JPH09223465A - 放電型ディスプレイ用プラスチック基材 - Google Patents
放電型ディスプレイ用プラスチック基材Info
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- JPH09223465A JPH09223465A JP8030197A JP3019796A JPH09223465A JP H09223465 A JPH09223465 A JP H09223465A JP 8030197 A JP8030197 A JP 8030197A JP 3019796 A JP3019796 A JP 3019796A JP H09223465 A JPH09223465 A JP H09223465A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas barrier
- plastic
- discharge type
- base material
- fluoride
- Prior art date
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ガスバリヤー性，水蒸気バリヤー性を有し、軽
量で割れない放電型ディスプレイ用プラスチック基材の
提供。 【解決手段】ガスバリヤ性能を有するプラスチック
（Ａ）からなり、酸素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ2 ・２４
ｈｒ以下であることを特徴とする放電型ディスプレイ用
プラスチック基材、およびプラスチック基材（Ｂ）の片
面または両面に、１層以上のガスバリヤ層（Ｃ）を有す
る放電型ディスプレイ用プラスチック基材。
量で割れない放電型ディスプレイ用プラスチック基材の
提供。 【解決手段】ガスバリヤ性能を有するプラスチック
（Ａ）からなり、酸素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ2 ・２４
ｈｒ以下であることを特徴とする放電型ディスプレイ用
プラスチック基材、およびプラスチック基材（Ｂ）の片
面または両面に、１層以上のガスバリヤ層（Ｃ）を有す
る放電型ディスプレイ用プラスチック基材。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放電型ディスプレ
イを構成する表示材料に用いられるプラスチック基材に
関する。
イを構成する表示材料に用いられるプラスチック基材に
関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクスの飛躍的な進歩によ
り、放電型ディスプレイ，エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ），液晶表示素子，発光ダイオ−ド，エレクトロ
クロミック等のフラットパネルディスプレイと呼ばれる
様々なディスプレイが実用化されている。特に、放電型
ディスプレイは、種々のフラットパネルディスプレイの
中では大面積化が容易な上、視認性に優れており、その
用途を拡大しつつある。一般に、放電型ディスプレイの
基材にはガラスが用いられているが、放電型ディスプレ
イの大面積化等を考えた場合、ガラスの重さや、割れ易
さ等の問題から、プラスチック基材の利用が期待されて
いる。しかし、プラスチック基材はガラス基材に比べガ
ス透過量が非常に大きい。そのため、プラスチック基材
から封入ガスが放電型表示素子外に透過してしまい、結
果として表示不良に至ってしまう。
り、放電型ディスプレイ，エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ），液晶表示素子，発光ダイオ−ド，エレクトロ
クロミック等のフラットパネルディスプレイと呼ばれる
様々なディスプレイが実用化されている。特に、放電型
ディスプレイは、種々のフラットパネルディスプレイの
中では大面積化が容易な上、視認性に優れており、その
用途を拡大しつつある。一般に、放電型ディスプレイの
基材にはガラスが用いられているが、放電型ディスプレ
イの大面積化等を考えた場合、ガラスの重さや、割れ易
さ等の問題から、プラスチック基材の利用が期待されて
いる。しかし、プラスチック基材はガラス基材に比べガ
ス透過量が非常に大きい。そのため、プラスチック基材
から封入ガスが放電型表示素子外に透過してしまい、結
果として表示不良に至ってしまう。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ガス
バリヤー性，水蒸気バリヤー性を有し、軽量で割れない
放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供すること
にある。
バリヤー性，水蒸気バリヤー性を有し、軽量で割れない
放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供すること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ガ
スバリヤ性能を有するプラスチック（Ａ）からなり、酸
素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下であること
を特徴とする放電型ディスプレイ用プラスチック基材を
提供する。また、本発明は、プラスチック基材（Ｂ）の
片面または両面に、１層以上のガスバリヤ層（Ｃ）を有
する放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供す
る。さらに、本発明は、ガスバリヤ層（Ｃ）が、金属酸
化物及びまたは金属フッ化物からなることを特徴とする
上記放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供す
る。
スバリヤ性能を有するプラスチック（Ａ）からなり、酸
素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下であること
を特徴とする放電型ディスプレイ用プラスチック基材を
提供する。また、本発明は、プラスチック基材（Ｂ）の
片面または両面に、１層以上のガスバリヤ層（Ｃ）を有
する放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供す
る。さらに、本発明は、ガスバリヤ層（Ｃ）が、金属酸
化物及びまたは金属フッ化物からなることを特徴とする
上記放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供す
る。
【０００５】さらに、本発明は、ガスバリヤ層（Ｃ）
が、けい素酸化物と、金属フッ化物及びまたはマグネシ
ウム酸化物とからなり、真空薄膜形成技術によって形成
されることを特徴とする上記放電型ディスプレイ用プラ
スチック基材を提供する。さらに、本発明は、ガスバリ
ヤ層（Ｃ）を構成する金属フッ化物が、フッ化マグネシ
ウム，フッ化カルシウム，フッ化ストロンチウム及びフ
ッ化バリウムから選ばれる一種または二種以上である上
記放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供する。
が、けい素酸化物と、金属フッ化物及びまたはマグネシ
ウム酸化物とからなり、真空薄膜形成技術によって形成
されることを特徴とする上記放電型ディスプレイ用プラ
スチック基材を提供する。さらに、本発明は、ガスバリ
ヤ層（Ｃ）を構成する金属フッ化物が、フッ化マグネシ
ウム，フッ化カルシウム，フッ化ストロンチウム及びフ
ッ化バリウムから選ばれる一種または二種以上である上
記放電型ディスプレイ用プラスチック基材を提供する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において、ガスバリヤ性能
を有するプラスチック（Ａ）としては、得られるプラス
チック基材の、ＡＳＴＭ Ｄ ３９８５に準拠した２５
℃・１００％ＲＨにおける酸素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ
2 ・２４ｈｒ以下になるものであれば特に制限なく用い
られる。酸素ガス透過率は、ガスバリヤ性能を代表する
特性値である。プラスチック（Ａ）として、具体的に
は、フッ素系樹脂，エチレンビニールアルコール共重合
体（ＥＶＯＨ），ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポ
リ塩化ビニル，ナイロン，ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤ
Ｃ），ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナ
フタレート等のポリエステル，ポリアクリルニトリル、
またはこれらの共重合体，混合樹脂等が挙げられる。し
かし、プラスチック（Ａ）だけでガスバリヤ性能を発揮
させようとすると厚みを厚くしなければならない場合が
多く、透明性，軽量性などの確保が難しくなるため、ガ
スバリヤ層（Ｃ）を設ける方がより機能的である。
を有するプラスチック（Ａ）としては、得られるプラス
チック基材の、ＡＳＴＭ Ｄ ３９８５に準拠した２５
℃・１００％ＲＨにおける酸素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ
2 ・２４ｈｒ以下になるものであれば特に制限なく用い
られる。酸素ガス透過率は、ガスバリヤ性能を代表する
特性値である。プラスチック（Ａ）として、具体的に
は、フッ素系樹脂，エチレンビニールアルコール共重合
体（ＥＶＯＨ），ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポ
リ塩化ビニル，ナイロン，ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤ
Ｃ），ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナ
フタレート等のポリエステル，ポリアクリルニトリル、
またはこれらの共重合体，混合樹脂等が挙げられる。し
かし、プラスチック（Ａ）だけでガスバリヤ性能を発揮
させようとすると厚みを厚くしなければならない場合が
多く、透明性，軽量性などの確保が難しくなるため、ガ
スバリヤ層（Ｃ）を設ける方がより機能的である。
【０００７】ガスバリヤ層（Ｃ）を設けるプラスチック
基材（Ｂ）としては、特に制限はなく、ポリエーテルサ
ルホン基材，ポリエーテルエーテルケトン基材，ポリサ
ルホン基材，ポリエーテルイミド基材，ポリカーボネー
ト基材，ポリプロピレン基材，セロファン基材，ポリス
チレン基材等が適用できる。また、前記のガスバリヤ性
能を有するプラスチック（Ａ）でもかまわない。これら
のプラスチック基材の表面には何も付与されていなくて
もよいが、放電処理などの前処理を施したり、積層構造
のものでもかまわない。プラスチック基材（Ｂ）の厚さ
は特に制限されず、放電させるセルの大きさや要求され
る光線透過率や用途により様々であるが、５〜１０００
０μｍが適当である。
基材（Ｂ）としては、特に制限はなく、ポリエーテルサ
ルホン基材，ポリエーテルエーテルケトン基材，ポリサ
ルホン基材，ポリエーテルイミド基材，ポリカーボネー
ト基材，ポリプロピレン基材，セロファン基材，ポリス
チレン基材等が適用できる。また、前記のガスバリヤ性
能を有するプラスチック（Ａ）でもかまわない。これら
のプラスチック基材の表面には何も付与されていなくて
もよいが、放電処理などの前処理を施したり、積層構造
のものでもかまわない。プラスチック基材（Ｂ）の厚さ
は特に制限されず、放電させるセルの大きさや要求され
る光線透過率や用途により様々であるが、５〜１０００
０μｍが適当である。
【０００８】ガスバリヤ層（Ｃ）を構成する材料として
は、フッ素系樹脂，ＥＶＯＨ，ＰＶＤＣ，ＰＶＡ，ナイ
ロン，アクリル等の有機ガスバリヤ材料、けい素酸化
物，アルミニウム酸化物，マグネシウム酸化物，Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）等の金属酸化
物、及びマグネシウムフッ化物，カルシウムフッ化物，
ストロンチウムフッ化物及びバリウムフッ化物等の金属
フッ化物が挙げられる。金属酸化物及びまたは金属フッ
化物からなるガスバリヤ層（Ｃ）は、温度，湿度，光等
に対するガスバリヤ性能の環境安定性の面で有機ガスバ
リヤ材料より有利であり、特に、けい素酸化物と、金属
フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物とからなるガス
バリヤ層（Ｃ）は有効である。ガスバリヤ層（Ｃ）は、
放電型ディスプレイのプラスチック基材として使用する
際、特に高い水蒸気バリヤ−性，ガスバリヤ−性を有
し、温湿度に対し膨張が少なく、かつプラスチック基材
（Ｂ）と強固に密着していなければならない。
は、フッ素系樹脂，ＥＶＯＨ，ＰＶＤＣ，ＰＶＡ，ナイ
ロン，アクリル等の有機ガスバリヤ材料、けい素酸化
物，アルミニウム酸化物，マグネシウム酸化物，Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ）等の金属酸化
物、及びマグネシウムフッ化物，カルシウムフッ化物，
ストロンチウムフッ化物及びバリウムフッ化物等の金属
フッ化物が挙げられる。金属酸化物及びまたは金属フッ
化物からなるガスバリヤ層（Ｃ）は、温度，湿度，光等
に対するガスバリヤ性能の環境安定性の面で有機ガスバ
リヤ材料より有利であり、特に、けい素酸化物と、金属
フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物とからなるガス
バリヤ層（Ｃ）は有効である。ガスバリヤ層（Ｃ）は、
放電型ディスプレイのプラスチック基材として使用する
際、特に高い水蒸気バリヤ−性，ガスバリヤ−性を有
し、温湿度に対し膨張が少なく、かつプラスチック基材
（Ｂ）と強固に密着していなければならない。
【０００９】けい素酸化物と、金属フッ化物及びまたは
マグネシウム酸化物とからなり、真空薄膜形成技術によ
って形成されるガスバリア層（Ｃ）は、けい素酸化物
と、金属フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物の混合
物及びまたは化合物からなり、いずれの組み合わせにお
いても、ガスバリヤ−性と水蒸気バリヤ−性が得られ
る。ガスバリヤ−性，水蒸気バリヤ−性にさらに高透明
性をあわせて付加したい場合には、けい素酸化物と金属
フッ化物とを組み合わせることが有効である。また、特
に水蒸気バリヤ−性（高寸法安定性）を高度にしたい場
合には、けい素酸化物とマグネシウム酸化物とを組み合
わせることが有効である。
マグネシウム酸化物とからなり、真空薄膜形成技術によ
って形成されるガスバリア層（Ｃ）は、けい素酸化物
と、金属フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物の混合
物及びまたは化合物からなり、いずれの組み合わせにお
いても、ガスバリヤ−性と水蒸気バリヤ−性が得られ
る。ガスバリヤ−性，水蒸気バリヤ−性にさらに高透明
性をあわせて付加したい場合には、けい素酸化物と金属
フッ化物とを組み合わせることが有効である。また、特
に水蒸気バリヤ−性（高寸法安定性）を高度にしたい場
合には、けい素酸化物とマグネシウム酸化物とを組み合
わせることが有効である。
【００１０】けい素酸化物としては、ＳｉＯx （Ｘ＝１
以上，２以下）であり、ＳｉＯ，Ｓｉ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｏ
4 等はこの中に含まれる。中でも、ＳｉＯx のｘが１．
８より大きいと、けい素酸化物は無色透明のＳｉＯ2 に
近づくため、得られるガスバリヤ層（Ｃ）の光線透過性
が高くなる。反対に、ＳｉＯx のｘが１．８以下である
と、けい素酸化物はやや褐色を呈し、更にＳｉＯx のｘ
が１．５以下になると完全に褐色を呈してしまう。
以上，２以下）であり、ＳｉＯ，Ｓｉ2 Ｏ3 ，Ｓｉ3 Ｏ
4 等はこの中に含まれる。中でも、ＳｉＯx のｘが１．
８より大きいと、けい素酸化物は無色透明のＳｉＯ2 に
近づくため、得られるガスバリヤ層（Ｃ）の光線透過性
が高くなる。反対に、ＳｉＯx のｘが１．８以下である
と、けい素酸化物はやや褐色を呈し、更にＳｉＯx のｘ
が１．５以下になると完全に褐色を呈してしまう。
【００１１】金属フッ化物としては、アルカリ土類金属
のフッ化物およびアルカリ金属のフッ化物があげられ
る。具体的には、フッ化マグネシウム，フッ化カルシウ
ム，フッ化ストロンチウム，フッ化バリウム，フッ化リ
チウム，フッ化ナトリウム，フッ化カリウム，フッ化ル
ビジウム，フッ化セシウム，フッ化フランシウム等があ
げられる。中でも、フッ化マグネシウム，フッ化カルシ
ウム，フッ化ストロンチウム及びフッ化バリウムが好ま
しく、特にフッ化マグネシウム，フッ化カルシウムが好
ましい。金属フッ化物としてアルカリ土類金属のフッ化
物を用いる場合は、高度なバリヤ−性と高透明性を両立
できるが、アルカリ金属のフッ化物を用いる場合は、ア
ルカリ土類金属のフッ化物に比べ、透明性は同等である
が、バリヤー性は若干劣るため、アルカリ土類金属のフ
ッ化物の方が好ましい。
のフッ化物およびアルカリ金属のフッ化物があげられ
る。具体的には、フッ化マグネシウム，フッ化カルシウ
ム，フッ化ストロンチウム，フッ化バリウム，フッ化リ
チウム，フッ化ナトリウム，フッ化カリウム，フッ化ル
ビジウム，フッ化セシウム，フッ化フランシウム等があ
げられる。中でも、フッ化マグネシウム，フッ化カルシ
ウム，フッ化ストロンチウム及びフッ化バリウムが好ま
しく、特にフッ化マグネシウム，フッ化カルシウムが好
ましい。金属フッ化物としてアルカリ土類金属のフッ化
物を用いる場合は、高度なバリヤ−性と高透明性を両立
できるが、アルカリ金属のフッ化物を用いる場合は、ア
ルカリ土類金属のフッ化物に比べ、透明性は同等である
が、バリヤー性は若干劣るため、アルカリ土類金属のフ
ッ化物の方が好ましい。
【００１２】マグネシウム酸化物としては、酸化マグネ
シウム，二酸化マグネシウム等が挙げられる。ガスバリ
ア層（Ｃ）を構成するけい素酸化物：金属フッ化物また
はマグネシウム酸化物の薄膜層の組成比は、それぞれ９
８〜８０モル％：２〜２０モル％の範囲が望ましく、特
に９５〜９０モル％：５〜１０モル％範囲が望ましい。
また、ガスバリヤ層（Ｃ）がけい素酸化物、金属フッ化
物及びマグネシウム酸化物からなる場合は、けい素酸化
物：金属フッ化物：マグネシウム酸化物の薄膜層の組成
比は、それぞれ９７．５〜８０モル％：２〜１９．５モ
ル％：０．５〜１８モル％の範囲が望ましく、特に９３
〜８８モル％：５〜１０モル％：２〜１７モル％の範囲
が望ましい。
シウム，二酸化マグネシウム等が挙げられる。ガスバリ
ア層（Ｃ）を構成するけい素酸化物：金属フッ化物また
はマグネシウム酸化物の薄膜層の組成比は、それぞれ９
８〜８０モル％：２〜２０モル％の範囲が望ましく、特
に９５〜９０モル％：５〜１０モル％範囲が望ましい。
また、ガスバリヤ層（Ｃ）がけい素酸化物、金属フッ化
物及びマグネシウム酸化物からなる場合は、けい素酸化
物：金属フッ化物：マグネシウム酸化物の薄膜層の組成
比は、それぞれ９７．５〜８０モル％：２〜１９．５モ
ル％：０．５〜１８モル％の範囲が望ましく、特に９３
〜８８モル％：５〜１０モル％：２〜１７モル％の範囲
が望ましい。
【００１３】ガスバリヤ層（Ｃ）の厚さは、使用するプ
ラスチック基材（Ｂ）に合わせて選定されるが、有機ガ
スバリア材料からなる場合は、片面あたり１〜１００μ
ｍが好ましい。また、金属酸化物及びまたは金属フッ化
物からなる場合は、片面あたり５０〜２０００オングス
トロ−ムが好ましいが、特に２００〜１５００オングス
トロ−ムが好ましい。また、ガスバリヤ層（Ｃ）は、プ
ラスチック基材（Ｂ）の片面または両面に形成され、最
終的に得られる層の必要機能が得られていれば、２層積
層や多重積層でも構わない。すなわち、積層を２回以上
に分けて行ってもよく、その時、異種類の金属フッ化
物，マグネシウム酸化物を積層しても構わない。
ラスチック基材（Ｂ）に合わせて選定されるが、有機ガ
スバリア材料からなる場合は、片面あたり１〜１００μ
ｍが好ましい。また、金属酸化物及びまたは金属フッ化
物からなる場合は、片面あたり５０〜２０００オングス
トロ−ムが好ましいが、特に２００〜１５００オングス
トロ−ムが好ましい。また、ガスバリヤ層（Ｃ）は、プ
ラスチック基材（Ｂ）の片面または両面に形成され、最
終的に得られる層の必要機能が得られていれば、２層積
層や多重積層でも構わない。すなわち、積層を２回以上
に分けて行ってもよく、その時、異種類の金属フッ化
物，マグネシウム酸化物を積層しても構わない。
【００１４】さらに、機械強度の向上，加工性の向上，
コストの低減等を目的として、ガスバリヤ層（Ｃ）の上
に他の材料を積層し複合化することができる。プラスチ
ック基材（Ｂ）にガスバリヤ層（Ｃ）を形成する方式と
しては、グラビア法，ディップ法，押出し法，溶融塗工
等の一般的な塗工技術やゾル−ゲル法及び真空薄膜形成
技術等が用いられるが、特に金属酸化物及びまたは金属
フッ化物からなるガスバリヤ層（Ｃ）を形成する場合
は、真空薄膜形成技術によると、薄膜化が容易，混入不
純物が少ない，焼成工程が必要ない等の点において有利
である。
コストの低減等を目的として、ガスバリヤ層（Ｃ）の上
に他の材料を積層し複合化することができる。プラスチ
ック基材（Ｂ）にガスバリヤ層（Ｃ）を形成する方式と
しては、グラビア法，ディップ法，押出し法，溶融塗工
等の一般的な塗工技術やゾル−ゲル法及び真空薄膜形成
技術等が用いられるが、特に金属酸化物及びまたは金属
フッ化物からなるガスバリヤ層（Ｃ）を形成する場合
は、真空薄膜形成技術によると、薄膜化が容易，混入不
純物が少ない，焼成工程が必要ない等の点において有利
である。
【００１５】プラスチック基材（Ｂ）にガスバリヤ層
（Ｃ）を形成する真空薄膜形成技術の方式としては、巻
き取り連続方式，枚葉方式のどちらでもよく、また形成
する方法としては、真空蒸着，イオンプレ−ティング，
スパッタリングなどを用いることができる。さらに、真
空蒸着の加熱方法としては、その蒸着中にスプラッシュ
と呼称される蒸着飛沫が発生しなければ、あるいは支障
なく取り除ける程度に少なければ特に制限はなく、高周
波誘導加熱，抵抗加熱，電子線加熱などの公知の加熱方
法を用いることができる。この蒸着飛沫が多量に発生す
ると、飛沫が蒸着フィルム上に異物として残り、後加工
であるフラットディスプレイの構成材料（透明電極な
ど）を積層する過程で問題が多く発生する。真空蒸着の
蒸発源としては一般的なルツボ方式でもかまわないが、
異なる昇華点，融点の物質が常時均一に真空蒸着できる
特開平１−２５２７８６号公報や特開平２−２７７７７
４号公報に記載される蒸発原料を連続的に供給排出する
方式が望ましい。
（Ｃ）を形成する真空薄膜形成技術の方式としては、巻
き取り連続方式，枚葉方式のどちらでもよく、また形成
する方法としては、真空蒸着，イオンプレ−ティング，
スパッタリングなどを用いることができる。さらに、真
空蒸着の加熱方法としては、その蒸着中にスプラッシュ
と呼称される蒸着飛沫が発生しなければ、あるいは支障
なく取り除ける程度に少なければ特に制限はなく、高周
波誘導加熱，抵抗加熱，電子線加熱などの公知の加熱方
法を用いることができる。この蒸着飛沫が多量に発生す
ると、飛沫が蒸着フィルム上に異物として残り、後加工
であるフラットディスプレイの構成材料（透明電極な
ど）を積層する過程で問題が多く発生する。真空蒸着の
蒸発源としては一般的なルツボ方式でもかまわないが、
異なる昇華点，融点の物質が常時均一に真空蒸着できる
特開平１−２５２７８６号公報や特開平２−２７７７７
４号公報に記載される蒸発原料を連続的に供給排出する
方式が望ましい。
【００１６】プラスチック基材（Ｂ）にガスバリヤ層
（Ｃ）を形成する場合、真空蒸着等の方法により、原料
組成をそのまま薄膜層の組成に反映させてもよいが、反
応蒸着により２種以上の原料を反応させながら、薄膜層
の組成としても良い。反応蒸着によるガスバリヤ層
（Ｃ）の積層方法としては、金属または有機金属化合物
のような金属を含む化合物を酸化またはフッ化させなが
ら真空蒸着する方法、金属フッ化物をプラスチック基材
上に蒸着層として形成させ後工程でその蒸着層を酸化処
理する方法があげられる。酸化処理の方法としては、プ
ラスチックフィルムの使用可能温度範囲内で処理を行う
方法なら特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法，放
電処理法，酸素プラズマ法，熱酸化法等が挙げられる。
（Ｃ）を形成する場合、真空蒸着等の方法により、原料
組成をそのまま薄膜層の組成に反映させてもよいが、反
応蒸着により２種以上の原料を反応させながら、薄膜層
の組成としても良い。反応蒸着によるガスバリヤ層
（Ｃ）の積層方法としては、金属または有機金属化合物
のような金属を含む化合物を酸化またはフッ化させなが
ら真空蒸着する方法、金属フッ化物をプラスチック基材
上に蒸着層として形成させ後工程でその蒸着層を酸化処
理する方法があげられる。酸化処理の方法としては、プ
ラスチックフィルムの使用可能温度範囲内で処理を行う
方法なら特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法，放
電処理法，酸素プラズマ法，熱酸化法等が挙げられる。
【００１７】本発明の放電型ディスプレイ用プラスチッ
ク基材を用いて放電型ディスプレイを作成するには、プ
ラスチック基材に透明電極膜を設けた表示側プラスチッ
ク基材と導電性金属膜を設けた背面側プラスチック基材
との１対のプラスチック基材の間に、スペーサーを配し
放電空間を設けて電極を対抗配置し、対向する電極内の
放電セルを発光可能に構成する。放電空間には、例えば
Ｎｅ（ネオン）に少量のＸｅ（キセノン）を加えた混合
ガスが放電ガスとして充填される。このとき放電型ディ
スプレイ用プラスチック基材としては、密着力向上など
の必要に応じて積層構造としたものを用いても構わな
い。
ク基材を用いて放電型ディスプレイを作成するには、プ
ラスチック基材に透明電極膜を設けた表示側プラスチッ
ク基材と導電性金属膜を設けた背面側プラスチック基材
との１対のプラスチック基材の間に、スペーサーを配し
放電空間を設けて電極を対抗配置し、対向する電極内の
放電セルを発光可能に構成する。放電空間には、例えば
Ｎｅ（ネオン）に少量のＸｅ（キセノン）を加えた混合
ガスが放電ガスとして充填される。このとき放電型ディ
スプレイ用プラスチック基材としては、密着力向上など
の必要に応じて積層構造としたものを用いても構わな
い。
【００１８】透明電極膜の作成方法としては、導電性金
属酸化物単独、導電性金属酸化物と絶縁性金属酸化物の
混合物または導電性金属単独をプラスチック基材（Ｂ）
に積層する方法が挙げられる。積層は、前述のガスバリ
ヤ層（Ｃ）をプラスチック基材（Ｂ）に積層する方法で
行うことができる。導電性金属酸化物としては、Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ），インジウム酸
化物，錫酸化物等があげられ、導電性金属としては、ア
ルミニウム，ニッケル等の一般的な金属があげられる。
図１に、典型的な放電型ディスプレイの断面図を示す。
属酸化物単独、導電性金属酸化物と絶縁性金属酸化物の
混合物または導電性金属単独をプラスチック基材（Ｂ）
に積層する方法が挙げられる。積層は、前述のガスバリ
ヤ層（Ｃ）をプラスチック基材（Ｂ）に積層する方法で
行うことができる。導電性金属酸化物としては、Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ），インジウム酸
化物，錫酸化物等があげられ、導電性金属としては、ア
ルミニウム，ニッケル等の一般的な金属があげられる。
図１に、典型的な放電型ディスプレイの断面図を示す。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。なお、実施例にお
ける試験方法は以下の通りである。 酸素ガスバリヤ−性：ＡＳＴＭ Ｄ ３９８５に準拠
し、米国モダンコントロールズ社のＯＸＴＲＡＮ−ＴＷ
ＩＮを用いて、２５℃・１００％ＲＨにおける酸素ガス
透過率を測定した。この値が小さいほど、酸素バリヤー
性は優れている。 水蒸気バリヤー性：ＡＳＴＭ Ｆ １２４９に準拠し、
米国モダンコントロールズ社のＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ
−ＴＷＩＮを用いて、４０℃・９０％ＲＨにおける水蒸
気透過率を測定した。この値が小さいほど、水蒸気バリ
ヤー性は優れている。 透明性：透明性は分光光度計（日本分光社 Ｕ−ｂｅｓ
ｔ３０）を用い、リファレンスを空気とし５５０ｎｍ及
び４００ｎｍの透過率を測定した。この値が大きいほど
透明性は優れている。 表示可能時間：２５℃・５０％ＲＨの条件下で、１０日
間ごとに放電型ディスプレイを表示させ、表示可能な経
過時間を測定した。
に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。なお、実施例にお
ける試験方法は以下の通りである。 酸素ガスバリヤ−性：ＡＳＴＭ Ｄ ３９８５に準拠
し、米国モダンコントロールズ社のＯＸＴＲＡＮ−ＴＷ
ＩＮを用いて、２５℃・１００％ＲＨにおける酸素ガス
透過率を測定した。この値が小さいほど、酸素バリヤー
性は優れている。 水蒸気バリヤー性：ＡＳＴＭ Ｆ １２４９に準拠し、
米国モダンコントロールズ社のＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ
−ＴＷＩＮを用いて、４０℃・９０％ＲＨにおける水蒸
気透過率を測定した。この値が小さいほど、水蒸気バリ
ヤー性は優れている。 透明性：透明性は分光光度計（日本分光社 Ｕ−ｂｅｓ
ｔ３０）を用い、リファレンスを空気とし５５０ｎｍ及
び４００ｎｍの透過率を測定した。この値が大きいほど
透明性は優れている。 表示可能時間：２５℃・５０％ＲＨの条件下で、１０日
間ごとに放電型ディスプレイを表示させ、表示可能な経
過時間を測定した。
【００２０】〔実施例１〕特開平１−２５２７８６号公
報，特開平２−２７７７７４号公報に記載された蒸発原
料を連続的に供給排出する方式の抵抗加熱方式の真空蒸
着機を使い、厚さ１２μm のポリエチレンテレフタレー
トフィルムの片面に、けい素と二酸化けい素とフッ化マ
グネシウムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：
８モル％）を原料として加熱真空蒸着し、ガスバリア層
（厚みは約１０００オングストロ−ム）を形成した。つ
いで、ガスバリア層上に、厚さ２５０μm のポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを接着剤を用いてラミネート
加工し、放電型ディスプレイ用プラスチック基材を得
た。
報，特開平２−２７７７７４号公報に記載された蒸発原
料を連続的に供給排出する方式の抵抗加熱方式の真空蒸
着機を使い、厚さ１２μm のポリエチレンテレフタレー
トフィルムの片面に、けい素と二酸化けい素とフッ化マ
グネシウムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：
８モル％）を原料として加熱真空蒸着し、ガスバリア層
（厚みは約１０００オングストロ−ム）を形成した。つ
いで、ガスバリア層上に、厚さ２５０μm のポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを接着剤を用いてラミネート
加工し、放電型ディスプレイ用プラスチック基材を得
た。
【００２１】〔実施例２〕実施例１と同様の蒸着装置を
用い、厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの片面に、けい素と二酸化けい素とフッ化マグネ
シウムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：８モ
ル％）を原料として加熱真空蒸着によってガスバリア層
（厚みは約１０００オングストロ−ム）を形成し、放電
型ディスプレイ用プラスチック基材を得た。
用い、厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの片面に、けい素と二酸化けい素とフッ化マグネ
シウムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：８モ
ル％）を原料として加熱真空蒸着によってガスバリア層
（厚みは約１０００オングストロ−ム）を形成し、放電
型ディスプレイ用プラスチック基材を得た。
【００２２】〔実施例３〕厚さ１２μｍのナイロンフィ
ルムの片面に、アルミニウム酸化物（Ａｌ2 Ｏ3）をス
パッタリングし、ガスバリア層（厚みは約３００オング
ストロ−ム）を形成した。ついで、ガスバリア層上に、
厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレートを接着剤
を用いてラミネート加工し、放電型ディスプレイ用プラ
スチック基材を得た。 〔実施例４〕厚さ２５０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルムの片面に、珪素酸化物（ＳｉＯ2 ）のスパッ
タリングによってガスバリア層（厚みは約３００オング
ストロ−ム）を形成し、放電型ディスプレイ用プラスチ
ック基材を得た。
ルムの片面に、アルミニウム酸化物（Ａｌ2 Ｏ3）をス
パッタリングし、ガスバリア層（厚みは約３００オング
ストロ−ム）を形成した。ついで、ガスバリア層上に、
厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフタレートを接着剤
を用いてラミネート加工し、放電型ディスプレイ用プラ
スチック基材を得た。 〔実施例４〕厚さ２５０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルムの片面に、珪素酸化物（ＳｉＯ2 ）のスパッ
タリングによってガスバリア層（厚みは約３００オング
ストロ−ム）を形成し、放電型ディスプレイ用プラスチ
ック基材を得た。
【００２３】〔実施例５〕厚さ２０００μのポリエチレ
ンテレフタレートフィルムを放電型ディスプレイ用プラ
スチック基材とする。 〔実施例６〕厚さ２５０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルムの両面に、スピンコーター法にて塩化ビニリ
デン樹脂を塗布したのち乾燥して、ガスバリア層（厚み
は約５μｍ）を形成し、放電型ディスプレイ用プラスチ
ック基材を得た。
ンテレフタレートフィルムを放電型ディスプレイ用プラ
スチック基材とする。 〔実施例６〕厚さ２５０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルムの両面に、スピンコーター法にて塩化ビニリ
デン樹脂を塗布したのち乾燥して、ガスバリア層（厚み
は約５μｍ）を形成し、放電型ディスプレイ用プラスチ
ック基材を得た。
【００２４】〔実施例７〕厚さ２５０μのポリエチレン
テレフタレートフィルムの片面に、坩堝方式の抵抗加熱
蒸着によって珪素酸化物（ＳｉＯ）のガスバリア層（厚
みは約１０００オングストロ−ム）を形成し、放電型デ
ィスプレイ用プラスチック基材を得た。
テレフタレートフィルムの片面に、坩堝方式の抵抗加熱
蒸着によって珪素酸化物（ＳｉＯ）のガスバリア層（厚
みは約１０００オングストロ−ム）を形成し、放電型デ
ィスプレイ用プラスチック基材を得た。
【００２５】〔実施例８〕電子線加熱方式の蒸着装置を
用い、厚さ１２μm のポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの両面に、けい素と二酸化けい素と酸化マグネシウ
ムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：８モル
％）を原料として加熱真空蒸着し、ガスバリア層（厚み
は約３００オングストロ−ム）を形成した。ついで、ガ
スバリア層上に、厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムを接着剤を用いてラミネート加工し、
放電型ディスプレイ用プラスチック基材を得た。
用い、厚さ１２μm のポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの両面に、けい素と二酸化けい素と酸化マグネシウ
ムの混合物（混合比４６モル％：４６モル％：８モル
％）を原料として加熱真空蒸着し、ガスバリア層（厚み
は約３００オングストロ−ム）を形成した。ついで、ガ
スバリア層上に、厚さ２５０μｍのポリエチレンテレフ
タレートフィルムを接着剤を用いてラミネート加工し、
放電型ディスプレイ用プラスチック基材を得た。
【００２６】〔比較例１〕厚さ３００μのポリカーボネ
ートフィルムを放電型ディスプレイ用プラスチック基材
とする。 〔比較例２〕厚さ２５０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルムを放電型ディスプレイ用プラスチック基材と
する。
ートフィルムを放電型ディスプレイ用プラスチック基材
とする。 〔比較例２〕厚さ２５０μのポリエチレンテレフタレー
トフィルムを放電型ディスプレイ用プラスチック基材と
する。
【００２７】実施例，比較例で得られた放電型ディスプ
レイ用プラスチック基材について、酸素ガスバリヤー
性，水蒸気バリヤー性，透明性を評価した。また、得ら
れた放電型ディスプレイ用プラスチック基材を用いて以
下の方法で放電型ディスプレイを作成し、表示可能時間
を測定した。結果を表１に示す。 放電型ディスプレイの作成方法（説明中の数字は、図１
の符号である。）：放電型ディスプレイ用プラスチック
基材１に、透明電極群２をストライプ状に形成し、表示
側プラスチック基材とした。一方、放電型ディスプレイ
用プラスチック基材に、ストライプ状に導電性金属電極
群４を形成し、背面側プラスチック基材とした。つい
で、表示側プラスチック基材と背面側プラスチック基材
の間に、スクリーン印刷方法によって適所にスペーサー
５を配して、表示側プラスチック基材の電極と背面側プ
ラスチック基材の電極が交差するように配置し、封止樹
脂３による密封とペニングガス６の封入を行い放電型デ
ィスプレイを完成した。
レイ用プラスチック基材について、酸素ガスバリヤー
性，水蒸気バリヤー性，透明性を評価した。また、得ら
れた放電型ディスプレイ用プラスチック基材を用いて以
下の方法で放電型ディスプレイを作成し、表示可能時間
を測定した。結果を表１に示す。 放電型ディスプレイの作成方法（説明中の数字は、図１
の符号である。）：放電型ディスプレイ用プラスチック
基材１に、透明電極群２をストライプ状に形成し、表示
側プラスチック基材とした。一方、放電型ディスプレイ
用プラスチック基材に、ストライプ状に導電性金属電極
群４を形成し、背面側プラスチック基材とした。つい
で、表示側プラスチック基材と背面側プラスチック基材
の間に、スクリーン印刷方法によって適所にスペーサー
５を配して、表示側プラスチック基材の電極と背面側プ
ラスチック基材の電極が交差するように配置し、封止樹
脂３による密封とペニングガス６の封入を行い放電型デ
ィスプレイを完成した。
【００２８】
【表１】
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、ガスバリヤー性，水蒸
気バリヤー性を有し、軽量で割れない放電型ディスプレ
イ用プラスチック基材が提供可能となり、表示効果に優
れた高品質のプラスチック基材形放電ディスプレイを得
ることができる。
気バリヤー性を有し、軽量で割れない放電型ディスプレ
イ用プラスチック基材が提供可能となり、表示効果に優
れた高品質のプラスチック基材形放電ディスプレイを得
ることができる。
【００３０】
【図面の簡単な説明】
【図１】は、本発明の放電型ディスプレイ用プラスチッ
ク基材を用いた放電型ディスプレイの断面図。
ク基材を用いた放電型ディスプレイの断面図。
１：放電型ディスプレイ用プラスチック基材 ２：透明電極群 ３：封止樹脂 ４：導電性金属電極群 ５：スペーサー ６：ペニングガス
Claims (5)
- 【請求項１】ガスバリヤ性能を有するプラスチック
（Ａ）からなり、酸素ガス透過率が１ｍｌ／ｍ2 ・２４
ｈｒ以下であることを特徴とする放電型ディスプレイ用
プラスチック基材。 - 【請求項２】プラスチック基材（Ｂ）の片面または両面
に、１層以上のガスバリヤ層（Ｃ）を有する放電型ディ
スプレイ用プラスチック基材。 - 【請求項３】ガスバリヤ層（Ｃ）が、金属酸化物及びま
たは金属フッ化物からなることを特徴とする請求項２記
載の放電型ディスプレイ用プラスチック基材。 - 【請求項４】ガスバリヤ層（Ｃ）が、けい素酸化物と、
金属フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物とからな
り、真空薄膜形成技術によって形成されることを特徴と
する請求項３記載の放電型ディスプレイ用プラスチック
基材。 - 【請求項５】ガスバリヤ層（Ｃ）を構成する金属フッ化
物が、フッ化マグネシウム，フッ化カルシウム，フッ化
ストロンチウム及びフッ化バリウムから選ばれる一種ま
たは二種以上である請求項４記載の放電型ディスプレイ
用プラスチック基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030197A JPH09223465A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 放電型ディスプレイ用プラスチック基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8030197A JPH09223465A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 放電型ディスプレイ用プラスチック基材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223465A true JPH09223465A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12297033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8030197A Withdrawn JPH09223465A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 放電型ディスプレイ用プラスチック基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09223465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006019031A1 (ja) * | 2004-08-17 | 2006-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| WO2008007441A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Hitachi Plasma Display Limited | procédé de fabrication d'un écran plasma à l'aide d'un substrat en résine |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP8030197A patent/JPH09223465A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006019031A1 (ja) * | 2004-08-17 | 2006-02-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | プラズマディスプレイパネルとその製造方法 |
| US7956540B2 (en) | 2004-08-17 | 2011-06-07 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| JP4755100B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2011-08-24 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
| WO2008007441A1 (fr) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Hitachi Plasma Display Limited | procédé de fabrication d'un écran plasma à l'aide d'un substrat en résine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20031205 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031208 |