉＯ_２が８０〜１００％含まれていれば、さらに密度が向上し、層構造が緻密になり、絶縁耐圧が高くなるので、好ましい。
誘電体層１０７では、絶縁耐圧が高く、層構造が緻密であるため、誘電体層１０７の比誘電率εが２以上５以下の範囲内にある場合、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層１０７の厚みｄを、１［μｍ］以上１０［μｍ］以下の範囲内で小さくしても、十分な耐電圧を維持することができる。

誘電体層１０７において、比誘電率εが５に近い場合には、厚みｄを約１０［μｍ］に、比誘電率εが３に近い場合には、厚みｄを約５［μｍ］程度に設定することができ、実質的な耐電圧が得られ、かつ、バス電極１５９，１６９の厚みをさらに薄くできれば、厚みｄをさらに小さく、例えば約１［μｍ］に設定してもよい。
しかしながら、誘電体層１０７の厚みｄをあまりに小さくすると、静電容量ｃが大きくなるため、維持放電の発生に必要十分な放電電流を超えて過剰な放電電流が流れ、かえって、発光効率を低下させてしまう。

そこで、本実施の形態では、誘電体層１０７の比誘電率εとその厚みｄとの比（ε／ｄ）を０．１以上０．３以下に設定した。
（ε／ｄ）が０．３より大きいと、従来のＰＤＰの（ε／ｄ）が０．３より大きいことから、発光効率の向上が期待できないからであり、また、ＣＶＤ法で成膜すると、厚みｄを２０［μｍ］より大きく成膜することが困難となり、比誘電率εの下限が２であることに鑑みれば、（ε／ｄ）を０．１未満とすることが困難だからである。

発光効率の向上のために、放電ガス中のＸｅ分圧を向上させる技術があり、当該技術では、Ｘｅに対して高い電気エネルギーを供給しなければならず、放電維持電圧を大きくする必要が生じ、従来のＰＤＰに接続されていたドライバ用ＩＣに比べて耐電圧の高いものを準備しなければならないという問題があるが、本実施の形態では、誘電体層１０７の厚みｄが従来のＰＤＰに比べて小さくなっていることから、表示電極対１０４に電圧を印加した際に放電空間において、電界強度が強められ、電気エネルギー密度が増大するため、放電ガス中のＸｅ分圧を向上させながら、放電維持電圧の増大を招くことなく、従来のＰＤＰに接続されていたドライバ用ＩＣを用いることができる。

本実施の形態のＰＤＰ１０１では、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層１０７の層構造が緻密で、かつその厚みｄが小さいので、ＰＤＰ１０１の駆動により発生した可視光の前面板１０２透過率を、従来のＰＤＰに比べて、向上させることができる。
さらに、本実施の形態では、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層１０７の厚みｄが小さいので、パネル組立工程における熱プロセスで、ガラス基板１１０とその主面に積層された誘電体層１０７との熱膨張差によって基板に反りが生じることを低減させることができ、寿命が長く、品質が高い。

また、本実施の形態では、従来のＰＤＰに比べて、基板１１０の厚みｔ１が約１．１［ｍｍ］と小さいので、薄型で重量が軽いＰＤＰとすることができる。
また、本実施の形態では、誘電体層１０７が、バス電極１５９，１６９を含む表示電極対１０４を覆ってＣＶＤ法で形成されているので、表示電極対１０４の凹凸に沿って誘電体層１０７が形成されているという点で従来のＰＤＰに比べて優れており、かつ誘電体層１０７の厚みｄが均一となって、従来の圧膜法によって形成された誘電体層を備えるＰＤＰと比べ、電極エッジに対応する誘電体層１０７の領域において、誘電体層１０７の厚みｄが小さくなることを抑制でき、したがって、誘電体層１０７の耐電圧も向上する。

保護膜１０８は、例えば０．６［μｍ］の厚みを有し、かつ誘電体層１０７の放電空間側主面に積層されており、ＭｇＯを主成分に含む。
ＭｇＯ（酸化マグネシウム）は、２次電子放出係数γの大きい材料であるとともに、耐スパッタ性も高く、光学的に透明な材料であるので、保護膜１０８の材料として広く用いられている。

保護膜１０８の表面は放電空間に露出しており、ＰＤＰの駆動状態を想定したとき、誘電体層１０７を放電時のイオン衝撃から保護するとともに、２次電子を効率よく放出することにより、放電開始電圧を下げる働きをする。
誘電体層１０７および保護膜１０８は、放電によって発生した高エネルギーのイオンによって上記表示電極対１０４の表面がスパッタリングされ劣化するのを防止する働きをする。

保護膜１０８の厚みはこれに限定されず、０．４［μｍ］以上１．０［μｍ］以下であればよい。
保護膜１０８の厚みが０．４［μｍ］未満だと、耐スパッタ性が低下し、逆に１．０［μｍ］より大きいと、二次電子を効率よく放出することができなくなるからである。
保護膜１０８は、従来のＰＤＰに比べて、二次電子放出係数が高く、耐スパッタ性が高い。

保護膜１０８は、誘電体層１０７が表示電極対１０４を覆って形成された後、保護膜１０８の積層が終了するまで、減圧が維持された雰囲気において保管されていたため、従来のＰＤＰに比べて、保護膜１０８の積層過程において、不純物ガスの吸着が抑制されたからである。
ここで、減圧状態とは、真空中や真空減圧状態あるいは不活性ガスで置換された減圧状態を言う。

保護膜１０８が、真空蒸着法など、後述する真空成膜プロセス法を用いて真空中で積層されると、保護膜１０８の層構造が緻密になって、より二次電子放出係数が高く、耐スパッタ性が高くなって、好ましい。
前面板１０２と背面板１０３との封着が完了するまで、前面板１０２が、減圧が維持された雰囲気に置かれていれば、保護膜１０８が不純物ガスを吸着することをさらに抑制することができ、従来のＰＤＰに比べて、保護膜１０８の二次電子放出係数および耐スパッタ性が高くなるので、好ましく、また、前面板１０２の主面に形成された各構成部分、たとえば、隔壁や蛍光体層が不純物ガスを吸着せず、誘電体層１０７、保護膜１０８が不純物を吸着する可能性をさらに抑制することができるので、好ましい。

他方、背面板１０３では、ガラス板からなる基板１１１の主面に、単位放電セルにおいて、上記前面板１０２主面に設けられた走査電極１０５および維持電極１０６と立体交差する状態に、データ（アドレス）電極１１２が形成されている。
データ電極１１２は、少なくともＡｌ−Ｎｄを含み、上記前面板１０２における表示電極対１０４の形成と同様に、真空成膜プロセス法によって形成されている。

さらに、データ電極１１２が形成された基板１１１表面には、これを覆う状態で、誘電体層１１３が膜厚約２［μｍ］で形成されている。
誘電体層１１３は、上述した前面板１０２の誘電体層１０７と同様に、ＣＶＤ法やＩＣＰ−ＣＶＤ法による各種ＣＶＤ方法により、ＳｉＯ_２を８０％含んで形成されている。
さらに、図１（ｂ）には表れないが、誘電体層１１３主面には、ほぼ一定の高さを有する隔壁１１４が形成配置（立設）されている。

隔壁１１４は、望ましくは非鉛系ガラス材料を含んで塗布焼成され、複数個の放電セルをストライプ状あるいは井桁状（図示省略）などに仕切るように所定のパターンでリブ形状に形成されている。
そして、誘電体層１１３主面から隔壁１１４の壁面にかけて、赤、緑、青発光の各蛍光体層１１５が形成されている。

蛍光体層１１５には、例えば、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ_３：Ｅｕ、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：ＭｎおよびＢａＭｇ_２Ａｌ_１４Ｏ_２４：Ｅｕなどの蛍光体が使用されている。
蛍光体層１１５は、隔壁１１４が形成された基板１１１に対して、上記蛍光体色毎に印刷塗布、焼成されたものであり、隔壁１１４の側面および誘電体層１１３の主面に形成されている。

そして、詳細な説明は省略するが、上記形成過程を経て形成された前面板１０２と、上記真空プロセスを経て形成された背面板１０３とが対向し、これらの縁部がシールされ、前面板１０２、背面板１０３および図示しないシール材により外部と隔離された空間が高真空に排気され、かつ当該空間に放電ガスとして、希ガスのキセノン・ネオンを主成分に含む混合放電ガスが約６０［ｋＰａ］の圧力で充填され、封止されて本実施の形態におけるＰＤＰがなる。

放電ガスは、これに限定されず、キセノン・ヘリウムを主成分に含んでいても良い。
上記蛍光体材料や放電ガスの成分、その圧力は、既述したものに限定されるものではなく、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用できる材料、条件であればよい。
図１に示した単位放電セルが複数配されたＰＤＰの走査電極１０５、維持電極１０６、データ電極１１２のそれぞれに駆動回路（ドライバＩＣ等）が接続され、当該駆動回路に、これを制御する制御回路が接続されてＰＤＰ装置がなる。

２．ＰＤＰ１０１の駆動方法
ＰＤＰ１０１の駆動には、３つの動作期間（図示省略）、つまり（１）全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（２）各放電セルをアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択・入力していくデータ書き込み期間、（３）表示状態にある放電セルを表示発光させる維持放電期間、とから構成したアドレス・表示分離駆動方式を用いる。

通常、１フィールド期間において少なくとも１回実施される上記（１）の初期化期間において、走査電極１０５とデータ電極１１２との間に４００〜６００［Ｖ］の高電圧を印加し、全表示セルの壁電荷量を初期化状態のレベルにする。
そして、各サブフィールド期間における上記（２）のデータ書き込み期間において、背面板１０３のデータ電極１１２を使って書き込みデータを入力し、背面板１０３と対向する前面板１０２の誘電体層１０７、保護膜１０８の放電空間側主面に壁電荷を形成させる。

上項（３）の維持放電期間において、前面板１０２の走査電極１０５および維持電極１０６のそれぞれに対し、電極電圧パルスの矩形波電圧を互いに位相が異なるように印加する。すなわち上記走査電極１０５と維持電極１０６との間に交流電圧を印加し、表示状態データが書き込まれた放電セルに、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生せしめる。このようにして発生する維持放電により、表示発光は、放電空間の励起キセノン原子からは１４７［ｎｍ］の共鳴線が、励起キセノン分子からは１７３［ｎｍ］主体の分子線が放射され、次いで上記紫外放射を背面板１０３に設けた蛍光体層１１５で可視放射に変換することによりＰＤＰ１０１の駆動発光表示が得られる。

《実施の形態１におけるＰＤＰの効果》
本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、ＣＶＤ法によってＳｉＯ_２を含む誘電体層１０７が形成されているので、誘電体層１０７の密度が従来の圧膜プロセスによって形成された誘電体層に比べて向上し、したがって、従来の誘電体層に比べると、誘電体層１０７が１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上の高い絶縁耐圧を備えることとなる。

本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、バス電極１５９，１６９が真空成膜プロセスによって形成されているため、従来の焼成工程を含む厚膜プロセスによって形成されたバス電極と比べて、バス電極１５９，１６９形成後に、バス電極１５９，１６９中にバインダ焼成物が残留せず、したがって、バス電極１５９，１６９を覆うように誘電体層１０７がＣＶＤ法によって形成されていることと相まって、バス電極１５９，１６９と誘電体層１０７との接触部分にて気泡の発生がない。

そして、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、バス電極１５９，１６９が真空成膜プロセスで形成されていることから、バス電極１５９，１６９の厚みが従来のそれに比べて薄くなり、したがって、バス電極１５９，１６９を覆うように積層された誘電体層１０７において、従来のＰＤＰに比べて厚み差の発生を抑制することができ、その結果、バス電極１５９，１６９のエッジ部分に対応する誘電体層１０７の厚みが、他の部分の誘電体層１０７の厚みに比べて薄くなることを抑制でき、従来のＰＤＰに比べてバス電極１５９，１６９のエッジ部分に対応する誘電体層１０７において絶縁破壊が発生することを抑制することができる。さらに従来のＰＤＰに比べて、誘電体層１０７にける厚み差の発生を抑制することができるので、あらかじめ絶縁耐圧を稼ぐために誘電体層を厚くする必要がなくなり、誘電体層を薄くすることができる。

また、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、誘電体層１０７がＣＶＤ法で形成されていることから、従来のＰＤＰに比べて誘電体層１０７の厚みが均一になり、したがって、従来のＰＤＰに比べて誘電体層１０７の膜厚分布に差が生じることを抑制することができ、その結果、バス電極１５９，１６９のエッジ部分に対応する誘電体層１０７の厚みが、他の部分の誘電体層１０７の厚みに比べて薄くなることを抑制でき、従来のＰＤＰに比べてバス電極１５９，１６９のエッジ部分に対応する誘電体層１０７において絶縁破壊が発生することを抑制することができる。

すると、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１において、誘電体層１０７の膜厚を従来のそれに比べて薄くしても、誘電体１０７の耐電圧が高く、当該気泡の発生がなく、誘電体層１０７の厚み分布の差が抑制されているために、誘電体層１０７での絶縁破壊の発生を従来のそれに比べて抑制することができる。
本実施の形態におけるＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層１０７がＣＶＤ法で形成されているので、容易に誘電体層を緻密にかつ薄く積層することができる。

なおかつ、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、誘電体層１０７の膜厚が従来のそれに比べて薄くなったため、ＰＤＰの駆動時に、走査電極１０５と維持電極１０６との間における電界強度が従来のＰＤＰに比べて強められる。
よって、本実施の形態におけるＰＤＰでは、低い維持放電電圧で駆動させることができ、放電開始電圧を低減させ、従って発光効率を向上させることができる。

また、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、誘電体層１０７、１１３や保護膜１０８は少なくとも真空中あるいは減圧状態で形成され保管維持されているので、誘電体層１０７、１１３や保護膜１０８において不純物ガスの吸着や不純物ガスによる反応がない。
したがって、本実施の形態におけるＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて二次電子放出係数の低下を招くことがないので、放電開始電圧、放電維持電圧の上昇を招くことがなく、また、従来のＰＤＰに比べて耐スパッタ性の低下を招くことなく長寿命化を図ることができ、かつ信頼性を向上させることができる。

なお、上記において、保護膜１０８はＭｇＯからなるものとして説明したが、他の金属酸化物、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＮＯ、ＺｎＯなどからなる保護膜でも同様に実施可能である。
また、上記において、基板１１０、１１１の厚みｔ１、ｔ２を約１．１［ｍｍ］として説明したが、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、従来のＰＤＰのバス電極や誘電体層に比べて、バス電極１５９，１６９や誘電体層１０７、１１３の膜厚が薄いので、基板１１０，１１１の厚みを０．５もしくは０．７［ｍｍ］程度に設定した場合にも、基板１１０，１１１の反りを抑制することができる。これにより、基板１１０，１１１をさらに薄くすることができるので、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１では、さらなる薄型・軽量化を実現することができる。

また、上記において、基板１１０、１１１の厚みｔ１、ｔ２を約１．１［ｍｍ］として説明したが、それよりも厚くてもよく、従来のＰＤＰと同様に厚みが約２．８［ｍｍ］に設定されていてもよい。
また、上記において、基板１１０、１１１として、ガラス基板を採用したが、プラスチック基板を採用しても同様に実施可能である。耐熱性のプラスチック基板には、例えば、住友ベークライト社製の高耐熱性プラスチック基板スミライトＦＳＴ（ポリエーテルサルフォン(ＰＥＳ)；住友ベークライト株式会社の登録商標）があり、Ｔｇは約２２３［℃］であり、この温度を加熱上限とすることで、本発明の低温プロセスに十分使用できる。

また、上記において、背面板１０３の誘電体層１１３はＣＶＤ法で形成されるものとして説明したが、従来の背面板と同じように、低融点ガラスが印刷焼成されてなる誘電体層であっても構わない。
また、データ電極１１２は、Ａｌ−Ｎｄを含み、真空中で形成されてなるものとして説明したが、従来の背面板と同じように、印刷焼成されてなるＡｇを主成分とする電極や真空中で形成されてなるＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒを主成分とする電極であっても構わない。

また、上記において、前面板１０２には、少なくともバス電極１５９，１６９、誘電体層１０７および保護膜１０８が形成され、背面板１０３には、少なくともデータ電極１１２および誘電体層１１３が形成されていると説明したが、反射型ＰＤＰのように、これらの層や膜の配置が逆になっていても同様に実施可能である。
＜評価試験＞
以下、本実施の形態におけるＰＤＰ１０１に基づいて実施例１のＰＤＰを、従来のＰＤＰに基づいて比較例１のＰＤＰを準備し、既述した効果の検証を試みた。

（実施例１）
実施例１のＰＤＰは、上記実施の形態１で示したものと同様であるので、説明を省略する。
（実施例２）
実施例２のＰＤＰでは、誘電体層１０７の比誘電率εが２．３に、その厚みｄが１０［μｍ］に設定されている以外は、実施例１のＰＤＰと同様であるので説明を省略する。

（比較例１）
比較例１のＰＤＰでは、実施例１のＰＤＰと比べると、前面板１０２において、基板１１０の厚みが約２．８［ｍｍ］に設定され、Ａｇペーストを積層塗布し、焼成する圧膜プロセスによって、細幅のバス電極１５９，１６９が膜厚約５〜６［μｍ］に形成され、低融点ガラス材料を塗布し、焼成する印刷法によって、誘電体層１０７が、比誘電率εが約１３、膜厚が約４０［μｍ］、絶縁耐圧が約２．５×１０^５［Ｖ／ｃｍ］となるように形成され、保護膜１０８の厚みが、数百［ｎｍ］に設定されている点、背面板１０３において、ガラス基板１１１の厚みが約２．８［ｍｍ］に設定され、低融点ガラス材料を塗布し、焼成する印刷法によって、誘電体層１１３が、比誘電率εが約１３、膜厚が約４０［μｍ］、絶縁耐圧が約２．５×１０^５［Ｖ／ｃｍ］となるように形成されている点が異なるのみであるので、上記以外の構成については説明を省略する。

（評価試験の内容および結果）
（試験１）
比較例１のＰＤＰおよび実施例１のＰＤＰのそれぞれに駆動回路などを接続し、走査電極１０５と維持電極１０６との間に印加する放電維持電圧を変化させながら、検証した結果、比較例１のＰＤＰでは、放電維持電圧を１８０［Ｖ］以下にすると安定して駆動できなかったのに対し、実施例１のＰＤＰでは、維持放電電圧を約１４０［Ｖ］まで低減しても安定して駆動することが確認できた。

したがって、本試験により、実施例１のＰＤＰでは、放電開始電圧を低減可能であることが確認できた。
（試験２）
また、比較例１のＰＤＰおよび実施例１のＰＤＰのそれぞれについて、１５インチのテストパネルを準備し、それぞれに駆動回路などを接続し、（試験１）で得られた安定駆動域にて、それぞれを駆動させ、入江株式会社製ＢＭ−８型輝度計でそれぞれのＰＤＰの輝度を測定したところ、比較例１のＰＤＰでは、８００［ｃｄ／ｍ^２］の輝度を観測したのに対し、実施例１のＰＤＰでは、９６０［ｃｄ／ｍ^２］の輝度を観測した。

したがって、実施例１のＰＤＰでは、比較例１のＰＤＰのそれに比べて輝度が約１．２倍に向上し、実施例１のＰＤＰでは、従来のＰＤＰに比べて誘電体層１０７を薄くしたことによる光透過率の向上が確認できた。
上記輝度測定とともに公知の電力計を用いてそれぞれの電力を測定し、公知の式に代入したところ、比較例１のＰＤＰでは、発光効率が１．５［ｌｍ／ｗ］であるのに対し、実施例１のＰＤＰでは、それが２．３［ｌｍ／ｗ］となり、実施例１のＰＤＰでは、比較例１のＰＤＰに比べて発光効率が約１．５倍に向上したことを確認することができた。

また、それぞれのＰＤＰにつき、上記安定駆動域で連続駆動させながら、上記輝度計を用いて、輝度が半減する時間を測定したところ、比較例１のＰＤＰでは、輝度半減時間が約５０００［ｈ］であったのに対し、実施例１のＰＤＰでは、それが約１００００［ｈ］であり、実施例１のＰＤＰでは、比較例１のＰＤＰよりも約２倍長い寿命が得られ、従来のＰＤＰと比べて信頼性がさらに向上したことを確認することができた。

さらに実施例１のＰＤＰでは、駆動時において、上述した初期化期間にて高電圧が印加されたときに絶縁破壊が発生しなかったことから、薄膜の誘電体層１０７が十分な耐電圧を備えていることが分かった。
実施例１のＰＤＰでは、比較例１のＰＤＰと比べて厚みを約１／３とした薄い基板１１０が使用されているが、基板１１０の反りが確認されなかったので、実施例１のＰＤＰでは、比較例１のＰＤＰに比べて薄型・軽量可能であることが確認できた。

（試験３）
さらに、比較例１のＰＤＰおよび実施例１のＰＤＰのそれぞれにおいて、放電ガスのＸｅ分圧を１００％とし、実施例１の誘電体層の厚みを１０［μｍ］に設定して、（試験１）と同様、それぞれに駆動回路などを接続し、放電維持電圧を変化させながら安定して駆動するか否か検証したところ、比較例１のＰＤＰでは、３４０［Ｖ］で安定駆動したのに対し、実施例１のＰＤＰでは、２２０［Ｖ］で安定駆動することを確認した。

したがって、本試験により、実施例１のＰＤＰでは、放電ガス中のＸｅ分圧を上昇させても、従来のＰＤＰに比べて放電維持電圧の上昇を招かないことが確認できた。
（試験４）
（ε／ｄ）が０．３２（比誘電率ε＝１２、厚みｄ＝３８［μｍ］）に設定された比較例１のＰＤＰ及び（ε／ｄ）が０．２３（比誘電率ε＝２．３、厚みｄ＝１０［μｍ］）に設定された実施例２のＰＤＰに対し、（試験２）と同様に駆動回路などを接続し、上記安定駆動域にて駆動させ、上記輝度計、電力計を用い、公知の式に代入したところ、比較例１のＰＤＰでは、発光効率が２．３［ｌｍ／ｗ］であるのに対し、実施例２のＰＤＰでは、それが３．０［ｌｍ／ｗ］であり、実施例２のＰＤＰでは、比較例１のＰＤＰに対して発光効率が約３０％向上することを確認することができた。

（実施の形態２）
実施の形態２では、上記実施の形態１に係るＰＤＰ１０１を製造する方法について、図２〜図４を参照しながら説明する。
図２は、本発明の実施の形態２に係るＰＤＰ１０１の製造工程を示す流れ図である。図３は、ＰＤＰ１０１の前面板１０２の作製工程を示す概略工程図であり、また、図４は、ＰＤＰ１０１の背面板１０３の作製工程示す概略工程図である。なお、図３に示す前面板１０２は、図１（ｂ）の前面板１０２と上下を逆にして示している。また、図３では、上記図１と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。さらに、図３における装置内において基板の配置が上下逆になっている場合もある。

５．前面板１０２の作製工程
図３のＳ１に示すように、ガラス基板１１０主面にＩＴＯ、ＳｎＯ_２、ＺｎＯなどからなる透明電極用の膜を約１００［ｎｍ］の膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法により、放電ギャップを挟んで互いに対向するようにかつ平行になるように幅広にパターンニングし、対の透明電極１５１、１６１を形成する（図２におけるＳ１）。

次に、図３のＳ２に示すように、透明電極１５１、１６１主面に、Ａｌ−Ｎｄ（Ｎｄ含有重量比２〜６％）のように希土類金属を少なくとも含むＡｌ系金属電極材料を使用して、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、プラズマビーム蒸着法やスパッタリング法などの真空成膜プロセス法により基板温度が室温〜３００［℃］で、真空中あるいはスパッタリングガス雰囲気の減圧中において、Ａｌ−Ｎｄ合金薄膜を成膜する。

上記において、Ｎｄ含有率は全体の２〜６％が好ましい。２％未満であると、Ｎｄを添加することによって得られる効果が十分に得られず、Ｎｄ含有率を２％以上とすることで、基板温度３００［℃］でもヒロック（電極構造として不要となる微細な突起）の発生を抑制できるからであり、また、６％以上とすると、膜質を均一にすることが困難になり、熱応力の問題が顕著になるからである。

次に、フォトエッチング法、好ましくはドライエッチング法により室温〜３００［℃］の低温プロセスにより、透明電極１５１、１６１より幅狭にパターニングし、Ａｌ−Ｎｄ合金薄膜からなるバス電極１５９，１６９をそれぞれほぼ平行に配列し形成する（図２におけるＳ２）。
ここで、ドライエッチングプロセスを使用することにより、電極エッジに凸凹や傾斜がほとんどないバス電極１５９，１６９を形成することができる。

また、Ａｌ−ＮｄなどからなるＡｌ系金属はドライエッチング法によるパターニングプロセスおいて３００［℃］以下の低温プロセスで使用することができる。
このようにして、透明電極１５１とバス電極１５９との組み合わせをもって走査電極１０５を、透明電極１６１とバス電極１６９との組み合わせをもって維持電極１０６を形成し、走査電極１０５と維持電極１０６とで一対をなす表示電極対１０４を構成する。

Ａｌ−Ｎｄを主成分とする金属体は、Ａｇを主成分とする金属体に比べて、均質で、優れた電気特性（低抵抗）を有していることから、バス電極１５９，１６９を、従来のＰＤＰに比べて、優れた電気特性を維持しながら、緻密に、厚みを小さくして積層することができる。
そして、図３のＳ３に示すように、透明電極１５１、１６１主面にバス電極１５９，１６９が形成された基板１１０を、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法あるいはＩＣＰ−ＣＶＤ法などを実施可能なＣＶＤ装置３１に挿入し、上記いずれかの方法によって当該基板１１０にＳｉＯ_２を少なくとも含む緻密な誘電体層１０７を形成する（図２におけるＳ３）。

使用する誘電体原料や成膜条件は各ＣＶＤ法で異なり適宜選択されることにより適切な成膜速度や緻密度が得られる。
ここでは、誘電体層１０７を、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを含む誘電体層原料を使って、ＩＣＰ−ＣＶＤ法（誘導結合プラズマＣＶＤ法：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ）を用いた高速ＣＶＤ法によって形成する。

なお、図３に示すＣＶＤ装置３１には、簡略のために図示を省略しているが、酸素ガスの供給リングが配置され、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）ガスを気化させる気化装置からの気化ガス供給リングが基板近傍に設置されている。
ＩＣＰ−ＣＶＤ法では、ＣＶＤ装置３１内を、図示しないターボ分子ポンプとロータリーポンプで高速に排気し、真空にした後、真空排気されたＩＣＰ−ＣＶＤ反応炉３１内に酸素ガスを供給し、所定の圧力下で、アンテナにＲＦ電力を供給するとＩＣＰ−ＣＶＤ装置３１内に電波が導入されて誘導電界が形成される。

この誘導電界により加熱された電子はガス分子と衝突しイオンおよび別の電子を生成する。
その結果、イオンと電子を多量に含む比較的均一なプラズマが形成される。プラズマ中で高温に加熱され活性化された酸素ガスは、拡散により基板近傍まで到達する。
ここで活性化された酸素ガスとＴＥＯＳ気化ガスとを反応させることにより、基板１１０主面にＳｉＯ_２が主成分として含まれた膜を生成する。

チャンバ圧力および酸素ガス流量、ＴＥＯＳ気化ガス供給量の条件を適切に選ぶことにより約２．５［μｍ／分］の速い成膜速度で、緻密で薄膜のＳｉＯ_２膜からなる誘電体層１０７を形成することができる。
誘電体層１０７を形成する際の基板温度は室温〜３００［℃］であり、誘電体層１０７を低温プロセスにより形成することができる。

以上のプロセスによって誘電体層１０７を形成すると、従来のＰＤＰに比べて、誘電体層１０７の密度が向上し、したがって誘電体層１０７の耐電圧が向上する。すなわち、ＰＤＰの発光効率向上に寄与する薄膜の誘電体層１０７を低温プロセスにより速い成膜速度で、かつ安定した品質で作成することができる。また、低温プロセスによる誘電体層形成工程（Ｓ３）により、従来のような誘電体層の焼成や高温プロセスに基づくパネルの反りや割れの発生を抑制することができる。

そして、図３に示すように、誘電体層１０７が形成された基板１１０を、ＣＶＤ装置３１から次の真空成膜装置３２内へ通路３３を経由して移動させる。
通路３３内は、あらかじめ真空または減圧状態あるいはＮ_２やＡｒ不活性ガスで置換した減圧状態になっている。
また、ある場合には減圧状態の通路３３内にて基板１１０を一時保管する。

真空下あるいは不活性ガス雰囲気中の減圧下で通路３３内を経由して基板１１０を移動させ、また通路３３内にて基板１１０を保管する場合は、通路３３雰囲気における不純物ガスの分圧を１００［ｋＰａ］より低くするのが望ましく、さらに望ましくは０．１３［Ｐａ］以下とすることが良い。
次に、図３のＳ４に示すように、移動させた基板１１０の誘電体層１０７を覆って、金属酸化物であるＭｇＯを含む保護膜１０８を、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などの低温プロセスによる真空成膜プロセス法により、真空成膜装置３２内において、真空下あるいはＡｒなどのスパッタリングガスを含む減圧下で所定の膜厚に積層し形成する（図２におけるＳ４）。

ここで、真空成膜プロセスとは、真空状態の中で薄膜を形成するプロセスを指し、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法の他に真空蒸着法、プラズマビーム蒸着法、各ＣＶＤ法などの方法が含まれる。真空成膜プロセスでは、低温プロセスで保護膜を形成することが可能である。
これにより、誘電体層１０７の形成に引き続いて真空成膜プロセス法により減圧中で保護膜１０８を形成するので、品質が高い保護膜を安定に維持して形成することができる。また、低温プロセスによる真空成膜プロセス法により、従来のような高温プロセスに基づくパネルの反りや割れの発生を抑制することができる。

そして、図３のＳ４に示すように、保護膜１０８への不純物ガス（主にＨ₂ＯやＣＯ₂）の吸着および反応を抑制するために、少なくとも誘電体層１０７および保護膜１０８が真空減圧中で基板１１０主面に積層されてなる前面板１０２を、これらを実質的に形成する工程のみでなく、次の工程への移動工程、保管工程やパネル封着工程への移行工程の際においても、その減圧状態を維持して、真空減圧状態あるいはＮ_２やＡｒ不活性ガスで置換した減圧状態の通路３４を経由して移動させ、また通路３４にて保管する。

真空中あるいは不活性ガス雰囲気中の通路３４を経由して前面板１０２を移動させ、また通路３４にて前面板１０２を保管する場合は、移動し保管する通路３４の雰囲気の不純物ガス分圧を１００［ｋＰａ］より低くし、望ましくは０．１３［Ｐａ］以下とする。
上記作製工程では、少なくとも膜形成工程（Ｓ１からＳ４）からパネル封着工程（Ｓ９）に至るまで、すなわち図２で示したステップＳ１からステップＳ９に至るまで、大気に接触させずに基板１１０主面に誘電体層１０７および保護膜１０８を形成し、誘電体層１０７および保護膜１０８が形成された基板１１０を減圧下で保管・維持することにより、不純物ガスが誘電体層１０７および保護膜１０８に吸着されず、誘電体層１０７および保護膜１０８において不純物ガスによる水酸化反応や炭酸化反応も起きないので、誘電体層１０７および保護膜１０８は、真空中で形成された性能をＰＤＰ完成時までそのまま維持することができる。

したがって、当該前面板１０２作製工程では、２次電子放出効率が高く放電開始電圧を低下させて維持し、かつ耐スパッタ特性を向上させ、信頼性ならびに品質が従来よりも向上したバス電極１５９、１６９、誘電体層１０７および保護膜１０８を有する前面板１０２を安定して作製することができる。
２．背面板１０３の作製工程
図４のＳ５に示すように、ガラス基板１１１の主面に、少なくともＡｌ−Ｎｄを含む金属電極材料を用いて上記と同様に真空成膜プロセス法、ドライエッチング法により、Ａｌ−Ｎｄ合金薄膜を低温プロセスで成膜し、これを低温プロセスでパターン化してデータ電極１１２を形成する（図２におけるＳ５）。

次に、図４のＳ６に示すように、データ電極１１２を形成した基板１１１を、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法あるいはＩＣＰ−ＣＶＤ法などを実施可能なＣＶＤ装置４１に挿入し、基板１１１の主面に、データ電極１１２を覆って、上述した前面板１０２の誘電体層１０７の作製工程と同様に、ＣＶＤ法やＩＣＰ−ＣＶＤ法による低温プロセスの各種ＣＶＤ法によってＳｉＯ_２を少なくとも含む誘電体層１１３を所定の膜厚で形成する（図２におけるＳ６）。

上記のように、誘電体層１１３を低温プロセスで形成するので、従来のように誘電体層を焼成工程で形成するのと比べると、基板１１１の反りや割れの発生を抑制することができる。
そして、誘電体層１１３の形成工程から隔壁１１４、蛍光体層１１５の形成工程に至るまででは、減圧状態が維持されていることが望ましい。

これにより、誘電体層１１３が露出状態にある工程では、常に減圧状態が保たれるので、誘電体層１１３に不純物ガスが吸着等していない、品質の安定した背面板１０３を作製することができる。
そして、図４のＳ７に示すように、誘電体層１１３の主面にほぼ一定の高さを有する隔壁１１４を形成配置する（図２におけるＳ７）。

隔壁１１４の材料として非鉛系ガラス材料を使用することが望ましく、非鉛系ガラス材料を塗布焼成し、放電セルを複数個配列させたストライプ状にあるいは井桁状に仕切るように、所定のパターンでリブ形状に隔壁１１４を形成する。
次に、図４のＳ８に示すように、隔壁１１４に仕切られてなる各溝部分に対し、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ_３：Ｅｕ、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４：ＭｎおよびＢａＭｇ_２Ａｌ_１４Ｏ_２４：Ｅｕなどの蛍光体を使用して、蛍光体層１１５を形成する（図２におけるＳ８）。

蛍光体層１１５は、上記各溝部分に対して、色ごとに上記蛍光体が印刷塗布され、当該塗布後に焼成されて、隔壁１１４の側面から誘電体層１１３主面にかけて形成される。
これにより、当該背面板１０３作製工程では、少なくとも誘電体層１１３を形成する工程（Ｓ６）と、次の工程である隔壁１１４形成工程（Ｓ７）へ移行させるその工程の途中とで減圧状態が破られないことから、上記工程にて少なくとも誘電体層１１３が大気に接触することがなく、不純物ガスが誘電体層１１３に吸着されることがないまま背面板１０３を隔壁１１４の形成工程（Ｓ７）へ移行させることができるので、信頼性を向上させ安定して背面板１０３を製造することができる。

そして、詳細な説明は省略するが、パネル封着工程（図２におけるＳ９）において、バス電極１５９、１６９、誘電体層１０７および保護膜１０８が少なくとも真空中あるいは減圧中で形成された前面板１０２と、データ電極１１２、誘電体層１１３が少なくとも真空中あるいは減圧中で形成され、かつ隔壁１１４、蛍光体層１１５が形成された背面板１０３とを対向させ、その縁部をシールし貼り合わせて封着する（図２におけるＳ９）。

その後、パネル内部を高真空に排気した後（図２におけるＳ１０）、パネル内部に放電ガスとして、希ガスのキセノン・ネオンなどを含む混合ガスを所定の圧力で封入し封止し（図２におけるＳ１１）、エージング工程（図２におけるＳ１２）を経て、ＰＤＰ１０１を作成する。
《実施の形態２におけるＰＤＰの効果》
本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、バス電極１５９，１６９を真空成膜プロセスで形成しているので、従来のようにバス電極を厚膜法で形成するのに比べると、バス電極中にバインダー焼成物が残留せず、以後の誘電体層１０７形成工程において、気泡の発生をなくすことができるので、絶縁破壊を起こしにくい誘電体層１０７を形成することができる。したがって、従来のＰＤＰの製造方法に比べて、誘電体層１０７を薄く形成することができる。

また、本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、誘電体層１０７をＩＣＰ−ＣＶＤ法で形成しているので、従来のように誘電体層を圧膜法で形成するのに比べると、誘電体層１０７を高密度に形成することができ、したがって、耐電圧高く誘電体層１０７を形成することができ、その結果、厚みを小さくして誘電体層１０７を形成することができ、特にＩＣＰ−ＣＶＤ法で形成することにより、従来の厚膜法に比べて、かつ他のＣＶＤ法に比べて、高速に形成することができる。

したがって、本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、従来のＰＤＰの製造方法に比べて、放電維持電圧、放電開始電圧の低減可能、発光効率の向上可能なＰＤＰを、高速に製造することができる。
本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、誘電体層１０７の積層工程が、特許文献１のＰＤＰの製造方法に比べて、単純であり、したがって、品質の高い、信頼性の高いＰＤＰを製造することができる。

本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、誘電体層１０７の積層工程から誘電体層１０７が積層された前面板１０２の移動・保管・次工程への移行工程まで、真空あるいは減圧状態が維持されているので、特許文献２のＰＤＰの製造方法に比べて、誘電体層１０７が大気に接触することを抑制することができ、誘電体層が不純物ガスを吸着することを抑制できる。

本実施の形態におけるＰＤＰの製造方法では、保護膜１０８の積層工程から保護膜１０８が積層された前面板１０２の移動・保管・次工程への移行工程まで、真空あるいは減圧状態が維持されているので、特許文献１，２のＰＤＰの製造方法に比べて、保護膜１０８が大気に接触することを抑制することができ、保護膜が不純物ガスを吸着することを抑制できる。

したがって、本実施の形態に係るＰＤＰの製造方法では、特許文献１，２のＰＤＰの製造方法に比べて、寿命の長い、信頼性の高い、品質の安定したＰＤＰを製造することができる。
なお、上記において誘電体層原料としてはＴＥＯＳガスを使用して説明したが、他の有機シラン系材料を使用しても構わない。

また、上記において、保護膜８はＭｇＯを使用して形成するものとして説明したが、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＮＯおよびＺｎＯなどの金属酸化物を使用しても構わない。
また、上記において、背面板１０３における誘電体層１１３をＣＶＤ法で形成するとして説明したが、従来の背面板と同じように、低融点ガラスである誘電体層を印刷焼成し形成しても構わない。

また、背面板１０３におけるデータ電極１１２をＡｌ−Ｎｄを含む金属材料から真空中で形成するとして説明したが、従来の背面板と同じように、Ａｇ電極を印刷焼成して形成してもあるいは真空中でＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒ電極を形成しても構わない。
また、上記において、前面板１０２として少なくともバス電極１０９、誘電体層１０７および保護膜１０８を形成し、背面板１０３として少なくともデータ電極１１２および誘電体層１１３を形成するとして説明したが、反射型ＰＤＰのように、これらの層や膜の配置が逆になっていても同様に実施可能であり、対向する基板のいずれかにこれらの層や膜が形成されていてよい。

（実施の形態３）
本実施の形態では、基板主面と平行な面において、一対の表示電極における表示電極間の間隙に設けられたバス電極形状のバリエーションについて示す。
図５（ａ）は、表示電極に沿って切断した断面に相当する要部断面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＸ−Ｙ面で切断した断面に相当する要部断面図である。

本実施の形態では、実施の形態１とバス電極の構成が異なるのみであるので、バス電極以外の構成については、その説明を省略する。
図５（ｂ）に示すように、走査電極１０５および維持電極１０６のそれぞれは、透明電極１５１，１６１とバス電極１５９，１６９とで構成される基部と、突出部１１８，１１９とを有しており、走査電極１０５の基部と維持電極１０６の基部とが、第１の間隙を挟んで対向し、走査電極１０５の突出部１１８と、維持電極１０６の突出部１１９とが、第１の間隙より狭い第２の間隙を挟んで、放電セル内において、基部どうしの対向辺に複数配置されている。

＜バリエーション１＞
バリエーション１におけるＰＤＰ放電セルの表示電極の構成について説明する。
図６（ａ）は、ＰＤＰの表示電極対の一部を背面板側から見た図であり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。図６（ｂ）はその一部を拡大した要部平面図である。

図６（ａ）に示すように、表示電極対１０４を構成するバス電極１５９，１６９の一方から延伸され、他方のバス電極１５９，１６９に向かう電極加工部１７１，１７２を、透明電極１５１，１６１どうしの対向辺から突き出させた結果、透明電極１５１，１６１およびバス電極１５９，１６９を基部とした場合、当該基部から突き出た部分が、突出部１１８，１１９に該当する。対向する突出部１１８，１１９どうしの間隙ｇは、透明電極１５１，１６１どうしの間隙Ｇより狭く、かつ一定に保たれている。例えば、間隙Ｇを５０〜１００［μｍ］とする場合、間隙ｇを、１〜１０［μｍ］とするのが望ましい。これにより、バス電極１５９，１６９から突出部１１８，１１９先端までの電気抵抗を低減することができ、バス電極１５９，１６９形成に用いられる微細加工工程を用いてバス電極１５９，１６９の形成と同時に、突出部１１８，１１９を形成することができ、また、突出部１１８，１１９間での電界強度を強めることができる。

図６（ｂ）に示すように、突出部１１８，１１９の先端角度θ１、θ２が、１０度以上９０度未満の範囲で、突出部１１８，１１９の先端辺が、走査電極１０５の主面に平行な面において、鋭角形状の輪郭を有するように、形成されている。θ１、θ２は同じ角度でも異なる角度でもよい。なお、突出部１１８，１１９の先端辺形状は、鋭角形状に限定されず、曲線状の輪郭で形成されていてもよい。

１〜１０［μｍ］の狭い間隙ｇを挟むように突出部１１８，１１９を形成する工程や、突出部１１８，１１９の先端辺を鋭角形状の輪郭で形成する工程は、薄膜金属電極であるバス電極１５９，１６９の形成の際に用いられるファインプロセス加工と同様のプロセスによって実現できる。
なお、バリエーション１において、異電極にて対向する２本及び同電極にて隣り合う２本の計４本の突出部１１８，１１９を一組とし、かかる一組の突出部１１８，１１９先端どうしが等間隔を成し、かつ、突出部１１８，１１９先端を直結した仮想線が正方形をなすように、突出部１１８，１１９が配置されていてもよい。

＜バリエーション２＞
図７（ａ）は、ＰＤＰの表示電極対の一部を背面板側から見た図であり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。図７（ｂ）はその一部を拡大した要部平面図である。
図７が、図６と異なる点は、走査電極１０５の複数の突出部１１８と維持電極１０６の複数の突出部１１９とで挟まれた間隙が、放電セル内にて走査電極１０５もしくは維持電極１０６の延伸方向に沿って変化する点と、突出部１１８，１１９先端辺の形状が、異なる電極間において対向関係にある突出部１１８，１１９どうしで異なる点であるので、図６を用いてすでに説明した構成については説明を省略する。

図７（ａ）に示すように、バリエーション２においては、走査電極１０５の複数の突出部１１８と維持電極１０６の複数の突出部１１９とで挟まれた間隙が、放電セルの中心部においては広い間隙ｇ１とし、走査電極１０５もしくは維持電極１０６の延伸方向に沿って放電セルの境界部に行くに従って狭くなり、放電セルの境界部（隔壁側）においては狭い間隙ｇ２となるように、複数の突出部１１８，１１９が、走査電極１０５のものと維持電極１０６のものとで互いに相対し配置されている。

例えば、間隙ｇ２を１〜５［μｍ］の範囲とする場合、間隙ｇ１を５〜１０［μｍ］の範囲とするのが好ましいが、間隙ｇ１、ｇ２の値は上記範囲に限定されず、かつその値の変化のさせ方も、徐々にあるいは階段状に変化させるなど適切に設計することができる。なお、放電セル内において最も狭い間隙を挟んでなる一対の突出部が、放電セル境界部に一対ずつ設けられているが、これに限定されず、２対以上ずつであってもよい。

また、図７（ｂ）に示すように、本実施の形態では、例えば、帯状の走査電極１０５または維持電極１０６の延伸方向と平行な面において、走査電極１０５側の突出部１１８先端辺が三角形状の輪郭で、維持電極１０６側の突出部１１９先端辺が半楕円形状の輪郭で形成されているが、これに限定されず、多角形状または曲線状の輪郭から選択されたものであればよい。

さらに、対向する突出部１１８，１１９どうしの間隙を、放電セルの中心部においては広い状態とし、放電セルの境界部に行くにしたがって狭くなるようにしたが、これとは逆に、一対を構成する突出部どうしに挟まれた間隙の最も狭い箇所を放電セルの中心部において少なくとも２箇所設け、放電セルの境界部に行くにしたがって広くなるようにしても、同様に上記効果を奏することができる。

＜バリエーション３＞
図８（ａ）は、バリエーション３におけるＰＤＰの放電セルの一部を示す要部平面図であり、ＰＤＰの表示電極対の一部を背面板側から見た図であって、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。
図８（ａ）が、図６（ａ）、図７（ａ）と異なる点は、第１電極の突出部と第２電極の突出部とが、互いに一定間隙をおいて櫛歯状に入り組んだ状態となっている点であるので、図６（ａ）、図７（ａ）において、すでに説明した構成については説明を省略する。

図８（ａ）に示すように、バリエーション３においては、透明電極１５１，１６１どうしの対向辺にて、走査電極１０５側の突出部１１８と、維持電極１０６側の突出部１１９が、互いに一定間隙をおいて櫛歯状に、かつ、入り組んだ状態で配置されている。
図８（ｂ）に示すように、バリエーション３において、走査電極１０５または維持電極１０６の少なくとも一方において、櫛歯状に配された突出部１１８，１１９が、バス電極１５９，１６９の少なくとも一方から延伸され、かつこれと併走するように配された細幅の電極加工部１７２から突出するように形成されていてもよい。図８（ｂ）は、図８（ａ）と同様、ＰＤＰの表示電極対の一部を背面板側から見た図であって、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する。

なお、走査電極１０５および維持電極１０６の両方において、櫛歯状に配された突出部１１８，１１９が、バス電極１５９，１６９の両方と併走するように配された細幅の電極加工部から延伸されていても構わない。
なお、図８（ｃ）に示すように、走査電極１０５の突出部１１８の辺および維持電極１０６の突出部１１９の辺のうち、互いに向かい合う辺において、複数の突起部１２０を配してもよい。図８（ｃ）は、図８（ａ），（ｂ）に示した突出部１１８，１１９の一部を拡大した要部平面図である。

《実施の形態３におけるＰＤＰの効果》
上記のように、放電セル内において走査電極１０５および維持電極１０６の各対向辺に複数の突出部１１８，１１９を設けると、走査電極１０５および維持電極１０６に給電したときに、複数の突出部１１８，１１９にて電位が集中し、突出部１１８と突出部１１９との間で電界強度が強められ、放電の開始しやすい箇所が、放電セル内に複数存在することとなるので、放電セル内において突出部が一対のみのものに比べて放電を開始させやすい。その結果、放電開始電圧を下げても確実に維持放電を開始させることができる。また、放電セル内において突出部が一対しかない場合、パターニング精度のいかんによって表示電極対１０４の延伸方向に突出部１１８，１１９の配設位置にずれが生じたときに、放電セルごとに放電遅れ時間がばらつく恐れがあるのに対して、放電セル内に突出部を複数設けておけば、放電遅れ時間がパターニング精度に左右されにくくなる。したがって、放電遅れ時間のばらつき幅を狭めることができるので、放電開始電圧を下げても、維持放電を確実に開始させることができ、ＰＤＰの消費電力を低減させることができる。また、放電遅れ時間を制御できるので、高精細なＰＤＰを実現できる。

バリエーション１では、対向関係にある突出部１１８，１１９どうしの間隙を一定とし、かつ同電極にて隣り合う突出部において、走査電極１０５もしくは維持電極１０６の各対向辺からの突出量を同一にしたことにより、図２（ａ）に示すように、例えば６箇所すべての対向箇所において放電を開始させやすくすることができ、上述したような突出部１１８，１１９の配設位置にずれが生じても、放電を開始させやすい箇所を複数確保できる。また、突出部１１８，１１９の先端辺を、帯状の走査電極１０５の主面と平行な面において、鋭角形状の輪郭に形成したことにより、突出部１１８，１１９にて電位が集中するとともに突出部１１８，１１９の鋭角形状先端にて電位がさらに集中し、一対を構成する突出部１１８，１１９どうしに挟まれた間隙において電界強度をより強めることができるので、よりいっそう放電を開始させやすくすることができる。

バリエーション２では、放電セル両境界部において走査電極１０５の突出部１１８と維持電極１０６の突出部１１９とで挟まれた間隙が、放電セル内で最も狭いので、例えば、図７（ａ）に示すように、少なくとも２箇所で放電を開始させやすく、また、バリエーション１と同様に、帯状の走査電極１０５の主面に平行な面において、突出部１１８，１１９の先端辺を鋭角形状または曲線状の輪郭としたので、よりいっそう放電を開始させやすい。特にバリエーション２では、バリエーション１に比べて放電セル中央部で突出部１１８，１１９間の間隙が広くなっているので、開口率を向上させながら、上記効果を奏することができる。

バリエーション３では、突出部１１８，１１９を櫛歯状に入り組ませた状態で配することにより、各突出部１１９と、異なる電極から伸びて突出部１１９と近接する２本の突出部１１８との間で放電を開始させやすい箇所を設けることができるので、異なる電極間において突出部を対向させた場合の対向箇所の数に比べて、放電を開始させやすい箇所を増やすことができ、上記効果を大きくすることができる。

特に、図８（ｃ）に示すように、バリエーション３において、対向する突出部１１８，１１９の双方において、突出部１１８，１１９どうしの対向辺に複数の突起部１２０を配した場合、当該突起部１２０にて電位が集中し、対向する突起部１２０の間にて電界強度が強められるので、上記効果が大きくなる。なお、突起部１２０を、対向する突出部１１８，１１９のいずれか一方にのみ配していてもよい。図８（ｃ）に示すように、複数の突起部１２０は、帯状の走査電極１０５の主面に平行な面において、三角形状の輪郭を有しているが、これに限定されず、他の多角形状または曲線状の輪郭を有していてもよい。

さらに、バリエーション１ないし３において、突出部１１８，１１９を、バス電極１５９，１６９から延伸形成させ、すなわち、バス電極と同じ材料で形成したため、バス電極１５９，１６９の形成に用いられる微細加工工程と同時に突出部１１８，１１９を形成することができ、また、バス電極１５９，１６９から突出部１１８，１１９までの電気抵抗を低減できることから、突出部１１８，１１９を製造容易にし、かつ、放電セル寸法の縮小を可能にするとともに、応答性を向上させることができる。

［評価試験］
バリエーション１およびバリエーション３に基づいてＰＤＰを作製して、それぞれに駆動回路等を接続し、走査電極１０５と維持電極１０６との間に印加する放電開始電圧を変化させながら、安定駆動するか否かについて検証した。その結果、いずれも約１２０［Ｖ］という従来の放電開始電圧より低い電圧であっても、安定して駆動できることを確認した。

（実施の形態４）
図９（ａ）は、ＰＤＰの表示電極対の一部を背面板側から見たものであり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。図９（ｂ）は、その一部を拡大した要部平面図である。
図９（ａ）に示すように、放電セルにおいて、走査電極１０５および維持電極１０６で構成された表示電極対１０４が複数の放電セルにまたがるように、延伸して配設され、複数の突出部１１８，１１９が、走査電極１０５および維持電極１０６を構成する透明電極１５１，１６１が互いに対向する辺から突き出すように対向配置され、対向する複数の突出部１１８、１１９のそれぞれが、透明電極１５１，１６１に挟まれた間隙Ｇより狭い間隙ｇで相対するように配されている。

バス電極１５９，１６９の一方から延伸され、他方のバス電極１５９，１６９に向かう電極加工部１７１，１７２を、透明電極１５１，１６１どうしの対向辺から突き出させた結果、透明電極１５１，１６１およびバス電極１５９，１６９を基部としたときの当該基部から突き出た部分が、突出部１１８，１１９に該当する。なお、電極加工部１７１，１７２は、例えば約５［μｍ］幅で形成されている。

突出部１１８，１１９は、各電極において一対を成し、かつ、帯状の走査電極１０５の主面と平行な面において、その先端辺が鋭角状の輪郭を有し、一対を構成する各突出部１１８，１１９の先端どうしが互いに接近するよう爪状に屈曲して形成されている。上記において、突出部１１８，１１９の先端辺形状が鋭角状の輪郭を有しているとしたが、これに限らず、多角形状および曲線状の輪郭で形成されていればよく、また、電極加工部１７１，１７２の幅を約５［μｍ］としたが、それより太くても細くても構わない。

特に、図９（ｂ）に示すように、対向する一対の突出部１１８、１１９の各先端２２１を直結する仮想線が正方形２２０を描くように、かつ各先端２２１がその正方形２２０の角に位置するように配置されている。４個の先端２２１は、互いの間隙ｇを例えば約５［μｍ］の等しい間隔で相対している。
《実施の形態４におけるＰＤＰの効果》
本実施の形態では、実施の形態１と同様に、放電セル内に複数の突出部１１８，１１９を設け、かつそれら突出部の先端辺を、走査電極１０５の主面と平行な面において、鋭角状の輪郭となるように形成したため、突出部１１８，１１９にて電位が集中するとともに突出部先端にてさらに電位が集中し、放電開始しやすい箇所を、放電セル内に複数設けることができ、放電セル内にて突出部が一対のみのものに比べて放電を開始させやすい。さらに、本実施の形態では、走査電極１０５もしくは維持電極１０６の対向辺からの突出量を同寸法とし、同電極にて隣り合う突出部で一対とし、一対を構成する突出部１１８，１１９の各先端どうしが、互いに接近するよう屈曲しているため、走査電極１０５および維持電極１０６に給電したときに、それら電位集中の起きる先端どうしで等電位線が結ばれ、かつ他方の電極に向かって張り出すような状態となる。等電位線が他方の電極に向かって張り出すことにより、走査電極１０５および維持電極１０６に給電したとき、異なる電極間における突出部１１８，１１９先端どうしにおいて、実施の形態３の突出部１１８，１１９先端同士における放電間隙より狭い放電間隙にて放電が開始されるので、低い電圧を印加しても確実に放電を開始させることができ、複数の放電セルにおいて生じる放電遅れ時間のばらつき幅も狭めることができる。したがって、ＰＤＰの画質を維持しながら、消費電力を低減させることができる。

特に、最も近接する４本の突出部１１８，１１９の各先端を直結した仮想線が正方形２２０をなすように、突出部１１８，１１９を配置したため、一対の突出部１１８，１１９間にて、電界集中がより強くなり、上記効果が大きくなる。
さらに、突出部１１８，１１９を、バス電極１５９，１６９から延伸して形成していることから、バス電極１５９，１６９の形成に用いられる微細加工工程と同時に、突出部１１８，１１９を形成することができ、また、バス電極１５９，１６９から突出部１１８，１１９までの電気抵抗を低減できることから、突出部１１８，１１９を製造容易にし、かつ、放電セル寸法の縮小を可能にするとともに、応答性を向上させることができる。

本実施の形態において、上記のとおり、突出部１１８，１１９は、バス電極１５９，１６９から延伸して形成したが、対向する透明電極１５１，１６１どうしの対向辺より延伸したものであってもよい。
また、本実施の形態において、４本の爪形に屈曲した突出部１１８，１１９の各先端を結んだ形状が正方形となるように突出部１１８，１１９を配したが、そのほかに長方形、平行四辺形および台形などの他の四角形状に配してもかまわない。

また、上記において、一対を構成する突出部１１８，１１９の先端どうしが、互いに接近するように爪形に屈曲して形成されていると説明したが、これに限定されるものではなく、その突出部１１８，１１９の先端形状として、各突出部１１８，１１９が、その中心線に対して非対称の形状でかつ一対を構成する突出部１１８，１１９の先端どうしが向き合う形状であればよい。

なお、図９（ａ）に示すように、本実施の形態においては、放電セルあたり同電極において一対の突出部を二つ設けたが、放電セルあたり同電極において一つでもよい。もちろん、放電セルあたり同電極において一対の突出部を２以上設けてもよい。
本実施の形態では、走査電極１０５および維持電極１０６の双方において、突出部１１８，１１９が対を成しているが、いずれか一方の電極においてのみ、対をなしていてもよい。

［評価試験］
上記実施の形態に基づいてＰＤＰを作製し、それぞれに駆動回路等を接続し、走査電極１０５と維持電極１０６との間に印加する放電開始電圧を変化させながら、安定駆動するか否かについて検証した。その結果、約１００［Ｖ］という従来の放電開始電圧より低い電圧であっても、安定して駆動できることを確認した。

（実施の形態５）
図１０は、実施の形態５におけるＰＤＰの放電セルにおける表示電極対の構成を示す概略平面図であり、ＰＤＰの背面板側から見た図である。図１０は、図６（ａ）〜９（ａ）に相当する要部平面図であり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。
図１０に示すように、走査電極１０５および維持電極１０６を一対とする表示電極対１０４が、複数の放電セルにまたがるように、延伸して配設されており、走査電極１０５および維持電極１０６が透明電極１５１，１６１およびバス電極１５９，１６９で構成され、先端辺を鋭角形状とする突出部１１８，１１９が、透明電極１５１，１６１が互いに対向する辺から突き出すように対向配置されている。

バス電極１５９，１６９の一方から延伸され、他方のバス電極１５９，１６９に向かう電極加工部１７１，１７２を、透明電極１５１，１６１どうしの対向辺から突き出させた結果、透明電極１５１，１６１およびバス電極１５９，１６９を基部としたときの当該基部から突き出た部分が、突出部１１８，１１９に該当する。バス電極１５９，１６９と同じ材料で形成され、対向関係にある突出部１１８，１１９どうしの間隙ｇは、それぞれ透明電極１５１，１６１どうしの間隙Ｇより狭い状態に保たれている。

例えば、間隙Ｇを５０〜１００［μｍ］とする場合、間隙ｇを５［μｍ］とするのが望ましく、突出部１１８，１１９の先端辺は、先端角度を５〜６０度とする先鋭な鋭角状で形成されていることが望ましい。
《実施の形態５におけるＰＤＰの効果》
上記のような構成とすることで、突出部１１８，１１９にて電位が集中するのみならず、突出部１１８，１１９の各先端辺が、走査電極１０５の主面に平行な面において先鋭な鋭角形状の輪郭で形成されたことによって、先鋭な突出部１１８，１１９先端にてさらなる電位の集中が起き、走査電極１０５および維持電極１０６に給電したときに、低い電圧であっても放電をより確実に開始させることができ、複数の放電セルにおいて生じる放電遅れ時間のばらつき幅も狭めることができる。したがって、ＰＤＰの画質を維持しながら、消費電力を低減させることができる。

また、突出部１１８，１１９が、バス電極１５９，１６９から延伸され、すなわち、バス電極１５９，１６９と同じ材料で形成されていることから、バス電極１５９，１６９の形成に用いられる微細加工の工程と同時に、突出部１１８，１１９を形成することができ、また、バス電極１５９，１６９から突出部１１８，１１９までの電気抵抗を低減できるので、製造容易なＰＤＰを実現し、かつ、ＰＤＰの高精細化を図るために放電セル寸法の縮小を可能にするとともに、応答性を向上させることができる。

なお、上記各実施の形態において、対向する突出部の間隙ｇを１〜１０［μｍ］の範囲で設定したが、上記範囲に囚われず、ＰＤＰの精細度などの事情から、間隙ｇを１０［μｍ］より大きくしてもよい。
また、上記各実施の形態において、ＣＶＤ法やＩＣＰ−ＣＶＤ法により形成された、ＳｉＯ_２を主成分とする緻密な薄膜の誘電体層を用いると説明したが、ＳｉＯ_２よりやや高い比誘電率を有する鉛ガラス系材料や非鉛ガラス系材料を厚く塗布し、これを焼成して形成される誘電体層を用いても同様に実施可能である。

また、上記において、誘電体層として、その比誘電率εが２〜５の範囲にあり、その膜厚ｄが１〜１０［μｍ］の範囲で形成されるように説明したが、比誘電率として５〜１５の範囲で、膜厚ｄとして１０〜４５［μｍ］で形成されていても構わない。

本発明のＰＤＰとその製造方法によれば、放電開始電圧を低減し発光効率や信頼性、品質を向上させたプラズマディスプレイパネルを、大型のテレビジョンや高精細テレビジョンあるいは大型表示装置など、映像機器産業、宣伝機器産業、産業機器やその他の産業分野に利用することができ、その産業上の利用可能性は非常に広く且つ大きい。

本発明の実施の形態１に係るＰＤＰ１の放電セルの構成を示す断面概念図である。 本発明の実施の形態２に係るＰＤＰ１の製造方法の工程フローチャート概念図である。 本発明の実施の形態２に係るＰＤＰ１の製造方法における前面板２の作成工程を示す断面概念図である。 本発明の実施の形態２に係るＰＤＰ１の製造方法における背面板３の作成工程を示す断面概念図である。 （ａ）は、実施の形態３におけるＰＤＰの構成を示す要部断面図であり、（ｂ）は、図５（ａ）のＹ−Ｙ面で切断した断面に相当する要部断面図である。 （ａ）は、実施の形態３のバリエーション１におけるＰＤＰの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（ｂ）は、その一部を拡大した要部平面図である。 （ａ）は、実施の形態３のバリエーション２におけるＰＤＰの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（ｂ）は、その一部を拡大した要部平面図である。 （ａ）は、実施の形態３のバリエーション３におけるＰＤＰの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（ｂ）は、バリエーション３の別態様を示す要部平面図であり、（ｃ）は、それらの一部を拡大した要部平面図である。 （ａ）は、実施の形態４におけるＰＤＰの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（ｂ）は、その一部を拡大した要部平面図である。 実施の形態５におけるＰＤＰの放電セルの一部を示す要部平面図である。 （ａ）は、従来の面放電型ＰＤＰを、表示電極に沿って切断した要部断面図であり、（ｂ）は、（ａ）をＸ−Ｘ面で切断した要部断面図である。 特許文献４に記載されたＰＤＰの前面板の一部を示す要部平面図である。

符号の説明

１０１ ＰＤＰ
１０２ 前面板
１０３ 背面板
１０４ 表示電極対
１０５ 走査（スキャン）電極
１０６ 維持（サステイン）電極
１０７，１１３ 誘電体層
１０８ 保護膜
１０９ バス電極
１１０，１１１ 基板
１１２ データ（アドレス）電極
１１４ 隔壁
１１５ 蛍光体層
１１８，１１９ 突出部
１２０ 突起部
１５１，１６１ 透明電極
１５９，１６９ バス電極
１７１，１７２ 電極加工部
２２０ 正方形
２２１ 先端

Claims (9)

1. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０ ^６ ［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０ ^７ ［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   対をなす各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた帯状の基部と、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように形成された複数の突出部を有し、当該複数の突出部は、放電セル内で互いに３組以上対向する組をなすように配設され、
   放電セル中央部に位置する突出部の組の突出部長さが最も短く、前記延伸方向に沿った放電セル両端に近い組ほど突出部長さが長い
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
2. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   対をなす各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた帯状の基部と、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように形成された複数の突出部を有し、当該複数の突出部は、放電セル内で互いに３組以上対向する組をなすように配設され、
   放電セル中央部に位置する突出部の組の突出部長さが最も長く、前記延伸方向に沿った放電セル両端に近い組ほど突出部長さが短い
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
3. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   対をなす各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた帯状の基部と、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように形成された複数の突出部を有し、
   前記対をなす各々の表示電極の少なくとも一方において、
   同電極上で隣り合う突出部は、その突出長さが同寸法であり、且つ、前記隣り合う突出部の各先端部分は前記表面と平行な面における輪郭が多角形状または曲線状に形成され、前記各先端部分が前記平行な面に沿って互いに近接した爪形をなすように屈折して形成されている
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
4. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   対をなす各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた帯状の基部と、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように形成された複数の突出部を有し、
   前記対をなす各々の表示電極の少なくとも一方において、
   同電極上で隣り合う突出部は、その突出長さが同寸法であり、且つ、前記隣り合う突出部の各先端部分は前記表面と平行な面における輪郭が多角形状または曲線状に形成され、前記隣り合う突出部同士の間隙が、前記基部側よりも前記先端部分側で狭い
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
5. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０^６［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０^７［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   対をなす各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた帯状の基部と、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように形成された複数の突出部を有し、
   前記対をなす各々の表示電極の少なくとも一方において、
   同電極上で隣り合う突出部は、その突出長さが同寸法であり、且つ、前記隣り合う突出部の各先端部分は前記表面と平行な面における輪郭が多角形状または曲線状に形成され、互いに接近するように屈曲している
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
6. 前記対をなす各々の表示電極において、前記隣り合う突出部の組４つの先端部分を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、前記表面と平行な面における当該領域が正方形状となるように配されている
   ことを特徴とする請求項３から５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０ ^６ ［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０ ^７ ［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた透明電極からなる帯状の基部と、透明電極の主面に形成されたバス電極で構成され、
   前記バス電極はアルミニウムおよびネオジムを主成分として真空中あるいは減圧下で形成された薄膜からなる
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
8. 前記対をなす各々の表示電極は、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように、前記バス電極の電極材料を分岐させてなる複数の突出部を有している
   ことを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 表面に延伸された表示電極対が複数対形成され、当該表示電極対を覆う誘電体層が積層された一方の基板と、表面に複数のデータ電極が形成され、当該データ電極を覆う誘電体層が積層された他方の基板とを有し、互いの電極が放電空間をおいて対向するように両基板が配置され、表示電極の前記延伸方向に沿って複数の放電セルが配設されたプラズマディスプレイパネルであって、
   前記両基板の少なくとも一方の誘電体層は、１．０×１０ ^６ ［Ｖ／ｃｍ］以上１．０×１０ ^７ ［Ｖ／ｃｍ］以下の絶縁耐圧を備え、
   対をなす各々の表示電極は、前記延伸方向に伸びた透明電極からなる帯状の基部と、透明電極の主面に形成されたバス電極で構成され、
   前記対をなす各々の表示電極は、一方の電極の基部の辺から他方の電極の辺へ突出するように、前記バス電極をなす電極材料を分岐させてなる複数の突出部を有し、
   前記複数の突出部は、前記表面と平行な面における先端部分の輪郭が鋭角形状である
   ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

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